微電極電路檢查用針制造方法及以該方法制造的微電極電路檢查用針的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電極電路檢查用針制造方法，涉及一種能夠解決針與外殼間的結(jié)構(gòu)性缺陷，緩和測量微電極電路時(shí)發(fā)生的沖擊并提高測量速度的微電極電路檢查用針制造方法及以該方法制造的微電極電路檢查用針。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言，半導(dǎo)體裝置通過在晶片(wafer)上形成電路圖案及用于檢查的接觸墊的制造(fabricat1n)工序和把形成了電路圖案及接觸墊的晶片組裝為各個(gè)半導(dǎo)體芯片的組裝(assembly)工序而制造。
[0003]在制造工序與組裝工序之間，執(zhí)行向在晶片上形成的接觸墊接入電信號而檢查晶片的電氣特性的檢查工序。該檢查工序是為了檢查晶片的不良，去除在組裝工序時(shí)發(fā)生不良的晶片的一部分而執(zhí)彳丁的工序。
[0004]在進(jìn)行檢查工序時(shí)，主要使用向晶片接入電信號的稱為測試機(jī)的檢查設(shè)備和執(zhí)行晶片與測試機(jī)之間的接口功能的稱為探針卡的檢查設(shè)備。其中，探針卡包括接收從測試機(jī)接入的電信號的印刷電路板及與在晶片上形成的接觸墊接觸的多個(gè)針。
[0005]最近，隨著半導(dǎo)體芯片高集成化，借助于制造工序而在晶片上形成的電路圖案正在高集成化，由此，相鄰的接觸墊間的間隔，即，間距(Pitch)形成得非常窄。
[0006]因此，各個(gè)針的厚度設(shè)計(jì)得較薄，以便與相鄰針的間距可以減小。
[0007]但是，如果針的厚度較薄，則強(qiáng)度下降，存在因在檢查工序中施加的橫向的力而導(dǎo)致針損傷或與針接觸的晶片上的接觸墊損傷的問題。
[0008]另外，在作為被檢查物的晶片的接觸墊上存在錯(cuò)層的情況下，存在無法與特定探針接觸的接觸墊，因此，存在發(fā)生無法實(shí)現(xiàn)正確檢查的情形的問題。
[0009]由此，以往雖然使用彈簧結(jié)構(gòu)的針，但其由于結(jié)構(gòu)上的問題，如果在檢查時(shí)施加力，則進(jìn)行動(dòng)作時(shí)刮擦模塊，此時(shí)，存在模塊的氧化層被破壞而發(fā)生泄漏的問題。
[0010]為了解決這種問題，以往開發(fā)了具有外殼的針，但獨(dú)立地設(shè)計(jì)及制作外殼與針，這是為了使外殼與針在半導(dǎo)體檢查時(shí)全部與半導(dǎo)體電極的微細(xì)間距對應(yīng)而全部以極小的大小制作，因而外殼與探針的結(jié)合工序要求高難度。
[0011 ]另外，當(dāng)結(jié)合外殼與針時(shí)，利用鑷子等工具，因而當(dāng)對外殼或針施加超出需要的力時(shí)，變形并發(fā)生不良，由于外殼與針的個(gè)別制作，存在制作時(shí)間長的問題。
[0012]另外，個(gè)別制作時(shí)，由于外殼與針的互不相同的工序環(huán)境等因素，外殼與針結(jié)合時(shí)，由于與原來設(shè)計(jì)的大小的細(xì)微差異而無法結(jié)合，或外殼內(nèi)部面與針外部面超出需要地隔開，存在無法正常運(yùn)轉(zhuǎn)的問題。
[0013]作為與本發(fā)明相關(guān)的現(xiàn)有文獻(xiàn)，在韓國公開專利第10-2009-0117053號(公開日2009年11月12日)，在所述現(xiàn)有文獻(xiàn)中，公開了關(guān)于具有可變剛性功能的豎直型細(xì)微接觸探針的技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]技術(shù)課題
