專利名稱：一種rfid標(biāo)簽芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻識(shí)別領(lǐng)域，尤其涉及一種RFID標(biāo)簽芯片。
背景技術(shù)：
RFID即射頻識(shí)別技術(shù)，又稱電子標(biāo)簽、無線射頻識(shí)別，可通過無線電訊號(hào)識(shí)別特定目標(biāo)并讀寫相關(guān)數(shù)據(jù)，而無需識(shí)別系統(tǒng)與特定目標(biāo)之間建立機(jī)械或光學(xué)接觸。物聯(lián)網(wǎng)的終極發(fā)展目標(biāo)就是為所有人員和物品安裝RFID標(biāo)簽，利用閱讀器設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備可以隨時(shí)隨地獲得關(guān)于人員和物品的各種信息。RFID標(biāo)簽內(nèi)包含RFID標(biāo)簽芯片和標(biāo)簽天線，有時(shí)也含有電池。根據(jù)RFID標(biāo)簽芯片激勵(lì)方式的不同，可將RFID標(biāo)簽分為以下三類1)無源電子標(biāo)簽。無源電子標(biāo)簽內(nèi)沒有電池，標(biāo)簽天線通過空間磁場(chǎng)耦合或電磁輻射從閱讀器獲得供 RFID標(biāo)簽芯片工作能量，再將存儲(chǔ)在RFID標(biāo)簽芯片內(nèi)存里的識(shí)別號(hào)和其它數(shù)據(jù)信息調(diào)制在射頻信號(hào)上發(fā)射出去。由于沒有電池，無源電子標(biāo)簽可以做得很薄、很小，其使用壽命不受電池電量的影響，可達(dá)10年以上；無源標(biāo)簽的成本低，在商品標(biāo)簽、貨物物流、票證防偽、 交通卡、圖書管理、門禁考勤等領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。但是，潮濕環(huán)境或附近的金屬會(huì)極大影響標(biāo)簽的讀取性能；而且，無源電子標(biāo)簽的讀取距離受限于閱讀器的發(fā)射功率。配合符合國際標(biāo)準(zhǔn)的閱讀器，高頻無源電子標(biāo)簽的讀取距離小于1米，超高頻無源電子標(biāo)簽的讀取距離一般也不超過10米。2)有源電子標(biāo)簽。有源電子標(biāo)簽的RFID標(biāo)簽芯片由內(nèi)置電池供電，其持續(xù)反復(fù)地將內(nèi)存里的識(shí)別號(hào)和其它數(shù)據(jù)信息調(diào)制在射頻信號(hào)上發(fā)射出去。有源電子標(biāo)簽的讀取性能極好，其讀取距離能達(dá)到100米以上，且受使用環(huán)境影響較小。但是， 由于有源電子標(biāo)簽內(nèi)含有電池，其使用壽命較短，一般在3年以下，而且，持續(xù)反復(fù)的信號(hào)發(fā)射方式也會(huì)造成大量的電磁污染；目前有源電子標(biāo)簽的用量遠(yuǎn)小于無源標(biāo)簽，造成其成本較高，甚至達(dá)到無源標(biāo)簽的10倍以上?；冒胗性措娮訕?biāo)簽。半有源電子標(biāo)簽的RFID標(biāo)簽芯片由內(nèi)置電池供電，但RFID標(biāo)簽芯片在平時(shí)一直處于休眠狀態(tài)；當(dāng)半有源電子標(biāo)簽經(jīng)過閱讀器天線輻射場(chǎng)區(qū)時(shí)，RFID標(biāo)簽芯片被觸發(fā)進(jìn)入工作狀態(tài)，將內(nèi)存里的識(shí)別號(hào)和其它數(shù)據(jù)信息調(diào)制在射頻信號(hào)上發(fā)射出去；電子標(biāo)簽離開天線輻射場(chǎng)區(qū)后，RFID標(biāo)簽芯片恢復(fù)休眠狀態(tài)，不再向外發(fā)射信號(hào)。半有源電子標(biāo)簽可以有很長(zhǎng)的使用壽命，也不會(huì)造成電磁污染，同時(shí)受使用環(huán)境影響很??；但是，半有源電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)比有源電子標(biāo)簽更加復(fù)雜，成本也更高。