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      使用帶有高質(zhì)量外表面的各向同性熱固粘合材料制造帶有集成電子器件的高級智能卡的方法

      文檔序號:6553755閱讀:264來源:國知局
      專利名稱:使用帶有高質(zhì)量外表面的各向同性熱固粘合材料制造帶有集成電子器件的高級智能卡的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明一般地涉及高級智能卡,其包含電池、LED、 LCD、聚合 物半球形開關(guān)、指紋傳感器、以及其它未曾出現(xiàn)在常規(guī)智能卡內(nèi)的電 子部件。常規(guī)智能卡具有傳統(tǒng)信用卡的大小,它們通常包含集成電路 (IC)芯片,并且當該卡必須通過射頻(RF)傳輸來傳送數(shù)據(jù)時還可 以包含天線。高級智能卡可以包含諸如電池、顯示器件、和鍵盤等未 曾出現(xiàn)在常規(guī)智能卡中的部件。因此高級智能卡能夠提供很多復(fù)雜的 功能,比如顯示數(shù)據(jù)、讓用戶能夠輸入個人識別號(PIN)和密碼、 以及檢測安全威脅。
      背景技術(shù)
      智能卡如今廣泛用于訪問控制系統(tǒng)、生物統(tǒng)計數(shù)據(jù)存儲、國界 控制、以及很多其它的應(yīng)用。智能卡典型地包含用戶相關(guān)的信息。例 如,美國國防部(DoD)通用卡(CAC)計劃需要非接觸式芯片來包含 有關(guān)于一個市民的生物統(tǒng)計數(shù)據(jù),其包含數(shù)字化的肖像和指紋數(shù)據(jù)。這些高級智能卡典型地由多層結(jié)構(gòu)組成,該結(jié)構(gòu)具有一個或多 個塑料層,該塑料層包圍著存儲數(shù)據(jù)的集成電路。通過射頻(RF)傳 輸來把數(shù)據(jù)傳送到該卡和從該卡傳出。僅通過RF傳輸來傳送數(shù)據(jù)的 卡即所謂的"非接觸式"卡。非接觸式高級智能卡包含用于把數(shù)據(jù)傳 輸出入該集成電路的天線,以進行RF傳輸。出于在后9. ll環(huán)境下的 日益增加的安全考慮,非接觸式RFID芯片被并入護照等證件以及其 它證件或函件形式中?,F(xiàn)有技術(shù)的智能卡構(gòu)造中存在一些問題,即現(xiàn)有技術(shù)智能卡利 用PVC的硬度來保護天線和集成電路免受彎曲破壞。PVC的每層都必 須具有預(yù)定厚度,以包圍并保護所述部件。為了維持所需的硬度并容 納必需的部件,這些PVC卡與其它類型的卡比如信用卡相比傾向于較厚。一般來說,所得的這些多層結(jié)構(gòu)厚約0.060英寸。另外,PVC會隨著時間推移以及紫外線的照射而傾向于變脆。這會使其隨時間而失效。此外,還需要專門的打印設(shè)備來在該PVC材料的外表面上打印信息。許多其它的問題會隨著熱層壓所需的高溫高壓而頻繁出現(xiàn),包括對易碎的集成電路(IC)芯片、天線(通常是細繞組、細薄的蝕刻銅或者細薄的淀積銀)、以及其它電子部件的損壞。用在塑料卡層壓生成工藝中的通常約為300° F的高熱等級、以及通常約為從l,OOO 至30, 000 PSI或更髙的壓力范圍,是對智能卡部件造成嚴重的熱量 及物理壓力的原因。需要一種改進的制造高級智能卡(包含集成電路、天線、電池、 聚合物半球形開關(guān)、液晶顯示器、發(fā)光二極管陣列、指紋傳感器)的 方法,該方法能夠把敏感的部件安全可靠地并入既薄且柔的卡結(jié)構(gòu) 中,并且使用低溫(例如低于150° F)和低壓(例如小于100PSI)。由于材料科學(xué)和電子學(xué)方面的進步,新一代高度復(fù)雜的智能卡 在技術(shù)上已變得可行。微型電池、數(shù)據(jù)顯示器、鍵盤、甚至指紋傳感 器都已獲得發(fā)展,可以并入形狀為智能卡大小的裝置中。這些進步正 在刺激新的智能卡能力和應(yīng)用。例如,裝備有電池、數(shù)據(jù)顯示器、和 鍵盤的智能卡能夠讓用戶査看與下述有關(guān)的數(shù)據(jù)1)電子錢包應(yīng)用 的收支平衡,2)最近的信用卡交易信息,或3)銀行賬戶結(jié)余信息。 這些能力也可用于提高啟用密碼的信用卡功能的安全性。盡管這些擴 展的智能卡能力提供著新型應(yīng)用的極大潛力,但使用基于層壓的制造 技術(shù)來大規(guī)模生產(chǎn)高級卡卻是非常困難,因為在層壓時所用的高溫高 壓會對電子部件造成破壞。需要一種使用低溫低壓的新的卡生產(chǎn)工藝 來把脆弱的電子部件有效地并入卡體中。發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的目的之一是提供一種厚度不超過0. 80 mm (傳統(tǒng)信 用卡的厚度)的高級智能卡,其包含安全封裝的高級智能卡電子部件,
