專(zhuān)利名稱(chēng)：偽并行總線(xiàn)接口電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于航空電子技術(shù)，涉及一種偽并行總線(xiàn)接ロ電路。
背景技術(shù)：
大容量的NAND FLASH由于其可靠的非易失性、電擦除性、可重復(fù)編程以及低功耗、密度高、體積小等優(yōu)點(diǎn)在航空電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。然而NAND FLASH接ロ時(shí)序非常復(fù)雜，操作繁雜，限制了 NAND FLASH在實(shí)際工作中的應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供ー種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、接線(xiàn)少、時(shí)序操作簡(jiǎn)單的偽并行總線(xiàn)接ロ 電路。本實(shí)用新型技術(shù)方案是一種偽并行總線(xiàn)接ロ電路，其包括處理器、存儲(chǔ)器、譯碼電路、總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、NAND FLASH芯片，所述處理器通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接連接到總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器。另夕卜，所述譯碼電路設(shè)置在處理器與總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器之間，所述存儲(chǔ)器分別通過(guò)控制總線(xiàn)、數(shù)據(jù)總線(xiàn)和地址總線(xiàn)與處理器相連，所述部分總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器直接連接到NANDFLASH芯片I/O管腳，部分總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器直接連接到NAND FLASH的控制信號(hào)管腳。所述處理器和總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器之間還連接有監(jiān)控復(fù)位電路。所述存儲(chǔ)器為用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的FLASH芯片。所述總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器為L(zhǎng)NJ54LVC245芯片。本實(shí)用新型技術(shù)效果是本實(shí)用新型通過(guò)處理器、監(jiān)控復(fù)位電路、邏輯譯碼電路、總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、NAND FLASH存貯器組成偽并行總線(xiàn)接ロ電路，通過(guò)該偽并行總線(xiàn)接ロ電路訪問(wèn)大容量的NAND FLASH存儲(chǔ)器，利用較少的I/O管腳可以控制或訪問(wèn)更大的數(shù)據(jù)空間，簡(jiǎn)化了時(shí)序操作，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，接線(xiàn)少，利于實(shí)現(xiàn)，而且可以對(duì)基于相同架構(gòu)的NAND FLASH芯片進(jìn)行替換或擴(kuò)容，方便產(chǎn)品升級(jí)，具有較大的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

圖I是本實(shí)用新型偽并行總線(xiàn)接ロ電路的原理框圖，其中，I -處理器、2-存儲(chǔ)器、3-譯碼電路、4-監(jiān)控復(fù)位電路、5-總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、6-NANDFLASH芯片。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)ー步說(shuō)明請(qǐng)參閱圖I，其為本實(shí)用新型偽并行總線(xiàn)接ロ電路的原理框圖。所述偽并行總線(xiàn)接ロ電路包括處理器、存儲(chǔ)器、譯碼電路、監(jiān)控復(fù)位電路、總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、NAND FLASH芯片。所述處理器為ー塊32位POWERPC微處理器MPC860，通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接連接到總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器，所述監(jiān)控復(fù)位電路為MAX705芯片，負(fù)責(zé)整個(gè)接ロ電路的電壓監(jiān)控和產(chǎn)生上電復(fù)位信號(hào)，所述譯碼電路為GAL和三八譯碼器，負(fù)責(zé)邏輯編碼產(chǎn)生相應(yīng)器件的控制信號(hào)。所述存儲(chǔ)器為用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的FLASH芯片，分別通過(guò)控制總線(xiàn)、數(shù)據(jù)總線(xiàn)和地址總線(xiàn)與處理器相連。所述總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器為若干LNJ54LVC245芯片，負(fù)責(zé)總線(xiàn)信號(hào)和控制信號(hào)的電平轉(zhuǎn)換和信號(hào)的方向變換。其中，部分總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器(其中的若干LNJ54LVC245芯片)將轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)信號(hào)直接連接到NAND FLASH芯片I/O管腳，部分總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器(其余的LNJ54LVC245芯片)將轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)直接連接到NAND FLASH的控制信號(hào)管腳，構(gòu)成偽并行接ロ對(duì)NAND FLASH進(jìn)行讀寫(xiě)操作。