目前，很多應(yīng)用場(chǎng)景要求同時(shí)使用無源電子標(biāo)簽、有源電子標(biāo)簽及半有源電子標(biāo)簽；例如，保密物品管理系統(tǒng)要求在紙質(zhì)文件、移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、手機(jī)、照相機(jī)等保密物品上粘貼電子標(biāo)簽；紙質(zhì)文件上使用無源電子標(biāo)簽、輕薄便攜；移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、手機(jī)和照相機(jī)內(nèi)包含大量金屬件，需要使用半有源電子標(biāo)簽提高讀取性能；但是，市場(chǎng)上的RFID標(biāo)簽芯片均只支持一種激勵(lì)方式，不同激勵(lì)方式的RFID標(biāo)簽芯片采用的空中接口協(xié)議不同，需要配合各自的閱讀器使用；因此，如果采用市場(chǎng)上現(xiàn)有的RFID標(biāo)簽芯片產(chǎn)品，就必須分別為紙質(zhì)文件和其它物品配置兩套R(shí)FID系統(tǒng)，它們使用各自的空中接口協(xié)議，各自的閱讀器，才能將獲得的數(shù)據(jù)最后匯總給后臺(tái)處理，增加了系統(tǒng)的復(fù)雜度。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種RFID標(biāo)簽芯片，其可以實(shí)現(xiàn)多種激勵(lì)方式，滿足了同時(shí)需要無源電子標(biāo)簽、有源電子標(biāo)簽或半有源電子標(biāo)簽的應(yīng)用場(chǎng)景的要求。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的—種RFID標(biāo)簽芯片，包括激勵(lì)方式設(shè)置單元和收發(fā)機(jī)單元，所述激勵(lì)方式設(shè)置單元用于將所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為無源方式、有源方式、半有源方式或觸發(fā)方式；所述收發(fā)機(jī)單元與激勵(lì)方式設(shè)置單元連接，用于根據(jù)選擇的激勵(lì)方式，靈活選擇連接天線、外接電池或觸發(fā)線圈，并通過變換與所述芯片連接的天線的負(fù)載阻抗或Q值，將所述芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器。特別的，所述收發(fā)機(jī)單元包括低頻整流單元、超高頻整流單元、電池控制單元及邏輯單元；所述低頻整流或超高頻整流單元用以將天線獲得的交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為直流電壓給所述芯片供電；所述電池控制單元用于配合所述激勵(lì)方式設(shè)置單元，控制所述芯片工作在無源方式、有源方式、半有源方式或觸發(fā)方式；所述邏輯單元與所述電池控制單元連接，用于變換與所述芯片連接的天線的負(fù)載阻抗或Q值，將其存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器。特別的，所述收發(fā)機(jī)單元還包括振蕩器單元、并聯(lián)穩(wěn)壓器單元及脈沖產(chǎn)生單元； 所述振蕩器單元用于產(chǎn)生邏輯單元的工作時(shí)鐘信號(hào)，從而決定發(fā)送的數(shù)據(jù)傳輸率；所述并聯(lián)穩(wěn)壓器用維持經(jīng)低頻整流或超高頻整流單元轉(zhuǎn)化的直流電壓處于穩(wěn)定狀態(tài)；所述脈沖產(chǎn)生單元用于生成發(fā)射的載波信號(hào)。特別的，所述激勵(lì)方式設(shè)置單元包含若干個(gè)焊盤，分別為輻射天線引腳、耦合天線引腳、電源負(fù)極引腳、外接電池引腳及兩個(gè)觸發(fā)線圈引腳。特別的，當(dāng)所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為無源方式時(shí)，將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得無源電子標(biāo)簽。特別的，當(dāng)所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為有源方式時(shí)，將外接電池的正極連接所述外接電池引腳，將外接電池的負(fù)極通過所述天線的一端連接電源負(fù)極引腳，并將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得有源電子標(biāo)簽。特別的，所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為半有源方式時(shí)，將所述兩個(gè)觸發(fā)線圈引腳分別連接觸發(fā)線圈的兩端，將外接電池的正極連接所述外接電池引腳，外接電池的負(fù)極通過所述天線的一端連接電源負(fù)極引腳，并將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得普通型半有源電子標(biāo)簽；所述普通型半有源電子標(biāo)簽中的芯片平時(shí)處于休眠狀態(tài)，一旦所述觸發(fā)線圈檢測(cè)到足夠強(qiáng)度的電壓， 則芯片切換為工作狀態(tài)，邏輯單元通過變換天線的負(fù)載阻抗或Q值將存儲(chǔ)器里的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；當(dāng)觸發(fā)線圈檢測(cè)到的電壓強(qiáng)度一段時(shí)間內(nèi)一直達(dá)不到將芯片激發(fā)為工作狀態(tài)的電壓時(shí)，芯片恢復(fù)休眠狀態(tài)；休眠狀態(tài)下芯片的耗電量遠(yuǎn)小于工作狀態(tài)下芯片的耗電量。