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      原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片的制作方法

      文檔序號(hào):8979713閱讀:581來源:國(guó)知局
      原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于拉曼光譜檢測(cè)領(lǐng)域,特別是一種用于原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜檢測(cè)(Electrochemical-Surface enhanced raman scattering, EC-SERS)的芯片。
      【背景技術(shù)】
      [0002]電化學(xué)方法可以提供分子在電場(chǎng)作用下的電子轉(zhuǎn)移信息,而拉曼光譜法能夠提供分子基團(tuán)的振動(dòng)信息,故原位EC-SERS光譜聯(lián)用是解決界面電子轉(zhuǎn)移機(jī)理、電預(yù)富集分析等的有力工具。對(duì)于原位EC-SERS聯(lián)用的原位檢測(cè)的芯片上的工作電極,要求電極不僅能提供導(dǎo)電功能,而且表面經(jīng)過特殊處理應(yīng)具有能使拉曼檢測(cè)信號(hào)放大14-1O6倍的效應(yīng)。目前實(shí)驗(yàn)室研宄使用的原位EC-SERS芯片的電極,主要是經(jīng)氧化還原反應(yīng)制備的粗糙的貴金屬電極。其表面具有表面增強(qiáng)拉曼光譜效應(yīng),但是其具有如下缺陷:(I)現(xiàn)有技術(shù)芯片上所采用的電極為柱狀電極。柱狀電極體積大,因此工作電極、對(duì)電極和參比電極難以集成。
      [2]芯片上的該類柱狀電極處理后所得到的粗糙化表面,納米顆粒大小及分布較難達(dá)到均一,使得拉曼檢測(cè)信號(hào)在表面的不同檢測(cè)位點(diǎn)差異較大。(3)對(duì)柱狀類電極在使用前進(jìn)行打磨、超聲清洗、活化及經(jīng)過氧化還原反應(yīng)使表面獲得納米結(jié)構(gòu)或稱粗糙化的操作過程較為繁瑣。(4)采用棒狀貴金屬電極的芯片成本較高,且不便于重復(fù)使用,也不適合在便攜式的原位EC-SERS中推廣使用。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0003]為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型專利提供一種原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片及其生產(chǎn)方法,該芯片集成度高、小型化檢測(cè)信號(hào)穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)單、成本低且便于攜帶。
      [0004]本實(shí)用新型所提供的一種原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,包括基板,基板集成有工作電極、對(duì)電極和參比電極,其中工作電極表面為納米結(jié)構(gòu),芯片表面層上設(shè)有導(dǎo)電端、工作電極工作端、對(duì)電極工作端和參比電極工作端,其他表面層特定區(qū)域?yàn)榻^緣層。絕緣層將芯片上的導(dǎo)電端所在的導(dǎo)電區(qū)域和三電極工作端所在的工作區(qū)域分開。
      [0005]作為優(yōu)選,基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯板,該材料作為基板耐高溫。
      [0006]作為優(yōu)選,工作電極表面的納米結(jié)構(gòu)為多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)或金屬納米顆?;蚣{米片或納米棒。其中用于拉曼測(cè)試,工作電極表面為多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)為最佳,該電極表面更為均一,不同檢測(cè)位點(diǎn)差異較小,增加了檢測(cè)方法的一致性和重復(fù)性,且電解液殘留的物質(zhì)在多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)表面較少,使得芯片在檢測(cè)中背景噪音較小。
      [0007]作為優(yōu)選,基板上設(shè)置有導(dǎo)電貴金屬油墨印刷層、導(dǎo)電油墨印刷層、和參比油墨印刷層。工作電極和對(duì)電極位于導(dǎo)電油墨印刷層,參比電極位于參比油墨印刷層。其中,導(dǎo)電貴金屬油墨印刷層可以為導(dǎo)電銀油墨印刷層,導(dǎo)電油墨印刷層可以為碳油墨印刷層,參比油墨電極可以為銀/氯化銀導(dǎo)電油墨印刷層。Ag被證明是現(xiàn)在可以獲得最大拉曼增強(qiáng)的金屬,因此制備原位EC-SERS銀芯片具有很大的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