      所述電子部件可以包括集成電路、天線、電池、聚合物半球形開關(guān)、 液晶顯示器、發(fā)光二極管陣列、指紋傳感器。通過提供一種多層卡結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)此目的以及其它目的,該多層 卡結(jié)構(gòu)具有由諸如合成紙、PVC、 PC、或其它合適材料構(gòu)成的頂層, 包括集成電子組件(可以包括集成電路、天線、電池、聚合物半球形 開關(guān)、液晶顯示器、發(fā)光二極管陣列、和指紋傳感器)的底層,其中 帶有由注塑聚合材料構(gòu)成的核心層,其中所述注塑聚合材料對形成底 層的電子部件進行安全的封裝,并且與合成紙或其它合適材料構(gòu)成的 頂層安全地結(jié)合。頂層和底層之間的空隙有利于形成勻流以及通過注塑聚合材料 來完全封裝電子部件。約為0. 1至0. 25誦的空隙允許注塑聚合物充 滿其中,覆蓋電子部件和頂層的底表面,其中不帶有任何氣孔、氣囊, 并且聚合材料均勻且完全地分布在所述空隙中。所述形成了底層的集成電子組件在單個連續(xù)的板上制成,然后 通過機械工具將其切割成能夠允許該高級智能卡的周邊被注塑聚合 物覆蓋的形狀。


      圖l是根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的高級智能卡的剖視側(cè)視圖。圖2和圖3是安裝來制造本專利公開中高級智能卡的第一優(yōu)選 實施例的模具的剖視側(cè)視圖,其中示出了在把液態(tài)聚合材料注入高級 智能卡的頂層和底層之間以前的特定高級智能卡部件(見圖2)、以 及在把聚合材料注入頂層和底層之間的空隙并因此用聚合材料填充 該空隙以及把高級智能卡的頂層冷成型為頂模的證件成型腔的輪廓 以后的特定的高級智能卡部件(見圖3)(例如集成電路芯片和天線 繞組)。圖4是示出正從高級智能卡前體上移除的模具的剖視圖,其中 所述前體是通過圖3所概述的系統(tǒng)形成的。圖5描述了一種能夠同時制造6個高級智能卡(尺寸約為54, X85mm)的模具系統(tǒng)。
      圖6說明了根據(jù)此專利公開的指導(dǎo)制造的接觸式高級智能卡的 剖視圖。圖7說明了根據(jù)此專利公開的指導(dǎo)制造的非接觸式高級智能卡 的剖視圖。圖8說明了根據(jù)此專利公開的指導(dǎo)制造的雙接口高級智能卡的 剖視圖。圖9說明了根據(jù)此專利公開的指導(dǎo)制造的帶有指紋傳感器30的雙接口高級智能卡的剖視圖。圖10說明一種帶有傳感器條37的化學(xué)敏感高級智能卡的剖視 圖,其中該高級智能卡是化學(xué)反應(yīng)性的,并且在檢測到特定的化學(xué)物質(zhì)或輻射時提供可見信號。通過本公開中卡制造方法所用的低溫低壓 處理可以保護該熱敏傳感器條不會高溫劣化。圖11說明一種根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的帶有聲學(xué)揚聲器 73的非接觸式智能卡的剖視圖。
      具體實施方式
      圖1描述一種根據(jù)此專利公開的指導(dǎo)制造的高級智能卡22的剖 視側(cè)視圖。按照其最終的形態(tài),這樣的高級智能卡將會包括頂層24、 底層26、和中間層或核心層28。頂層24是合成紙(例如TeslinTM)、 PVC、聚碳酸酯、或其它合適材料的薄膜或板。底層26是基片電路板 上的電子組件(例如柔性印刷電路板的聚酰亞胺或傳統(tǒng)印刷電路板的 工業(yè)標準FR4),其包含許多集成電子部件,比如發(fā)光二極管(LED) 30、電池32、聚合物半球形開關(guān)33、微處理器35、天線31、液晶顯 示器34。