自動感知導(dǎo)彈運(yùn)行狀態(tài)的低功耗履歷電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種履歷電路，特別是一種采用低功耗能夠?qū)崟r(shí)管理信息的低功耗導(dǎo)彈履歷電路。
【背景技術(shù)】
[0002]裝備履歷是軍事裝備的重要技術(shù)文件之一，裝備驗(yàn)收后隨裝備交付用戶，是主要的隨機(jī)文件之一。用于記載裝備從生產(chǎn)、交付、使用維護(hù)到退役報(bào)廢全過程的管理和維護(hù)信息，是裝備全壽命管理的重要信息基礎(chǔ)和依據(jù)，對裝備的日常管理、后續(xù)保障和技術(shù)研究有十分重要的意義。
[0003]導(dǎo)彈裝備一直采用紙質(zhì)履歷本，由于管理界面比較復(fù)雜，作業(yè)流程繁多等原因，存在履歷信息記錄不全面、不準(zhǔn)確的情況。此外導(dǎo)彈履歷本沒有統(tǒng)一的規(guī)范，要求記錄的信息不盡相同，特別是裝備的測試記錄、運(yùn)轉(zhuǎn)等情況通常都沒有記錄，使履歷信息有不少缺失。目前部隊(duì)均沒有將導(dǎo)彈履歷信息錄入相關(guān)的信息系統(tǒng)，履歷信息不能共享，不便于利用，沒有發(fā)揮其效用，造成信息資源的很大浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:解決紙質(zhì)履歷本存在的不足，提供一種功耗低、體積小、對導(dǎo)彈沒有信號干擾的低功耗履歷電路。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:自動感知導(dǎo)彈運(yùn)行狀態(tài)的低功耗履歷電路，包括MCU主控芯片、FLASH存儲器、晶體振蕩電路、接口芯片、RS-232電平轉(zhuǎn)換芯片、電源電路、信號處理電路；
[0006]MCU主控芯片通過SPI接口連接FLASH存儲器，在MCU主控芯片的高低速時(shí)鐘口處分別連接高速和低速晶體振蕩電路；通過MCU主控芯片的USART方式與RS-232電平轉(zhuǎn)換芯片相連，MCU主控芯片的外圍接口連接電源電路和信號處理電路；
[0007]初始化設(shè)置時(shí)，設(shè)置MCU主控芯片為ACTIVE-HALT工作模式，該模式下，選擇低速晶體振蕩電路，并設(shè)置空閑引腳為輸出口且輸出低電平；FLASH存儲器配置為POWERDOWN模式；電源電路控制電池為MCU主控芯片供電；
[0008]彈體上引出的載機(jī)地線GND、聯(lián)鎖線11mA和26V電源線(導(dǎo)彈通電狀態(tài))接入信號處理電路，由信號處理電路將輸入的信號轉(zhuǎn)換為MCU主控芯片可識別的高低電平信號；當(dāng)MCU主控芯片檢測到輸入的某一個(gè)信號高低電平狀態(tài)信號發(fā)生變化時(shí)，MCU主控芯片根據(jù)信號的變化喚醒并工作在正常模式下，正常模式下，MCU主控芯片將接收的該信號高低電平信號狀態(tài)連同低速晶體振蕩電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號時(shí)間信息一起存入FLASH存儲器中；當(dāng)需要查看FLASH存儲器存儲的信息或者進(jìn)行寫入、更改、擦除以及時(shí)間校正時(shí)，通過上位機(jī)發(fā)出相應(yīng)指令至MCU主控芯片，MCU主控芯片通知電源電路，由電源電路利用將外部電源降壓處理后得到的電壓對MCU主控芯片進(jìn)行供電，MCU主控芯片根據(jù)指令將FLASH存儲器中的信號進(jìn)行修改、篩選并選擇高速晶體振蕩電路，在高速晶體振蕩電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號的控制下將降待查看信號發(fā)送至RS-232電平轉(zhuǎn)換芯片，RS-232電平轉(zhuǎn)換芯片將接收的信號由TTL轉(zhuǎn)換為232電平發(fā)送至上位機(jī)。
[0009]所述的信號處理電路包括聯(lián)鎖線11mA信號處理電路、載機(jī)地線GND信號處理電路和26V電源線信號處理電路。
[0010]所述的聯(lián)鎖線11mA信號處理電路以運(yùn)算放大器U3為基本結(jié)構(gòu)，外接電阻R32、R33、R34、R35 和電容 C3UC32 ；
[0011]聯(lián)鎖線11mA信號從運(yùn)算放大器U3的IN+ 口輸入，同時(shí)連接R34 —端到地；運(yùn)算放大器U3的反向輸入接R35和R32，R35另外一端接地，R32另一端接運(yùn)算放大器U3的輸出端；運(yùn)算放大器U3的輸出端接電阻R33，R33另一端為輸出端SIGN2.5，并接電容C31到地，運(yùn)算放大器U3的電源端接3.3V電源，同時(shí)接入C32到地，運(yùn)放地端接地。
[0012]所述的26V電源線信號處理電路以光電親合器U4為基本結(jié)構(gòu)，光電親合器U4發(fā)光管端的正極連接電阻R42、電阻R41的一端，二極管D41的負(fù)極；U4發(fā)光管端的負(fù)極連接電阻R42的另一端，電阻R44 —端以及二極管D41的正極；電阻R41的另一端為光電耦輸入端口 IN28 ;光電耦合器U4三極管端的發(fā)射極連接電阻R44的另一端，同時(shí)接地，集電極連接電阻R43 —端，同時(shí)作為光電耦輸出端口 0UT28，電阻R43另一端接3.3V電源。
