專利名稱：：一種防止存儲器被誤擦寫的保護方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種存儲器數(shù)據(jù)保護方法，具體地說，是涉及一種用于防止FLASH或EEPR0M存儲器被誤擦寫的保護方法，是一種軟件數(shù)據(jù)保護方法。
背景技術(shù)：
：隨著信息化，電子化進程的發(fā)展，數(shù)據(jù)越來越成為企業(yè)、事業(yè)單位日常運作的核心決策發(fā)展的依據(jù)，芯片數(shù)據(jù)作為記錄存儲企事業(yè)或個人關(guān)鍵信息的載體，其安全性要求也越來越高。因此對目前廣泛使用的芯片數(shù)據(jù)存儲器FLASH/EEPROM，在其數(shù)據(jù)保護機制的可靠性、安全性方面提出了更高的要求。FLASH/EEPROM存儲器在外界環(huán)境比較惡劣時(超出規(guī)范允許的范圍運行CPU，如溫度與電壓，或者是嚴重的EMI或電氣噪聲事件等)，會使FLASH/EEPROM存儲器的地址信號、數(shù)據(jù)信號、讀信號、寫信號都有可能隨機變化，讀寫時序可能發(fā)生混亂，從而導致FLASH/EEPROM存儲器的數(shù)據(jù)發(fā)生改變或丟失。也即是發(fā)生了誤擦或誤寫的動作。隨著信息數(shù)據(jù)安全性方面的要求日益提高，如何保證FLASH/EEPROM中存貯數(shù)據(jù)的安全，防止誤擦寫就顯得格外重要。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明在對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懖僮髦埃葘懭胍淮囟ǖ拿钭?，此串命令字中的地址與數(shù)據(jù)可根據(jù)不同需求，不同的芯片使用不同的特定命令字，如向AAAAH地址寫#55H數(shù)據(jù)，再向CCCCH地址寫ftAAH數(shù)據(jù)，然后再向AAAAH地址寫數(shù)據(jù)，根據(jù)不同的擦寫命令(頁擦、頁寫、半頁擦…)寫入不同的數(shù)據(jù)。其中的AAAA、55、CCCC、AA等為寄存器內(nèi)容，均由軟件設置。只有在這一串命令字都正確的情況下，F(xiàn)LASH/EEPROM才會真正的啟動擦寫命令，否則不能啟動FLASH/EEPROM的擦寫命令。這樣也就能防止誤擦寫的發(fā)生，保證了FLASH/EEPROM存儲器數(shù)據(jù)的安全。實現(xiàn)了一種能防止FLASH/EEPROM存儲器數(shù)據(jù)被誤擦寫的保護方法。本發(fā)明通過軟件編程的方式，在對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懖僮髦埃葘懭胍淮囟钭值能浖?shù)據(jù)保護方法。特定命令字也由軟件來設置。具體方法為先對相應寄存器進行設置，設定每個命令字中的地址與數(shù)據(jù)內(nèi)容。然后再發(fā)一串特定命令，舉例如下第一條命令，先向地址AAAAH寫ft55H;第二條命令，向地址CCCCH寫ftAAH;依此類推在更多的命令字中寫入地址與數(shù)據(jù)內(nèi)容，最后，根據(jù)不同的擦寫命令，向地址AAAAH寫一個不同數(shù)據(jù)，啟動真正的擦寫命令，向指定的地址寫入指定的數(shù)據(jù)。這其間只要有一步寫入的地址或數(shù)據(jù)不符，則返回到初始態(tài)，不能對FLASH/EEPROM存儲器啟動擦或?qū)懙拿?。利用上面的方法，若直接對FLASH/EEPROM存儲器任一地址進行擦或?qū)懖僮?，而沒有先寫入一串特定的命令字，則不能啟動對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懙牟僮?；若寫入命令字的順序及?shù)據(jù)與上述方法中描述的不一致時，也不能成功啟動對FLASH/EEPROM進行擦3或?qū)懙牟僮鳌Ｊ沟眉词乖谛酒ぷ鞑环€(wěn)定時，F(xiàn)LASH/EEPROM被誤擦寫的可能性也被大大降低。圖1命令序列狀態(tài)機轉(zhuǎn)化圖圖2防止誤擦寫命令流程示意圖具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的說明。為了保護FLASH/EEPROM存儲器中數(shù)據(jù)的安全，在對FLASH/EEPROM存儲器進行擦或?qū)懖僮髦?，先寫入一串特定的命令字，完全正確后方可進行相應擦寫操作，F(xiàn)LASH/EEPROM存儲器的擦或?qū)懖僮髦八枰l(fā)的命令序列如表1如示表1命令序列表(以頁寫為例)<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>注地址、數(shù)據(jù)均為16進制。