一種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及換流站/變電站高壓一次設(shè)備檢修維護(hù)領(lǐng)域，具體涉及一種換流站/ 變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 2014~2015年，南方電網(wǎng)檢修運(yùn)行人員發(fā)現(xiàn)某些換流站瓷絕緣子、復(fù)合絕緣子和 復(fù)合絕緣套管出現(xiàn)設(shè)備長青苔、發(fā)霉等現(xiàn)象。調(diào)研發(fā)現(xiàn)，絕緣設(shè)備表面起苔發(fā)霉現(xiàn)象在國內(nèi) 外均時有發(fā)生。2010年12月，南方電網(wǎng)某交流500kV線路停電檢修時，發(fā)現(xiàn)部分耐張塔玻 璃絕緣子上下表面均長有苔蘚，下表面較為嚴(yán)重；經(jīng)現(xiàn)場人員確認(rèn)，絕緣子表面的苔蘚較難 清掃干凈；國家電網(wǎng)區(qū)域內(nèi)四川電網(wǎng)發(fā)生過類似現(xiàn)象。在世界范圍內(nèi)，美國、瑞士、斯里蘭 卡、坦桑尼亞、哥倫比亞、烏拉圭、新西蘭和澳大利亞等國家都發(fā)現(xiàn)了類似問題。瑞士、美國 等國家研究人員從90年代開始對該問題進(jìn)行系統(tǒng)性研究，主要包括絕緣子生物積污的類 型和形成條件，生物積污對設(shè)備的影響以及絕緣子生物積污的防治措施和可行方向等。國 內(nèi)電力及科研機(jī)構(gòu)對該問題的研究較少，鮮有報道。因此，對起苔發(fā)霉絕緣子，尤其是復(fù)合 子絕緣性能的評估手段非常有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕 緣性能的評估方法。
[0004] 上述技術(shù)問題的解決，可通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種換流站/變電站起苔發(fā)霉 復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方法，用于檢測復(fù)合絕緣子表面的起苔或發(fā)霉區(qū)域的絕緣性 能，包括如下步驟：
[0005] 步驟一：采用噴水分級法檢測復(fù)合絕緣子的表面憎水性分級及對應(yīng)的區(qū)域面積， 將復(fù)合絕緣子表面的憎水性狀態(tài)分為七級，分別表示為HC1、HC2、HC3、HC4、HC5、 HC6及HC7,其中HCl對應(yīng)最佳憎水性，HC7對應(yīng)最差憎水性，即完全親水性；
[0006] 步驟二：采用兆歐表或絕緣電阻表測量1~3片復(fù)合絕緣子傘裙在干燥條件和濕 潤條件下的絕緣電阻；
[0007] 步驟三：根據(jù)上述兩個步驟的測量結(jié)果評估起苔或發(fā)霉的復(fù)合絕緣子絕緣性能， 將憎水性分級分為三級：
[0008] 第一級的級別為零級，滿足如下兩個條件
[0009] ⑴此級別的憎水性為HCl~HC2級100 %的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，HC3~HC4級 不高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，
[0010] (ii)在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻為彡50G/片復(fù)合絕緣子；
[0011] 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能滿足要求，復(fù)合絕緣子繼續(xù)運(yùn)行；
[0012] 第二級的級別為一級，滿足如下兩個條件
[0013] ⑴此級別的憎水性為HC3~HC4級100%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，HC5級以下不 高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，
[0014] (ii)在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻為1~50G/片復(fù)合絕緣子；
[0015] 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能基本滿足要求，在定期檢測的前提下，復(fù)合絕緣子繼 續(xù)運(yùn)行；
[0016] 第三級的級別為二級，滿足如下兩個條件
[0017] ⑴此級別的憎水性為HC5級以下高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，
[0018] (ii)在濕潤條件下的絕緣電阻為彡IG/片復(fù)合絕緣子；
[0019] 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能不滿足要求，將復(fù)合絕緣子退出運(yùn)行。
[0020] 憎水性是復(fù)合絕緣子的標(biāo)志性特性。復(fù)合絕緣子的絕緣性能一般包括憎水性、絕 緣電阻、擊穿電壓、漏電起痕指數(shù)等一系列指標(biāo)。一般認(rèn)為憎水性的喪失會導(dǎo)致絕緣電阻的 嚴(yán)重下降，但下降程度取決于憎水性的散失程度。因此，絕緣電阻的測量和憎水性的測量時 存在互補(bǔ)的關(guān)系。
[0021] 本發(fā)明的主要技術(shù)創(chuàng)新內(nèi)容包括：
