(F)的控制端相連；
[0055]還包括兩個(gè)用于濾波的電容(C21、C31)個(gè)濾波電容連接在第一信號(hào)輸出點(diǎn)(Tl)與電路地點(diǎn)(GND)之間，另一個(gè)濾波電容連接在第二信號(hào)輸出點(diǎn)(T2)與電路地點(diǎn)(GND)之間。
[0056]進(jìn)一步地所述的升壓電路為自舉電路。
[0057]進(jìn)一步地所述的溫差發(fā)電片為帕爾體。
[0058]進(jìn)一步地所述的半導(dǎo)體開關(guān)(F)為M0SFET。
[0059]進(jìn)一步地所述的半導(dǎo)體開關(guān)(F)為三極管。
[0060]進(jìn)一步地所述的第一采樣支路采樣電阻(R21)為可調(diào)電阻。
[0061]進(jìn)一步地所述的第二采樣支路采樣電阻(R31)為可調(diào)電阻。
[0062]技術(shù)內(nèi)容說明及其有益效果。
[0063]技術(shù)內(nèi)容說明:本實(shí)用新型的第一采樣支路可以保證溫差發(fā)電片輸出電壓高于一定值時(shí)可以通過信號(hào)輸出點(diǎn)(T)向其他電路輸送觸發(fā)信號(hào)(比如向單片機(jī)發(fā)送喚醒信號(hào)邏輯電平)，當(dāng)溫差發(fā)電片輸出電壓低于一定值時(shí)第二采樣支路可以通過信號(hào)輸出點(diǎn)(T)向其他電路輸送觸發(fā)信號(hào)；本電路能夠被加工成集成電路或集成電路的一部分，這種情況也應(yīng)視為本實(shí)用新型所保護(hù)的范圍。
[0064]本實(shí)用新型簡(jiǎn)單實(shí)用，可用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電。
【附圖說明】
[0065]附圖1為實(shí)施實(shí)例I的示意圖。
[0066]附圖2為實(shí)施實(shí)例2的示意圖。
[0067]附圖3為實(shí)施實(shí)例3的示意圖。
[0068]具體實(shí)施實(shí)例
[0069]下面將結(jié)合實(shí)施實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明。
[0070]實(shí)施實(shí)例1、如圖1所示，用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路:
[0071]包括功率支路限流電阻R1、第一采樣支路采樣分壓電阻R20、第一采樣支路采樣電阻R21、第一支采樣支路限流電阻R22、信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21、第二采樣支路采樣分壓電阻R30、第二采樣支路采樣電阻R31、第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻R32、開關(guān)狀態(tài)隨控制端電壓升高而開啟的半導(dǎo)體開關(guān)F、第二采樣支路穩(wěn)壓管D34、溫差發(fā)電片pat、升壓電路、第一信號(hào)輸出點(diǎn)Tl、第二型號(hào)輸出點(diǎn)T2、功率輸出點(diǎn)S、電路地點(diǎn)GND ；
[0072]溫差發(fā)電片pat的正極與升壓電路的輸入端相連，溫差發(fā)電片pat的負(fù)極與電路地點(diǎn)GND相連，升壓電路的接地端與電路地點(diǎn)GND相連；
[0073]第一米樣支路米樣分壓電阻R20的一端與升壓電路的輸出端相連，第一米樣支路米樣分壓電阻R20的另一端與第一信號(hào)輸出點(diǎn)Tl相連；
[0074]第一米樣支路米樣電阻R21的一端與第一信號(hào)輸出點(diǎn)Tl相連，第一米樣支路米樣電阻R21的另一端與電路地點(diǎn)GND相連；
[0075]信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21的正極與第一信號(hào)輸出點(diǎn)Tl相連，信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21的負(fù)極與電路地點(diǎn)相連；
[0076]第二采樣支路采樣分壓電阻R30的一端與升壓電路的輸出端相連，第二采樣支路采樣分壓電阻R30的另一端與半導(dǎo)體開關(guān)F的控制端相連；
[0077]第二采樣支路采樣電阻R31的一端與半導(dǎo)體開關(guān)F的控制端相連，第二采樣支路采樣電阻R31的另一端與電路地點(diǎn)GND相連；