在對FLASH/EEPROM存儲器進行擦或?qū)懖僮髦?，需寫入一串特定的命令字。如上表所示，根?jù)用戶的定義，先設置第一條命令字中的地址為OxAAAA，數(shù)據(jù)為0x55;第二條命令字中的地址為OxCCCC，數(shù)據(jù)為OxAA;第三條命令字中的地址為OxAAAA，數(shù)據(jù)需要根據(jù)不同的擦寫命令來設置，如頁寫操作為OxlO。等等。然后開始發(fā)命令字，第一步，即第一個周期先向地址AAAAH寫#55H;第二步，即第二個周期向地址CCCCH寫#AAH;第三步，根據(jù)不同的擦寫命令，第三個周期向地址AAAAH寫入相應擦寫命令的數(shù)據(jù)；等等。然后根據(jù)這一串命令中的最后一條命令字來確定擦寫命令，寫入實際需要寫入的地址與數(shù)據(jù)信息。流程見圖2所示。現(xiàn)以FLASH的頁寫操作命令模式為例，在進入FLASH頁寫操作之前，需要判斷上述一串的命令字是否都正確，只有命令都正確的情況下，才能真正啟動FLASH的頁寫操作。如圖1所示的狀態(tài)機轉(zhuǎn)化圖，在默認情況下位于StateO讀狀態(tài)，當滿足第一步的命令時，狀態(tài)機進入狀態(tài)Statel，若不滿足則仍為StateO讀狀態(tài)；當滿足第二步的命令時，狀態(tài)機進入狀態(tài)State2，若不滿足則返回到StateO讀狀態(tài)；依此類推。直到這一串命令中的所有命令字都正確且順序符合設置時，由最后一條的頁寫命令向地址AAAAH寫入#10H數(shù)據(jù)，狀態(tài)機則進入頁寫狀態(tài)State3，此時則可以開始進行相應的頁寫編程，寫入相應的地址與數(shù)據(jù)，直到頁寫編程結(jié)束(program—end有效)，則狀態(tài)機重新返回到StateO讀狀態(tài)。若中間任何一步命令發(fā)錯，則狀態(tài)機都將返回到StateO讀狀態(tài)，等待下一輪的命令序列檢測與擦寫操作。詳細見下圖1所示。由于EEPROM存儲器的命令及狀態(tài)轉(zhuǎn)化與FLASH類似，在此就不做舉例。本發(fā)明所公開的一種防止FLASH或EEPROM被誤擦寫的保護方法，能有效的防止在芯片各種不穩(wěn)定期間可能存在的誤擦或誤寫的操作，避免了數(shù)據(jù)的改變與丟失，保證了FLASH/EEPROM存儲器數(shù)據(jù)的安全，在擦或?qū)慒LASH/EEPROM之前，只需先寫入一串特定命令字，就可以提高存儲器的數(shù)據(jù)安全性能，代價小，效果顯著，簡便易行?？梢愿鶕?jù)用戶的不同需求，對不同的芯片可使用不同的特定命令字，能防止軟件攻擊與破解，盡可能地實現(xiàn)芯片數(shù)據(jù)的最大安全。權(quán)利要求面向FLASH/EEPROM存儲器存貯數(shù)據(jù)的保護方法，實現(xiàn)對FLASH/EEPROM存貯數(shù)據(jù)的保護，能夠防止誤擦寫的發(fā)生，其特征在于對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懖僮髦?，先對相應寄存器進行設置，設定每個命令字中的地址與數(shù)據(jù)內(nèi)容，然后再發(fā)一串命令，只有在這一串命令字都正確的情況下，F(xiàn)LASH/EEPROM才啟動擦寫命令。2.如權(quán)利要求1所述的面向FLASH/EEPROM存儲器存貯數(shù)據(jù)的保護方法，其特征在于所述的命令字可根據(jù)不同需求，不同的芯片使用不同的特定命令字。3.如權(quán)利要求1所述的面向FLASH/EEPROM存儲器存貯數(shù)據(jù)的保護方法，其特征在于若直接對FLASH/EEPROM存儲器一地址進行擦或?qū)懖僮鳎鴽]有先寫入一串命令字，則不能成功啟動對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懙牟僮?；若寫入命令字的順序及地址?shù)據(jù)與設置不符合時，也不能成功啟動對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懙牟僮?。全文摘要本發(fā)明是一種軟件數(shù)據(jù)保護方法，通過對FLASH/EEPROM進行擦或?qū)懖僮髦?，先寫入一串特定的命令字，只有在命令字都正確的情況下，F(xiàn)LASH/EEPROM才會真正的啟動擦寫命令，這樣也就能有效防止FLASH/EEPROM被誤擦寫的發(fā)生，保證了芯片數(shù)據(jù)的安全。文檔編號G06F12/16GK101751347SQ20081022798公開日2010年6月23日申請日期2008年12月4日優(yōu)先權(quán)日2008年12月4日發(fā)明者盧鋒,周鵬,耿介,趙貴勇申請人:北京中電華大電子設計有限責任公司