專利名稱：智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體工藝中的反應(yīng)室模式的控制方法，特別涉及一種智能檢 測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體工藝包括一連串不同的化學(xué)和物理的工藝，將微小的集成電路制作在基板上。隨 著半導(dǎo)體組件的幾何尺寸演變的越來(lái)越小，維持臨界尺寸的均勻性和精確性的能力就受到了 限制。許多在半導(dǎo)體工藝反應(yīng)室進(jìn)行的工藝會(huì)有污染物沉積在反應(yīng)室的內(nèi)壁，當(dāng)其累積到一 定程度時(shí)，就變成了制造半導(dǎo)體組件時(shí)，非常不利的因素來(lái)源。當(dāng)反應(yīng)室進(jìn)行的是半導(dǎo)體晶片的蝕刻工藝時(shí)，沉積的高分子污染物會(huì)沉積且進(jìn)而累積在 半導(dǎo)體反應(yīng)室的內(nèi)壁、氣體散布板(gas distribution plate， GDP)和內(nèi)部的零件中。時(shí)間 一久，若疏于清潔反應(yīng)室則會(huì)造成次級(jí)且不可靠的工藝和缺陷產(chǎn)品的形成，如首片晶片(first wafer)效應(yīng)。而缺乏經(jīng)常性和實(shí)時(shí)性的清潔程序，再加上無(wú)法得知反應(yīng)室內(nèi)部的確實(shí)污染情 形，累積在反應(yīng)室內(nèi)壁的殘留污染物會(huì)遷移到底材上造成污染。特別是當(dāng)高分子物質(zhì)產(chǎn)生剝 落時(shí)，可使成品率致死率(yield kill rate)超過(guò)10%。而為了增強(qiáng)所制造組件的性能和質(zhì) 量，提供有效率無(wú)傷害的反應(yīng)室清潔方法是必需的。因此，本發(fā)明針對(duì)上述的問(wèn)題，提出一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，以解決 上述的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其可混合檢測(cè) 執(zhí)行清潔型與污染型模式之參數(shù)設(shè)定在同一反應(yīng)室中。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其可消除首片 晶片(First Wafer)效應(yīng)對(duì)產(chǎn)品的影響。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其可延長(zhǎng)平均 清潔時(shí)距(mean time between clean, MTBC)。本發(fā)明的又一目的在于，提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其與濕式清潔 相比較則降低工藝設(shè)備定期保養(yǎng)(preventive maintenance, PM)的費(fèi)用。 本發(fā)明的又一目的在于，提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其可有效減輕 操作者的工作量負(fù)擔(dān)，進(jìn)而降低人力資源的成本。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其為執(zhí)行污染型 模式時(shí)包括下列步驟比對(duì)檢測(cè)參數(shù)，設(shè)定是要執(zhí)行污染型模式；檢測(cè)判斷此反應(yīng)室上次模 式是清潔型或污染型；若是清潔型模式，就檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整為 最適合工作的狀態(tài)，將內(nèi)有晶片的晶舟送入此反應(yīng)室，并開始執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝，若 是污染型模式，檢測(cè)此晶片待在此反應(yīng)室的延遲作動(dòng)的等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間；若否， 則就將此內(nèi)有晶片的晶舟送入此反應(yīng)室，并開始執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝，若是，則檢測(cè)反 應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整為最適合工作的狀態(tài)，就將此內(nèi)有晶片的晶舟送入此 反應(yīng)室，執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝。當(dāng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)行時(shí)，本發(fā)明會(huì)計(jì)算此晶片完成數(shù)量是否大于設(shè)定值；若否，則直接將 晶舟載出，若是，則對(duì)此反應(yīng)室進(jìn)行干式清潔，并在此晶舟上記錄清潔型模式是最終流程， 檢測(cè)調(diào)適反應(yīng)室的狀態(tài)；以及最后將晶舟載出。