專利名稱：一種平衡機臺產(chǎn)能的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體生產(chǎn)流程控制的方法和裝置，特別涉及一種平衡機臺產(chǎn)能的方法和裝置。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體制造中，晶片要依次經(jīng)過由幾百道工序組成的工藝流程才能制成最終的產(chǎn)品，不同工序在不同機臺中進行，完成相同工序的一個或多個機臺組成機臺組。當(dāng)晶片完成一道當(dāng)前工序后，才會根據(jù)工藝流程被派送到執(zhí)行下一道工序的機臺中進行處理。生產(chǎn)不同產(chǎn)品采用的工藝流程也不相同，采用相同工藝流程生產(chǎn)的一批晶片稱為晶片組(Lot)，每個Lot會按照其特定的工藝流程，分別進入執(zhí)行不同工序的機臺進行不同工序處理。由于半導(dǎo)體工藝中工序的重復(fù)性，不同的工藝流程都會包括鍍膜工序、刻蝕工序和光刻工序等相同的工序，因此，不同晶片組會在同一機臺組中進行加工?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體制造過程中，操作機臺組的工程師能夠通過MES (制造執(zhí)行系統(tǒng))查詢機臺組所處的狀態(tài)，例如，機臺組能夠處理哪些晶片組，處理晶片組的歷史記錄，和執(zhí)行當(dāng)前工序的情況等。工程師根據(jù)機臺組所處的狀態(tài)，根據(jù)經(jīng)驗安排晶片組的處理順序。但是，執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組的工程師無法準確獲知執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷情況，往往會由于沒有優(yōu)先處理第二機臺組缺貨的晶片組A，使得第二機臺組在處理晶片組A時，可供處理的晶片組A的晶片數(shù)量小于其處理能力，造成第二機臺組無法滿負荷運行，第二機臺組的機臺產(chǎn)能閑置；或者，由于第一機臺組優(yōu)先處理了第二機臺組并不缺貨的晶片組B，使得第二機臺組在處理該晶片組B時，即使?jié)M負荷運行，仍有一部分晶片不能及時處理。這種依靠經(jīng)驗安排晶片組處理順序的方式，大大降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率，特別在半導(dǎo)體制造中，因為昂貴的機臺折舊費用，機臺產(chǎn)能的不平衡提高了半導(dǎo)體制造的成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是由于執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組的工程師無法準確獲知執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷情況，需要依靠經(jīng)驗決定執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組的晶片組執(zhí)行順序，降低了半導(dǎo)體制造中產(chǎn)品生產(chǎn)效率，增加了產(chǎn)品制造成本。為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實現(xiàn)的—種平衡機臺產(chǎn)能的方法，設(shè)置具有不同工藝流程的多個晶片組，每個晶片組都進入第一機臺組加工，所述工藝流程存儲在工藝流程模塊中，由平衡機臺設(shè)置模塊根據(jù)所述工藝流程，設(shè)置每個晶片組與將要加工該晶片組的第二機臺組的對應(yīng)關(guān)系，該方法還包括對每個晶片組，實時派工系統(tǒng)控制模塊從所述平衡機臺設(shè)置模塊中查詢將要加工該晶片組的第二機臺組，并計算工廠全部晶片組中，待處理工序處于所述第一機臺組加工工序與所述第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)；
