一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步，集成電路制造工藝要求日益提高，但是由于集成電路的制造周期較長，成本極高，因此提高制造工藝的生產(chǎn)效率以及產(chǎn)品良率顯得尤為重要。同時由于半導(dǎo)體器件的精密性，在出廠前需要對晶圓進行WAT測試(WaferAcceptanceTest，晶片允收測試)，以對晶圓的電學(xué)性能進行檢測，避免不符合客戶要求的器件出廠進而造成損失。
[0003]目前的測試是直接換上探針卡對晶圓進行WAT測試，利用探針卡的探針扎在晶圓上待測區(qū)域的焊墊上來進行電性檢測。隨著我們機臺測試需求的越發(fā)頻繁，探針卡的使用情況遠遠超于以往的利用率，在長時間的使用下可能由于種種情況會導(dǎo)致探針卡的出現(xiàn)異常。
[0004]在測試過程中，晶圓會出現(xiàn)合格或OOS(超出規(guī)格)的電性參數(shù):當(dāng)晶圓出現(xiàn)超出規(guī)格的電性參數(shù)時會將晶圓進行重測，以驗證由生產(chǎn)線的問題引起或由量測問題引起。量測問題根據(jù)產(chǎn)生的原因主要分為探針卡或量測儀器兩種，而工作人員發(fā)現(xiàn)，一半以上的量測問題往往是由探針卡引起的。
[0005]探針卡引起量測問題的原因是往往由于測試過程中探針卡的針尖沾上了微小顆?；蜥樇獍l(fā)生氧化，而造成的探針與測試襯墊之間接觸電阻變大。電性參數(shù)測試的過程是量測儀器給測試器件施加電信號，然后量測器件返回的電信號，而接觸電阻的增加將引起量測參數(shù)的偏移。一旦探針卡出現(xiàn)異常而沒有被及時發(fā)現(xiàn)并及時清理，利用異常的探針卡直接對待測晶圓進行WAT測試，會造成WAT測試時間浪費及晶圓浪費，同時也會直接影響接下來的測試結(jié)果。
[0006]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需提供的一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)，在測試過程中對探針卡的針尖狀況進行判斷，并自動對針對進行清潔，提高探針卡的測試效率，降低晶圓的測試成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)，在測試過程中對探針卡的針尖狀況進行判斷，并自動對針對進行清潔，提高探針卡的測試效率，降低晶圓的測試成本。
[0008]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種探針卡清針方法，包括以下步驟:
[0009]步驟SO1、獲取探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)；
[0010]步驟S02、預(yù)設(shè)探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值；
[0011]步驟S03、將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比；若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)在標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍內(nèi)，則繼續(xù)測試，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)超過標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍，則對所述探針卡的探針進行清針。
[0012]優(yōu)選的，所述探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值為-0.3ohM?0.3ohM。
[0013]優(yōu)選的，步驟S03中，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)超過標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍，則對所述探針卡的探針進行清針并發(fā)出警報。
[0014]本發(fā)明還提供一種探針卡清針系統(tǒng)，包括:
[0015]設(shè)定存儲模塊，用于預(yù)設(shè)探針卡的每根探針的接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值；
[0016]信息采集模塊，用于獲取所述探針卡每根探針接觸電阻的測試參數(shù)；
[0017]處理模塊，用于將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比并進行分析處理；
[0018]清針裝置，用于對所述探針卡上的探針進行清理。
[0019]優(yōu)選的，所述設(shè)定存儲模塊設(shè)定的探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值為-0.3ohM ?0.3ohMo
[0020]優(yōu)選的，所述處理模塊對所述探針卡每根探針的接觸電阻的測試參數(shù)與-0.3ohM?0.3ohM進行比對。
[0021]與現(xiàn)有的方案相比，本發(fā)明提供的一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)，在測試過程中自動的對探針卡的探針狀況進行判斷，并對其進行清潔，從而減少測試過程中因為探針卡引起的量測問題，進而減少重測率，同時也相應(yīng)的提升了探針卡的使用效率，降低晶圓的測試成本，提高了測試的可靠性、準(zhǔn)確性和效率。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本發(fā)明一種探針卡清針方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0024]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作進一步地詳細描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0025]上述及其它技術(shù)特征和有益效果，將結(jié)合實施例及附圖1對本發(fā)明的探針卡清針方法進行詳細說明。圖1為本發(fā)明一種探針卡清針方法的流程示意圖。
[0026]如圖1所示，本發(fā)明提供了一種探針卡清針方法，包括以下步驟:
[0027]首先獲取探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)。
[0028]接著預(yù)設(shè)探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值，該標(biāo)準(zhǔn)閾值可根據(jù)實際情況而設(shè)定。優(yōu)選的，探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值為-0.3ohM?0.3ohM。
[0029]最后將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比；即，將探針卡每根探針的接觸電阻的測試參數(shù)與-0.3ohM?0.3ohM進行比對。
