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      S氣體傳感材料及其制備方法

      文檔序號(hào):9726252閱讀:331來源:國(guó)知局
      S氣體傳感材料及其制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及氣體傳感技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種管狀羥基磷灰石/嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌復(fù)合形成的H2S氣體傳感材料及其制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]輕基磷灰石(Hydroxyapatite,化學(xué)式為CaiQ(P04)6(0H)2,縮寫為HAp)是自然骨和牙齒等生物硬組織的主要無機(jī)成分。HAp晶體為六方晶系,沿六方軸存在一個(gè)“隧道”,其“隧道”中有Ca2+和0H—,易被Cd2+、Hg2+、Ba2+、Pd2+等金屬離子替換,Ca2+還能夠與含有羧基的有機(jī)酸、蛋白質(zhì)及氨基酸等發(fā)生交換反應(yīng),因此HAp可以用作制備傳感器檢測(cè)重金屬離子、有害金屬離子、生物大分子等。HAp晶體表面有多重吸附位點(diǎn),分別為帶正電的C位點(diǎn)和帶負(fù)點(diǎn)的P位點(diǎn),對(duì)具有不同的荷電性質(zhì)的物質(zhì),包括氣體,表現(xiàn)出優(yōu)越的吸附性能。HAp已經(jīng)較多的應(yīng)用于色譜分析以及電化學(xué)檢測(cè),但是作為氣體傳感材料卻鮮有研究。R.U.Mene等人研究HAp對(duì)于CO、C02的氣體傳感性能發(fā)現(xiàn),在165°C左右,HAp對(duì)于C0、C02具有良好的傳感性能,機(jī)理源于這些氣體分子與HAp表面的0H—反應(yīng)生成C032—,進(jìn)入HAp的晶格中,或者進(jìn)行空位摻雜,從而導(dǎo)致HAp電導(dǎo)率的變化。HAp雖然對(duì)于氣體分子具有優(yōu)異的吸附性能,但是HAp作為一維導(dǎo)電體,導(dǎo)電性能太差,操作溫度較高,這大大限制了 HAp在氣體傳感中的應(yīng)用。通過離子福射技術(shù)(Swift heavy 1ns irradiat1n,SHI)和摻雜Fe、Co等元素,可以改變HAp的物理屬性和晶體結(jié)構(gòu),包括提高材料表面電負(fù)性,形成了新的化學(xué)鍵和缺陷等,從而使HAp對(duì)C02氣體傳感的響應(yīng)靈敏度得到提高,操作溫度有所降低,但是距離實(shí)際應(yīng)用還有一定的距離。但HAp對(duì)于H2S的氣敏性能研究,至今沒有被報(bào)道過。
      [0003]H2S是一種劇毒大氣污染物,大氣中濃度只有幾個(gè)ppm也會(huì)使人身體不適,0.1%?
      0.15%的H2S會(huì)致人死亡,工業(yè)上空氣中允許H2S最大質(zhì)量濃度是0.01mg/L; 土壤中H2S達(dá)到一定濃度會(huì)使植被受毒死亡,同時(shí)H2S還能嚴(yán)重腐蝕各種設(shè)備。目前用于H2S檢測(cè)的氣敏材料主要有W03系列、SnOd列、ZnO半導(dǎo)體,除此之外還有ZnS、尖晶石型復(fù)合氧化物Zn2Sn04、鐵酸鑭系氧化物L(fēng)aFe03、聚吡咯及聚苯胺等。但是卻普遍存在著工作溫度高,響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng),選擇性以及響應(yīng)度有待提高的問題。雖然近些年,摻雜Fe,Ce,Au,Ag等其他貴金屬元素,多種半導(dǎo)體復(fù)合如Cu0-Sn02,Zr02_Sn02等,以及無機(jī)物-有機(jī)物復(fù)合如聚吡咯_W03等方法已經(jīng)廣泛用于提高對(duì)H2S的氣敏性能,但仍然還有待改進(jìn)。綜上所述,研發(fā)一種能夠檢測(cè)微量濃度的H2S,具有高的選擇性、快速響應(yīng)回復(fù)以及低的工作溫度的H2S氣體傳感材料已是形式所迫。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種管狀羥基磷灰石/嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌復(fù)合形成的H2S氣體傳感材料及其制備方法。
      [0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出的技術(shù)方案為:
      [0006]—種H2S氣體傳感材料,由管狀羥基磷灰石和嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌復(fù)合形成,所述管狀羥基磷灰石的質(zhì)量與嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌的菌種的體積比值為ο.21:5?25,比值的單位為g/mL。
      [0007]作為一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明還提供一種上述H2S氣體傳感材料的制備方法,包括以下步驟:
      [0008](1)獲得管狀羥基磷灰石;
      [0009](2)獲得嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌;
      [0010](3)取步驟(1)獲得的管狀羥基磷灰石分散于水中形成分散液A,將步驟(2)獲得的嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌分散于水中形成分散液B,將所述分散液A與所述分散液B混合后進(jìn)行震蕩吸附,最后離心、洗滌、干燥即得到所述H2S氣體傳感材料。