中間層或核心層由熱固聚合材料34組成(例如,初始為液 態(tài)或半液態(tài)的熱固樹脂),其在凝固時構(gòu)成最終高級智能卡的中間層 或核心層28。該中間層或核心層28對底層26頂表面上所有暴露的 電子部件進行完全封裝。最終會變成該高級智能卡的中間層28的熱 固材料34被注入頂層24和底層26之間的空隙36中。所注入的聚合 材料34應(yīng)當能夠在申請者的處理中所采用的相對低溫低壓的形成條 件下注入。無論如何,此熱固聚合材料將會被注入并填充由頂層24的內(nèi)表面38和底層26的內(nèi)表面40所限定的空隙36。在凝固時,中間層28 的聚合材料34應(yīng)當與頂層24的內(nèi)表面38和底層26的內(nèi)表面40都 相結(jié)合或粘合,以制成統(tǒng)一的高級智能卡體??梢酝ㄟ^用數(shù)種方法的 任一種分別對頂層的內(nèi)表面38和底層的內(nèi)表面40進行處理來輔助所 述粘合。例如,可以采用本技術(shù)領(lǐng)域公知的粘合增強劑(例如氯代聚 烯烴)來增強核心層成型熱固材料與制成頂層和底層的材料(例如 Teslin、 PVC、聚酰亞胺)之間的粘合。僅作示例,明尼蘇達礦業(yè)及 制造公司的基礎(chǔ)初級產(chǎn)品4475.RTM可以用于此粘合增強目的,尤其 是在頂層或底層材料為PVC時。其它的可用于頂層和/或底層內(nèi)表面 的處理包括等離子電暈處理和酸蝕。高級智能卡的厚度39由熱固材料注入空隙36(作為此專利公開 的低溫低壓成型處理的一部分)時模面(圖1中未示出)的放置來限 定。實際上,把熱固材料注入頂層和底層之間的空隙36中會填充空 隙36中任何未被從底層26凸出的電子部件占據(jù)的部分。電子部件按照圖2中所建議的方式在底層頂表面上進行的布局 使引入的液態(tài)或半液態(tài)聚合材料能夠流入覆蓋并包圍暴露的電子部 件的所有側(cè)面。凝固后的熱固聚合物的彈性屬性能夠保護底層中的電子部件以 免受物理應(yīng)力和熱應(yīng)力。封裝了所有暴露電子部件的該彈性體的減震 屬性使得該組件能夠抵御彎曲和/或扭曲和/或沖擊力,該高級智能卡 會在其主外表面或者四個外側(cè)邊緣表面的任何一個上遭受到該彎曲 和/或扭曲和/或沖擊力。該彈性體的隔熱屬性還能夠減少在最終熱層 壓處理期間采用PVC薄層來在底層的底面上生成高質(zhì)量外表面時電 子部件可能受到的熱量。圖2和圖3對比說明該申請者用于制造高級智能卡的方法的第 一優(yōu)選實施例。也即,圖2描述了本發(fā)明的一個特別優(yōu)選的實施例, 其中示出了由比如TeslinTM的合成紙或比如PVC的塑性材料構(gòu)成的平 整頂層或板24在根據(jù)此專利公開的技術(shù)以低溫低壓來形成之前的狀 態(tài)。換句話說,圖2描述了在注入聚合材料之前安裝的模具,其中示 出了初始時位于頂模44的高級智能卡成型腔下面的平整的頂層24 (例如PVC的平片),并且示出了位于底模46上面的底層26 (例如 基片上的集成電子組件)。然而在該申請者的一些較次優(yōu)選但仍然可 行的處理實施例中,頂層24可以優(yōu)選地被預(yù)制?;蛘咧辽俨糠值仡A(yù) 制模成頂模中高級智能卡成型腔64的一般輪廓。相比之下,底模46 不具有與頂模44中的型腔相當?shù)男颓弧J境隽瞬迦肭豢?49的用于注 入液體或半液體熱塑或熱固聚合材料34的噴嘴48,其中腔口 49通 向限定在頂層24的內(nèi)表面38和底層26的內(nèi)表面40之間的空隙36。 高級智能卡頂層的頂表面與底層的底表面之間的距離由距離39表 示??障?6被示出從并列的頂層24和底層26的左端向右端擴展。 換句話說,在圖2中,頂層24的外表面55未與頂模44的高級智能 卡成型腔64的內(nèi)表面56相接觸。以對比的方式,底層26的外表面 58被示出與底模46的內(nèi)表面60形成大致平整的毗鄰接觸。圖3描 述了把熱固聚合材料注入頂層24和底層26之間的空隙36的效果。 因而,圖3示出了在頂模44中把頂層24模制成高級智能卡成型腔 64之后的狀態(tài)。在圖2和圖3中,包含在高級智能卡的底層26中的電子部件(如 天線31、電池32、 IC芯片35)都被示為置于包括底層的集成電子組 件中。用來制造高級智能卡的本發(fā)明能夠兼容并可用于很大范圍的卡 設(shè)計,該設(shè)計在底層上并入各種部件和器件。對底層26中電子部件 的詳細設(shè)計將取決于該高級智能卡所打算進行的特定應(yīng)用。