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      Co傳感器和co傳感器的制造方法_2

      文檔序號(hào):9602370閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      【具體實(shí)施方式】
      [0045]以下,示出用于實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
      [0046](1)C0傳感器的結(jié)構(gòu)
      [0047]圖1A和圖1B示出本發(fā)明的C0傳感器1的一例的結(jié)構(gòu)。如圖1A所示那樣,C0傳感器1由基板2、以及在該基板2上、且在其中央部附近形成的檢測(cè)電極3和對(duì)電極4構(gòu)成。
      [0048]基板2為由固體電解質(zhì)形成的基板,作為固體電解質(zhì),使用作為離子傳導(dǎo)材料的NASIC0N(鈉超離子導(dǎo)體(Na Super 1nic Conductor))。作為NASIC0N,優(yōu)選(Na3Zr2Si2P012)等。
      [0049]固體電解質(zhì)基板2也如圖1B所示那樣,在該例中,為呈直徑8mm、厚度0.7mm的圓板狀的基板。對(duì)于用于檢測(cè)C0的檢測(cè)電極3,作為電極材料使用鉑(Pt),在該電極材料Pt中添加有規(guī)定量的金屬氧化物。作為金屬氧化物,使用Bi203。檢測(cè)電極3如圖示那樣形成大致寬度1mm、長(zhǎng)度4_、厚度30 μ m的矩形狀的厚膜。檢測(cè)電極3其本身如后述那樣,除了具有C0氣體的檢測(cè)功能之外,還具有氣體檢測(cè)時(shí)產(chǎn)生的電荷的集電功能。
      [0050]對(duì)電極4的金屬材料與檢測(cè)電極同樣地使用Pt,其尺寸關(guān)系如圖示那樣,形成大致寬度1mm、長(zhǎng)度4mm、厚度20 μπι的矩形狀的厚膜。檢測(cè)電極3用的導(dǎo)線5和對(duì)電極4用的導(dǎo)線6均使用直徑為0.1mm的Pt細(xì)線。
      [0051]伴隨著傳感器周?chē)脑O(shè)計(jì),為了改善C0的擴(kuò)散性、電極表面上的C0的反應(yīng)性,可以將檢測(cè)電極3和對(duì)電極4的形狀最佳化為各種形狀(如后述其一例)。
      [0052](2) C0傳感器的制造方法
      [0053]接著,示出本發(fā)明的C0傳感器1的制造方法的一例。
      [0054]首先,在形成規(guī)定形狀的固體電解質(zhì)基板2上,準(zhǔn)備混煉了 Pt和Bi203的Pt/Bi 203糊劑作為檢測(cè)電極3用,同樣地,準(zhǔn)備Pt糊劑作為對(duì)電極4,將它們通過(guò)絲網(wǎng)印刷依次進(jìn)行涂布。接著,分別將導(dǎo)線5安裝于檢測(cè)電極3的一端側(cè),將導(dǎo)線6安裝于對(duì)電極4的一端側(cè)。之后,在700°C下進(jìn)行30分鐘加熱處理,焙燒檢測(cè)電極3和對(duì)電極4,從而得到C0傳感器1。如此,檢測(cè)電極3和對(duì)電極4均為單層結(jié)構(gòu)。
      [0055]對(duì)于檢測(cè)電極3用的糊劑,相對(duì)于Pt糊劑僅添加與規(guī)定的質(zhì)量% (mass% )相當(dāng)的量(1?30質(zhì)量%左右)的比表面積為2.3m2/g的Bi203,在乳缽中混煉而得到。
      [0056]圖2A和圖2B為檢測(cè)電極3和對(duì)電極4焙燒后的表面的電子顯微鏡照片的例子。圖2A為檢測(cè)電極3的表面照片。此時(shí)的Bi203添加量為15質(zhì)量%。圖2B為對(duì)電極4焙燒后的表面照片。比較兩者時(shí)可見(jiàn)如下特征:由于添加Bi203,因此與對(duì)電極4相比,檢測(cè)電極3的表面變成致密的結(jié)構(gòu)。
      [0057](3)測(cè)定方法
      [0058]將電壓計(jì)(未作圖示)與導(dǎo)線5和導(dǎo)線6連接,測(cè)定相對(duì)于對(duì)電極4的檢測(cè)電極3的電動(dòng)勢(shì)(差)。以下,將電動(dòng)勢(shì)稱(chēng)為EMF。作為待檢氣體,C0使用300ppm的濃度的氣體,用于確認(rèn)選擇性的H2使用300ppm的濃度的氣體。另外,測(cè)定溫度在25°C (通常室溫)、100°C、300°C的各空氣中進(jìn)行測(cè)定。
      [0059]圖3?圖7為示出實(shí)施例的C0傳感器1的、25 °C下對(duì)C0和H2的應(yīng)答波形的特性圖。
      [0060]圖3為將Bi203添加量設(shè)為0.01質(zhì)量%時(shí)的特性圖。圖的橫軸為時(shí)間(分鐘),縱軸為EMF(mV)。圖3中,
      [0061](3a)最初的15分鐘檢測(cè)氣氛為大氣,EMF基本為零。
      [0062](3b)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為15分鐘至30分鐘之間),將300ppm濃度的C0以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1。此時(shí),EMF急速上升至約32mV,之后向約40mV逐漸增大。
      [0063](3c)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為30分鐘至45分鐘之間)再次回到大氣氣氛中時(shí),EMF返回到0(mV)。
      [0064](3d)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為45分鐘至60分鐘之間)將300ppm濃度的H2以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1。此時(shí),EMF僅上升至約2mV左右。
      [0065]因此,Bi203添加量為0.01質(zhì)量%時(shí)的檢測(cè)特性例中,可以確認(rèn)某種程度的C0選擇性。經(jīng)過(guò)時(shí)間60分鐘以后,重復(fù)(大氣一C0—大氣一H2—...),顯示出同樣的傾向。