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目標(biāo)晶片數(shù)量模塊統(tǒng)計該晶片組需要進入所述第二機臺組加工的目標(biāo)晶片總數(shù)， 偏離率計算排序模塊將所述晶片總數(shù)除以所述目標(biāo)晶片總數(shù)，所得的商值作為該晶片組的偏離率，由偏離率存儲模塊建立并存儲偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系；偏離率計算排序模塊將每個晶片組的偏離率按大小排序得到較小的偏離率，根據(jù)所述偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系，由所述實時派工系統(tǒng)控制模塊控制所述第一機臺組優(yōu)先處理所述較小的偏離率對應(yīng)的晶片組。所述第一機臺組包含一個或多個機臺；所述第二機臺組包含一個或多個機臺。所述目標(biāo)晶片總數(shù)是12小時到48小時內(nèi)的目標(biāo)晶片總數(shù)。所述目標(biāo)晶片總數(shù)是第二機臺組中每個機臺加工該晶片組的目標(biāo)晶片數(shù)量的總和，所述每個機臺加工該晶片組的目標(biāo)晶片數(shù)量由每個機臺加工該晶片組的標(biāo)準晶片數(shù)量乘以產(chǎn)能合理利用率得到。一種平衡機臺產(chǎn)能的裝置，該裝置包括實時派工系統(tǒng)控制模塊、工藝流程模塊、 平衡機臺設(shè)置模塊、目標(biāo)晶片數(shù)量模塊、偏離率計算排序模塊、偏離率存儲模塊；所述工藝流程模塊用于存儲多個晶片組的工藝流程；所述平衡機臺設(shè)置模塊，用于根據(jù)所述工藝流程模塊中每個所述晶片組的工藝流程，設(shè)置每個晶片組與將要加工該晶片組的第二機臺組的對應(yīng)關(guān)系；所述實時派工系統(tǒng)控制模塊用于對每個晶片組，從所述平衡機臺設(shè)置模塊中查詢將要加工該晶片組的第二機臺組，將所述第二機臺組信息發(fā)送到所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊后，控制執(zhí)行所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊；計算工廠全部晶片組中，待處理工序處于所述第一機臺組加工工序與所述第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)，將所述晶片總數(shù)發(fā)送到所述偏離率計算排序模塊；根據(jù)所述偏離率計算排序模塊對偏離率的排序，控制所述第一機臺組優(yōu)先處理較小的偏離率對應(yīng)的晶片組；所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊，用于根據(jù)從所述實時派工系統(tǒng)控制模塊接收的第二機臺組信息，計算第二機臺組的目標(biāo)晶片總數(shù)，將所述目標(biāo)晶片總數(shù)發(fā)送到所述偏離率計算排序模塊；偏離率計算排序模塊用于將所述晶片總數(shù)除以所述目標(biāo)晶片總數(shù)，所得的商值作為偏離率發(fā)送到所述偏離率存儲模塊；將所述偏離率按大小排序；偏離率存儲模塊用于存儲從所述偏離率計算排序模塊發(fā)送的偏離率，建立并存儲偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系。一種平衡機臺產(chǎn)能的裝置，該裝置還包括顯示模塊，用于按照所述偏離率計算排序模塊對偏離率的排序，顯示偏離率和所述偏離率對應(yīng)的晶片組。所述目標(biāo)晶片總數(shù)是12小時到48小時內(nèi)的目標(biāo)晶片總數(shù)；所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊，該模塊包括標(biāo)準產(chǎn)能單元和產(chǎn)能合理利用率單元和可用機臺數(shù)量單元；所述標(biāo)準產(chǎn)能單元，用于設(shè)置所述第二機臺組中每個機臺的標(biāo)準產(chǎn)能；所述產(chǎn)能合理利用率單元，用于設(shè)置所述第二機臺組中每個機臺的產(chǎn)能合理利用率。所述可用機臺數(shù)量單元，用于從所述實時派工系統(tǒng)控制模塊得到所述第二機臺組中第二機臺的數(shù)量。