[0015]本發(fā)明的目的在于提供一種微電極電路檢查用針制造方法及以該方法制造的微電極電路檢查用針，通過半導(dǎo)體MEMS (微電子機(jī)械系統(tǒng))工序同時(shí)制造外殼與針，從而能夠制造使得預(yù)先防止外殼與針間的因制造時(shí)公差錯(cuò)誤導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)性缺陷。
[0016]本發(fā)明的另一目的在于提供一種微電極電路檢查用針制造方法及以該方法制造的微電極電路檢查用針，在針上形成Z字形狀的曲折部，從而能夠緩和在物理接觸微電極電路進(jìn)行檢查時(shí)發(fā)生的沖擊。
[0017]本發(fā)明的又一目的在于提供一種微電極電路檢查用針制造方法及以該方法制造的微電極電路檢查用針，在測量微電極電路時(shí)上下變形的針上使用外殼，使得發(fā)揮覆蓋的作用，能夠高效防止測量信號泄漏。
[0018]解決課題的方案
[0019]在一種形態(tài)中，本發(fā)明包括:針，其在兩端中的至少一者上形成有接觸部，具有彈性復(fù)原力的彈性部連接所述兩端之間；及外殼，其形成有使所述接觸部露出于外部的貫通部，且覆蓋所述彈性部;所述針與所述外殼通過半導(dǎo)體MEMS工序而同時(shí)形成，所述針及所述外殼的下部與上部中的至少一個(gè)面平坦地形成。
[0020]在另一種形態(tài)中，本發(fā)明包括:針，其在兩端中的至少一者上形成有接觸部，具有彈性復(fù)原力的彈性部連接所述兩端之間；及外殼，其形成有使所述接觸部露出于外部的貫通部，且覆蓋所述彈性部;所述接觸部的橫向長度小于所述彈性部的橫向長度；
[0021]所述貫通部的橫向長度小于所述彈性部的橫向長度且大于所述接觸部的橫向長度，使所述針不從外殼分離。
[0022]在另一種形態(tài)中，本發(fā)明包括:針，其在兩端中的至少一者上形成有接觸部，具有彈性復(fù)原力的彈性部連接所述兩端之間；及外殼，其形成有使所述接觸部露出于外部的貫通部，且覆蓋所述彈性部;所述貫通部的截面寬度小于所述外殼的截面寬度，所述外殼及貫通部的截面形成為四邊形。
[0023]在另一種形態(tài)中，包括:針，其在兩端中的至少一者上形成有接觸部，具有彈性復(fù)原力的彈性部連接所述兩端之間；及外殼，其形成有使所述接觸部露出于外部的貫通部，且覆蓋所述彈性部;在與所述貫通部貼緊的所述接觸部的側(cè)面，還形成有朝向所述貫通部凹陷或凸起的多個(gè)凹凸部。
[0024]在另一種形態(tài)中，包括:針，其在兩端中的至少一者上形成有接觸部，具有彈性復(fù)原力的彈性部連接所述兩端之間；及外殼，其形成有使所述接觸部露出于外部的貫通部，且覆蓋所述彈性部;在所述外殼上，還形成有與所述外殼的內(nèi)部空間連通的一個(gè)以上的排出孔。
[0025]在所述針的一端形成所述接觸部，另一端與所述外殼連接。
[0026]在所述外殼的形成有所述貫通部的相反面，連接有具有彈性復(fù)原力的輔助彈性部，在所述輔助彈性部的一端形成輔助接觸部。
[0027]所述外殼以覆蓋所述輔助彈性部的方式延長形成，且形成有使所述輔助接觸部向外部露出的輔助貫通部。所述輔助貫通部的截面寬度小于所述外殼的截面寬度，所述外殼及輔助貫通部的截面形成為四邊形。
[0028]在所述外殼的形成有所述貫通部的相反面，形成有輔助接觸部。
[0029]所述彈性部形成為Z字形狀。在所述接觸部還形成有接觸端子，所述接觸端子的端部形成為直角形狀、三棱形狀、多段的直角凸出形狀中的某一種截面。