本發(fā)明為執(zhí)行清潔型模式時(shí)是包括下列步驟比對(duì)檢測(cè)參數(shù)設(shè)定是執(zhí)行清潔型模式，檢 測(cè)判斷此反應(yīng)室上次模式是清潔型或污染型；若是污染型模式，則對(duì)此反應(yīng)室進(jìn)行干式清潔， 然后檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整是最適合工作的狀態(tài)，接著，就將此內(nèi)有 晶片的晶舟送入此反應(yīng)室，執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝，最后將晶舟載出，若是清潔型模式， 則檢測(cè)此晶片待在此反應(yīng)室的延遲作動(dòng)的等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間；若否，則將此內(nèi)有晶 片的晶舟送入此反應(yīng)室，并開始執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝，接著，將晶舟載出，若是，就檢 測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整是最適合工作的狀態(tài)，然后將此內(nèi)有晶片的晶舟 送入此反應(yīng)室，執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝，最后將晶舟載出。綜合所述，本發(fā)明利用檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部的參數(shù)設(shè)定來(lái)自我控制轉(zhuǎn)換清潔型與污染型模式， 且可混合檢測(cè)執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數(shù)設(shè)定在同一反應(yīng)室中，而通過(guò)檢測(cè)參數(shù)設(shè)定來(lái) 實(shí)時(shí)執(zhí)行千式清潔(dry clean)與調(diào)適反應(yīng)室狀態(tài)，進(jìn)而達(dá)到可延長(zhǎng)平均清潔時(shí)距(mean time between clean, MTBC)，消除首片晶片(First Wafer)效應(yīng)，以及降低工藝設(shè)備定期保養(yǎng) (preventive maintenance, PM)的費(fèi)用的功效。 以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。


圖l為本發(fā)明主要實(shí)施流程圖2為本發(fā)明實(shí)施方法流程圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施方法流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明是為一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，首先請(qǐng)參閱圖1示，本發(fā)明是包括下列步驟首先如步驟S2所示，先將欲加工的可為卡式晶舟(Cassette)的晶舟加以掃瞄比 對(duì)，如步驟S4，判斷比對(duì)晶舟的參數(shù)設(shè)定模式是清潔型或污染型模式，如為污染型模式，則 進(jìn)行步驟S6，如為清潔型模式，則進(jìn)行步驟S8。而本發(fā)明是執(zhí)行污染型模式時(shí)，包括下列步驟請(qǐng)同時(shí)參閱圖2示，首先如步驟S61所 示，反應(yīng)室的參數(shù)設(shè)定是要執(zhí)行污染型模式，接下來(lái)進(jìn)行步驟S62，本發(fā)明會(huì)檢測(cè)并判斷反應(yīng) 室上次的模式是清潔型或污染型模式，而依照其上次的模式的不同，是有不同的執(zhí)行步驟， 若上次的模式是清潔型模式，當(dāng)如步驟S64所示，則檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè) 定調(diào)整為最適合工作的狀態(tài)，然后進(jìn)行如步驟S65所示，就將此內(nèi)有晶片的晶舟送入此反應(yīng) 室，并開始執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行可為多晶硅蝕刻的工藝，而當(dāng)如步驟S63所示，其上次的模式 是污染型模式，則檢測(cè)此晶片待在此反應(yīng)室的延遲作動(dòng)的等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間，而依 照其等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間，是有不同的執(zhí)行步驟，若是，則因反應(yīng)室內(nèi)部的狀態(tài)可能 有所變化，而參數(shù)設(shè)定已不同，則進(jìn)行步驟S64，然后進(jìn)行步驟S65,若否，則直接進(jìn)行步驟 S65。