[0078]第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻R32的一端與升壓電路的輸出端相連，第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻R32的另一端與第二采樣支路穩(wěn)壓管D34的正極相連；
[0079]半導(dǎo)體開關(guān)F的開關(guān)通道的一端與第二采樣支路穩(wěn)壓管D34的正極相連，半導(dǎo)體開關(guān)F的開關(guān)通道的另一端與電路地點(diǎn)GND相連；
[0080]第二采樣支路穩(wěn)壓管D34的正極與信號(hào)輸出點(diǎn)T2相連，第二采樣支路穩(wěn)壓管D34的負(fù)極電路地點(diǎn)GND相連；
[0081]功率輸出點(diǎn)S經(jīng)由功率支路限流電阻Rl連接到升壓電路的輸出端。
[0082]升壓電路為自舉電路。
[0083]溫差發(fā)電片為帕爾體。
[0084]半導(dǎo)體開關(guān)F為MOSFET。
[0085]第一采樣支路采樣電阻R21為可調(diào)電阻。
[0086]第二采樣支路采樣電阻R31為可調(diào)電阻。
[0087]實(shí)施實(shí)例2、如圖2所示，用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，具有實(shí)施實(shí)例I所述的技術(shù)方案的全部特征；還具有用于保護(hù)半導(dǎo)體開關(guān)F的控制端不被擊穿的保護(hù)穩(wěn)壓管D31 ;保護(hù)穩(wěn)壓管D31的正極與半導(dǎo)體開關(guān)F的控制端相連。
[0088]實(shí)施實(shí)例3、如圖3所示，用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，具有實(shí)施實(shí)例2所述的技術(shù)方案的全部特征；還具有兩個(gè)用于濾波的電容(C21、C31);—個(gè)濾波電容連接在第一信號(hào)輸出點(diǎn)Tl與電路地點(diǎn)GND之間，另一個(gè)濾波電容連接在第二信號(hào)輸出點(diǎn)T2與電路地點(diǎn)GND之間。
[0089]以上為本發(fā)明的典型設(shè)計(jì)，不是對(duì)本發(fā)明的限定；另外值得注意的是，附圖中溫差發(fā)電片Pat的上半部分使用網(wǎng)格填充，縮放后產(chǎn)生灰度錯(cuò)覺，這純粹是黑白交替情況下人眼產(chǎn)生的錯(cuò)覺而不是染色填充，如果不相信的話，請(qǐng)放大圖片觀察。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于: 包括功率支路限流電阻(R1)、第一采樣支路采樣分壓電阻(R20)、第一采樣支路采樣電阻(R21)、第一支采樣支路限流電阻(R22)、信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21)、第二采樣支路采樣分壓電阻(R30)、第二采樣支路采樣電阻(R31)、第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻(R32)、開關(guān)狀態(tài)隨控制端電壓升高而開啟的半導(dǎo)體開關(guān)(F)、第二采樣支路穩(wěn)壓管(D34)、溫差發(fā)電片(pat)、升壓電路、第一信號(hào)輸出點(diǎn)(Tl)、第二型號(hào)輸出點(diǎn)(T2)、功率輸出點(diǎn)(S)、電路地點(diǎn)(GND)； 溫差發(fā)電片(pat)的正極與升壓電路的輸入端相連，溫差發(fā)電片(pat)的負(fù)極與電路地點(diǎn)(GND)相連，升壓電路的接地端與電路地點(diǎn)(GND)相連； 第一采樣支路采樣分壓電阻(R20)的一端與升壓電路的輸出端相連，第一采樣支路采樣分壓電阻(R20)的另一端與第一信號(hào)輸出點(diǎn)(Tl)相連； 第一采樣支路采樣電阻(R21)的一端與第一信號(hào)輸出點(diǎn)(Tl)相連，第一采樣支路采樣電阻(R21)的另一端與電路地點(diǎn)(GND)相連； 信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21)的正極與第一信號(hào)輸出點(diǎn)(Tl)相連，信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21)的負(fù)極與電路地點(diǎn)相連； 