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      用于集成無源器件的測試板以及測試方案的制作方法

      文檔序號:9451365閱讀:618來源:國知局
      用于集成無源器件的測試板以及測試方案的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種電子裝置,特別是涉及一種能夠適用于測量集成無源器件(iro)的高頻LCR參數(shù)測試的測試板、以及應(yīng)用了該測試板的電子測試方案。
      【背景技術(shù)】
      [0002]消費(fèi)電子類產(chǎn)品發(fā)展迅速,要求制造商提提供尺寸小、速率快、價(jià)格低廉的元器件產(chǎn)品。例如,在手機(jī)通信等電子裝置中,需要在小面積的電路板上集成形成高性能的高頻器件(例如800MHz以上、乃至2.4GHz以上)、諸如射頻(RF)器件。IPD(集成無源器件)因?yàn)闈M足這些所有要求,近來成為研究開發(fā)熱點(diǎn)。
      [0003]研發(fā)工作中,經(jīng)常情況是很多器件集成在一個(gè)很小面積的iro芯片上(例如
      0.5mmX Imm或更小),例如在高電阻R的半導(dǎo)體襯底中(例如采取摻雜阱區(qū)電阻)或者之上(例如薄膜電阻、電感或電容)提供高Q值的電感L以及高介電常數(shù)薄膜構(gòu)成的電容C。然而,通常采用離子注入摻雜或者金屬、絕緣膜的沉積來形成這些高密度的無源器件,工藝參數(shù)的波動(dòng)將極大影響iro的精度,使得電子裝置整體性能下降。為此,除了在制造工藝前端精確調(diào)整工藝參數(shù),還必需在制造iro之后、最終封裝iro之前對電路板上搭載的iro做必要的板上測試以便控制器件的最終電學(xué)性能。
      [0004]然而,受制于PCB板或者芯片襯底的集成度要求,IPD的測試接口密度更大、尺寸更小,不同于傳統(tǒng)電子器件的大尺寸接線柱端子,無法采用萬用表、示波器等常規(guī)儀器用常規(guī)方法測量,使得準(zhǔn)確測試iro芯片上器件的高頻電特性成為一個(gè)難點(diǎn)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]由上所述,本發(fā)明的目的在于克服上述技術(shù)困難,提出一種能夠適用于測量集成無源器件(IPD)的高頻LCR參數(shù)測試的測試板、以及應(yīng)用了該測試板的測試方案。
      [0006]為此,本發(fā)明提供了一種用于集成無源器件的測試板,包括測試結(jié)構(gòu)和校準(zhǔn)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與所述測試結(jié)構(gòu)位于同一塊PCB板上,并且與所述測試結(jié)構(gòu)的布局相同。
      [0007]其中,所述測試結(jié)構(gòu)包括第一端子、第二端子以及第一互連布線,所述第二端子位于所述第一端子外圍、并且通過所述互連布線與所述第一端子電連接。
      [0008]其中,所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括第三端子、第四端子以及第二互連布線,所述第三端子和第四端子的相對位置關(guān)系、與所述第一端子和第二端子的相對位置關(guān)系相同,所述第二互連布線與所述第一互連布線長度以及方向相同。
      [0009]其中,所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位于所述測試板的角落或者側(cè)邊處,或者與所述測試結(jié)構(gòu)間隔排列。
      [0010]其中,所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括開路校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和短路校準(zhǔn)結(jié)構(gòu),所述短路校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的端子之間具有短路布線。
      [0011 ] 其中,所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與所述測試結(jié)構(gòu)的形成工藝以及材料相同。
      [0012]本發(fā)明另一方面還提供了一種用于集成無源器件的測試系統(tǒng),包括:測試板,包括測試結(jié)構(gòu)和校準(zhǔn)結(jié)構(gòu),所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)位于所述測試結(jié)構(gòu)周圍、并且與所述測試結(jié)構(gòu)的布局相同;測試儀,通過電纜和探針與所述測試板電連接;待測的集成無源器件,通過所述測試結(jié)構(gòu)與所述測試板電連接。