特別的，所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為觸發(fā)方式時(shí)，將所述兩個(gè)觸發(fā)線圈引腳分別連接觸發(fā)線圈的兩端，將外接電池的正極連接所述外接電池引腳，外接電池的負(fù)極通過所述天線的一端連接電源負(fù)極引腳，并將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得觸發(fā)型半有源電子標(biāo)簽；所述觸發(fā)型半有源電子標(biāo)簽中的芯片平時(shí)處于休眠狀態(tài)，一旦從觸發(fā)線圈檢測(cè)到足夠強(qiáng)度的電壓，則芯片切換成工作狀態(tài)，所述邏輯單元通過變換天線的負(fù)載阻抗或Q值將存儲(chǔ)器里的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；所述芯片保持工作狀態(tài)一段時(shí)間后，芯片自動(dòng)恢復(fù)為休眠狀態(tài)。本發(fā)明的有益效果，所述RFID標(biāo)簽芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)了多種激勵(lì)方式，分別為無源方式、有源方式、半有源方式和觸發(fā)方式；設(shè)置為無源激勵(lì)方式的芯片與天線一起組成無源電子標(biāo)簽；設(shè)置為有源激勵(lì)方式的芯片與天線和電池一起組成有源電子標(biāo)簽；設(shè)置為半有源和觸發(fā)激勵(lì)方式的芯片與天線和電池一起組成半有源電子標(biāo)簽。由此，本發(fā)明的多激勵(lì)方式RFID標(biāo)簽芯片能夠適用于目前世界上幾乎所有的RFID應(yīng)用，其市場(chǎng)前景相當(dāng)巨大；同時(shí)低廉的芯片量產(chǎn)成本將大大降低目前有源和半有源電子標(biāo)簽的售價(jià)，推動(dòng)RFID技術(shù)向著更高性能、更低成本發(fā)展；此外，所述RFID標(biāo)簽芯為無源、半有源、和有源RFID技術(shù)提供一個(gè)公共的空中接口平臺(tái)，為需要無源電子標(biāo)簽、有源電子標(biāo)簽或半有源電子標(biāo)簽共存的應(yīng)用場(chǎng)景提供了最簡(jiǎn)單的解決方案。


下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1為本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片的焊盤的示意圖；圖3為用本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片制作的無源電子標(biāo)簽的示意圖；圖4為用本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片制作的有源電子標(biāo)簽的示意圖；圖5為用本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片制作的半有源電子標(biāo)簽的示意圖；圖中1、輻射天線引腳；2、耦合天線引腳；3、電源負(fù)極引腳；4、外接電池引腳；5、 電源正極引腳；6、第一觸發(fā)線圈引腳；7、第二觸發(fā)線圈引腳；8、天線；9、外接電池；10、觸發(fā)線圈；11、電源控制單元；12、邏輯單元；13、存儲(chǔ)器；14、超高頻整流單元；15、低頻整流單元；16、脈沖產(chǎn)生單元；17、振蕩器；18、并聯(lián)穩(wěn)壓器；19、復(fù)位器；20、NMOS管；21、NMOS管； 22、儲(chǔ)能電容。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2所示，圖1為本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片的結(jié)構(gòu)框圖；圖2為本發(fā)明 RFID標(biāo)簽芯片的焊盤的示意圖。