當(dāng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)行時(shí)，如步驟S66所示，本發(fā)明會(huì)計(jì)算此晶片完成的數(shù)量是否大于設(shè)定 值，而依照此晶片完成的數(shù)量是否大于設(shè)定值，是有不同的執(zhí)行步驟，若否，因?yàn)榉磻?yīng)室內(nèi) 部的狀態(tài)還是在參數(shù)設(shè)定的范圍內(nèi)，則直接進(jìn)行步驟S69，將晶舟載出，若是，則因?yàn)榉磻?yīng)室 內(nèi)部的狀態(tài)已超過(guò)參數(shù)設(shè)定，呈現(xiàn)污染的狀態(tài)，接下來(lái)進(jìn)行如步驟S67所示，對(duì)此反應(yīng)室進(jìn) 行干式清潔，在完成干式清潔時(shí)，并在晶舟上記錄為清潔型模式是最終的流程，然后進(jìn)行步 驟S68,檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整為最適合工作的狀態(tài)，最后完成步驟 S69。而本發(fā)明是執(zhí)行清潔型模式時(shí)，是包括下列步驟請(qǐng)同時(shí)參閱圖3示，首先如步驟S81 所示，反應(yīng)室的參數(shù)設(shè)定是要執(zhí)行清潔型模式，接下來(lái)進(jìn)行步驟S82，本發(fā)明會(huì)檢測(cè)并判斷反 應(yīng)室上次的模式是清潔型或污染型模式，而依照其上次的模式的不同，是有不同的執(zhí)行步驟, 其上次的模式是污染型模式，則進(jìn)行步驟S83，對(duì)此反應(yīng)室進(jìn)行干式清潔，接著，如步驟S85 所示，則檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整為最適合工作的狀態(tài)，然后進(jìn)行如步
驟S86所示，就將此內(nèi)有晶片的晶舟送入此反應(yīng)室，并開始執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行可為多晶硅蝕 刻的工藝，最后完成步驟S87，將晶舟載出。若上次的模式是清潔型模式，當(dāng)如步驟S84所示， 則檢測(cè)此晶片待在此反應(yīng)室的延遲作動(dòng)的等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間，而依照其等待時(shí)間是 否大于預(yù)設(shè)時(shí)間，是有不同的執(zhí)行步驟，若否，因?yàn)榉磻?yīng)室內(nèi)部的狀態(tài)還是在參數(shù)設(shè)定的范 圍內(nèi)，則直接進(jìn)行步驟S86，就將此內(nèi)有晶片的晶舟送入此反應(yīng)室，并開始執(zhí)行此晶片應(yīng)進(jìn)行 可為多晶硅蝕刻之工藝，然后完成步驟S87，若是，則因反應(yīng)室內(nèi)部的狀態(tài)可能有所變化，而 參數(shù)設(shè)定己不同，則進(jìn)行步驟S85，檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部參數(shù)設(shè)定，并將參數(shù)設(shè)定調(diào)整為最適合工 作的狀態(tài)，接著，如步驟S86所示，就將此內(nèi)有晶片的晶舟送入此反應(yīng)室，并開始執(zhí)行此晶 片應(yīng)進(jìn)行可為多晶硅蝕刻工藝，然后完成步驟S87。綜合所述，本發(fā)明提供的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其利用檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部 的參數(shù)設(shè)定來(lái)自我控制轉(zhuǎn)換清潔型與污染型模式，且可混合檢測(cè)執(zhí)行清潔型與污染型模式的 參數(shù)設(shè)定在同一反應(yīng)室中，而通過(guò)檢測(cè)參數(shù)設(shè)定來(lái)實(shí)時(shí)執(zhí)行干式清潔(dry clean)與調(diào)適反 應(yīng)室狀態(tài)，進(jìn)而達(dá)到可延長(zhǎng)平均清潔時(shí)距(mean time between clean, MTBC)，消除首片晶 片(First Wafer)效應(yīng)，以及降低工藝設(shè)備定期保養(yǎng)(preventive maintenance, PM)的費(fèi)用 的功效。