專利名稱：基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的sd卡及射頻信號(hào)放大裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)庫技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及ー種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡、射頻信號(hào)放大裝置及移動(dòng)終端。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)(Radio Frequency Identification,RFID)是通過磁場(chǎng)或電磁場(chǎng)進(jìn)行能量和數(shù)據(jù)傳輸，利用無線射頻方式達(dá)到非接觸雙向通信功能。由于射頻識(shí)別技術(shù)無需直接接觸，而且操作靈活快捷，因此廣泛應(yīng)用于交通、物流、醫(yī)療、金融等領(lǐng)域。而在智能卡領(lǐng)域，使用接觸式智能卡會(huì)出現(xiàn)接觸點(diǎn)的腐蝕、磨損造成智能卡的使用壽命的降低，而且接觸卡的通訊效率低，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)等缺點(diǎn)，受到使用范圍的限制，因此近年來在RFID技術(shù)的推動(dòng)下，也逐漸在不同應(yīng)用環(huán)境中使用非接觸式智能卡來代替接觸式智能卡。以13.56MHz作為工作頻率的高頻非接觸卡具有安全、方便、數(shù)據(jù)傳輸快等優(yōu)點(diǎn)，逐漸在卡片市場(chǎng)中獨(dú)占鰲頭。 參考圖I所示，為現(xiàn)有技術(shù)中智能卡應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖。在智能卡應(yīng)用環(huán)境下，所示的應(yīng)答器20則為ー張小型的塑料卡片(標(biāo)準(zhǔn)尺寸為85. 72mm*54. 03mm*0. 76mm)，(Integrated Circuit,集成電路板)IC芯片和感應(yīng)天線完全封裝在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的永久虛電路(Permanence Virtual Circuit)PVC卡片內(nèi)，天線無任何外露部分。非接觸智能卡是無源卡，它通過天線獲取讀寫器傳輸?shù)纳漕l能量不僅能夠激勵(lì)非接觸卡為芯片供電，并且還可以通過載波調(diào)制傳輸數(shù)據(jù)。為了實(shí)現(xiàn)雙界面(Subscriber Identity Module,客戶識(shí)別模塊)SIM卡，目前有SMPass方案用于解決SM卡的非接觸應(yīng)用。SMPass非接觸接ロ工作在13. 56MHz頻率下，它采用了 “卡片+天線”的方式。其中卡體部分和一般的SIM卡ー樣安裝在手機(jī)的SIM卡槽內(nèi)，并引出兩個(gè)天線引腳。IC卡則通過該天線引腳連接外置天線，實(shí)現(xiàn)無線傳輸功能。工作在13. 56MHz頻率的非接觸智能卡為了獲取足夠的磁場(chǎng)，一般其天線線圈尺寸較大，完全超出SD卡的尺寸，更不用說MiniSD卡了，若僅是簡(jiǎn)單的縮小天線線圈尺寸將目前非接觸智能卡上的射頻技術(shù)應(yīng)用在SD卡中會(huì)造成非接觸SD卡與讀寫器間的天線線圈互感量不足，無法滿足實(shí)際需要。若采用SMPass方案，由于SD卡一般都是外接在手機(jī)側(cè)面，因此無法實(shí)現(xiàn)象SIMPass 一祥將天線和SM卡都內(nèi)置于手機(jī)內(nèi)，這樣在SD卡上連接一外置天線，不僅造成不美觀，還會(huì)導(dǎo)致用戶難以操作，而且外置天線還容易斷裂，影響使用。而且工作頻率為