本實(shí)施例中，一種RFID標(biāo)簽芯片，包括激勵(lì)方式設(shè)置單元和收發(fā)機(jī)單元；所述激勵(lì)方式設(shè)置單元包含七個(gè)焊盤，分別為輻射天線引腳1、耦合天線引腳2、電源負(fù)極引腳3、 外接電池引腳4、電源正極引腳5、第一觸發(fā)線圈引腳6及第二觸發(fā)線圈引腳7 ；所述收發(fā)機(jī)單元包括電源控制單元11、邏輯單元12、存儲(chǔ)器13、超高頻整流單元14、低頻整流單元15、脈沖產(chǎn)生單元16、振蕩器單元、并聯(lián)穩(wěn)壓器單元、復(fù)位器19、NMOS管20、NMOS管21、儲(chǔ)能電容22 ；所述振蕩器單元為振蕩器17，所述并聯(lián)穩(wěn)壓器單元為并聯(lián)穩(wěn)壓器18 ；所述NMOS 管20即匪OS晶體管，NMOS的全稱為N-Mental-0xide4emiconductor，意思為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。如圖3所示，圖3為用本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片制作的無源電子標(biāo)簽的示意圖。當(dāng)所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為無源方式時(shí)，將所述輻射天線引腳1或耦合天線引腳2與天線8 的一端連接，所述電源負(fù)極引腳3與天線8的另一端連接，在所述電源控制單元11的配合下，獲得無源電子標(biāo)簽。所述超高頻整流單元14或低頻整流單元15將天線8獲得的交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為直流電壓給所述芯片供電；所述并聯(lián)穩(wěn)壓器18用維持經(jīng)超高頻整流單元14或低頻整流單元15轉(zhuǎn)化的直流電壓處于穩(wěn)定狀態(tài)；所述振蕩器17產(chǎn)生邏輯單元12的工作時(shí)鐘信號(hào)，決定發(fā)送的數(shù)據(jù)傳輸率；所述脈沖產(chǎn)生單元16生成發(fā)射的載波信號(hào)，所述邏輯單元12變換與所述芯片連接的天線8的負(fù)載阻抗或Q值，將其存儲(chǔ)器13內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到脈沖產(chǎn)生單元16生成的載波上發(fā)射給閱讀器；其中，所述Q值是衡量電感器件的主要參數(shù)，是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。如圖4所示，圖4為用本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片制作的有源電子標(biāo)簽的示意圖。當(dāng)所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為有源方式時(shí)，將外接電池9的正極連接所述外接電池引腳4，將外接電池9的負(fù)極通過所述天線8的一端連接電源負(fù)極引腳3，并將所述輻射天線引腳1或耦合天線引腳2與天線8的一端連接，所述電源負(fù)極引腳3與天線8的另一端連接，即獲得有源電子標(biāo)簽；所述有源電子標(biāo)簽中的芯片一直保持在工作狀態(tài)；所述振蕩器17產(chǎn)生邏輯單元12的工作時(shí)鐘信號(hào)，決定發(fā)送的數(shù)據(jù)傳輸率；所述脈沖產(chǎn)生單元16 生成發(fā)射的載波信號(hào)，所述邏輯單元12變換與所述芯片連接的天線8的負(fù)載阻抗或Q值， 將其存儲(chǔ)器13內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到脈沖產(chǎn)生單元16生成的載波上發(fā)射給閱讀器。如圖5所示，圖5為用本發(fā)明RFID標(biāo)簽芯片制作的半有源電子標(biāo)簽的示意圖；所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為半有源方式時(shí)，將所述第一觸發(fā)線圈引腳6及第二觸發(fā)線圈引腳 7分別連接觸發(fā)線圈10的兩端，將外接電池9的正極連接所述外接電池引腳4，外接電池9 的負(fù)極通過所述天線8的一端連接電源負(fù)極引腳3，并將所述輻射天線引腳1或耦合天線引腳2與天線8的一端連接，所述電源負(fù)極引腳3與天線8的另一端連接，即獲得普通型半有源電子標(biāo)簽；所述普通型半有源電子標(biāo)簽中的芯片平時(shí)處于休眠狀態(tài)，一旦所述觸發(fā)線圈 10檢測(cè)到足夠強(qiáng)度的電壓，即當(dāng)所述芯片進(jìn)入工作區(qū)域時(shí)，則芯片切換為工作狀態(tài)，所述振蕩器17產(chǎn)生邏輯單元12的工作時(shí)鐘信號(hào)，決定發(fā)送的數(shù)據(jù)傳輸率；所述脈沖產(chǎn)生單元16 生成發(fā)射的載波信號(hào)，所述邏輯單元12變換與所述芯片連接的天線8的負(fù)載阻抗或Q值， 將其存儲(chǔ)器13內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到脈沖產(chǎn)生單元16生成的載波上發(fā)射給閱讀器；當(dāng)觸發(fā)線圈 10檢測(cè)到的電壓強(qiáng)度一段時(shí)間內(nèi)一直達(dá)不到將芯片激發(fā)為工作狀態(tài)的電壓時(shí)，即當(dāng)所述芯片離開工作區(qū)域時(shí)，芯片恢復(fù)休眠狀態(tài)；休眠狀態(tài)下芯片的耗電量遠(yuǎn)小于工作狀態(tài)下芯片的耗電量。