以上所述的僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，因此凡依 照本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所作的等同變化與修飾，均應(yīng)涵蓋在 本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，應(yīng)用于檢測(cè)轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體工藝中的反應(yīng)室模式，其特征在于為執(zhí)行污染型模式時(shí)包括下列步驟A、檢測(cè)參數(shù)設(shè)定為執(zhí)行污染型模式；B、判斷上次模式為清潔型或污染型，若為清潔型模式，則執(zhí)行步驟D，若為污染型模式，則執(zhí)行下一步驟；C、檢測(cè)該晶舟內(nèi)的晶片待在該反應(yīng)室的延遲作動(dòng)的等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間，若否，則執(zhí)行步驟E，若是，則執(zhí)行下一步驟；D、檢測(cè)調(diào)適反應(yīng)室的狀態(tài)；E、執(zhí)行該晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝；F、計(jì)算該晶片完成數(shù)量是否大于設(shè)定值，若否，則執(zhí)行步驟I，若是，則執(zhí)行下一步驟；G、執(zhí)行干式清潔于該反應(yīng)室，并在該晶舟上記錄清潔型模式為最終流程；H、檢測(cè)調(diào)適反應(yīng)室的狀態(tài)；以及I、晶舟載出。
2、 如權(quán)利要求1所述的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其特征在于在該反應(yīng)室混合 檢測(cè)時(shí)，執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數(shù)設(shè)定。
3、 如權(quán)利要求1所述的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其特征在于該晶舟為卡式晶 舟。
4、 如權(quán)利要求1所述的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其特征在于所述步驟E中的 工藝為多晶硅蝕刻工藝。
5、 一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，應(yīng)用于檢測(cè)轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體工藝中的反應(yīng)室模式， 其特征在于為執(zhí)行清潔型模式時(shí)包括下列步驟a、 檢測(cè)參數(shù)設(shè)定為執(zhí)行清潔型模式；b、 判斷上次模式為清潔型或污染型，若為清潔型模式，則執(zhí)行步驟D，若為污染型模式， 則執(zhí)行下一步驟；c、 執(zhí)行干式清潔于該反應(yīng)室；d、 檢測(cè)該晶舟內(nèi)的晶片待在該反應(yīng)室的延遲作動(dòng)的等待時(shí)間是否大于預(yù)設(shè)時(shí)間，若否， 則執(zhí)行步驟f，若是，則執(zhí)行下一步驟；e、 檢測(cè)調(diào)適反應(yīng)室的狀態(tài)；f、 執(zhí)行該晶片應(yīng)進(jìn)行的工藝；以及g、 晶舟載出。
6、 如權(quán)利要求5所述的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其特征在于在該反應(yīng)室混合 檢測(cè)時(shí)，執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數(shù)設(shè)定。
7、 如權(quán)利要求5所述的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其特征在于該晶舟為卡式晶 舟。
8、 如權(quán)利要求5所述的智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其特征在于所述步驟f中的 工藝為多晶硅蝕刻工藝。
全文摘要
本發(fā)明提供一種智能檢測(cè)轉(zhuǎn)換反應(yīng)室模式的控制方法，其利用檢測(cè)反應(yīng)室內(nèi)部的參數(shù)設(shè)定來(lái)自我控制轉(zhuǎn)換清潔型與污染型模式，且可混合檢測(cè)執(zhí)行清潔型與污染型模式的參數(shù)設(shè)定在同一反應(yīng)室中，而通過(guò)檢測(cè)參數(shù)設(shè)定來(lái)實(shí)時(shí)執(zhí)行干式清潔(dryclean)與調(diào)適反應(yīng)室狀態(tài)，進(jìn)而達(dá)到可延長(zhǎng)平均清潔時(shí)距(mean time between clean，MTBC)，消除首片晶片(First Wafer)效應(yīng)，以及降低工藝設(shè)備定期保養(yǎng)(preventive maintenance，PM)的費(fèi)用的功效。
文檔編號(hào)G05B19/02GK101158848SQ200610116929
公開日2008年4月9日 申請(qǐng)日期2006年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月8日
發(fā)明者張雙熏, 李化陽(yáng), 王曉武 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司