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      一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置的制造方法

      文檔序號(hào):8562516閱讀:212來源:國(guó)知局
      一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]石英晶體振蕩器,石英諧振器簡(jiǎn)稱為晶振,它是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成的。這種石英晶體薄片受到外加交變電場(chǎng)的作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),當(dāng)交變電場(chǎng)的頻率與石英晶體的固有頻率相同時(shí),振動(dòng)便變得很強(qiáng)烈,這就是晶體諧振特性的反應(yīng)。利用這種特性,就可以用石英諧振器取代LC(線圈和電容)諧振回路、濾波器等。由于石英諧振器具有體積小、重量輕、頻率的準(zhǔn)確性高及穩(wěn)定性高的特點(diǎn),在現(xiàn)代電子行業(yè)如通訊、電腦、娛樂設(shè)備及其它我們所涉及的領(lǐng)域是不可缺少的一部分。
      [0003]在石英晶體振蕩器的生產(chǎn)過程中,測(cè)試是不可缺少的一道工序,然而現(xiàn)有的對(duì)石英晶體諧振器的測(cè)試中,不能提供一種可以針對(duì)不同大小的石英晶體振蕩器進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試裝置。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種測(cè)試臺(tái)和測(cè)試頭可以調(diào)節(jié)位置的石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,解決現(xiàn)有技術(shù)無法對(duì)不同大小的石英晶體諧振器進(jìn)行測(cè)試的問題。
      [0005]本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,它包括裝置本體、測(cè)試臺(tái)、兩個(gè)測(cè)試頭,所述的裝置本體包括底座和頂部支架,所述的頂部支架上設(shè)置有與測(cè)試頭相配合的矩形槽,所述的測(cè)試臺(tái)底部設(shè)置有與其相配合的滑軌,滑軌的底部固定安裝在底座上,所述的測(cè)試頭設(shè)置于矩形槽內(nèi);所述的底座內(nèi)部設(shè)置有測(cè)試電路。
      [0006]所述的測(cè)試電路包括輸入衰減器和輸出衰減器,所述的輸入衰減器依次與待檢測(cè)石英晶體諧振器Yl和輸出衰減器串聯(lián)。
      [0007]所述的輸入衰減器包括電阻R1、電阻R2和電阻R3,所述的電阻R2與電阻R3串聯(lián)后與電阻Rl并聯(lián),電阻R2與電阻R3接地。
      [0008]所述的輸出衰減器包括電阻R4、電阻R5和電阻R6,所述的電阻R5與電阻R6串聯(lián)后與電阻R4并聯(lián),電阻R5與電阻R6接地。
      [0009]所述的測(cè)試電路還包括電容Cl、電容C2和電容C3,所述的電容Cl、電容C2和電容C3為由石英晶體諧振器插座和引線引入的雜散電容。
      [0010]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,待測(cè)石英晶體諧振器放置在測(cè)試臺(tái)上,通過滑軌調(diào)節(jié)測(cè)試臺(tái)的位置,通過矩形槽調(diào)節(jié)測(cè)試頭的距離,可以對(duì)不同大小形狀的待測(cè)石英晶體諧振器進(jìn)行測(cè)試。
      【附圖說明】
      [0011]圖1為本實(shí)用新型外部結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0012]圖2為本實(shí)用新型內(nèi)部測(cè)試電路結(jié)構(gòu)圖。
      [0013]圖中,1-裝置本體,2-測(cè)試臺(tái),3-滑軌,4-測(cè)試頭,5-底座,6_支架,7_矩形槽。
      【具體實(shí)施方式】
      [0014]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
      [0015]如圖1所示,一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,它包括裝置本體1、測(cè)試臺(tái)2、兩個(gè)測(cè)試頭4,所述的裝置本體I包括底座5和頂部支架6,所述的頂部支架6上設(shè)置有與測(cè)試頭4相配合的矩形槽7,所述的測(cè)試臺(tái)2底部設(shè)置有與其相配合的滑軌3,滑軌3的底部固定安裝在底座5上,所述的測(cè)試頭4設(shè)置于矩形槽7內(nèi);所述的底座5內(nèi)部設(shè)置有測(cè)試電路。