[0022] 1、提出了采用憎水性檢測和絕緣電阻測量相結(jié)合的方法判斷起苔、發(fā)霉復(fù)合絕緣 子的絕緣性能；
[0023] 2、其原理在于，微生物附著區(qū)域復(fù)合絕緣子憎水性和絕緣電阻均會出現(xiàn)下降，下 降幅度取決于微生物類型和附著量，而未附著區(qū)域的憎水性則變化不大；
[0024] 3、通過研究表明發(fā)霉區(qū)域的復(fù)合絕緣子憎水性會喪失。
[0025] 本發(fā)明具有如下有益效果：本評估方法僅通過測量發(fā)霉起苔復(fù)合絕緣子的憎水 性和絕緣電阻評估絕緣子的絕緣性能，測量方法簡單，測試工具操作簡便，在換流站或變電 站現(xiàn)場條件下即可實(shí)施，當(dāng)起苔或發(fā)霉絕緣子50%區(qū)域面積以上憎水性下降至HC5以下或 單片傘裙的絕緣電阻在IG/片以下時，即可安排復(fù)合絕緣子的清掃和后續(xù)檢測工作。
【附圖說明】
[0026] 圖1是本發(fā)明絕緣電阻檢測示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 下面將結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0028] 實(shí)施例：
[0029] -種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方法，用于檢測復(fù)合絕 緣子表面的起苔或發(fā)霉區(qū)域的絕緣性能，包括如下步驟：
[0030] 步驟一：采用噴水分級法檢測復(fù)合絕緣子的表面憎水性分級及對應(yīng)的區(qū)域面積， 將復(fù)合絕緣子表面的憎水性狀態(tài)分為七級，分別表示為HC1、HC2、HC3、HC4、HC5、 HC6及HC7,其中HCl對應(yīng)最佳憎水性，HC7對應(yīng)最差憎水性，即完全親水性，測試過程中，噴 水設(shè)備可用噴壺；
[0031] 步驟二：采用兆歐表或絕緣電阻表測量1~3片復(fù)合絕緣子傘裙在干燥條件和濕 潤條件下的絕緣電阻；
[0032] 步驟三：根據(jù)上述兩個步驟的測量結(jié)果評估起苔或發(fā)霉的復(fù)合絕緣子絕緣性能， 將憎水性分級分為三級：
[0033] 第一級的級別為零級，滿足如下兩個條件
[0034] ⑴此級別的憎水性為HCl~HC2級100 %的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，HC3~HC4級 不高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，
[0035] (ii)在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻為彡50G/片復(fù)合絕緣子；
[0036] 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能滿足要求，復(fù)合絕緣子繼續(xù)運(yùn)行；
[0037] 第二級的級別為一級，滿足如下兩個條件
[0038] ⑴此級別的憎水性為HC3~HC4級100%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，HC5級以下不 高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，
[0039] (ii)在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻為1~50G/片復(fù)合絕緣子；
[0040] 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能基本滿足要求，在定期檢測的前提下，復(fù)合絕緣子繼 續(xù)運(yùn)行；
[0041] 第三級的級別為二級，滿足如下兩個條件
[0042] ⑴此級別的憎水性為HC5級以下高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，
[0043] (ii)在濕潤條件下的絕緣電阻為彡IG/片復(fù)合絕緣子；
[0044] 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能不滿足要求，將復(fù)合絕緣子退出運(yùn)行。
[0045] 本實(shí)施例中的起苔或發(fā)霉區(qū)域包括藻類、真菌/霉菌、細(xì)菌和苔蘚現(xiàn)象。
[0046] 本實(shí)施例中的噴水設(shè)備應(yīng)距離起苔或發(fā)霉區(qū)域的絕緣子傘裙約25cm，每秒噴水1 次，共25次，每次噴水量為0. 7~IML ;噴水后絕緣子表面應(yīng)有水分流下。噴射方向盡可能 垂直于對象表面，憎水性分級HC值的讀取應(yīng)在噴水結(jié)束后30s內(nèi)完成。
[0047] 通過選取1~3片起苔或發(fā)霉復(fù)合絕緣子區(qū)域的傘裙作為被測試品，在復(fù)合絕緣 子桿徑處采用裸銅線環(huán)繞緊貼，作為測試電極；使用絕緣電阻表或兆歐表調(diào)至相應(yīng)檔位分 別測量被測試品在干燥和濕潤條件下的絕緣電阻，濕潤條件下的復(fù)合絕緣傘裙采可用水電 導(dǎo)率300 μ S/cm噴淋被測試品表面至傘裙表面有水滴流下，絕緣電阻測量采用兆歐表或絕 緣電阻表，測量范圍不小于IX IO6~1X10 15 Ω，本實(shí)施例通過如下表1說明起苔或發(fā)霉復(fù) 合絕緣子區(qū)域的絕緣性能的評估方法。