這些應(yīng)用 可以包括建筑物入口的訪問控制、銀行卡或ATM卡的數(shù)據(jù)顯示、識 別卡的密碼輸入、以及安全相關(guān)應(yīng)用的指紋鑒定(使用指紋傳感器)。出于本發(fā)明的目的,除了必須滿足尺寸約束以外,對底層26中電路和電子部件的具體設(shè)計不作嚴格要求。對于按照此方法制造的符 合ISO 7810的高級智能卡來說,底層中的電子元件必須適配在81 mm (長度)X49 mm (寬度)并且最大高度為0.55 mm (含底層基片) 的形狀因數(shù)(form factor)范圍內(nèi)。圖3中的距離43約為0. 15 mm, 其表示從頂層24的內(nèi)表面38到安裝在底層26上的最高電子部件30 的頂表面之間的最小間距。要求該最小距離43允許注入足夠的聚合
      材料來封裝安裝在底層上的電子部件并且提供適當?shù)臏p震和隔熱屬 性。在圖2中,頂模44被示出具有型腔64,其定義將在注入處理期間形成的高級智能卡的頂表面輪廓。為此,液體或半液體的熱固聚合材料34的注入都應(yīng)當處在使頂層24于低溫低壓中形成在頂模44的 型腔64中的壓力和溫度條件下。圖3示出本專利公開的低溫低壓成 型處理如何實際地使頂層24的頂表面55遵從頂模44中高級智能卡 成型腔64的結(jié)構(gòu)。再者,在圖3中示出了將底層26的底表面58模 壓在底模46的大致平坦的內(nèi)表面60上的狀態(tài)。這是制造本專利公開的高級智能卡的一個特別優(yōu)選的安排。在圖2和圖3中,頂模44的前唇區(qū)域66和底模46的前唇區(qū)域 68被示出彼此隔開距離70 (考慮到頂層24和底層26的厚度),實 際上,所述距離70限制了頂層24和底層26在模44和模46的唇區(qū) 域處的距離36 (即空隙的寬度)。此距離70應(yīng)當使得熱固聚合材料 34能夠被注入空隙36中超過整個高級智能卡的長度(例如從其左側(cè) 到其右側(cè))。安裝在圖2所示系統(tǒng)右側(cè)的模具的對應(yīng)距離70'和左 側(cè)的對應(yīng)距離70可以不同。在任何情況下,距離70'都應(yīng)當使限定 在通過頂模44的后唇66'的頂層24內(nèi)表面38與通過底模46的后 唇68'的底模26內(nèi)表面40之間的距離36'很小,但仍有限。也就 是說,這個很小的距離36'應(yīng)當足夠大,以允許空隙36中最初分別 存在于頂層24和底層26 (再次參見圖2)之間的氣體72 (如空氣、 聚合物成分反應(yīng)產(chǎn)生的氣體等)、以及過量的聚合材料從所述空隙 36中排出,但是該距離還應(yīng)當足夠小,以保持注入熱固聚合材料的 注入壓力。事實上,距離36'優(yōu)選地具有足夠大的尺寸以允許液體 聚合材料34自身的平滑薄層"噴出"或"飛出"空隙36—一并由 此使得所有殘留在、或產(chǎn)生于空隙36中的全部氣體從所述空隙、實 際上從模具系統(tǒng)自身中被排出去。這樣,所有的氣體72會完全被引 入的液體熱固材料34所替換。此項排氣技術(shù)用于防止在最終(即在 熱固材料凝固時)會構(gòu)成核心層28的熱固材料34內(nèi)形成氣泡。圖4示出從模具系統(tǒng)中移出的如圖3所示類型的高級智能卡的
      半成品或前體。截面線84—84和86—86分別示出如何切除或修剪高 級智能卡的前體的左端和右端,來產(chǎn)生最終的高級智能卡的銳邊和精 確的尺寸。在此情況下,距離74約為85毫米,以符合識別卡的ISO 7810規(guī)格。圖5說明根據(jù)本專利公開的某些優(yōu)選實施例而進行的模制過程, 其中同時模制了 6個尺寸約為85隱X54畫的高級智能卡。圖6說明根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的完全接觸式高級智能卡。 圖7說明根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的完全非接觸式高級智能卡。圖8說明根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的雙接口式高級智能卡。 圖9說明根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的帶指紋傳感器30的雙接口式高級智能卡。