13.56MHz的射頻信號(hào)無法穿越金屬材料，若限制具備SD卡插槽的手機(jī)必須為非金屬制品這不大現(xiàn)實(shí)。綜上所述，如何提供一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡，來解決上述問題，以擴(kuò)展射頻技術(shù)在SD卡上的應(yīng)用，同時(shí)也不影響實(shí)際中SD卡對(duì)電流的需求以及無法穿越金屬材料的問題，就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的ー個(gè)技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡，在不減小SD卡尺寸的情況下，還能很好的應(yīng)用無線射頻技術(shù)，并且也不需要接外置天線。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡，所述SD卡支持接觸式和非接觸式SD卡應(yīng)用，包括射頻天線、雙界面智能卡芯片和SD卡芯片，所述SD卡芯片包括接ロ電路、控制模塊和存儲(chǔ)單元，所述接ロ電路與外部設(shè)備相連，所述控制模塊解析所述接ロ電路的命令并對(duì)所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行相應(yīng)的操作；所述射頻天線通過所述雙界面智能卡芯片與所述SD卡芯片的控制模塊連接；其中，在所述射頻天線和雙界面智能卡芯片之間還設(shè)置能夠增強(qiáng)所述射頻天線的射頻信號(hào)的信號(hào)放大電路，射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大電路放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片中，由所述雙界面智能卡芯片對(duì)所述射頻信號(hào)進(jìn)行解碼處理并直接處理解碼后的命令或是將此命令轉(zhuǎn)發(fā)至所述控制模塊；所述SD卡內(nèi)部采用磁場(chǎng)聚集方法，在SD卡內(nèi)部增設(shè)ー層高磁導(dǎo)率的鐵磁性材料，以使更多的磁感應(yīng)線沿著SD卡區(qū)域通過；所述SD卡通過所述射頻天線以無線的方式與外部非接觸式設(shè)備進(jìn)行通訊?？蛇x的，所述信號(hào)放大電路具體為調(diào)諧放大器?？蛇x的，所述高磁導(dǎo)率材料采用鐵、鈷、鎳、各種合金以及鐵氧體?？蛇x的，所述外部設(shè)備為與SD卡沒有接觸的外部接觸式設(shè)備；所述SD卡通過外部設(shè)備的縫隙和外部非接觸設(shè)備通訊，所述高導(dǎo)磁率的材料聚集的磁力線通過所述外部設(shè)備的縫隙穿過所述射頻天線。可選的，所述雙界面智能卡芯片包括射頻接ロ模塊、整流穩(wěn)壓模塊、調(diào)制/解調(diào)器、微處理器和時(shí)鐘復(fù)位模塊?？蛇x的，所述SD卡的射頻天線的工作頻率為13. 56Mhz。 可選的，所述外部設(shè)備為與SD卡沒有接觸的外部非接觸設(shè)備，則由所述SD卡與所述外部設(shè)備的觸點(diǎn)為所述SD卡芯片供電。本發(fā)明還提供了一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的射頻信號(hào)放大裝置，包括射頻天線、能夠增強(qiáng)所述射頻天線的射頻信號(hào)的信號(hào)放大電路和雙界面智能卡芯片;其中，所述射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大電路放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片中，所述雙界面智能卡芯片將所述放大后的信號(hào)進(jìn)行解碼處理并直接處理解碼后的命令或者轉(zhuǎn)發(fā)所述命令至與其相連的芯片；所述信號(hào)放大裝置內(nèi)部采用磁場(chǎng)聚集方法，在信號(hào)放大裝置內(nèi)部增設(shè)ー層高磁導(dǎo)率的鐵磁性材料，以使更多的磁感應(yīng)線沿著信號(hào)放大裝置區(qū)域通過。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種移動(dòng)終端，在所述移動(dòng)終端的SD卡的卡槽內(nèi)用于卡和前述任ー項(xiàng)SD卡。從上述的技術(shù)方案可以看出，在本發(fā)明實(shí)施例中，在無需更改移動(dòng)終端接ロ(例如手機(jī)接ロ)或是SD卡接ロ的情況下，可以將雙界面智能卡芯片應(yīng)用在SD卡中，在不改變SD尺寸的情況下將射頻天線與SD卡結(jié)合成整體，既能使得SD卡具備非接觸功能，而且在使用上和外形上和普通SD卡沒有什么區(qū)別。