所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為觸發(fā)方式時(shí)，將所述第一觸發(fā)線圈引腳6及第二觸發(fā)線圈引腳7分別連接觸發(fā)線圈10的兩端，將外接電池9的正極連接所述外接電池引腳4，外接電池9的負(fù)極通過所述天線8的一端連接電源負(fù)極引腳3，并將所述輻射天線引腳1或耦合天線引腳2與天線8的一端連接，所述電源負(fù)極引腳3與天線8的另一端連接，即獲得觸發(fā)型半有源電子標(biāo)簽；所述觸發(fā)型半有源電子標(biāo)簽中的芯片平時(shí)處于休眠狀態(tài)，一旦從觸發(fā)線圈10檢測(cè)到足夠強(qiáng)度的電壓，則芯片切換成工作狀態(tài)，所述邏輯單元12通過變換天線 8的負(fù)載阻抗或Q值將存儲(chǔ)器13里的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；所述芯片保持工作狀態(tài)一段時(shí)間后，芯片自動(dòng)恢復(fù)為休眠狀態(tài)。所述RFID標(biāo)簽芯片通過設(shè)置的七個(gè)焊盤及電源控制單元11，將所述芯片的激勵(lì)方式根據(jù)需要設(shè)置為無源方式、有源方式、半有源方式或觸發(fā)方式；邏輯單元12通過變換與所述芯片連接的天線8的負(fù)載阻抗或Q值，將存儲(chǔ)器13的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；所述的激勵(lì)方式為無源方式、有源方式、半有源方式的芯片與對(duì)應(yīng)的天線8、外接電池9 及觸發(fā)線圈10分別構(gòu)成無源電子標(biāo)簽、有源電子標(biāo)簽及半有源電子標(biāo)簽，為需要無源電子標(biāo)簽、有源電子標(biāo)簽及半有源電子標(biāo)簽共存的應(yīng)用場(chǎng)景提供了解決方案。上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，包括激勵(lì)方式設(shè)置單元和收發(fā)機(jī)單元，所述激勵(lì)方式設(shè)置單元用于將所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為無源方式、有源方式、半有源方式或觸發(fā)方式；所述收發(fā)機(jī)單元與激勵(lì)方式設(shè)置單元連接，用于根據(jù)選擇的激勵(lì)方式，靈活選擇連接天線、外接電池或觸發(fā)線圈，并通過變換與所述芯片連接的天線的負(fù)載阻抗或Q值，將所述芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，所述收發(fā)機(jī)單元包括低頻整流單元、超高頻整流單元、電池控制單元及邏輯單元；所述低頻整流或超高頻整流單元用以將天線獲得的交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為直流電壓給所述芯片供電；所述電池控制單元用于配合所述激勵(lì)方式設(shè)置單元，控制所述芯片工作在無源方式、有源方式、半有源方式或觸發(fā)方式； 所述邏輯單元與所述電池控制單元連接，用于變換與所述芯片連接的天線的負(fù)載阻抗或Q 值，將其存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，所述收發(fā)機(jī)單元還包括振蕩器單元、并聯(lián)穩(wěn)壓器單元及脈沖產(chǎn)生單元；所述振蕩器單元用于產(chǎn)生邏輯單元的工作時(shí)鐘信號(hào)，從而決定發(fā)送的數(shù)據(jù)傳輸率；所述并聯(lián)穩(wěn)壓器用維持經(jīng)低頻整流或超高頻整流單元轉(zhuǎn)化的直流電壓處于穩(wěn)定狀態(tài)；所述脈沖產(chǎn)生單元用于生成發(fā)射的載波信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，所述激勵(lì)方式設(shè)置單元包含若干個(gè)焊盤，分別為輻射天線引腳、耦合天線引腳、電源負(fù)極引腳、外接電池引腳及兩個(gè)觸發(fā)線圈引腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