通過(guò)控制信號(hào)管腳和I/O管腳將處理器的數(shù)據(jù)、地址以及控制命令寫(xiě)入NANDFLASH芯片，從而在利用較少的I/O管腳可以控制或訪問(wèn)更大的數(shù)據(jù)空間，簡(jiǎn)化了時(shí)序操作。[0013]本實(shí)用新型偽并行總線(xiàn)接ロ電路實(shí)際工作時(shí)，處理器通過(guò)譯碼電路和總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器選取需要操作的NAND FLASH芯片，監(jiān)控復(fù)位電路對(duì)電路的運(yùn)行狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控。處理器依據(jù)NAND FLASH的操作時(shí)序，通過(guò)總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器在NAND FLASH芯片的I/O管腳內(nèi)寫(xiě)入相應(yīng)的操作命令和操作地址和數(shù)據(jù)，由此完成了通過(guò)偽并行總線(xiàn)接ロ電路對(duì)NAND FLASH的訪問(wèn)。本實(shí)用新型通過(guò)處理器、監(jiān)控復(fù)位電路、邏輯譯碼電路、總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、NAND FLASH存貯器組成偽并行總線(xiàn)接ロ電路,通過(guò)該偽并行總線(xiàn)接ロ電路訪問(wèn)大容量的NAND FLASH存儲(chǔ)器，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、接線(xiàn)少、操作時(shí)序簡(jiǎn)單，利于實(shí)現(xiàn)，而且可以對(duì)基于相同架構(gòu)的NANDFLASH芯片進(jìn)行替換或擴(kuò)容，方便產(chǎn)品升級(jí)。
權(quán)利要求1.一種偽并行總線(xiàn)接ロ電路，其特征在于包括處理器、存儲(chǔ)器、譯碼電路、總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、NAND FLASH芯片，所述處理器通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接連接到總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器，另外，所述譯碼電路設(shè)置在處理器與總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器之間處理控制信號(hào)，所述存儲(chǔ)器分別通過(guò)控制總線(xiàn)、數(shù)據(jù)總線(xiàn)和地址總線(xiàn)與處理器相連，所述部分總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器直接連接到NANDFLASH芯片I/O管腳，部分總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器直接連接到NAND FLASH的控制信號(hào)管腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的偽并行總線(xiàn)接ロ電路，其特征在于所述處理器和總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器之間還連接有監(jiān)控復(fù)位電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偽并行總線(xiàn)接ロ電路，其特征在于所述存儲(chǔ)器為用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的FLASH芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偽并行總線(xiàn)接ロ電路，其特征在于所述總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器為L(zhǎng)NJ54LVC245 芯片。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型屬于航空電子技術(shù)，涉及一種偽并行總線(xiàn)接口電路。所述偽并行總線(xiàn)接口電路包括處理器、存儲(chǔ)器、譯碼電路、總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器、NAND FLASH芯片，所述處理器通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)直接連接到總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器，另外，所述譯碼電路設(shè)置在處理器與總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器之間處理控制信號(hào)，所述存儲(chǔ)器分別通過(guò)控制總線(xiàn)、數(shù)據(jù)總線(xiàn)和地址總線(xiàn)與處理器相連，所述總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器直接連接到NAND FLASH芯片I/O管腳和控制管腳。本實(shí)用新型偽并行總線(xiàn)接口電路利用較少的I/O管腳可以控制或訪問(wèn)更大的數(shù)據(jù)空間，簡(jiǎn)化了時(shí)序操作，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，接線(xiàn)少，利于實(shí)現(xiàn)，而且可以對(duì)基于相同架構(gòu)的NAND FLASH芯片進(jìn)行替換或擴(kuò)容，方便產(chǎn)品升級(jí)。
文檔編號(hào)G06F13/16GK202404579SQ201120541510
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月16日
發(fā)明者周王飛, 邢鵬輝 申請(qǐng)人:陜西千山航空電子有限責(zé)任公司