      [0011]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(1)中,管狀羥基磷灰石的獲得方法具體為:在電化學(xué)反應(yīng)裝置中間放置陽離子交換膜,將整個(gè)裝置分隔為陽極室與陰極室,并在陽極室和陰極室分別注入鈣離子溶液與磷酸鹽溶液,在陽極室和陰極室內(nèi)各插入鉑片電極,在電壓為2?5V、溫度為40?60°C下電沉積1?3h,然后移除電極,將該裝置置于25?50°C恒溫下靜置7?14天,并每天補(bǔ)充鈣離子溶液與磷酸鹽溶液,最后取下陽離子交換膜、洗滌、真空干燥,最后收集陽離子交換膜上靠近陰極室一側(cè)的的樣品,即為所述管狀羥基磷灰石。
      [0012]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述電化學(xué)反應(yīng)裝置選自自行設(shè)計(jì)的裝置,為兩個(gè)平行對(duì)口放置的圓柱狀聚丙烯瓶(分別作為陽極室和陰極室),陽離子交換膜固定在兩個(gè)聚丙烯瓶瓶口之間,作為兩側(cè)溶液離子交換的媒介以及管狀羥基磷灰石形貌形成的模板;兩個(gè)聚丙烯瓶的側(cè)面分別開有一注液口,分別用于注入鈣溶離子液與磷酸鹽溶液和插入鉑片電極;所述兩個(gè)聚丙烯瓶的容量為40?60mL,瓶口直徑為3?4cm。
      [0013]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述鈣離子溶液選自濃度為0.5?1.0M的硝酸鈣溶液、乙酸鈣溶液或氯化鈣溶液;所述磷酸鹽溶液選自濃度為0.3?0.6M的磷酸二氫銨、磷酸氫二銨、磷酸氫二鈉、磷酸二氫鈉、磷酸二氫鉀或磷酸氫二鉀,磷酸鹽溶液的pH值為10?12,磷酸鹽溶液在注入陰極室之前采用pH調(diào)節(jié)劑調(diào)節(jié)pH,所述pH調(diào)節(jié)劑為氫氧化鈉、氫氧化鉀、尿素或者氨水。
      [0014]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(1)中,真空干燥的溫度為60?80°C,時(shí)間為12
      ?24h0
      [0015]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(2)中,嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌的獲取方法具體為:配制培養(yǎng)基并調(diào)節(jié)其pH值至2,然后在0.1MPa、121°C下進(jìn)行15?30min的高溫高壓滅菌;然后將嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌菌種接種到滅菌后的培養(yǎng)基中,每lOOmL培養(yǎng)基接種5?10mL的嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌菌種,取接種后的培養(yǎng)基100?500mL置于25?30°C的搖床中培養(yǎng)4?8h,然后分離、清洗,即得到所述嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌。
      [0016]上述的制備方法,優(yōu)選的,培養(yǎng)基的pH采用HCl、H2S04、CH3C00H、Na0!^NaHC0.Τ ο
      [0017]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述培養(yǎng)基為9Κ液體培養(yǎng)基,所述9Κ液體培養(yǎng)基的主要成分包括3.0g/L(NH4)2S04,0.5g/L K2HP04,0.lg/L KCl,0.5g/L MgS04.7H20,0.0lg/L Ca(N03)2,44.7g/L FeS04.7H20。其中,F(xiàn)eS04.7H20是在培養(yǎng)基使用之前才加入的,避免亞鐵離子被空氣中的氧氧化,使其含量損失。
      [0018]上述的制備方法,優(yōu)選的,所述步驟(3)中,震蕩吸附的時(shí)間為4?8小時(shí),分離采用離心分離,所述離心速率為2000?8000rpm;洗滌包括水洗和乙醇洗滌。
      [0019]本發(fā)明還提供一種氣體傳感器,包括帶有電極的基體以及涂覆于基體上的上述H2S氣體傳感材料。所述帶有電極的基體優(yōu)選為A1203陶瓷片。
      [0020]上述氣體傳感器的制備方法:將所述H2S氣體傳感材料置于瑪瑙研缽中,并加入少量粘結(jié)劑,充分研磨,將得到的漿料均勻涂布于帶有電極的基體上,自行陰干即可。
      [0021]進(jìn)一步,上述的粘結(jié)劑為乙醇或超純水。
      [0022]進(jìn)一步,上述的電極為兩個(gè)金電極,是通過電子束沉積法得到的,厚度為400?800nm,正負(fù)極間距為1?2mm,在沉積過程中分別從兩個(gè)金電極引出兩個(gè)鉑絲電極引線。
      [0023]嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌(At.F)是中溫、好氧、嗜酸的無機(jī)化能自養(yǎng)菌,不僅能氧化還原性硫(如硫化物、元素硫、硫代硫酸鹽等),而且還能將Fe2+氧化成Fe3+。而Fe3+是活性較強(qiáng)的氧化劑,能將H2S迅速氧化成單質(zhì)硫。At.F菌具有外膜結(jié)構(gòu),外膜上分散著大量的活性基團(tuán),例如疏基(-SH),羥基,羧基,硫酸酯基,酰胺基,氨基(蛋白質(zhì),多糖中的化學(xué)基團(tuán))等,這些官能團(tuán)都是氣體吸附的位點(diǎn)。
      [0024]本發(fā)明首創(chuàng)性地將管狀羥基磷灰石和嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌制成復(fù)合材料并應(yīng)用于H2S氣體傳感,將管狀羥基磷灰石巨大比表面積,介孔結(jié)構(gòu)等形成的龐大的氣體吸附位點(diǎn)以及良好的導(dǎo)電機(jī)制,與嗜酸性氧化亞鐵硫桿菌對(duì)硫化氫氣體的作用機(jī)制進(jìn)行綜合,來提高復(fù)合材料對(duì)H2S的靈敏度和穩(wěn)定性。
      [0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
      [0026](1)本發(fā)明的H2S氣體傳感材料的響應(yīng)靈敏度高,2000ppm可達(dá)到75%以上。
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