一種梁式引線電容的加工方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種梁式引線電容的加工方法，包括以下步驟：步驟一：提供一鎳板，采用濺射鍍膜方法在所述鎳板上形成一層TiW金屬膜；步驟二：采用光刻的方法在所述鎳板上形成一層聚酰亞胺介質(zhì)膜；步驟三：采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構，覆蓋所述聚酰亞胺介質(zhì)膜；步驟四：采用光刻電鍍方法形成所述梁式引線電容的上、下電極；步驟五：采用光刻的方法選擇性刻蝕所述鎳板，保留所述鎳板的機械支撐作用，并使所述上、下電極形成斷路。本發(fā)明的目的是提供了一種加工更加簡單的梁式引線電容的加工方法，與國外廠商相比，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本，值得在生產(chǎn)中推廣。
【專利說明】
一種梁式引線電容的加工方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種梁式引線電容的加工方法。
【背景技術】
[0002]微波模塊裝配中使用的梁式引線電容主要結構形式為:在一提供機械支撐的基材上，分別生成下電極、介質(zhì)和上電極，通常情況下，上、下電極都采用貴金屬材料金，介質(zhì)材料根據(jù)不同的需要進行選擇。同時為了便于裝配，上、下電極向左右兩側引出，便于鍵合、互連等后續(xù)操作。
[0003 ]美國的AER0FLEX公司已大量生產(chǎn)梁式引線電容產(chǎn)品并占領了全球大部分市場。美國的AER0FLEX公司生產(chǎn)的梁式引線電容，采用硅基半導體工藝進行制作，由于硅刻蝕非常困難，需要對半導體工藝設備進行大的投資，其加工過程復雜，導致生產(chǎn)成本高。因為國內(nèi)企業(yè)不具有批量生產(chǎn)梁式引線電容產(chǎn)品的加工能力，所以目前在微波有源部件裝配過程中大量使用的梁式引線電容全部國外進口方式獲得。因此，發(fā)明更加簡單，實現(xiàn)性更高，成本更低的梁式引線電容加工方法尤為重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術中存在的上述不足之處，提供了一種梁式引線電容的加工方法。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提出的一種梁式引線電容的加工方法，包括以下步驟:
[0006]步驟一:設置一鎳板，采用濺射鍍膜方法在所述鎳板上形成一層TiW金屬膜；
[0007]步驟二:采用光刻的方法在所述鎳板上形成一層聚酰亞胺介質(zhì)膜；
[0008]步驟三:采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構，覆蓋所述聚酰亞胺介質(zhì)膜；
[0009]步驟四:采用光刻電鍍方法形成所述梁式引線電容的上、下電極；
[0010]步驟五:采用光刻的方法選擇性刻蝕所述鎳板，保留所述鎳板的機械支撐作用，并使所述上、下電極形成斷路。
[0011]2、在上述技術方案中，所述步驟一中，梁式引線電容整體采用光刻工藝制作而成。
[0012]3、在上述技術方案中，所述步驟一中，鎳板厚度范圍為:0.1mm?1mm。
[0013]4、在上述技術方案中，所述步驟二中，鎳板上形成的聚酰亞胺介質(zhì)膜是通過旋轉涂覆的形式覆蓋整個鎳板，再通過光刻操作保留所需的圖形。
[0014]5、在上述技術方案中，所述步驟三中，鎳板上形成的金屬層結構為TiW-Au，其中鈦:鎢質(zhì)量比為1:9。
[0015]6、在上述技術方案中，所述步驟二，三，四中，光刻的具體步驟包括:在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠。
[0016]7、在上述技術方案中，所述步驟二，三，四中，涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是質(zhì)量分數(shù)為12?25%酚醛樹脂，溶劑成分是質(zhì)量分數(shù)大于或等于75 %的丙二醇單甲醚醋酸酯。
[0017]8、在上述技術方案中，所述步驟四中，電鍍加厚金屬為金，金導體層厚度為I?10μmD
[0018]9、在上述技術方案中，所述步驟四中，電鍍采用的是直流電鍍，電流密度為I?10mA/cm2，電鍍?nèi)芤旱闹饕煞质乔杌瘉喗疴洝?br>[0019]本發(fā)明與現(xiàn)有技術方案相比具有以下有益效果和優(yōu)點:
[0020]1、本發(fā)明以金屬基底支撐替代了硅基支撐，使得基底刻蝕難度大大降低；同時，改變了硅電路中的多次沉積、多層刻蝕工藝，采用二次刻蝕即可完成，大大縮減了工藝流程，提高了加工效率。
[0021]2、本發(fā)明的目的是提供一種梁式引線電容的加工方法，針對目前在微波有源部件裝配過程中大量使用的梁式引線電容普遍采用國外進口方式獲得的現(xiàn)狀，實現(xiàn)了這種關鍵元件的國產(chǎn)化;且與國外廠商相比，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本，值得在生產(chǎn)中推廣。
【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明采用濺射鍍膜方法在所述鎳板上形成一層TiW金屬膜的整體結構示意圖；
[0023]圖2是本發(fā)明采用光刻的方法在鍍有TiW層的鎳板上形成一層聚酰亞胺介質(zhì)膜后的整體結構示意圖；
[0024]圖3是本發(fā)明采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構后的整體結構示意圖；
[0025]圖4是本發(fā)明采用光刻電鍍方法形成梁式引線電容的上、下電極后的整體結構示意圖；
[0026]圖5為本發(fā)明采用光刻的方法選擇性刻蝕鎳板，保留鎳板的機械支撐作用，并使上、下電極形成斷路后最終電容整體結構示意圖。
[0027]下圖中:1-鎳板;2-TiW金屬膜;3-聚酰亞胺膜層;4-金導體層。
【具體實施方式】
[0028]以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步的詳細描述:
[0029]實施例一
[0030]本發(fā)明提供的一種梁式引線電容的加工方法，主要包括:第一步，選取0.1mm厚的鎳板I作為機械支撐，并采用濺射鍍膜方法在鎳板上形成一層TiW金屬膜2，結構示意圖如圖1所示;第二步，通過旋轉涂覆的形式將聚酰亞胺介質(zhì)膜覆3蓋整個鎳板I，再通過光刻操作保留所需的圖形，結構示意圖如圖2所示;第三步，采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構，覆蓋已有的聚酰亞胺介質(zhì)膜3，鎳板上形成的金屬層結構為TiW-Au，結構示意圖如圖3所示，其中鈦:鎢質(zhì)量比為1:9;第四步，采用在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠，然后采用電流密度為ImA/cm2的直流電流，以氰化亞金鉀為電鍍?nèi)芤弘婂僆ym厚的金層作為金導體層4的方法，形成梁式引線電容的上、下電極，結構示意圖如圖4所示，其中涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是質(zhì)量分數(shù)為12%的酚醛樹月旨，溶劑成分是質(zhì)量分數(shù)為88%的丙二醇單甲醚醋酸酯。最后采用在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠的步驟在保留鎳板的機械支撐作用，并使上、下電極形成斷路的前提下選擇性刻蝕鎳板，結構示意圖如圖5所示。
[0031]實施例二
[0032]本發(fā)明提供的一種梁式引線電容的加工方法，主要包括:第一步，選取0.5mm厚的鎳板I作為機械支撐，并采用濺射鍍膜方法在鎳板上形成一層TiW金屬膜2，結構示意圖如圖1所示;第二步，通過旋轉涂覆的形式將聚酰亞胺介質(zhì)膜覆3蓋整個鎳板I，再通過光刻操作保留所需的圖形，結構示意圖如圖2所示;第三步，采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構，覆蓋已有的聚酰亞胺介質(zhì)膜3，鎳板上形成的金屬層結構為TiW-Au，結構示意圖如圖3所示，其中鈦:鎢質(zhì)量比為1:9;第四步，采用在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠，然后采用電流密度為5mA/cm2的直流電流，以氰化亞金鉀為電鍍?nèi)芤弘婂?μπι厚的金層作為導體層4的方法，形成梁式引線電容的上、下電極，結構示意圖如圖4所示，其中涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是質(zhì)量分數(shù)為18%的酚醛樹脂，溶劑成分是質(zhì)量分數(shù)為82%的丙二醇單甲醚醋酸酯。最后采用在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠的步驟在保留鎳板的機械支撐作用，并使上、下電極形成斷路的前提下選擇性刻蝕鎳板，結構示意圖如圖5所示。