圖10說明一種帶有傳感器條37的化學(xué)敏感高級智能卡,其中 該高級智能卡是化學(xué)反應(yīng)性的,并且在檢測到特定的化學(xué)物質(zhì)或輻射 時提供可見信號。通過本公開中卡制造方法所用的低溫低壓處理可以 保護該熱敏傳感器條免受高溫劣化的影響。圖11說明一種根據(jù)本專利公開的指導(dǎo)制造的帶有聲學(xué)揚聲器 73的非接觸式智能卡。盡管對本發(fā)明的描述與各種特定示例以及基于使用特殊膠合劑 和膠合過程的概念的傾向有關(guān),但是應(yīng)當理解,文中所述的發(fā)明在范 圍上僅受權(quán)利要求的限制。
      權(quán)利要求
      1.一種制造高級智能卡或類似設(shè)備的方法,其中所述高級智能卡或類似設(shè)備包括頂層、熱固聚合材料的核心層、以及包含安裝在基片上的集成電子組件的底層,所述方法包括步驟(1)將安裝在基片上的集成電子組件置于底模中,使得基片中的孔被底模中的模定位器緊固;(2)將合成紙(例如TeslinTM)或其它合適材料的頂層置于頂模中;(3)按照使頂層和集成電子組件之間產(chǎn)生空隙的方式將頂模貼近至底模;(4)將熱固聚合材料在一定的溫度和壓力條件下注入空隙中,使得(a)通過模定位器將安裝在基片上的集成電子組件固定在原位;材料的頂層至少部分地被低溫低壓模壓入頂模的型腔中;(b)氣體和過量的聚合材料被從空隙中排出;(c)把集成電子組件的暴露區(qū)封裝在熱固聚合材料中;并且(d)熱固聚合材料粘合頂層與底層來制成高級智能卡體的統(tǒng)一前體;(5)從頂模和底模中移出高級智能卡體的統(tǒng)一前體;以及(6)將高級智能卡的前體修剪至所期望的尺寸以制成最終的高級智能卡。
      2. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中所述安裝在基片上的集成電 子組件具有最大為54 mm高、85. 6 mm長、和0. 50 mm厚的尺寸。
      3. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中所述基片是印刷電路板。
      4. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中對頂層的內(nèi)表面和底層的內(nèi) 表面進行處理,使得頂層和熱固材料之間以及底層和熱固材料之間易于產(chǎn)生強固的粘結(jié)。
      5. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中通過對頂層的內(nèi)表面和底層 的內(nèi)表面敷涂粘合增強劑來進行處理。
      6. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中通過電暈放電處理來對頂層 的內(nèi)表面和底層的內(nèi)表面進行處理。
      7. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中熱固聚合材料以大約環(huán)境壓力和大約500 psi之間的壓力注入空隙中。
      8. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中熱固聚合材料以大約80和 大約120 psi之間的壓力注入空隙中。
      9. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中熱固聚合材料以大約56° F. 和大約100° F.之間的溫度注入空隙中。
      10. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中熱固聚合材料以大約65° F.和大約70° F.之間的溫度注入所述空隙中。
      11. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中薄膜承載的字母數(shù)字/圖形 信息被施加到頂層的內(nèi)表面上。
      12. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中把不透明防護材料層施加 到頂層的內(nèi)表面上。