本發(fā)明實(shí)施例提出的SD卡支持接觸式和非接觸式應(yīng)用，在非接觸工作方式下，SD卡內(nèi)部電路仍由SD觸點(diǎn)供電，因而SD卡內(nèi)部天線主要負(fù)責(zé)無線傳輸功能。由于SD卡的尺寸較小，無法布置足夠橫截面的天線線圈，因此本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)ー步采用的信號(hào)放大電路的方式可以放大射頻信號(hào)，并通過磁場(chǎng)聚集的方法，如在SD卡內(nèi)部增設(shè)ー層鐵磁性材料層，使得SD卡通過手機(jī)縫隙獲得更多的射頻信號(hào)，增強(qiáng)了射頻信號(hào)。為了增強(qiáng)射頻信號(hào)，還可以在SD卡內(nèi)部增設(shè)ー層高磁導(dǎo)率的鐵磁性材料，以使更多的磁感應(yīng)線沿著SD卡區(qū)域通過，增強(qiáng)SD卡區(qū)域內(nèi)的磁通密度，使射頻天線通過手機(jī)縫隙獲得更多的磁通量，增強(qiáng)射頻信號(hào)。


為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的ー些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中智能卡應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的SD卡的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的SD卡在手機(jī)中應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為增設(shè)了高導(dǎo)磁層的SD卡在手機(jī)中進(jìn)行應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻信號(hào)放大裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。(Secure Digital Memory Card,安全存儲(chǔ)卡)SD卡是一種基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)設(shè)備，具有體積小使用靈活、快速數(shù)據(jù)傳輸、容量大等特點(diǎn)。隨著閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存卡價(jià)格不斷下降且存儲(chǔ)容量不斷提高，SD卡在存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。因此現(xiàn)在的手機(jī)都普遍具有SD擴(kuò)展卡槽。為了在SD卡上實(shí)現(xiàn)非接觸功能，本發(fā)明提出將雙界面智能卡芯片應(yīng)用到SD卡中，并在SD卡內(nèi)置卡片天線，使SD卡能夠在13. 56MHz的工作頻率下進(jìn)行無線通訊。本發(fā)明實(shí)施例具體將SD卡芯片與雙界面智能卡芯片結(jié)合起來，提供一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡，在不增大SD卡尺寸的情況下，還能很好的應(yīng)用無線射頻技木，并且也不需要接外置天線。其中，雙界面指的是接觸式、非接觸式兩種接ロ。參見圖2，示出了本發(fā)明的一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述SD卡20可以同時(shí)支持接觸式和非接觸式SD卡應(yīng)用，所述SD卡20具體可以包括射頻天線202、雙界面智能卡芯片204和SD卡芯片201，所述SD卡芯片201包括接ロ電路2012、控制模塊2011和存儲(chǔ)單元2013，所述接ロ電路2012與外部設(shè)備相連，所述控制模塊2011解析所述接ロ電路的命令并對(duì)所述存儲(chǔ)單元2013執(zhí)行相應(yīng)的操作；所述射頻天線202通過所述雙界面智能卡芯片與所述SD卡芯片的控制模塊通信連接；其中，在所述射頻天線202和雙界面智能卡芯片204之間還設(shè)置能夠增強(qiáng)所述射頻天線202的射頻信號(hào)的信號(hào)放大裝置203，射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大裝置203放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片204中，由所述雙界面智能卡芯片204對(duì)所述射頻信號(hào)進(jìn)行解碼處理并直接處理解碼后的命令或是將此命令轉(zhuǎn)發(fā)至所述控制模塊2011 ;所述SD卡20通過所述射頻天線以無線的方式與外部非接觸式設(shè)備進(jìn)行通訊。