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      一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干涉行為測試方法_4

      文檔序號:9921043閱讀:來源:國知局
      盤:立式車削模式,修盤時背襯的轉(zhuǎn)速范圍為2000~ 1 OOOOrpm,單晶金剛石單點車刀從背襯外側(cè)以2~1 Ομπι的切深沿背襯徑向進(jìn)給,進(jìn)給速度范 圍為0.1~0.3mm/s,進(jìn)給距離為背襯直徑的1/4~1/2。
      [0088] 對比例
      [0089]需要說明的是,本對比例中的測試條件設(shè)置為相鄰劃痕間不發(fā)生干涉,以便于對 比觀察劃痕形態(tài)、劃擦效果的區(qū)別,但本對比例仍然可以反映采用本發(fā)明的測試方法可以 實現(xiàn)高速高精度的干涉行為測試。
      [0090] 取硬脆試件與背襯固接,硬脆試件按照本發(fā)明實施例的處理方法處理,背襯經(jīng)常 規(guī)平面精磨工藝等常規(guī)表面處理工藝加工后,將背襯端面分為兩個區(qū)域,其中一個區(qū)域按 照本發(fā)明的修盤步驟進(jìn)行修盤,使其表面質(zhì)量達(dá)到端面跳動量優(yōu)于IT1級,表面平均粗糙度 Ra優(yōu)于5nm,且背襯端面修盤區(qū)域與試件端面的平行度在IT1級以內(nèi),記為修盤區(qū)域;另一區(qū) 域不進(jìn)行修盤,記為未修盤區(qū)域。
      [0091] 將上述硬脆試件采用本發(fā)明的測試方法進(jìn)行單顆磨粒連續(xù)劃擦,在相同測試參數(shù) 下在試件端面形成劃痕,劃痕深度很小,可達(dá)到微米級。結(jié)果顯示,在劃痕深度很小的情況 下,在背襯的修盤區(qū)域?qū)?yīng)的試件端面區(qū)域內(nèi),劃痕形成連貫的螺旋形,呈均勻間隔分布, 檢測其深度方向誤差小于lMi/lmm,表明磨粒和試件在較長劃擦距離上均能持續(xù)穩(wěn)定接觸, 從而可以用于磨粒的高速高精度劃擦干涉行為測試;而背襯未修盤區(qū)域?qū)?yīng)的試件端面區(qū) 域內(nèi),劃痕不能形成連貫螺旋形,劃痕間隔不一,劃痕深淺、劃痕寬度均具有肉眼可見的差 異性,表明磨粒和試件之間無法持續(xù)穩(wěn)定接觸,更無法用于磨粒的高速高精度劃擦干涉行 為測試。
      [0092]以上所述,僅為本發(fā)明較佳實施例而已,故不能依此限定本發(fā)明實施的范圍,即依 本發(fā)明專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾,皆應(yīng)仍屬本發(fā)明涵蓋的范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項】
      1. 一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為測試方法,其特征在 于:包括: 1) 將硬脆試件與有色金屬背襯固接在一起; 2) 對試件端面進(jìn)行研磨拋光,使其平面度達(dá)到口 1級,表面粗糖度Ra優(yōu)于5nm; 3) 將試件與背襯固定在電主軸上且背襯向上,試件與背襯可通過電主軸旋轉(zhuǎn);對試件 與背襯進(jìn)行在線動平衡; 4) 采用金剛石單點刀具對該背襯進(jìn)行修盤,W在背襯表面形成端面跳動量優(yōu)于IT1級, 表面平均粗糖度Ra優(yōu)于5nm的修盤區(qū)域,且背襯表面修盤區(qū)域與試件端面的平行度在口 1級 W內(nèi),具體步驟如下: 4 -1)聚晶金剛石單點車刀修盤:立式車削模式,修盤時背襯的轉(zhuǎn)速范圍為2 0 0 0~ lOOOOrpm,聚晶金剛石單點車刀從背襯外側(cè)W10~50WI1的切深沿背襯徑向進(jìn)給,進(jìn)給速度 范圍為0.4~1.2mm/s,進(jìn)給距離為背襯直徑的1/4~1/2; 4 - 2 )單晶金剛石單點車刀修盤:立式車削模式,修盤時背襯的轉(zhuǎn)速范圍為2 0 0 0~ 100(K)rpm,單晶金剛石單點車刀從背襯外側(cè)W2~ΙΟμπι的切深沿背襯徑向進(jìn)給,進(jìn)給速度范 圍為0.1~0.3mm/s,進(jìn)給距離為背襯直徑的1/4~1/2; 5) 取下試件與背襯,翻轉(zhuǎn),再次將試件與背襯固定在電主軸上且試件向上,試件與背襯 可通過電主軸旋轉(zhuǎn);對試件與背襯進(jìn)行在線動平衡; 6) 金剛石單點刀具觸碰對刀儀,確定試件端面與對刀儀對刀平面的高度差ho;將金剛石 單點刀具更換為頂端固接有單顆磨粒的工具頭,工具頭頂端的磨粒觸碰對刀儀,再將工具 