芯片失效分析的測試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及芯片失效分析技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]—般來說，集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，隨著人們對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設(shè)計人員找到設(shè)計上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計與操作中的不當(dāng)?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面:失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析為設(shè)計工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計，使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補(bǔ)充，為驗(yàn)證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。失效分析主要步驟和內(nèi)容芯片開封:去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持die，bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM掃描電鏡/EDX成分分析:包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。探針測試:以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。鐳射切割:以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。
[0003]在提高產(chǎn)品良率的過程中，產(chǎn)品工程師需要對問題產(chǎn)品進(jìn)行電性及物理失效分析，從而對產(chǎn)品進(jìn)行診斷。通過電性失效分析，往往可以找出缺陷在版圖上的位置，為明確缺陷的具體情況，需要進(jìn)行物理失效分析，主要包括剝層、聚焦離子束、掃描電子顯微鏡(TEM)、VC定位技術(shù)和缺陷化學(xué)成分分析。電性失效分析是物理失效分析的前提，物理失效分析結(jié)果是電性失效分析的目的和佐證。在失效分析中，各個步驟工作配合應(yīng)用，缺一不可。
[0004]為了確定物理失效分析和電性失效分析，需要對芯片的各個引腳進(jìn)行連接測試，而在檢測行業(yè)中，往往會遇到各種尺寸和封裝類型的芯片，每種芯片在測試之前需要制作夾具，這是一項(xiàng)相當(dāng)繁瑣的工作，因此有必要研發(fā)出一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測試裝置。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測試裝置。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為:提供一種芯片失效分析的測試裝置，包括:
[0007]測試夾具，所述測試夾具包括底板、載板及夾板，所述底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿所述載板上表面、下表面設(shè)有與所述金屬凸起對應(yīng)的均勻布置的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，所述連接件包括設(shè)于所述載板上表面的金屬薄片及連接于所述金屬薄片下的金屬探針，所述金屬探針套設(shè)有彈性部件，且所述彈性部件固定于所述通孔內(nèi)壁，被測芯片置于所述載板上表面時，所述夾板輕壓于所述被測芯片上，被測芯片的引腳壓于所述金屬薄片上，所述彈性部件一起被壓縮，且所述金屬探針與所述金屬凸起電性連接；
[0008]測試機(jī)臺，所述測試機(jī)臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與所述金屬凸起電性連接。
[0009]所述金屬薄片微凸地設(shè)于所述載板上表面。
[0010]所述底板上還設(shè)有印刷電路及若干金屬柱，所述印刷電路一端與所述金屬凸起電性連接，另一端與所述金屬柱電性連接，且所述測試機(jī)臺可選擇地與任一根所述金屬柱電性連接。
[0011]所述金屬薄片與所述金屬探針為一體結(jié)構(gòu)，且所述彈性部件為下端具有向所述通孔內(nèi)壁方向凸設(shè)的凸臺，且所述彈性部件為彈簧，且所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端通過所述凸臺卡合于所述通孔內(nèi)壁處。
[0012]所述通孔內(nèi)設(shè)有電磁屏蔽層，并在所述通孔內(nèi)壁處涂覆有粗糙的絕緣層結(jié)構(gòu)。
[0013]所述通孔分為上、下兩段，且所述通孔的上段內(nèi)徑稍大于下段內(nèi)徑，且下段與上段之間形成臺階結(jié)構(gòu)，且所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端卡合于所述臺階結(jié)構(gòu)上。
[0014]所述通孔為上大下小的圓臺狀結(jié)構(gòu)，所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端卡合于所述通孔內(nèi)壁處。
[0015]所述夾板包括夾板主體及可連接于所述夾板主體下部的固定板，所述固定板根據(jù)被測芯片的外形開設(shè)固定槽，且被測芯片嵌合于所述固定槽內(nèi)，所述固定板與所述夾板主體螺紋連接固定。