由上述的技術(shù)方案可見，本發(fā)明建立了平衡機臺產(chǎn)能的機制，通過建立執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組和執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷之間的聯(lián)系，控制第一機臺組優(yōu)先處理負荷不足的第二機臺所需的晶片組，有效避免了機臺產(chǎn)能不足，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明一種平衡機臺產(chǎn)能的方法的步驟流程圖；圖2為本發(fā)明一種平衡機臺產(chǎn)能的裝置圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點更加清楚明白，以下參照附圖并舉實施例， 對本發(fā)明進一步詳細說明。一種平衡機臺產(chǎn)能的方法，該方法的步驟如圖1所示。步驟101、具有不同工藝流程的多個晶片組，每個晶片組都會進入第一機臺組，對每個晶片組，根據(jù)工藝流程設(shè)置下一道工序?qū)?yīng)的第二機臺組；本步驟中，對一個晶片組來說，它的工藝流程和每道工序由哪些機臺來執(zhí)行是在 MES中設(shè)置好的。首先工程師可以按照不同工序的需要，將晶片制造的工藝流程中某些耗時較長的工序，如鍍膜工序或刻蝕工序等，設(shè)置為當(dāng)前工序。然后，根據(jù)每個晶片組的工藝流程，能夠處理當(dāng)前工序的機臺組成第一機臺組。在后續(xù)的工序中，由工程師根據(jù)平衡機臺產(chǎn)能的需要，將某個后續(xù)工序定義為下一道工序，則處理下一道工序的機臺組成第二機臺組。 第一機臺組和第二機臺組分別由一個或多個機臺組成。需要注意的是，這里的下一道工序并不是指當(dāng)前工序執(zhí)行完畢后，緊接著將要執(zhí)行的工序，而是指在下一道工序與當(dāng)前工序的執(zhí)行順序關(guān)系中，下一道工序?qū)⒃诋?dāng)前工序之后執(zhí)行，當(dāng)前工序和下一道工序之間可以存在其它工序。步驟102、設(shè)置第二機臺組中每個機臺在一天中處理下一道工序的目標(biāo)晶片數(shù)量；本步驟中，第二機臺組中每個機臺在一天中處理下一道工序的目標(biāo)晶片數(shù)量是指，對某一特定晶片組的工藝流程，在一天中，第二機臺組中的每個機臺能夠?qū)Χ嗌倬瑘?zhí)行下一道工序。具體地，在實際生產(chǎn)中，每個機臺的目標(biāo)晶片數(shù)量由機臺的標(biāo)準產(chǎn)能和機臺的合理利用率的乘積決定。一天中機臺的標(biāo)準產(chǎn)能可以由工程師根據(jù)機臺處理下一道工序的能力和晶片的實際生產(chǎn)需要設(shè)置，機臺的合理利用率是工程師根據(jù)機臺的使用情況得出的經(jīng)驗值。這里設(shè)置一天中機臺的標(biāo)準產(chǎn)能，是因為一般認為在相對穩(wěn)定的生產(chǎn)環(huán)境中，機臺的產(chǎn)量變化周期為M小時，也就是在一天時間里機臺的生產(chǎn)情況是穩(wěn)定不變的，當(dāng)然也可以根據(jù)實際生產(chǎn)應(yīng)用的需要，設(shè)置在其他時間段長度內(nèi)的標(biāo)準產(chǎn)能，時間段范圍是12小時到48小時，例如，12小時、24小時和48小時。例如，有晶片組1和晶片組2，兩個待處理晶片組；對晶片組1的工藝流程，將第59 道工序設(shè)置為當(dāng)前工序，將執(zhí)行第59道工序的1號機臺和2號機臺都設(shè)置為第一機臺共同組成第一機臺組，將第60道工序設(shè)置為下一道工序，將執(zhí)行第60道工序的3號機臺和4號機臺設(shè)置為第二機臺共同組成第二機臺組，設(shè)置一天中3號機臺對第60道工序的標(biāo)準產(chǎn)能是400個晶片，合理利用率是1. 2 ；設(shè)置一天中4號機臺對第60道工序的標(biāo)準產(chǎn)能是500個晶片，合理利用率是1. 1。對晶片組2的工藝流程；將第49道工序設(shè)置為當(dāng)前工序，將執(zhí)行第49道工序的1號機臺設(shè)置為第一機臺，將第52道工序設(shè)置為下一道工序，將執(zhí)行第52 道工序的5號機臺設(shè)置為第二機臺；設(shè)置一天中6號機臺對第52道工序的標(biāo)準產(chǎn)能是300 個晶片，合理利用率是1.1。