頭沿試件與背襯旋轉(zhuǎn)的軸向方向上移ho+S,W使工具頭頂端的磨粒位于試件端面上方δ處, 完成對刀; 7) 將工具頭水平移至試件端面的劃擦點正上方,并下移δ+apW使劃擦深度為ap;根據(jù)需 測試的劃擦速度V和劃擦點所在的劃擦半徑R,通過計算試件與背襯的設(shè)定轉(zhuǎn)速 η ;根據(jù)需測試的干設(shè)比率P,單顆磨粒的圓弧半徑r,劃擦深度a P,通過計算工具頭的徑向進(jìn)給速度S;試件與背襯按照設(shè)定轉(zhuǎn)速η轉(zhuǎn)動,且 工具頭按照徑向進(jìn)給速度S和劃擦深度ap沿試件徑向進(jìn)給,W使磨粒在試件端面劃擦形成 預(yù)定干設(shè)程度的劃痕,此過程中通過與工具頭相連的測量系統(tǒng)采集劃擦過程中的數(shù)據(jù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述步驟7)中,工具頭按照徑向進(jìn)給速度S和劃擦深度ap沿試件徑 向進(jìn)給的同時沿試件旋轉(zhuǎn)軸線方向進(jìn)給。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述磨粒為金剛石、CBN、氧化物陶瓷或氮化物陶瓷,磨粒形狀為球 形、圓錐形或多棱錐形;該磨粒通過機(jī)械夾持、電鍛或針焊固接在工具頭頂端;所述工具頭 為壓頭。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述背襯為圓盤形,試件與背襯疊置固接在一起,且試件周緣不超 出背襯邊緣之外;所述背襯或試件通過真空吸盤與電主軸相連。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述測量系統(tǒng)為測力和聲發(fā)射系統(tǒng),包括相互信號連接的測力儀、 聲發(fā)射系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集卡和信號放大器;所述工具頭與測力儀和聲發(fā)射系統(tǒng)相連接。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述測力儀的固有頻率高于他化,測力精度優(yōu)于0.01N;所述數(shù)據(jù)采 集卡的采樣速度高于2M/s。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述工具頭在沿試件旋轉(zhuǎn)的軸向方向和徑向方向的定位精度均優(yōu) 于0. Ιμπι,該定位精度通過位移傳感器及相應(yīng)的位置反饋系統(tǒng)配合控制。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述對刀儀的定位精度優(yōu)于0.1WI1。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行為 測試方法,其特征在于:所述的劃痕為連續(xù)螺旋形劃痕,劃痕圈數(shù)大于3個。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干設(shè)行 為測試方法,其特征在于:所述工具頭軸線平行于試件旋轉(zhuǎn)軸線。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種互為基準(zhǔn)法預(yù)修硬脆試件的單顆磨粒連續(xù)劃擦干涉行為測試方法,屬于機(jī)械加工中的材料性能測試及精密與超精密加工領(lǐng)域,先將硬脆試件進(jìn)行背襯,采用互為基準(zhǔn)法對該試件和背襯進(jìn)行處理,達(dá)到測試所需的表面質(zhì)量與平行度要求;隨后換裝頂端固接有單顆磨粒的工具頭,并在更換過程中進(jìn)行對刀;最后進(jìn)入劃擦測試,試件以指定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn),工具頭以指定切深徑向進(jìn)給,在試件端面形成干涉螺旋形劃痕,測量系統(tǒng)在此過程中采集劃擦力、聲發(fā)射信號等物理量。本發(fā)明能夠模擬高速磨削過程磨粒間的干涉行為。相關(guān)測試結(jié)果可用于磨削機(jī)理的深入研究以及磨削參數(shù)的優(yōu)化。
      【IPC分類】G01N19/06
      【公開號】CN105699291
      【申請?zhí)枴緾N201610077809
      【發(fā)明人】姜峰, 張濤, 言蘭, 徐西鵬
      【申請人】華僑大學(xué)
      【公開日】2016年6月22日
      【申請日】2016年2月4日
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