[0016]還包括高倍攝像頭，所述高倍攝像頭設(shè)于所述夾板上方，且所述夾板主體及固定板均為高度透明結(jié)構(gòu)，當(dāng)所述夾板輕壓于所述被測芯片并將被測芯片的引腳壓于所述金屬薄片上時，可通過所述高倍攝像頭觀察被測芯片的引腳與所述金屬薄片的接觸是否良好。
[0017]所述金屬薄片刷有用于與被測芯片引腳良好接觸的錫膏層或?qū)щ娿y漿層。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型芯片失效分析的測試裝置，由于所述載板中，貫穿所述載板上表面及下表面設(shè)有均勻布置的通孔，因此，當(dāng)被測芯片放置于所述載板上時，無論是哪種封裝類型的芯片，均能夠?qū)⒁_置于所述通孔上的所述金屬薄片上，所述金屬薄片由于和所述金屬探針電性連接，因此所述金屬薄片受壓時，所述金屬探針與所述金屬凸起連接，而所述測試機(jī)臺只需將對應(yīng)的所述金屬凸起電性連接，則可以向被測芯片輸入測試信號。因此，本實(shí)用新型是一種能夠?qū)Σ煌男酒M(jìn)行測試的適用范圍極廣的測試設(shè)備，極大地縮短了測試設(shè)備的研發(fā)時間和降低設(shè)備的開發(fā)費(fèi)用。
[0019]通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實(shí)用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施例。
【附圖說明】
[0020]圖1為本實(shí)用新型芯片失效分析的測試裝置一個實(shí)施例的示意圖。
[0021]圖2為如圖1所示的芯片失效分析的測試裝置的底板的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖3為如圖1所示的芯片失效分析的測試裝置的載板的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖4為如圖1所示的芯片失效分析的測試裝置的連接件的一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖5為如圖1所示的芯片失效分析的測試裝置的通孔的一個實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0025]圖6為如圖1所示的芯片失效分析的測試裝置的通孔的另一個實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在參考附圖描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，附圖中類似的元件標(biāo)號代表類似的元件。如上所述，如圖1-6所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片失效分析的測試裝置100，包括:
[0027]測試夾具1，所述測試夾I具包括底板10、載板11及夾板12，所述底板10中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起101，貫穿所述載板11上表面、下表面設(shè)有與所述金屬凸起101對應(yīng)的均勻布置的通孔110，所述通孔110內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件111，所述連接件111包括設(shè)于所述載板11上表面的金屬薄片1110及連接于所述金屬薄片1110下的金屬探針1111，所述金屬探針1111套設(shè)有彈性部件，且所述彈性部件固定于所述通孔110內(nèi)壁，被測芯片2置于所述載板11上表面時，所述夾板12輕壓于所述被測芯片2上，被測芯片2的引腳壓于所述金屬薄片1110上，所述彈性部件一起被壓縮，且所述金屬探針1111與所述金屬凸起1I電性連接;在本實(shí)施例中，所述底板1中央布設(shè)的金屬凸起1I和所述載板11設(shè)置的所述通孔110均是一個陣列，該陣列中的凸起和通孔的數(shù)量及凸起與通孔的大小也是可以預(yù)先設(shè)置的，根據(jù)目前常見的芯片的引腳的結(jié)構(gòu)和引腳之間的間距設(shè)置。需要說明的是，由于目前現(xiàn)有技術(shù)的芯片的封裝結(jié)構(gòu)通常是:雙列直插式封裝(DIP)、小外形封裝(SOP)、小尺寸封裝(S0J)、四面引線扁平封裝(QFP)、球柵陣列(BGA)結(jié)構(gòu)，以上各種封裝結(jié)構(gòu)，無論何種封裝，基本上都可以分為將引腳設(shè)置成常見引腳狀，或者球柵陣列狀，只需確保將引腳與所述金屬薄片1110良好接觸即可，且如果當(dāng)被測芯片2置于所述金屬薄片1110時，如果引腳太粗而所述金屬薄片的面積小于引腳接觸面時，可以將該被測芯片2的一個引腳同時接觸兩個相鄰的所述金屬薄片1110，此時，通常只需將兩個相鄰的所述金屬薄片1110中其中一個與所述測試機(jī)臺3電性連接即可，并不妨礙所述測試機(jī)臺3對被測芯片2輸出測試信號。此夕卜，所述金屬凸起101與所述通孔110的尺寸是相對應(yīng)的，并且可以根據(jù)測試需要預(yù)制所述底板1及所述載板11。
[0028]測試機(jī)臺3，所述測試機(jī)臺3用于對被測芯片2輸出測試信號，且可選擇地與所述金屬凸起101電性連接。在所述底板10上的所述金屬凸起101的數(shù)量可以是比較龐大的，如此能夠方便測試不同引腳數(shù)量的被測芯片2，因此在測試過程中，只需將被所述測試芯片2的弓丨腳所接觸到的所述金屬凸起101進(jìn)行電性連接即可。所述測試機(jī)臺3輸出何種測試信號，通常是通過硬件描述語言veri log發(fā)開的芯片測試激勵。
[0029]在一個實(shí)施例中，所述金屬薄片1110微凸地設(shè)于所述載板11上