      [0016]所述的測(cè)試電路包括輸入衰減器和輸出衰減器,所述的輸入衰減器依次與待檢測(cè)石英晶體諧振器Yl和輸出衰減器串聯(lián)。
      [0017]所述的輸入衰減器包括電阻R1、電阻R2和電阻R3,所述的電阻R2與電阻R3串聯(lián)后與電阻Rl并聯(lián),電阻R2與電阻R3接地。
      [0018]所述的輸出衰減器包括電阻R4、電阻R5和電阻R6,所述的電阻R5與電阻R6串聯(lián)后與電阻R4并聯(lián),電阻R5與電阻R6接地。
      [0019]所述的測(cè)試電路還包括電容Cl、電容C2和電容C3,所述的電容Cl、電容C2和電容C3為由待測(cè)石英晶體諧振器與測(cè)試臺(tái)2的接觸部位和引線引入的雜散電容。
      [0020]進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,待測(cè)石英晶體諧振器放置在測(cè)試臺(tái)2上,通過滑軌3調(diào)節(jié)測(cè)試臺(tái)2的位置,通過矩形槽7調(diào)節(jié)測(cè)試頭4的距離,可以對(duì)不同大小的待測(cè)石英晶體諧振器進(jìn)行測(cè)試。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,其特征在于:它包括裝置本體(I)、測(cè)試臺(tái)(2)、兩個(gè)測(cè)試頭(4),所述的裝置本體(I)包括底座(5)和頂部支架(6),所述的頂部支架(6)上設(shè)置有與測(cè)試頭(4)相配合的矩形槽(7),所述的測(cè)試臺(tái)(2)底部設(shè)置有與其相配合的滑軌(3),滑軌(3)的底部固定安裝在底座(5)上,所述的測(cè)試頭(4)設(shè)置于矩形槽(7)內(nèi);所述的底座(5)內(nèi)部設(shè)置有測(cè)試電路。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,其特征在于:所述的測(cè)試電路包括輸入衰減器和輸出衰減器,所述的輸入衰減器依次與待檢測(cè)石英晶體諧振器Yl和輸出衰減器串聯(lián)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,其特征在于:所述的輸入衰減器包括電阻R1、電阻R2和電阻R3,所述的電阻R2與電阻R3串聯(lián)后與電阻Rl并聯(lián),電阻R2與電阻R3接地。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,其特征在于:所述的輸出衰減器包括電阻R4、電阻R5和電阻R6,所述的電阻R5與電阻R6串聯(lián)后與電阻R4并聯(lián),電阻R5與電阻R6接地。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,其特征在于:所述的測(cè)試電路還包括電容Cl、電容C2和電容C3,所述的電容Cl、電容C2和電容C3為由待測(cè)石英晶體諧振器與測(cè)試臺(tái)(2)的接觸部位和引線引入的雜散電容。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種石英晶體諧振器的測(cè)試裝置,它包括裝置本體(1)、測(cè)試臺(tái)(2)、兩個(gè)測(cè)試頭(4),所述的裝置本體(1)包括底座(5)和頂部支架(6),所述的頂部支架(6)上設(shè)置有與測(cè)試頭(4)相配合的矩形槽(7),所述的測(cè)試臺(tái)(2)底部設(shè)置有與其相配合的滑軌(3),滑軌(3)的底部固定安裝在底座(5)上,所述的測(cè)試頭(4)設(shè)置于矩形槽(7)內(nèi);所述的底座(5)內(nèi)部設(shè)置有測(cè)試電路。本實(shí)用新型進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,待測(cè)石英晶體諧振器放置在測(cè)試臺(tái)(2)上,通過滑軌(3)調(diào)節(jié)測(cè)試臺(tái)(2)的位置,通過矩形槽(7)調(diào)節(jié)測(cè)試頭(4)的距離,可以對(duì)不同大小形狀的待測(cè)石英晶體諧振器進(jìn)行測(cè)試。
      【IPC分類】G01R31-00
      【公開號(hào)】CN204269741
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420696164
      【發(fā)明人】楊溢
      【申請(qǐng)人】東晶銳康晶體(成都)有限公司
      【公開日】2015年4月15日
      【申請(qǐng)日】2014年11月19日
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