[0030]所述接觸部與所述接觸端子的高度相互不同。所述接觸部與所述接觸端子由不同的金屬形成。
[0031]在又一形態(tài)中，本發(fā)明包括:形成下部外殼的下部外殼形成步驟;針及側(cè)壁外殼形成步驟，沿著所述下部外殼的邊緣形成向上直立的側(cè)壁外殼，在被所述側(cè)壁外殼包圍的空間形成針;及上部外殼形成步驟，在所述針及側(cè)壁外殼的上部形成上部外殼。
[0032]在又一形態(tài)中，本發(fā)明包括:形成下部外殼的下部外殼形成步驟;針形成步驟，在所述下部外殼的上部形成針；及側(cè)壁外殼及上部外殼形成步驟，沿著所述下部外殼的邊緣形成向上方直立的側(cè)壁外殼、及在所述針的上部形成上部外殼。
[0033]在所述針與所述下部外殼、所述側(cè)壁外殼、所述上部外殼之間形成犧牲部，在所述下部外殼與所述上部外殼中的至少一者上，還形成與所述外殼側(cè)壁的內(nèi)部空間連通的一個(gè)以上的排出孔。
[0034]在所述下部外殼形成步驟，準(zhǔn)備基板并在所述基板上部形成所述下部外殼。
[0035]在所述針及側(cè)壁外殼形成步驟，在所述下部外殼的上部形成橫向長度小于所述下部外殼橫向長度的第一犧牲部，沿著所述下部外殼的邊緣形成向上方直立的側(cè)壁外殼，在所述第一犧牲部上部形成所述針，在所述側(cè)壁外殼與所述針之間的所述第一犧牲部的上面形成第2犧牲部。
[0036]在位于所述側(cè)壁外殼的內(nèi)側(cè)的所述針的上部，形成與所述側(cè)壁外殼的內(nèi)側(cè)空間的橫向長度相同的第三犧牲部，在所述側(cè)壁外殼及所述第三犧牲部上部，形成與所述下部外殼的形狀對應(yīng)的上部外殼，去除所述下部外殼、所述針、所述側(cè)壁外殼、所述上部外殼之外的部分。
[0037]所述下部外殼、所述針、所述側(cè)壁外殼、所述上部外殼通過半導(dǎo)體MEMS工序由鎳-鈷形成，所述第一犧牲部、所述第二犧牲部、所述第三犧牲部通過半導(dǎo)體MEMS工序由銅形成。
[0038]所述針具有彈性部和接觸部，所述彈性部形成在所述側(cè)壁外殼的內(nèi)部空間且具有彈性，所述接觸部在所述彈性部的兩端中的至少一者上，且凸出到所述側(cè)壁外殼的外部，在所述接觸部側(cè)面還形成朝向所述側(cè)壁外殼的內(nèi)側(cè)壁凹陷或凸起的多個(gè)凹凸部。
[0039]在所述接觸部的端部形成凸出的接觸端子，且所述接觸端子的端部形成為具有直角形狀、三棱形狀、多段的直角凸出形狀中的某一種截面。
[0040]反復(fù)所述針及側(cè)壁外殼形成步驟，所述接觸部與所述接觸端子的高度形成為相互不同。所述接觸部與所述接觸端子由不同金屬形成。
[0041 ]發(fā)明效果
[0042]本發(fā)明通過半導(dǎo)體MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))工序同時(shí)制造針和外殼，從而具有能夠制造使得預(yù)先防止外殼與針間的因制造時(shí)公差錯(cuò)誤導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)性缺陷的效果。
[0043]另外，本發(fā)明在針上形成Z字形狀的曲折部，從而具有能夠緩和在物理接觸微電極電路進(jìn)行檢查時(shí)發(fā)生的沖擊的效果。
[0044]另外，本發(fā)明在檢查微電極電路時(shí)上下變形的針上，使得外殼發(fā)揮覆蓋的作用，具有能夠高效防止測量信號泄漏的效果。
【附圖說明】
[0045]圖1是表不本發(fā)明的微電極電路檢查用針的外部與內(nèi)部的圖。
[0046]圖2是表示本發(fā)明的下部外殼形成步驟的圖。
[0047]圖3至圖4是表示形成本發(fā)