在上述SD卡的工作過程中，所述射頻天線與所述外部設(shè)備的線圈互感產(chǎn)生電壓，當(dāng)所述電壓超過一定閾值，激活所述雙界面智能卡芯片，并通過所述SD卡與外部設(shè)備之間的觸點(diǎn)為所述雙界面智能卡芯片供電，其中，外部設(shè)備指的是接ロ電路2012所連接的設(shè)備，例如手機(jī)或是SD卡讀卡器。由于SD卡面積較小，無法布置足夠大的天線，因此通過射頻天線202獲取的信號(hào)強(qiáng)度較小，為了獲得更佳的通訊信號(hào)，可以在雙界面智能卡芯片204和射頻天線202間加入 信號(hào)放大電路203。信號(hào)放大電路203能夠?qū)纳漕l天線202獲取的射頻信號(hào)進(jìn)行放大，射頻信號(hào)在進(jìn)行放大后由雙界面智能卡芯片204進(jìn)行解碼處理。因?yàn)镾D卡是由觸點(diǎn)供電，所以信號(hào)放大裝置203有足夠的能量電壓進(jìn)行工作。其中，所述信號(hào)放大電路具體可以采用調(diào)諧放大器實(shí)現(xiàn)，所述信號(hào)放大裝置采用磁場(chǎng)聚集的方式實(shí)現(xiàn)，例如，在SD卡內(nèi)部可以增設(shè)ー層高磁導(dǎo)率的鐵磁性材料，以聚集更多的產(chǎn)生的磁力線，使更多的磁感應(yīng)線沿著SD卡區(qū)域通過，使射頻天線通過手機(jī)縫隙獲得更多的磁通量，增強(qiáng)射頻信號(hào)。。本發(fā)明實(shí)施例在非接觸的工作方式下也可通過觸點(diǎn)為內(nèi)部芯片供電。因此在磁場(chǎng)強(qiáng)度非常弱的情況下，只要少量的射頻信號(hào)通過SD卡即可使非接SD卡正常工作。其中，所述SD卡的射頻天線的工作頻率可以為13. 56Mhz，工作在13. 56MHz下的非接觸智能卡內(nèi)的射頻天線主要起著兩個(gè)作用，ー是為智能卡芯片進(jìn)行能量供應(yīng)，ニ是是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸功能。在本發(fā)明實(shí)施例中，由于SD卡是直接通過觸點(diǎn)和手機(jī)相連，應(yīng)用本發(fā)明方法的SD卡即使是在非接觸的工作方式下也可通過觸點(diǎn)為內(nèi)部芯片供電。因此SD卡的內(nèi)部電路工作所需要的能量無需從射頻天線202獲取。通過互感，天線202上產(chǎn)生的電壓可用于產(chǎn)生“喚醒”信號(hào)，當(dāng)線圈上的電壓超過某ー預(yù)定值時(shí)，即可激活雙界面智能卡芯片204，通過SD卡觸點(diǎn)開始對(duì)雙界面智能卡芯片204進(jìn)行供電，SD卡的射頻模塊進(jìn)入工作狀態(tài)。射頻天線202只作為SD卡內(nèi)部射頻模塊的觸發(fā)信號(hào)，無需考慮饋電功能，因此射頻天線202的主要功能是為SD卡和外接非接觸射頻提供無線通訊功能，接收、發(fā)送射頻信號(hào)。其中，雙界面智能卡芯片204內(nèi)部可以由射頻接ロ模塊、整流穩(wěn)壓模塊、調(diào)制/解調(diào)器、微處理器、時(shí)鐘復(fù)位単元等射頻處理模塊及接觸式芯片控制模塊。雙界面智能卡芯片61能夠?qū)μ炀€62接收到的射頻信號(hào)進(jìn)行解碼、處理、加載調(diào)制，通過射頻接ロ結(jié)合芯片外部天線62能夠以無線的方式與外部非接觸式設(shè)備進(jìn)行通訊，支持各類非接觸式應(yīng)用。參考圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的SD卡在手機(jī)中應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖。手機(jī)30的SD卡槽32 —般位于手機(jī)側(cè)面，用戶將SD卡31插入SD卡插槽32中即可擴(kuò)展手機(jī)的存儲(chǔ)空間。SD卡上的射頻天線線圈外形很小，而且SD卡一般插在手機(jī)的插槽中，因此SD卡與讀寫器(這里的讀寫器指的是手機(jī)，此時(shí)手機(jī)作為讀寫器，SD卡作為應(yīng)答器)間的天線線圈互感量較小，需要將磁場(chǎng)聚集到SD卡上。