      [0008]作為優(yōu)選,導(dǎo)電端可以連接有芯片電轉(zhuǎn)接器,分別接對(duì)電極導(dǎo)線、接工作電極導(dǎo)線和接參比電極導(dǎo)線,上述三導(dǎo)線與電化學(xué)檢測(cè)器連接,用于原位EC-SERS檢測(cè)。
      [0009]本實(shí)用新型提供的一種原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,將工作電極、參比電極和對(duì)電極集成于基板上,制得片式芯片,克服了柱狀電極體積較大難以集成的缺陷,實(shí)現(xiàn)了高度集成和小型化。且電沉積反應(yīng)后的具備納米結(jié)構(gòu)的工作電極表面,尤其是多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)的工作電極表面,更為均一。拉曼檢測(cè)信號(hào)在不同檢測(cè)位點(diǎn)差異較小,增加了檢測(cè)信號(hào)的穩(wěn)定性檢測(cè)方法的一致性、重復(fù)性。該原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片可以一次性使用,也可經(jīng)處理實(shí)現(xiàn)重復(fù)使用,以降低檢測(cè)成本。
      【附圖說明】
      [0010]圖1是本實(shí)用新型電沉積裝置圖;
      [0011]圖2是本實(shí)用新型原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0012]圖3A是本實(shí)用新型原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片的示意圖,圖3B是掃描電子顯微鏡(SEM)下工作電極經(jīng)過電沉積后的表面形貌,圖3C是局部放大圖;
      [0013]圖4是0.01mol/L吡啶溶液、-0.1V電壓下,在本實(shí)用新型芯片上加電前(a)、加電中(b)、加電后(C)的激光拉曼譜圖;
      [0014]其中:1、原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片;2、電接轉(zhuǎn)換器;3、電解液、4、接對(duì)電極導(dǎo)線;5、接工作電極導(dǎo)線;6、接參比電極導(dǎo)線;7、對(duì)電極;8、工作電極;9、參比電極;10、基板;11、多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)、12、絕緣層。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]本實(shí)施例描述的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,包括基板10,基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯板。基板上10設(shè)置有導(dǎo)電銀油墨印刷層、碳油墨印刷層、和銀/氯化銀油墨印刷層;基板上集成有工作電極8、對(duì)電極7和參比電極9,工作電極8和對(duì)電極7位于碳油墨印刷層,參比電極9位于銀/氯化銀導(dǎo)電油墨印刷層;其中工作電極8表面為多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)11,芯片表面層上設(shè)有導(dǎo)電端、工作電極工作端、對(duì)電極工作端和參比電極工作端,其他表面層特定區(qū)域?yàn)榻^緣層12。絕緣層將芯片上導(dǎo)電端所在的導(dǎo)電區(qū)域與三電極工作端的工作區(qū)域分開。芯片的導(dǎo)電端可以接入芯片電接轉(zhuǎn)換器2,電接轉(zhuǎn)換器2通過接對(duì)電極導(dǎo)線4、接工作導(dǎo)線5、接參比電極導(dǎo)線6與電化學(xué)檢測(cè)器連接。
      [0016]以吡啶作為探針分子,對(duì)上述原位EC-SERS芯片的適用性進(jìn)行拉曼測(cè)試。將清洗后的芯片放置于固定工作臺(tái)上,在芯片工作電極端上設(shè)置樣品池,芯片導(dǎo)電端通過電接轉(zhuǎn)接器與電化學(xué)工作站相連。在樣品池中滴加100 μ I的0.01mol/L吡啶溶液,選擇計(jì)時(shí)電流法,加電壓-0.1V,掃描時(shí)間為100s,在加電壓前、加電壓中和加電壓后分別進(jìn)行拉曼測(cè)試,掃描區(qū)間為900(^-1200(^1,掃描時(shí)間為10s,積分兩次。如圖4所示,(a)為加電前的吡啶分子在電極表面組裝1min后的SERS譜圖。從圖4(a)可見,在1HcnT1和1034CHT1處有兩個(gè)明顯的振動(dòng)峰,分別為吡啶分子環(huán)呼吸振動(dòng)和環(huán)彎曲振動(dòng)。當(dāng)給電極加上-0.1V電壓后,在電流密度保持穩(wěn)定的情況下(約20s處),測(cè)得加電下吡啶分子在電極表面的拉曼信號(hào)(b),從圖4(b)可見,吡啶分子在加電下,1HcnT1和1034CHT1兩個(gè)峰的峰強(qiáng)有明顯減弱,說明當(dāng)電極表面加上一定的電壓時(shí),表面帶電情況影響吡啶分子的吸附。而在停止加電后,由于分子在表面重新組裝,得到和加電壓前同樣強(qiáng)的拉曼信號(hào)(圖4(c))。因此在測(cè)試時(shí),為了保證拉曼檢測(cè)信號(hào)的穩(wěn)定性及真實(shí)反映表面帶電下的分子結(jié)構(gòu)信息,應(yīng)測(cè)電極表面電信號(hào)趨于穩(wěn)定時(shí)的拉曼信號(hào)。即表面電荷達(dá)到飽和狀態(tài)時(shí)的拉曼信號(hào)。