步驟103、對每個晶片組，查詢將要處理該晶片組下一道工序的第二機臺組；本步驟中，對第一機臺組來說，待處理的晶片組可能有很多，根據(jù)步驟101的設(shè)置第二機臺組，可以查詢每個待處理晶片組的下一道工序?qū)?yīng)的第二機臺組。例如，對第一機臺的1號機臺，通過查詢MES中的信息得到晶片組1的第59道工序和晶片組2的第49道工序為可執(zhí)行的待處理當(dāng)前工序，則根據(jù)晶片組1的工藝流程和步驟101中的設(shè)置，得到3號機臺和4號機臺共同作為第二機臺組對晶片組1執(zhí)行下一道工序；根據(jù)晶片組2的工藝流程和步驟101中的設(shè)置，得到5號機臺作為第二機臺組對晶片組 2執(zhí)行下一道工序。步驟104、在工廠全部晶片組中，計算待處理工序在第一機臺組加工工序與第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)，統(tǒng)計所述第二機臺組加工的目標(biāo)晶片總數(shù)，將所述晶片總數(shù)除以所述目標(biāo)晶片總數(shù)，所得的商值作為該晶片組對應(yīng)的偏離率(Dev Ratio)，存儲每個晶片組的Dev Ratio以及每個晶片組與Dev Ratio的對應(yīng)關(guān)系；本步驟中，工廠生產(chǎn)的每個晶片組的每道工序的執(zhí)行情況，包括執(zhí)行結(jié)果和執(zhí)行工序的機臺都會記錄在MES中。在全廠晶片組中，根據(jù)MES中記錄的全部晶片組的工藝流程執(zhí)行情況，計算得到待處理工序在第一機臺組加工工序與第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)的具體步驟為現(xiàn)有技術(shù)，不再贅述。由步驟102設(shè)置的每個機臺的目標(biāo)晶片數(shù)量和步驟103得到的第二機臺組信息，將第二機臺組中每個機臺的目標(biāo)晶片數(shù)量相加，得出第二機臺組的目標(biāo)晶片數(shù)量的總和。例如，對晶片組1，已經(jīng)由1號機臺和2號機臺組成的第一機臺組執(zhí)行完畢第59 道工序，但還沒有由3號機臺和4號機臺組成的第二機臺組執(zhí)行第60道工序的WIP的晶片總數(shù)為900個晶片，則晶片組1的第一 Dev Ratio(小數(shù)點后保留兩位有效數(shù)字)是 900+ (400X1. 2+500X1. 1) = 0. 87 ；對晶片組2，已經(jīng)由1號機臺執(zhí)行完畢第49道工序但還沒有由5號機臺執(zhí)行第52 道工序的WIP的晶片總數(shù)為200個晶片，則晶片組2的第二 DevRatio是200+ (300X1. 1) =0. 61 ；步驟105 JfDev Ratio按大小進行排序后，根據(jù)Dev Ratio與晶片組的對應(yīng)關(guān)系， 控制所述第一機臺組優(yōu)先處理Dev Ratio最小值對應(yīng)的晶片組。本步驟中，對第一Dev Ratio和第二Dev Ratio進行排序，顯然第二DevRatioO. 61 小于第一 Dev RatioO. 87，工程師和線上操作人員，根據(jù)排序完成后的第一和第二 Dev Ratio，可知3號、4號和6號三個機臺中，6號機臺的晶片待處理晶片不足的情況較嚴重，因此，需要優(yōu)先為6號機臺提供待處理晶片，由工程師和線上操作人員執(zhí)行控制第一機臺組優(yōu)先處理第二 Dev Ratio對應(yīng)的晶片組2，也就是優(yōu)先處理晶片組2。至此，本發(fā)明提出的平衡機臺產(chǎn)能的步驟執(zhí)行完畢。本發(fā)明提供了一種平衡機臺產(chǎn)能的方法，該方法建立了平衡機臺產(chǎn)能的機制，通
7過建立執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組和執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷之間的聯(lián)系，計算出每個晶片組的Dev Ratio，根據(jù)Dev Ratio的大小排序的情況，工程師可以了解第二機臺組的負荷狀況，Dev Ratio越小，說明執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷越不足，需要優(yōu)先處理最小Dev Ratio對應(yīng)的晶片組，從而實現(xiàn)機臺產(chǎn)能的平衡，有效避免了機臺產(chǎn)能不足，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。