由于磁性天線具有方向性，能夠在某一方向上聚集磁場(chǎng)量，因此可以通過在SD卡生產(chǎn)時(shí)中在SD卡內(nèi)部電路板增設(shè)ー層具有高導(dǎo)磁率的鐵磁性材料以增大互感量，從而補(bǔ)償線圈橫截面減小的問題。參考圖4所示，為增設(shè)了高導(dǎo)磁層的SD卡在手機(jī)中進(jìn)行應(yīng)用的結(jié)構(gòu)示意圖。可以從圖4中看出，磁場(chǎng)42的部分磁力線從手機(jī)上SD卡槽32的隙縫中穿透到SD卡31，為了讓SD卡31的天線能夠獲得磁通量，SD卡上的天線不在ー個(gè)平面上，它是將天線以螺管形狀繞制在SD卡的鐵磁性層外，這樣SD卡上的天線橫截面垂直于磁場(chǎng)42，加上天線線圈內(nèi)的鐵磁性層，使SD卡從手機(jī)的卡槽縫隙中獲得更多的磁力線，可以增大互感量。此時(shí)SD卡上的天線可看作圖4右下角的內(nèi)置磁芯的磁性天線了，磁性天線具有方向性，當(dāng)磁芯的軸線和交變磁力線平行時(shí)收到的信號(hào)最強(qiáng)。其中，所述接ロ電路2012所連接的外部設(shè)備為與SD卡沒有接觸的外部非接觸設(shè)備，則由所述SD卡與所述外部設(shè)備的觸點(diǎn)為所述SD卡芯片供電，所述SD卡通過外部設(shè)備的縫隙和外部非接觸設(shè)備通訊，所述鐵磁性材料產(chǎn)生的磁力線通過所述外部設(shè)備的縫隙穿過所述射頻天線。 需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例可以應(yīng)用在SD卡、MiniSD卡、MMC卡等存儲(chǔ)卡或是其他需要増加非接觸功能的存儲(chǔ)設(shè)備及其他設(shè)備等。因此，參見圖5，示出了一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的射頻信號(hào)放大裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，所述信號(hào)放大裝置50可以包括射頻天線202、能夠增強(qiáng)所述射頻天線的射頻信號(hào)的信號(hào)放大電路203和雙界面智能卡芯片204，所述雙界面智能卡芯片則與所述信號(hào)放大裝置外接的芯片相連；其中，所述射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大電路放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片中，所述雙界面智能卡芯片將所述放大后的信號(hào)進(jìn)行解碼處理并直接處理解碼后的命令或是將此命令轉(zhuǎn)發(fā)至與其相連的芯片。具體的，所述50連接的存儲(chǔ)卡芯片可以不同，例如可以是MiniSD卡或者M(jìn)MC卡
坐寸o同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種移動(dòng)終端，可以在所述移動(dòng)終端的SD卡的卡槽內(nèi)卡和前述實(shí)施例所公開的SD卡。本發(fā)明實(shí)施例公開的SD卡、信號(hào)放大裝置以及移動(dòng)終端，可以不需要重新部署目前的移動(dòng)終端，降低了使用成本，也不會(huì)限制應(yīng)用的推廣。需要說明的是，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。
在沒有更多限制的情況下，由語句“包括ー個(gè)......”限定的要素，并不排除在包括所述要