      [0017]在使用本實(shí)用新型的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片進(jìn)行檢測(cè)時(shí),針對(duì)特定的待測(cè)樣品,應(yīng)先分析其分子結(jié)構(gòu),依據(jù)拉曼選律,決定其是否具有拉曼活性基團(tuán)。其次分析其所需測(cè)定數(shù)據(jù)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)需求,進(jìn)行直接測(cè)定或是連接動(dòng)態(tài)反應(yīng)池測(cè)定。再次,考察電壓、電流等條件變化下,待測(cè)樣品在芯片表面產(chǎn)生的拉曼信號(hào),并通過查詢手冊(cè)或者理論計(jì)算,分析峰強(qiáng)峰位變化。最后,根據(jù)要求,研宄反應(yīng)機(jī)理或建立檢測(cè)方法。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,包括基板,其特征在于:基板集成有工作電極、對(duì)電極和參比電極,其中工作電極表面為納米結(jié)構(gòu),芯片表面層上設(shè)有導(dǎo)電端、工作電極工作端、對(duì)電極工作端和參比電極工作端,其他表面層特定區(qū)域?yàn)榻^緣層,絕緣層將導(dǎo)電端所在的導(dǎo)電區(qū)域和三電極工作端所在的工作區(qū)域區(qū)分開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,其特征在于:所述的基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,其特征在于:工作電極表面的納米結(jié)構(gòu)為多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)或金屬納米顆粒狀或納米片狀或納米棒狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,其特征在于:基板上設(shè)置有導(dǎo)電貴金屬油墨印刷層、導(dǎo)電油墨印刷層、和參比油墨印刷層,工作電極和對(duì)電極位于導(dǎo)電油墨印刷層,參比電極位于參比油墨印刷層。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,其特征在于:導(dǎo)電貴金屬油墨印刷層為導(dǎo)電銀油墨印刷層,導(dǎo)電油墨印刷層為碳油墨印刷層,參比油墨電極為銀/氯化銀導(dǎo)電油墨印刷層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,其特征在于:導(dǎo)電端連接有芯片電轉(zhuǎn)接器,分別接對(duì)電極導(dǎo)線、接工作電極導(dǎo)線和接參比電極導(dǎo)線,上述三導(dǎo)線與電化學(xué)檢測(cè)器連接。
      【專利摘要】本實(shí)用新型所公開的原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,包括基板,基板集成有工作電極、對(duì)電極和參比電極,其中工作電極表面為納米結(jié)構(gòu),芯片表面層上設(shè)有導(dǎo)電端、工作電極工作端、對(duì)電極工作端和參比電極工作端,其他表面層特定區(qū)域?yàn)榻^緣層。絕緣層將芯片上的導(dǎo)電端所在的導(dǎo)電區(qū)域和三電極工作端所在的工作區(qū)域分開。本實(shí)用提供的一種原位電化學(xué)-表面增強(qiáng)拉曼光譜芯片,將工作電極、參比電極和對(duì)電極集成于基板上,制得片式芯片,克服了柱狀電極體積較大難以集成的缺陷,實(shí)現(xiàn)了高度集成和小型化。且電沉積反應(yīng)后的具備納米結(jié)構(gòu)的工作電極表面,尤其是多孔納米樹枝狀結(jié)構(gòu)的工作電極表面,更為均一。
      【IPC分類】G01N27/30, G01N21/65
      【公開號(hào)】CN204630934
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420537764
      【發(fā)明人】滕淵潔, 劉文涵
      【申請(qǐng)人】浙江工業(yè)大學(xué)
      【公開日】2015年9月9日
      【申請(qǐng)日】2014年9月18日
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