[0033]實施例三
[0034]本發(fā)明提供的一種梁式引線電容的加工方法，主要包括:第一步，選取Imm厚的鎳板I作為機械支撐，并采用濺射鍍膜方法在鎳板上形成一層TiW金屬膜2，結構示意圖如圖1所示;第二步，通過旋轉涂覆的形式將聚酰亞胺介質(zhì)膜覆3蓋整個鎳板1，再通過光刻操作保留所需的圖形，結構示意圖如圖2所示;第三步，采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構，覆蓋已有的聚酰亞胺介質(zhì)膜3，鎳板上形成的金屬層結構為TiW-Au，結構示意圖如圖3所示，其中鈦:鎢質(zhì)量比為1:9;第四步，采用在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠，然后采用電流密度為I OmA/cm2的直流電流，以氰化亞金鉀為電鍍?nèi)芤弘婂僆 Oym厚的金層作為導體層4的方法，形成梁式引線電容的上、下電極，結構示意圖如圖4所示，其中涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是質(zhì)量分數(shù)為25 %的酚醛樹脂，溶劑成分是質(zhì)量分數(shù)為75%的丙二醇單甲醚醋酸酯。最后采用在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠的步驟在保留鎳板的機械支撐作用，并使上、下電極形成斷路的前提下選擇性刻蝕鎳板，結構示意圖如圖5所示。
【主權項】
1.一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一:設置一鎳板，采用濺射鍍膜方法在所述鎳板上形成一層TiW金屬膜； 步驟二:采用光刻的方法在所述鎳板上形成一層聚酰亞胺介質(zhì)膜； 步驟三:采用濺射鍍膜方法形成一層TiW/Au金屬層結構，覆蓋所述聚酰亞胺介質(zhì)膜； 步驟四:采用光刻電鍍方法形成所述梁式引線電容的上、下電極； 步驟五:采用光刻的方法選擇性刻蝕所述鎳板，保留所述鎳板的機械支撐作用，并使所述上、下電極形成斷路。2.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述梁式引線電容整體采用光刻工藝制作而成。3.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟一中，所述鎳板厚度范圍為:0.1mm?1mm。4.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟二中，所述鎳板上形成的聚酰亞胺介質(zhì)膜是通過旋轉涂覆的形式覆蓋整個鎳板，再通過光刻操作保留所需的圖形。5.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟三中，所述鎳板上形成的金屬膜層結構為TiW-Au，其中鈦:鎢質(zhì)量比為1:9。6.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟二，三，四中，所述光刻的具體步驟包括:在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠。7.根據(jù)權利要求6所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟二，三，四中，所述涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是質(zhì)量分數(shù)為12?25%酚醛樹脂，溶劑成分是質(zhì)量分數(shù)大于或等于75%的丙二醇單甲醚醋酸酯。8.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟四中，所述電鍍加厚金屬為金，金的厚度為I?ΙΟμπι。9.根據(jù)權利要求1所述一種梁式引線電容的加工方法，其特征在于，所述步驟四中，所述電鍍采用的是直流電鍍，電流密度為I?lOmA/cm2，電鍍?nèi)芤旱闹饕煞质乔杌瘉喗疴洝?br>【文檔編號】H01G4/14GK106024379SQ201610330701
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月12日
【發(fā)明人】馬子騰, 許延峰, 王進
【申請人】中國電子科技集團公司第四十研究所, 中國電子科技集團公司第四十一研究所