深硅刻蝕工藝控制的方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及MEMS加工領(lǐng)域，尤其涉及一種深硅刻蝕工藝控制的方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著微機電系統(tǒng)（MEMS,Micro-Electro-MechanicSystem)和MEMS器件被越來越 廣泛的應(yīng)用于汽車和消費電子領(lǐng)域，以及通孔刻蝕（TSV,ThroughSiliconEtch)技術(shù)在未 來封裝領(lǐng)域的廣闊前景，干法等離子體深硅刻蝕工藝逐漸成為MEMS加工領(lǐng)域及TSV技術(shù)中 最炎手可熱工藝之一。
[0003]目前主流的深硅刻蝕工藝整個刻蝕過程為一個循環(huán)單元的多次重復(fù)，該循環(huán)單元 包括刻蝕步驟和沉積步驟，即整個刻蝕過程是刻蝕步驟與沉積步驟的交替循環(huán)。每個步驟 的持續(xù)時間一般在Is到4s。以刻蝕步驟為例，單個工藝步驟的時間由兩部分組成：1.工藝 各參數(shù)設(shè)置時間，2.刻蝕時間。一般工藝控制中工藝各參數(shù)的設(shè)置用時長，影響工藝生產(chǎn)的 產(chǎn)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種能夠有效縮短工藝中工藝各參數(shù)設(shè)置時間的深硅刻蝕工 藝控制的方法及系統(tǒng)。
[0005] 為實現(xiàn)本發(fā)明目的提供的一種深硅刻蝕工藝控制的方法，包括設(shè)置氣體流量的步 驟，設(shè)置擺閥壓力或者擺閥位置的步驟，設(shè)置上匹配器位置的步驟，設(shè)置下匹配器位置的步 驟，設(shè)置上射頻功率的步驟，以及設(shè)置下射頻功率的步驟，還包括以下步驟：
[0006] 判斷所述深硅刻蝕工藝的當前工藝步驟中的調(diào)整參數(shù)與所述當前工藝步驟的前 一工藝步驟中相應(yīng)值是否相同；
[0007] 對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應(yīng)值不同的調(diào) 整參數(shù)，根據(jù)工藝表單中所述當前工藝步驟的相應(yīng)值進行設(shè)置；
[0008] 對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應(yīng)值相同的調(diào) 整參數(shù)，不進行調(diào)整參數(shù)設(shè)置；
[0009] 所述調(diào)整參數(shù)為氣體流量，擺閥壓力或者擺閥位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射頻功率，以及下射頻功率。
[0010] 其中，還包括以下步驟：
[0011] 創(chuàng)建包含所述調(diào)整參數(shù)名稱及前一工藝步驟參數(shù)值的Map虛擬表格；
[0012] 當完成當前步驟的所述調(diào)整參數(shù)設(shè)置之后，將所設(shè)置的當前工藝步驟的調(diào)整參數(shù) 的參數(shù)值寫入到所述Map虛擬表格中，得到新的前一工藝步驟參數(shù)值。
[0013] 作為一種可實施方式，還包括以下步驟：
[0014] 初始化所述Map虛擬表格，將所述前一工藝步驟參數(shù)值設(shè)定在工藝參數(shù)值域之 外。
[0015] 作為一種可實施方式，將所述前一工藝步驟參數(shù)值設(shè)定為負值。
[0016] 作為一種可實施方式，還包括以下步驟：
[0017] 判斷當前的循環(huán)次數(shù)是否小于等于預(yù)設(shè)的循環(huán)次數(shù)，若是則進行進一步的判斷， 否則結(jié)束所述深硅刻蝕工藝；
[0018] 判斷當前執(zhí)行的工藝步驟的數(shù)目是否小于等于預(yù)設(shè)工藝步驟數(shù)目，若是則對所述 調(diào)整參數(shù)進行設(shè)置，否則進入下一工藝步驟循環(huán)。
[0019] 基于同一發(fā)明構(gòu)思的一種深硅刻蝕工藝控制的系統(tǒng)，包括設(shè)置模塊，用于設(shè)置氣 體流量、設(shè)置擺閥壓力或者擺閥位置、設(shè)置上匹配器位置、設(shè)置下匹配器位置、設(shè)置上射頻 功率、以及設(shè)置下射頻功率，還包括第一判斷模塊，第一調(diào)整模塊，以及第二調(diào)整模塊，其 中：
[0020] 所述第一判斷模塊，用于判斷所述深硅刻蝕工藝的當前工藝步驟中的調(diào)整參數(shù)與 所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應(yīng)值是否相同；