      [0066]圖4為將Bi203添加量設(shè)為0.1質(zhì)量%時(shí)的特性圖。該圖中,
      [0067](4a)在最初的大氣中保持時(shí),EMF的初始值約為_(kāi)68mV。
      [0068](4b)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為15分鐘至30分鐘之間)將300ppm濃度的C0以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1時(shí),EMF急速上升至約98mV,之后向約91mV逐漸減少。
      [0069](4c)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為30分鐘至45分鐘之間)再次回到大氣氣氛中時(shí),EMF返回到約-103mV??梢哉J(rèn)為,低于初始值影響C0的歷程。
      [0070](4d)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為45分鐘至60分鐘之間)將300ppm濃度的H2以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1。此時(shí),EMF上升至約_65mV左右。
      [0071]因此,Bi203添加量為0.1質(zhì)量%時(shí)的檢測(cè)特性例中,可以確認(rèn)明顯的C0選擇性。經(jīng)過(guò)時(shí)間60分鐘以后,重復(fù)(大氣一C0 —大氣一H2—...),顯不出同樣的傾向。
      [0072]圖5為將Bi203添加量設(shè)為1質(zhì)量%時(shí)的特性圖。該圖中,
      [0073](5a)在最初的大氣氣氛中,EMF約為_(kāi)105mV。
      [0074](5b)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為15分鐘至30分鐘之間)將300ppm濃度的C0以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1時(shí),EMF急速上升至約60mV,之后向約70mV
      逐漸增大。
      [0075](5c)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為30分鐘至45分鐘之間)再次回到大氣氣氛中時(shí),EMF返回到約-140mV。
      [0076](5d)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為45分鐘至60分鐘之間)將300ppm濃度的H2以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1。此時(shí),EMF上升至約_105mV左右。
      [0077]因此,Bi203添加量為1質(zhì)量%時(shí)的檢測(cè)特性例中,也可以確認(rèn)明顯的C0選擇性。經(jīng)過(guò)時(shí)間60分鐘以后,重復(fù)(大氣一C0 —大氣一H2—...),顯不出同樣的傾向。
      [0078]圖6為將Bi203添加量設(shè)為10質(zhì)量%時(shí)的特性圖。該圖中,
      [0079](6a)在最初的大氣氣氛中,EMF約為_(kāi)142mV。
      [0080](6b)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為15分鐘至30分鐘之間)將300ppm濃度的C0以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1時(shí),EMF急速上升至約55mV,之后向約64mV逐漸增大。
      [0081](6c)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為30分鐘至45分鐘之間)再次回到大氣氣氛中時(shí),EMF返回到約-150mV。
      [0082](6d)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為45分鐘至60分鐘之間)將300ppm濃度的H2以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1。此時(shí),EMF上升至約_117mV左右。
      [0083]因此,Bi203添加量為10質(zhì)量%時(shí)的檢測(cè)特性例中,也可以確認(rèn)明顯的C0選擇性。經(jīng)過(guò)時(shí)間60分鐘以后,重復(fù)(大氣一C0 —大氣一H2—...),顯不出同樣的傾向。
      [0084]圖7為將Bi203添加量設(shè)為30質(zhì)量%時(shí)的特性圖。該圖中,
      [0085](7a)在最初的大氣氣氛中,EMF變?yōu)榧s_84mV。
      [0086](7b)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為15分鐘至30分鐘之間)將300ppm濃度的C0以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1時(shí),EMF急速上升至約100mV,之后向約112mV逐漸增大。
      [0087](7c)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為30分鐘至45分鐘之間)再次回到大氣氣氛中時(shí),EMF返回到約-lllmV。
      [0088](7d)在接下來(lái)的15分鐘(經(jīng)過(guò)時(shí)間為45分鐘至60分鐘之間)將300ppm濃度的H2以流速100ml/分鐘左右吹送至C0傳感器1。此時(shí),EMF上升至約_89mV左右。
      [0089]因此,在Bi203添加量為30質(zhì)量%時(shí)的檢測(cè)特性例中
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