第二采樣支路采樣分壓電阻(R30)的一端與升壓電路的輸出端相連，第二采樣支路采樣分壓電阻(R30)的另一端與半導(dǎo)體開關(guān)(F)的控制端相連； 第二采樣支路采樣電阻(R31)的一端與半導(dǎo)體開關(guān)(F)的控制端相連，第二采樣支路采樣電阻(R31)的另一端與電路地點(diǎn)(GND)相連； 第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻(R32)的一端與升壓電路的輸出端相連，第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻(R32)的另一端與第二采樣支路穩(wěn)壓管(D34)的正極相連； 半導(dǎo)體開關(guān)(F)的開關(guān)通道的一端與第二采樣支路穩(wěn)壓管(D34)的正極相連，半導(dǎo)體開關(guān)(F)的開關(guān)通道的另一端與電路地點(diǎn)(GND)相連； 第二采樣支路穩(wěn)壓管(D34)的正極與信號(hào)輸出點(diǎn)(T2)相連，第二采樣支路穩(wěn)壓管(D34)的負(fù)極電路地點(diǎn)(GND)相連； 功率輸出點(diǎn)(S)經(jīng)由功率支路限流電阻(Rl)連接到升壓電路的輸出端； 還包括用于保護(hù)半導(dǎo)體開關(guān)(F)的控制端不被擊穿的保護(hù)穩(wěn)壓管(D31);保護(hù)穩(wěn)壓管(D31)的正極與半導(dǎo)體開關(guān)(F)的控制端相連。
2.如權(quán)利要求1所述的用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于:所述的升壓電路為自舉電路。
3.如權(quán)利要求1所述的用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于:所述的溫差發(fā)電片為帕爾體。
4.如權(quán)利要求1所述的用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于:所述的半導(dǎo)體開關(guān)(F)為MOSFET。
5.如權(quán)利要求1所述的用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于:所述的半導(dǎo)體開關(guān)(F)為三極管。
6.如權(quán)利要求1所述的用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于:所述的第一采樣支路采樣電阻(R21)為可調(diào)電阻。
7.如權(quán)利要求1所述的用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于:所述的第二采樣支路采樣電阻(R31)為可調(diào)電阻。
【專利摘要】用于智能穿戴設(shè)備的體溫發(fā)電及發(fā)電狀況監(jiān)控電路，其特征在于：包括功率支路限流電阻（R1）、第一采樣支路采樣分壓電阻（R20）、第一采樣支路采樣電阻（R21）、第一支采樣支路限流電阻（R22）、信號(hào)輸出穩(wěn)壓管(D21）、第二采樣支路采樣分壓電阻（R30）、第二采樣支路采樣電阻（R31）、第二采樣支路采樣反轉(zhuǎn)分壓電阻（R32）、開關(guān)狀態(tài)隨控制端電壓升高而開啟的半導(dǎo)體開關(guān)（F）、第二采樣支路穩(wěn)壓管（D34）、溫差發(fā)電片（pat）、升壓電路、第一信號(hào)輸出點(diǎn)（T1）、第二型號(hào)輸出點(diǎn)（T2）、功率輸出點(diǎn)（S）、電路地點(diǎn)（GND）; 還包括用于保護(hù)半導(dǎo)體開關(guān)（F）的控制端不被擊穿的保護(hù)穩(wěn)壓管（D31）。本實(shí)用新型簡(jiǎn)單實(shí)用，可用于智能穿戴設(shè)備。
【IPC分類】G01R19-165
【公開號(hào)】CN204556714
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520294131
【發(fā)明人】劉偉, 李寧
【申請(qǐng)人】深圳市尼索電子科技有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2015年5月8日