一種平衡機臺產(chǎn)能的裝置，該裝置結(jié)構(gòu)圖如圖2所示，該裝置包括實時派工系統(tǒng) (RTD)控制模塊201、平衡機臺設(shè)置模塊202、工藝流程模塊203、目標(biāo)晶片數(shù)量模塊204、Dev Ratio計算排序模塊205、Dev Ratio存儲模塊206和顯示模塊207 ；其中，工藝流程模塊203 用于存儲都進入第一機臺組加工的不同晶片組的工藝流程， 建立每個所述晶片組與工藝流程的對應(yīng)關(guān)系；記錄每個晶片組的工藝流程執(zhí)行情況；平衡機臺設(shè)置模塊202，用于根據(jù)工藝流程模塊203中每個所述晶片組與工藝流程的對應(yīng)關(guān)系和存儲的所述工藝流程，對每個晶片組，設(shè)置該晶片組和將要加工該晶片組的第二機臺組的對應(yīng)關(guān)系；RTD控制模塊201 用于對每個晶片組，從平衡機臺設(shè)置模塊202中根據(jù)該晶片組和將要加工該晶片組的第二機臺組的對應(yīng)關(guān)系，查詢將要加工該晶片組的第二機臺組， 將查詢到的第二機臺組的信息發(fā)送到目標(biāo)晶片數(shù)量模塊204，控制執(zhí)行目標(biāo)晶片數(shù)量模塊 204 ；根據(jù)工藝流程模塊203中該晶片組的工藝流程執(zhí)行情況，計算全廠晶片組中，待處理工序在第一機臺組加工工序與第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)，將晶片總數(shù)發(fā)送到 Dev Ratio計算排序模塊205 ；RTD控制模塊201控制執(zhí)行Dev Ratio計算排序模塊205 ；RTD 控制模塊201控制執(zhí)行Dev Ratio存儲模塊206 ；RTD控制模塊201控制執(zhí)行顯示模塊207 ； 根據(jù)Dev Ratio計算排序模塊205對偏離率的排序，找出較小的偏離率后，根據(jù)Dev Ratio 存儲模塊206中建立的偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系，控制第一機臺組優(yōu)先處理偏離率較小的晶片組；目標(biāo)晶片數(shù)量模塊204，用于根據(jù)從RTD模塊201接收的第二機臺組信息，計算第二機臺組的目標(biāo)晶片總數(shù)，將目標(biāo)晶片總數(shù)發(fā)送到Dev Ratio計算排序模塊205 ；本實施例中，選取的時間段是當(dāng)天的M小時，以下時間段都以當(dāng)天的M小時計算；Dev Ratio計算排序模塊205 用于接收目標(biāo)晶片數(shù)量模塊204發(fā)送的第二機臺組的目標(biāo)晶片數(shù)量總數(shù)，接收RTD控制模塊201發(fā)送的全廠晶片組中，待處理工序在第一機臺組加工工序與第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)，將晶片總數(shù)除以目標(biāo)晶片總數(shù)，將所得的商值作為偏離率發(fā)送到Dev Ratio存儲模塊206 ；將偏離率按大小排序；其中，Dev Ratio可以按從大到小排序也可以按從小到大排序；偏離率存儲模塊206 用于存儲從Dev Ratio計算排序模塊205發(fā)送的偏離率，建立偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系；顯示模塊207 用于按照Dev Ratio計算排序模塊205對偏離率的排序，從Dev Ratio存儲模塊206中依次讀取偏離率，以及根據(jù)所述偏離率和所述晶片組的對應(yīng)關(guān)系，按照偏離率的排序顯示偏離率和偏離率對應(yīng)的晶片組。目標(biāo)晶片數(shù)量模塊，包括標(biāo)準產(chǎn)能(Mandard Capacity)單元2041和產(chǎn)能合理利用率(WIP Level Ratio)單元；其中，標(biāo)準產(chǎn)能單元2041，用于設(shè)置第二機臺的標(biāo)準產(chǎn)能；