，當(dāng)所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為無源方式時(shí)，將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得無源電子標(biāo)簽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，當(dāng)所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為有源方式時(shí)，將外接電池的正極連接所述外接電池引腳，將外接電池的負(fù)極通過所述天線的一端連接電源負(fù)極引腳，并將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得有源電子標(biāo)簽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為半有源方式時(shí)，將所述兩個(gè)觸發(fā)線圈引腳分別連接觸發(fā)線圈的兩端，將外接電池的正極連接所述外接電池引腳，外接電池的負(fù)極通過所述天線的一端連接電源負(fù)極引腳，并將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接， 即獲得普通型半有源電子標(biāo)簽；所述普通型半有源電子標(biāo)簽中的芯片平時(shí)處于休眠狀態(tài)， 一旦所述觸發(fā)線圈檢測(cè)到足夠強(qiáng)度的電壓，則芯片切換為工作狀態(tài)，邏輯單元通過變換天線的負(fù)載阻抗或Q值將存儲(chǔ)器里的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；當(dāng)觸發(fā)線圈檢測(cè)到的電壓強(qiáng)度一段時(shí)間內(nèi)一直達(dá)不到將芯片激發(fā)為工作狀態(tài)的電壓時(shí)，芯片恢復(fù)休眠狀態(tài)；休眠狀態(tài)下芯片的耗電量遠(yuǎn)小于工作狀態(tài)下芯片的耗電量。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的RFID標(biāo)簽芯片，其特征在于，所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為觸發(fā)方式時(shí)，將所述兩個(gè)觸發(fā)線圈引腳分別連接觸發(fā)線圈的兩端，將外接電池的正極連接所述外接電池引腳，外接電池的負(fù)極通過所述天線的一端連接電源負(fù)極引腳，并將所述輻射天線引腳或耦合天線引腳與天線的一端連接，所述電源負(fù)極引腳與天線的另一端連接，即獲得觸發(fā)型半有源電子標(biāo)簽；所述觸發(fā)型半有源電子標(biāo)簽中的芯片平時(shí)處于休眠狀態(tài)，一旦從觸發(fā)線圈檢測(cè)到足夠強(qiáng)度的電壓，則芯片切換成工作狀態(tài)，所述邏輯單元通過變換天線的負(fù)載阻抗或Q值將存儲(chǔ)器里的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；所述芯片保持工作狀態(tài)一段時(shí)間后，芯片自動(dòng)恢復(fù)為休眠狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種RFID標(biāo)簽芯片，應(yīng)用于射頻識(shí)別領(lǐng)域，包括激勵(lì)方式設(shè)置單元和收發(fā)機(jī)單元，所述激勵(lì)方式設(shè)置單元用于將所述芯片的激勵(lì)方式設(shè)置為無源方式、有源方式、半有源方式或觸發(fā)方式；所述收發(fā)機(jī)單元與激勵(lì)方式設(shè)置單元連接，用于根據(jù)選擇的激勵(lì)方式，靈活選擇連接天線、外接電池或觸發(fā)線圈，并通過變換與所述芯片連接的天線的負(fù)載阻抗或Q值，將所述芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)調(diào)制到載波上發(fā)射給閱讀器；降低了有源電子標(biāo)簽和半有源電子標(biāo)簽的制造成本，并且滿足了同時(shí)需要無源電子標(biāo)簽、有源電子標(biāo)簽或半有源電子標(biāo)簽的應(yīng)用場(chǎng)景的要求。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102521642SQ20111040152
公開日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者王新華, 顏力 申請(qǐng)人:王新華, 顏力