[0013]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0014](1)本發(fā)明將徹底改變部隊(duì)目前一直采用紙質(zhì)記錄導(dǎo)彈狀態(tài)變化的現(xiàn)狀，具備實(shí)時(shí)記錄，隨時(shí)調(diào)用，常年待機(jī)等特點(diǎn)，大大提高了工作效率；
[0015](2)本發(fā)明所形成的電子履歷信息，可以直接由導(dǎo)彈裝備保障信息系統(tǒng)進(jìn)行管理，便于各級掌控裝備的技術(shù)狀況，使部隊(duì)、生產(chǎn)廠、修理廠等能實(shí)時(shí)共享裝備技術(shù)信息，對裝備管理的信息化起到實(shí)質(zhì)性的推動作用。
[0016](3)本發(fā)明利用MCU內(nèi)部RTC，在記錄相關(guān)信息的同時(shí)加入對應(yīng)時(shí)間信息，使信息更全面。
[0017](4)本發(fā)明對于不同的功能應(yīng)用，在RTC和USART通信上，分別選用低速32.768KHz和高速11.0592MHz晶振，降低系統(tǒng)功耗同時(shí)提高數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)度。
[0018](5)本發(fā)明電源電路可以進(jìn)行鋰電池和外部電源的切換，導(dǎo)彈狀態(tài)檢測時(shí)，由電池供電；數(shù)據(jù)通信時(shí)，由履歷管理設(shè)備引入的外部電源供電，極大降低系統(tǒng)功耗，延長導(dǎo)彈履歷電路使用壽命。
【附圖說明】
[0019]圖1，2為11mA電流信號處理電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為26V電壓信號處理電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為機(jī)載地線信號處理電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖及實(shí)例對本發(fā)明做詳細(xì)說明。本發(fā)明一種低功耗導(dǎo)彈履歷電路，如圖5所示，首先選取低功耗MCU作為主控芯片，通過SPI接口連接FLASH芯片，在MCU的高低速時(shí)鐘口處分別連接高速(11.0592MHz串口時(shí)鐘)和低速(32.768KHz RTC時(shí)鐘)晶體振蕩電路，然后通過MCU的USART方式與RS-232電平轉(zhuǎn)換芯片相連，最后在MCU的外圍接口上連接電源處理電路和信號處理電路。
[0024]初始化設(shè)置時(shí)，設(shè)置MCU主控芯片為ACTIVE-HALT工作模式，該模式下，只有外圍RTC工作，且RTC選擇低速晶體振蕩電路(低速時(shí)鐘32.768KHz)，其他都處于休眠狀態(tài)，可以大大降低系統(tǒng)功耗。初始化端口時(shí)設(shè)置空閑引腳為輸出口且輸出低電平；在FLASH空閑狀態(tài)下，F(xiàn)LASH存儲器配置為POWERDOWN模式，減小系統(tǒng)消耗；電源電路控制電池為MCU主控芯片供電；在數(shù)據(jù)存儲時(shí)，為了滿足客戶對多種不同類別信息的區(qū)分，對FLASH區(qū)域進(jìn)行了塊和扇區(qū)的劃分，方便不同類別數(shù)據(jù)的存儲和調(diào)取。
[0025]彈體上引出的載機(jī)地線GND(信號變化表征導(dǎo)彈掛機(jī)狀態(tài))、聯(lián)鎖線llmA(導(dǎo)彈掛飛狀態(tài))和26V電源線(導(dǎo)彈通電狀態(tài))接入信號處理電路，由信號處理電路將輸入的信號轉(zhuǎn)換為MCU主控芯片可識別的高低電平信號；當(dāng)MCU主控芯片檢測到輸入的某一個(gè)信號電平狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)，會利用這一變化喚醒MCU，使MCU主控芯片切換到正常模式下，正常模式下，MCU主控芯片將接收的該信號高低電平狀態(tài)連同低速晶體振蕩電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號時(shí)間信息一起存入FLASH存儲器中；當(dāng)需要查看FLASH存儲器存儲的信息或者進(jìn)行寫入、更改、擦除以及時(shí)間校正時(shí)，通過上位機(jī)發(fā)出相應(yīng)指令至MCU主控芯片，MCU主控芯片通知電源電路，由電源電路利用將外部電源降壓處理后得到的電壓對MCU主控芯片進(jìn)行供電，MCU主控芯片根據(jù)指令將FLASH存儲器中的信號進(jìn)行修改、篩選并選擇高速晶體振蕩電路，在高速晶體振蕩電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號的控制下將待查看信號發(fā)送至RS-232