本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)，更具體地涉及一種供電電路。

背景技術(shù)：

幾乎所有的電子電路都需要一個(gè)穩(wěn)定的電源，它維持在特定容差范圍內(nèi)，以確保正確運(yùn)行負(fù)載瞬態(tài)變化時(shí)電路能夠迅速響應(yīng)，為芯片提供穩(wěn)定的電壓。現(xiàn)有的供電電路通過(guò)電阻分壓器自動(dòng)檢測(cè)輸出電壓，誤差放大器不斷調(diào)整電流源從而維持輸出電壓穩(wěn)定在額定電壓上。

但是在現(xiàn)有的供電電路中，由于MOS管的柵源、柵漏和漏源之間存有寄生電容效應(yīng)，其充放電的時(shí)間延遲了M0S管的開(kāi)通和截止時(shí)間，從而影響了供電電路在負(fù)載由清載向重載變化時(shí)系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種提高系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度的供電電路，采用瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊，提高供電電路在負(fù)載在變化時(shí)系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度。

根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，提供一種供電電路，包括：主電路模塊，用于產(chǎn)生輸出電壓，并根據(jù)采樣信號(hào)和第一參考電壓調(diào)節(jié)所述輸出電壓，所述采樣信號(hào)用于表征所述輸出電壓；瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊，和所述主電路模塊連接，用于根據(jù)所述采樣信號(hào)和第二參考電壓調(diào)節(jié)所述主電路模塊的輸出阻抗。

優(yōu)選地，所述主電路模塊包括第一MOS管、至少兩個(gè)采樣電阻和一個(gè)誤差放大器，所述第一MOS管和所述采樣電路串聯(lián)連接在所述主電路模塊的輸入端和接地端之間，所述第一MOS管的柵極和誤差放大器的輸出端連接，所述誤差放大器的輸入端分別接收所述采樣信號(hào)和所述第一參考電壓，所述誤差放大器的輸出端輸出用于控制所述第一MOS管開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊包括一個(gè)比較器和第二MOS管，所述第二MOS管連接在所述第一MOS管的柵極和接地端，所述比較器的輸出端和所述第二MOS管的柵極連接，所述比較器的兩個(gè)輸入端分別接收所述采樣信號(hào)和第二參考電壓，所述比較器的輸出端輸出用于控制所述第二MOS管開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊還包括第一晶體管，所述第一晶體管和所述MOS管構(gòu)成并聯(lián)電路，連接在所述第一MOS管的柵極和所述接地端。

優(yōu)選地，所述瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊還包括恒流源，所述恒流源和所述第一晶體管構(gòu)成串聯(lián)電路，和所述MOS管構(gòu)成并聯(lián)連接在所述第一MOS管的柵極和所述接地端。

優(yōu)選地，所述第一MOS管和所述第二MOS管是NMOS管，所述第一晶體管為NPN管。

該供電電路增加了由比較器、MOS管、晶體管組成的瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊，降低了主電路模塊的負(fù)載阻抗，從而加速負(fù)載由輕載到重載變化時(shí)系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度。利用負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)響應(yīng)環(huán)路，提高了供電電路的瞬態(tài)響應(yīng)速度。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的供電電路的示意性電路圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的各種實(shí)施例。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用相同或類似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。為了清楚起見(jiàn)，附圖中的各個(gè)部分沒(méi)有按比例繪制。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的供電電路的示意性電路圖。該供電電路包括主電路模塊101和瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊102。

主電路模塊101向負(fù)載提供輸出電壓Vout，在提供輸出電壓的過(guò)程中，獲取輸出電壓的采樣信號(hào)，根據(jù)采樣信號(hào)V_FB和參考電壓Vref_0調(diào)節(jié)輸出電壓Vout，使輸出電壓Vout向負(fù)載提供穩(wěn)定的供電電源。

瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊102和主電路模塊101連接，根據(jù)采樣信號(hào)VFB和參考電壓Vref_1調(diào)節(jié)主電路模塊101的輸出阻抗。

參考圖1，主電路模塊101包括MOS管MP、采樣電阻R_F1、R_F2和誤差放大器ErrorAmp。MOS管MP例如是NMOS管。MOS管MP和采樣電阻R_F1、R_F2串聯(lián)連接在主電路模塊101的電源輸入端VIN和接地端GND，MOS管MP的柵極和誤差放大器ErrorAmp的輸出端連接，誤差放大器ErrorAmp的反相輸入端Vref_0為帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出電壓，同相輸入端V_FB為利用電阻串R_F1、R_F2對(duì)輸出電壓Vout進(jìn)行的采樣信號(hào)。ErrorAmp將采樣信號(hào)V_FB和參考電壓Vref_0比較放大后，輸出用于控制MOS管MP的控制信號(hào)。參考電壓Vref_0例如設(shè)定為負(fù)載的額定電壓。因此，在工作時(shí)，如果主電路模塊101連接的負(fù)載所需的電流發(fā)生變化，則輸出電壓的采樣信號(hào)V_FB也會(huì)發(fā)生變化，從而影響誤差放大器ErrorAmp輸出的控制信號(hào)(圖未輸出)，該控制信號(hào)用于控制MOS管MP的導(dǎo)通，從而產(chǎn)生滿足負(fù)載要求的電流。

瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊102包括比較器COM和MOS管MP1。MOS管MP例如是PMOS管。MOS管MP連接在MOS管MP的柵極和接地端GND，比較器COM的輸出端和MOS管MP的柵極連接，比較器COM的反相端Vref_1為帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出電壓(Vref_1與Vref_0不同)，其同相端接V_FB。只要V_FB電壓低于Vref_1電壓，比較器COM即輸出高電平。該電壓使MP1導(dǎo)通并產(chǎn)生電流，使MOS管MP的柵極寄生電容的電荷迅速泄放，從而加速降低MOS管MP的柵極電壓。

進(jìn)一步地，如圖1所示，瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊102增加晶體管Q1，將MOS管MP1和晶體管Q1構(gòu)成的并聯(lián)電路連接在比較器COM和MOS管MP之間，利用MP1、Q1構(gòu)成的并聯(lián)反饋實(shí)現(xiàn)阻抗衰減，降低了輸出電阻，使MOS管MP1的柵極極點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了電路的單位增益頻率，改善了電路的穩(wěn)定性。

進(jìn)一步地，如圖1所示，瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊還包括恒流源Is，恒流源Is和晶體管Q1構(gòu)成串聯(lián)電路，和MOS管MP1并聯(lián)連接在MOS管MP的柵極和接地端GND。

本實(shí)用新型提供的供電電路增加了由比較器、MOS管、晶體管組成的瞬態(tài)增強(qiáng)電路模塊，降低了主電路模塊的負(fù)載阻抗，從而加速負(fù)載由輕載到重載變化時(shí)系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度。利用負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)響應(yīng)環(huán)路，提高了供電電路的瞬態(tài)響應(yīng)速度。

依照本實(shí)用新型的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)施例并沒(méi)有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該實(shí)用新型僅為所述的具體實(shí)施例。顯然，根據(jù)以上描述，可作很多的修改和變化。本說(shuō)明書(shū)選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本實(shí)用新型的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本實(shí)用新型以及在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上的修改使用。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。