產(chǎn)能合理利用率單元2042，用于設(shè)置第二機臺的產(chǎn)能合理利用率；其中，標(biāo)準產(chǎn)能和產(chǎn)能利用率的計時時間段是一天( 小時)；認為在相對穩(wěn)定的生產(chǎn)環(huán)境中，機臺的產(chǎn)量變化周期為M小時，也就是在一天時間里機臺的生產(chǎn)情況是穩(wěn)定不變的，當(dāng)然也可以根據(jù)實際生產(chǎn)應(yīng)用的需要，設(shè)置在其他時間段長度內(nèi)的標(biāo)準產(chǎn)能，時間段范圍是12小時到48 小時，例如，12小時、24小時和48小時。標(biāo)準產(chǎn)能和產(chǎn)能合理利用率的乘積為一天中第二機臺處理下一道工序的目標(biāo)晶片數(shù)量。特別地，在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，第二機臺組中每臺第二機臺設(shè)置的MandardCapacity 值和WIP Level Ratio值分別相同，則在目標(biāo)晶片數(shù)量模塊204中，還包括有可用機臺數(shù)量 (Avail chamber number)單元2043，用于從RTD控制模塊201得到的第二機臺組中第二機臺的數(shù)量(反應(yīng)室數(shù)量)；因此，在一天中，第二機臺組處理下一道工序的目標(biāo)晶片數(shù)量的總禾口就是 StandardCapacity、WIP Level Ratio 禾口 Avail chamber number 三者的乘禾只。本發(fā)明提供了一種平衡機臺產(chǎn)能的裝置，該裝置通過建立執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組和執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷之間的聯(lián)系，計算出每個晶片組對應(yīng)的Dev Ratio，將所得Dev Ratio按大小排序和顯示后，工程師可以根據(jù)Dev Ratio的排序判斷第二機臺的負荷狀況，Dev Ratio越小，說明執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷越不足，需要控制第一機臺組優(yōu)先處理最小Dev Ratio對應(yīng)的晶片組，從而實現(xiàn)機臺產(chǎn)能的平衡，有效避免了機臺產(chǎn)能不足，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種平衡機臺產(chǎn)能的方法，設(shè)置具有不同工藝流程的多個晶片組，每個晶片組都進入第一機臺組加工，所述工藝流程存儲在工藝流程模塊中，由平衡機臺設(shè)置模塊根據(jù)所述工藝流程，設(shè)置每個晶片組與將要加工該晶片組的第二機臺組的對應(yīng)關(guān)系，該方法還包括對每個晶片組，實時派工系統(tǒng)控制模塊從所述平衡機臺設(shè)置模塊中查詢將要加工該晶片組的第二機臺組，并計算工廠全部晶片組中，待處理工序處于所述第一機臺組加工工序與所述第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)；目標(biāo)晶片數(shù)量模塊統(tǒng)計該晶片組需要進入所述第二機臺組加工的目標(biāo)晶片總數(shù)，偏離率計算排序模塊將所述晶片總數(shù)除以所述目標(biāo)晶片總數(shù)，所得的商值作為該晶片組的偏離率，由偏離率存儲模塊建立并存儲偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系；偏離率計算排序模塊將每個晶片組的偏離率按大小排序得到較小的偏離率，根據(jù)所述偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系，由所述實時派工系統(tǒng)控制模塊控制所述第一機臺組優(yōu)先處理所述較小的偏離率對應(yīng)的晶片組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一機臺組包含一個或多個機臺；所述第二機臺組包含一個或多個機臺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)晶片總數(shù)是12小時到48小時內(nèi)的目標(biāo)晶片總數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)晶片總數(shù)是第二機臺組中每個機臺加工該晶片組的目標(biāo)晶片數(shù)量的總和，所述每個機臺加工該晶片組的目標(biāo)晶片數(shù)量由每個機臺加工該晶片組的標(biāo)準晶片數(shù)量乘以產(chǎn)能合理利用率得到。