[0021] 所述第一調(diào)整模塊，用于對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝 步驟中相應(yīng)值不同的調(diào)整參數(shù)，根據(jù)工藝表單中所述當前工藝步驟的相應(yīng)值進行設(shè)置；
[0022] 所述第二調(diào)整模塊，用于對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝 步驟中相應(yīng)值相同的調(diào)整參數(shù)，不進行調(diào)整參數(shù)設(shè)置；
[0023] 所述調(diào)整參數(shù)為氣體流量，擺閥壓力或者擺閥位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射頻功率，以及下射頻功率。
[0024] 作為一種可實施方式，還包括表格創(chuàng)建模塊及參數(shù)值寫入模塊，其中：
[0025] 所述表格創(chuàng)建模塊，用于創(chuàng)建包含所述調(diào)整參數(shù)名稱及前一工藝步驟參數(shù)值的 Map虛擬表格；
[0026] 所述參數(shù)值寫入模塊，用于當完成當前步驟的所述調(diào)整參數(shù)設(shè)置之后，將所設(shè)置 的當前工藝步驟的調(diào)整參數(shù)的參數(shù)值寫入到所述Map虛擬表格中，得到新的前一工藝步驟 參數(shù)值。
[0027] 作為一種可實施方式，還包括初始化模塊，用于初始化所述Map虛擬表格，將所述 前一工藝步驟參數(shù)值設(shè)定在工藝參數(shù)值域之外。
[0028] 作為一種可實施方式，所述初始化模塊將所述前一工藝步驟參數(shù)值設(shè)定為負值。
[0029] 作為一種可實施方式，還包括第二判斷模塊及第三判斷模塊，其中：
[0030] 所述第二判斷模塊，用于判斷當前的循環(huán)次數(shù)是否小于等于預(yù)設(shè)的循環(huán)次數(shù)，若 是則進一步對工藝步驟進行判斷，否則結(jié)束所述深硅刻蝕工藝；
[0031] 所述第三判斷模塊，用于判斷當前執(zhí)行的工藝步驟的數(shù)目是否小于等于預(yù)設(shè)工藝 步驟數(shù)目，若是則對所述調(diào)整參數(shù)進行設(shè)置，否則進入下一工藝步驟循環(huán)。
[0032] 本發(fā)明的有益效果包括：
[0033] 本發(fā)明提供的一種深硅刻蝕工藝控制的方法及系統(tǒng)，通過增加判斷的步驟，在當 前工藝步驟中的參數(shù)值與前一工藝步驟參數(shù)相同時，不再對相應(yīng)參數(shù)進行設(shè)置，節(jié)省了設(shè) 置時間，從整體上縮短工藝步驟中參數(shù)設(shè)置的時間，提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0034]圖1為本發(fā)明一種深硅刻蝕工藝控制的方法的一具體實施例的流程圖；
[0035] 圖2為本發(fā)明一種深硅刻蝕工藝控制的方法的另一具體實施例的流程圖；
[0036]圖3為本發(fā)明一種深硅刻蝕工藝控制的系統(tǒng)的一具體實施例的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0037] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明實 施例的深硅刻蝕工藝控制的方法及系統(tǒng)的【具體實施方式】進行說明。應(yīng)當理解，此處所描述 的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0038]本發(fā)明實施例的一種深硅刻蝕工藝控制的方法，如圖1所示，包括：
[0039] S100,設(shè)置氣體流量的步驟；
[0040] S200,設(shè)置擺閥壓力或者擺閥位置的步驟；
[0041] S300,設(shè)置上匹配器位置的步驟；
[0042] S400,設(shè)置下匹配器位置的步驟；
[0043] S500,設(shè)置上射頻功率的步驟；以及
[0044] S600,設(shè)置下射頻功率的步驟；還包括以下步驟：
[0045] A100,判斷所述深硅刻蝕工藝的當前工藝步驟中的調(diào)整參數(shù)與所述當前工藝步驟 的前一工藝步驟中相應(yīng)值是否相同；
[0046] A200,對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應(yīng)值不同 的調(diào)整參數(shù)，根據(jù)工藝表單中所述當前