      13. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述集成電子組件包括從 如下組中選擇的電子部件微處理器、天線、集成電路(IC)芯片、 電池、發(fā)光二極管(LED)、液晶顯示器(LCD)、聚合物半球形開關(guān)、 電阻、傳感器(比如指紋傳感器)、以及電容器。
      14. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中頂層由聚合材料的平板形成。
      15. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中頂層被預(yù)形成為帶有至少一個卡成型腔。
      16. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中頂層被模壓進入頂模的高 級智能卡成型腔,底層被模壓為與底模的一個大致平坦的表面相對。
      17. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熱固聚合材料是聚氨酯。
      18. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熱固聚合材料是環(huán)氧 樹脂。
      19. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熱固聚合材料是不飽 和聚酯。
      20. 如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述空隙被一個門充滿, 所述門的寬度至少是通過該門所填充的高級智能卡的前體邊緣寬度 的25%。
      21. —種制造高級智能卡或類似設(shè)備的方法,其中所述高級智 能卡或類似設(shè)備包括頂層、熱固聚合材料的核心層、以及包含安裝在 基片上的集成電子組件的底層,所述方法包括步驟(1) 使用最大尺寸為54 mm寬、85. 6 mm長、和0. 50 mm厚的 安裝在基片上的集成電子組件,把該安裝在基片上的集成電子組件置 于底模中,使得基片中的孔被底模中的模定位器緊固;(2) 將合成紙(例如TeSlinTM)或其它合適材料的頂層置于頂 模中;(3) 按照使頂層和集成電子組件之間產(chǎn)生空隙的方式將頂模貼 近至底模;(4) 將熱固聚合材料在65° F.和70° F.之間的溫度以及80PSI 至120 PSI之間的壓力條件下注入空隙中,使得(a) 通過模定位器將安裝在基片上的集成電子組件固定在原位;(b) 材料的頂層至少部分地被低溫低壓模壓入頂模的型腔中;(c) 氣體和過量的聚合材料被從空隙中排出;(d) 把集成電子組件的暴露部分封裝在熱固聚合材料中;并且(e) 熱固聚合材料粘合頂層與底層來制成高級智能卡體的統(tǒng)一前體;(5) 從頂模和底模中移出高級智能卡體的統(tǒng)一前體;以及(6) 將高級智能卡的前體修剪至所期望的尺寸以制成最終的高 級智能卡。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種制造高級智能卡或類似設(shè)備的方法,通過使用將會成為所述高級智能卡的核心層的熱固或熱塑材料注塑成型,可以制造帶有集成在卡結(jié)構(gòu)底層中的高度復(fù)雜電子部件(例如集成電路芯片、電池、微處理器、發(fā)光二極管、液晶顯示器、聚合物半球形開關(guān)、和天線)的高級智能卡以及類似大小的裝置(例如證件、標簽),其具有由聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、合成紙或其它合適材料構(gòu)成的高質(zhì)量外表面。層壓完工處理能提供高質(zhì)量的下表面,而把電子部件封裝在熱固或熱塑材料中可以提供對層壓熱量和壓力的防護。
      文檔編號G06K19/06GK101156163SQ200580049259
      公開日2008年4月2日 申請日期2005年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月23日
      發(fā)明者保羅·里德 申請人:卡Xx公司
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