[0048]
[0049] 本發(fā)明中起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估判據(jù)如表1所示。將起苔發(fā)霉的嚴(yán) 重程度分為三級，分別為零級、一級和二級。本評估方法采用復(fù)合絕緣子傘裙表面起苔或發(fā) 霉區(qū)域面積、憎水性等級和絕緣電阻作為分級的標(biāo)準(zhǔn)。特別地，若復(fù)合絕緣子起苔或發(fā)霉?fàn)?態(tài)處于二級，則被測復(fù)合絕緣子應(yīng)采取清掃或更換等措施。
[0050] 上列詳細(xì)說明是針對本發(fā)明可行實(shí)施例的具體說明，該實(shí)施例并非用以限制本發(fā) 明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明型所為的等效實(shí)施或變更，均應(yīng)包含于本案的專利范圍中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方法，用于檢測復(fù)合絕緣 子表面的起苔或發(fā)霉區(qū)域的絕緣性能，其特征在于，包括如下步驟： 步驟一：采用噴水分級法檢測復(fù)合絕緣子的表面憎水性分級及對應(yīng)的區(qū)域面積，將復(fù) 合絕緣子表面的憎水性狀態(tài)分為七級，分別表示為HC1、HC2、HC3、HC4、HC5、HC6 及HC7,其中HC1對應(yīng)最佳憎水性，HC7對應(yīng)最差憎水性，即完全親水性； 步驟二：采用兆歐表或絕緣電阻表測量1~3片復(fù)合絕緣子傘裙在干燥條件和濕潤條 件下的絕緣電阻； 步驟三：根據(jù)上述兩個步驟的測量結(jié)果評估起苔或發(fā)霉的復(fù)合絕緣子絕緣性能，將憎 水性分級分為三級： 第一級的級別為零級，滿足如下兩個條件 (1)此級別的憎水性為此1~!^2級100%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，!0~!^4級不高 于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積， (ii)在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻為多50G/片復(fù)合絕緣子； 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能滿足要求，復(fù)合絕緣子繼續(xù)運(yùn)行； 第二級的級別為一級，滿足如下兩個條件 ⑴此級別的憎水性為HC3~HC4級100%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積，HC5級以下不高于 50 %的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積， (ii)在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻為1~50G/片復(fù)合絕緣子； 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能基本滿足要求，在定期檢測的前提下，復(fù)合絕緣子繼續(xù)運(yùn) 行； 第三級的級別為二級，滿足如下兩個條件 (i) 此級別的憎水性為HC5級以下高于50%的起苔或發(fā)霉區(qū)域面積， (ii) 在濕潤條件下的絕緣電阻為< 1G/片復(fù)合絕緣子； 則判定復(fù)合絕緣子絕緣性能不滿足要求，將復(fù)合絕緣子退出運(yùn)行。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方 法，其特征在于，所述起苔或發(fā)霉區(qū)域包括藻類、真菌/霉菌、細(xì)菌和苔蘚現(xiàn)象。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方 法，其特征在于，所述兆歐表或絕緣電阻表測量范圍不小于1X1〇6~1X10 15Ω。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種換流站/變電站起苔發(fā)霉復(fù)合絕緣子絕緣性能的評估方法，用于檢測復(fù)合絕緣子表面的起苔或發(fā)霉區(qū)域的絕緣性能，包括如下步驟：采用噴水分級法檢測復(fù)合絕緣子的表面憎水性分級及對應(yīng)的區(qū)域面積，將復(fù)合絕緣子表面的憎水性狀態(tài)分為七級；采用兆歐表或絕緣電阻表測量1～3片復(fù)合絕緣子傘裙在干燥條件和濕潤條件下的絕緣電阻；根據(jù)上述兩個步驟的測量結(jié)果評估起苔或發(fā)霉的復(fù)合絕緣子絕緣性能。測量方法簡單，測試工具操作簡便，在換流站或變電站現(xiàn)場條件下即可實(shí)施，當(dāng)起苔或發(fā)霉絕緣子50％區(qū)域面積以上憎水性下降至HC5以下或單片傘裙的絕緣電阻在1G/片以下時，即可安排復(fù)合絕緣子的清掃和后續(xù)檢測工作。
【IPC分類】G01R31/00
【公開號】CN105301417
【申請?zhí)枴緾N201510873264
【發(fā)明人】韋曉星, 張晉寅, 楚金偉, 盧文浩, 劉婉瑩, 陳偉, 夏谷林
【申請人】中國南方電網(wǎng)有限責(zé)任公司超高壓輸電公司檢修試驗(yàn)中心
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年12月1日