      [0013]其中,所述測試結(jié)構(gòu)包括第一端子、第二端子以及第一互連布線,所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括第三端子、第四端子以及第二互連布線,所述第三端子和第四端子的相對位置關(guān)系、與所述第一端子和第二端子的相對位置關(guān)系相同,所述第二互連布線與所述第一互連布線長度以及方向相同。
      [0014]其中,所述測試儀倒裝安裝在所述測試板的測試結(jié)構(gòu)上。
      [0015]其中,所述校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括開路校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和短路校準(zhǔn)結(jié)構(gòu),所述短路校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的端子之間具有短路布線。
      [0016]依照本發(fā)明的用于集成無源器件的測試結(jié)構(gòu),在測試板上設(shè)計(jì)了 iro芯片的高頻測試連接端口和誤差校準(zhǔn)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了測試點(diǎn)的連接,又通過校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)巧妙地消除測試鏈路中的誤差,方便地進(jìn)行iro高頻測試的校準(zhǔn)和測試,提供了一種便捷準(zhǔn)確的測量方式,滿足足iro芯片研發(fā)工作中的測試需求。
      【附圖說明】
      [0017]以下參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案,其中:
      [0018]圖1為依照本發(fā)明的測試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖2為依照本發(fā)明的測試系統(tǒng)中寄生參數(shù)的等效電路圖;以及
      [0020]圖3為依照本發(fā)明的測試板的布線示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0021]以下參照附圖并結(jié)合示意性的實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明技術(shù)方案的特征及其技術(shù)效果,公開了能夠適用于測量集成無源器件(IPD)的高頻LCR參數(shù)測試的測試板、以及應(yīng)用了該測試板的電子測試系統(tǒng)。需要指出的是,類似的附圖標(biāo)記表示類似的結(jié)構(gòu),本申請中所用的術(shù)語“第一”、“第二”、“上”、“下”等、刻蝕等可用于修飾各種器件結(jié)構(gòu)或制造工序。這些修飾除非特別說明并非暗示所修飾器件結(jié)構(gòu)或制造工序的空間、次序或?qū)蛹夑P(guān)系。
      [0022]如圖1所示,示出了依照本發(fā)明的測試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中,測試系統(tǒng)100包括測試板110、待測的IPD芯片120以及測試儀130。其中,待測的IPD芯片120通過倒裝(Flip—chip)方式安裝在測試板110上。例如在測試板110的絕緣基底上通過電鍍等工藝,形成了焊料凸塊的多個(gè)第一端子111。第一端子111的材質(zhì)優(yōu)選以Cu為主(例如在未示出的粘附層之上的電鍍Cu凸點(diǎn)),例如含有95?97重量%的Cu,還可以含有少量的N1、P, Cr, Ag, Au, Pt以改善界面特性,提高其浸潤性、減小接觸電阻。然后通過熱擠壓、超聲焊接、焊球接合等方式將待測的IB)芯片120倒裝覆蓋在第一端子111之上,并借由芯片120下底面的焊盤(未示出)而形成與測試板110的電接觸、電耦合。如圖3所示,測試板110上的多個(gè)第一端子111相互間距較小,構(gòu)成了內(nèi)部端子區(qū)Tl,僅適用于耦合芯片120,通常無法采用導(dǎo)電夾或探針直接接觸。為此,在測試板110上第一端子111的外圍,設(shè)置了多個(gè)第二端子112以構(gòu)成外部端子區(qū)T2,以用作測試點(diǎn)。第二端子112的數(shù)目與第一端子111的數(shù)目相同,并且在第一端子111和第二端子112之間設(shè)置了多個(gè)第一互連布線113。第二端子112例如設(shè)置成面積較大的焊盤或者導(dǎo)體柱形式,材質(zhì)與第一端子111相同。多個(gè)互連布線113設(shè)置在一一對應(yīng)的第一端子111和第二端子112之間并且使得兩者電連接。
      [0023]測試儀130采用高精度的LCR測試儀,例如可以從安捷倫等公司商業(yè)購得的型號為4294、4991等測試儀,以用于測量高頻信號下的電容、電感和電阻的精確數(shù)值。具體地,測試儀130通過電纜131、探針132而接觸測試板110上的多個(gè)第二端子112,形成了測試鏈路。為了提高精度,需要使得測試儀130的測試參考面位于儀器端口處,
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