5.一種平衡機臺產(chǎn)能的裝置，該裝置包括實時派工系統(tǒng)控制模塊、工藝流程模塊、平衡機臺設(shè)置模塊、目標(biāo)晶片數(shù)量模塊、偏離率計算排序模塊、偏離率存儲模塊；所述工藝流程模塊用于存儲多個晶片組的工藝流程；所述平衡機臺設(shè)置模塊，用于根據(jù)所述工藝流程模塊中每個所述晶片組的工藝流程， 設(shè)置每個晶片組與將要加工該晶片組的第二機臺組的對應(yīng)關(guān)系；所述實時派工系統(tǒng)控制模塊用于對每個晶片組，從所述平衡機臺設(shè)置模塊中查詢將要加工該晶片組的第二機臺組，將所述第二機臺組信息發(fā)送到所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊后， 控制執(zhí)行所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊；計算工廠全部晶片組中，待處理工序處于所述第一機臺組加工工序與所述第二機臺組加工工序之間的晶片總數(shù)，將所述晶片總數(shù)發(fā)送到所述偏離率計算排序模塊；根據(jù)所述偏離率計算排序模塊對偏離率的排序，控制所述第一機臺組優(yōu)先處理較小的偏離率對應(yīng)的晶片組；所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊，用于根據(jù)從所述實時派工系統(tǒng)控制模塊接收的第二機臺組信息，計算第二機臺組的目標(biāo)晶片總數(shù)，將所述目標(biāo)晶片總數(shù)發(fā)送到所述偏離率計算排序模塊；所述偏離率計算排序模塊用于將所述晶片總數(shù)除以所述目標(biāo)晶片總數(shù)，所得的商值作為偏離率發(fā)送到所述偏離率存儲模塊；將所述偏離率按大小排序；所述偏離率存儲模塊用于存儲從所述偏離率計算排序模塊發(fā)送的偏離率，建立并存儲偏離率與晶片組的對應(yīng)關(guān)系。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括顯示模塊，用于按照所述偏離率計算排序模塊對偏離率的排序，顯示偏離率和所述偏離率對應(yīng)的晶片組。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述目標(biāo)晶片總數(shù)是12小時到48小時內(nèi)的目標(biāo)晶片總數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述目標(biāo)晶片數(shù)量模塊，該模塊包括標(biāo)準產(chǎn)能單元和產(chǎn)能合理利用率單元和可用機臺數(shù)量單元；所述標(biāo)準產(chǎn)能單元，用于設(shè)置所述第二機臺組中每個機臺的標(biāo)準產(chǎn)能； 所述產(chǎn)能合理利用率單元，用于設(shè)置所述第二機臺組中每個機臺的產(chǎn)能合理利用率。 所述可用機臺數(shù)量單元，用于從所述實時派工系統(tǒng)控制模塊得到所述第二機臺組中第二機臺的數(shù)量。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種平衡機臺產(chǎn)能的方法，該方法建立了平衡機臺產(chǎn)能的機制，通過建立執(zhí)行當(dāng)前工序的第一機臺組和執(zhí)行下一道工序的第二機臺組的負荷之間的聯(lián)系，控制第一機臺組優(yōu)先處理負荷不足的第二機臺所需的晶片組，有效避免了機臺產(chǎn)能不足，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號G05B19/418GK102478841SQ20101055559
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月22日
發(fā)明者王軍, 范安濤, 趙晨, 錢紅兵, 陳波 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司