[0030]若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)在標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍內(nèi)，則繼續(xù)測試，直至測試結(jié)束，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)超過標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍，則說明該探針的接觸電阻過大，需要對所述探針卡的探針進行清針，也可在清針的同時發(fā)出警報，清針是對探針表面附著的顆粒物或氧化物去除的過程。
[0031]同時，本發(fā)明還提供一種探針卡清針系統(tǒng)，包括設(shè)定存儲模塊、信息采集模塊、處理模塊以及清針裝置。
[0032]具體的，所述設(shè)定存儲模塊用于預(yù)設(shè)探針卡的每根探針的接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值；設(shè)定存儲模塊設(shè)定的探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值優(yōu)選為-0.3ohM?0.3ohM。
[0033]所述信息采集模塊用于獲取所述探針卡每根探針接觸電阻的測試參數(shù)。
[0034]所述處理模塊用于將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比并進行分析處理。優(yōu)選的，處理模塊對所述探針卡每根探針的接觸電阻的測試參數(shù)與-0.3ohM?0.3ohM進行比對。
[0035]所述清針裝置用于對所述探針卡上的探針進行清理，去除探針表面附著的顆粒物或氧化物，防止探針的接觸電阻過大。
[0036]本發(fā)明提供的探針卡清針系統(tǒng)，信息采集模塊用于采集探針卡每根探針接觸電阻的測試參數(shù)，并通過設(shè)定存儲模塊設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)閾值，處理模塊將實際測試參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比，若接觸電阻的測試參數(shù)大于標(biāo)準(zhǔn)閾值，說明探針的測試電阻過大，則處理模塊控制清針裝置的啟閉，使其自動對探針表面的附著物進行清理。
[0037]綜上所述，本發(fā)明提供的一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)，在測試過程中自動的對探針卡的探針狀況進行判斷，并對其進行清潔，從而減少測試過程中因為探針卡引起的量測問題，進而減少重測率，同時也相應(yīng)的提升了探針卡的使用效率，降低晶圓的測試成本，提高了測試的可靠性、準(zhǔn)確性和效率。
[0038]上述說明示出并描述了本發(fā)明的若干優(yōu)選實施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進行改動。而本領(lǐng)域人員所進行的改動和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種探針卡清針方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟SO1、獲取探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)； 步驟S02、預(yù)設(shè)探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值； 步驟S03、將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比；若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)在標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍內(nèi)，則繼續(xù)測試，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)超過標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍，則對所述探針卡的探針進行清針。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡清針方法，其特征在于，所述探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值為-0.3ohM?0.3ohM。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡清針方法，其特征在于，步驟S03中，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)超過標(biāo)準(zhǔn)閾值范圍，則對所述探針卡的探針進行清針并發(fā)出警報。4.一種探針卡清針系統(tǒng)，其特征在于，包括: 設(shè)定存儲模塊，用于預(yù)設(shè)探針卡的每根探針的接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值； 信息采集模塊，用于獲取所述探針卡每根探針接觸電阻的測試參數(shù)； 處理模塊，用于將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比并進行分析處理； 清針裝置，用于對所述探針卡上的探針進行清理。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的探針卡清針系統(tǒng)，其特征在于，所述設(shè)定存儲模塊設(shè)定的探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值為-0.3ohM?0.3ohM。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的探針卡清針系統(tǒng)，其特征在于，所述處理模塊對所述探針卡每根探針的接觸電阻的測試參數(shù)與-0.3ohM?0.3ohM進行比對。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)，首先獲取探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)；接著預(yù)設(shè)探針卡上的探針接觸電阻的標(biāo)準(zhǔn)閾值；最后將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數(shù)與所述標(biāo)準(zhǔn)閾值進行對比，若測試參數(shù)超出標(biāo)準(zhǔn)閾值，則對探針卡上的探針進行清理。本發(fā)明提供的一種探針卡清針方法及清針系統(tǒng)，在測試過程中自動的對探針卡的探針狀況進行判斷，并對其進行清潔，從而減少測試過程中因為探針卡引起的量測問題，進而減少重測率，同時也相應(yīng)的提升了探針卡的使用效率，降低晶圓的測試成本，提高了測試的可靠性、準(zhǔn)確性和效率。
【IPC分類】G01N27/04, B08B13/00
【公開號】CN104931543
【申請?zhí)枴緾N201510369466
【發(fā)明人】沈茜, 婁曉祺
【申請人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月29日