素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。以上所述僅是本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡，其特征在于，所述SD卡支持接觸式和非接觸式SD卡應(yīng)用，包括 射頻天線、雙界面智能卡芯片和SD卡芯片，所述SD卡芯片包括接口電路、控制模塊和存儲(chǔ)單元，所述接口電路與外部設(shè)備相連，所述控制模塊解析所述接口電路的命令并對(duì)所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行相應(yīng)的操作；所述射頻天線通過所述雙界面智能卡芯片與所述SD卡芯片的控制模塊連接；其中， 在所述射頻天線和雙界面智能卡芯片之間還設(shè)置能夠增強(qiáng)所述射頻天線的射頻信號(hào)的信號(hào)放大電路，射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大電路放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片中，由所述雙界面智能卡芯片對(duì)所述射頻信號(hào)進(jìn)行解碼處理并直接處理解碼后的命令或是將此命令轉(zhuǎn)發(fā)至所述控制模塊； 所述SD卡內(nèi)部采用磁場(chǎng)聚集方法，在SD卡內(nèi)部增設(shè)一層高磁導(dǎo)率的鐵磁性材料，以使更多的磁感應(yīng)線沿著SD卡區(qū)域通過； 所述SD卡通過所述射頻天線以無線的方式與外部非接觸式設(shè)備進(jìn)行通訊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的SD卡，其特征在于，所述信號(hào)放大電路具體為調(diào)諧放大器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的SD卡，其特征在于，所述高磁導(dǎo)率材料采用鐵、鈷、鎳、各種合金以及鐵氧體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SD卡，其特征在于，所述外部設(shè)備為與SD卡沒有接觸的外部接觸式設(shè)備；所述SD卡通過外部設(shè)備的縫隙和外部非接觸設(shè)備通訊，所述高導(dǎo)磁率的材料聚集的磁力線通過所述外部設(shè)備的縫隙穿過所述射頻天線。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的SD卡，其特征在于，所述雙界面智能卡芯片包括射頻接口模塊、整流穩(wěn)壓模塊、調(diào)制/解調(diào)器、微處理器和時(shí)鐘復(fù)位模塊。
6.根據(jù)權(quán)要求I所述的SD卡，其特征在于，所述SD卡的射頻天線的工作頻率為13.56Mhz。
7.根據(jù)權(quán)要求I所述的SD卡，其特征在于，所述外部設(shè)備為與SD卡沒有接觸的外部非接觸設(shè)備，則由所述SD卡與所述外部設(shè)備的觸點(diǎn)為所述SD卡芯片供電。
8.一種基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的射頻信號(hào)放大裝置，其特征在于，包括 射頻天線、能夠增強(qiáng)所述射頻天線的射頻信號(hào)的信號(hào)放大電路和雙界面智能卡芯片； 其中，所述射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大電路放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片中，所述雙界面智能卡芯片將所述放大后的信號(hào)進(jìn)行解碼處理并直接處理解碼后的命令或者轉(zhuǎn)發(fā)所述命令至與其相連的芯片； 所述信號(hào)放大裝置內(nèi)部采用磁場(chǎng)聚集方法，在信號(hào)放大裝置內(nèi)部增設(shè)一層高磁導(dǎo)率的鐵磁性材料，以使更多的磁感應(yīng)線沿著信號(hào)放大裝置區(qū)域通過。
9.一種移動(dòng)終端，其特征在于，在所述移動(dòng)終端的SD卡的卡槽內(nèi)用于卡和前述權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的SD卡。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了基于雙界面智能卡芯片實(shí)現(xiàn)的SD卡及射頻信號(hào)放大裝置，該SD卡支持接觸式和非接觸式SD卡應(yīng)用，包括射頻天線、雙界面智能卡芯片和SD卡芯片，其中，在所述射頻天線和雙界面智能卡芯片之間還設(shè)置能夠增強(qiáng)所述射頻天線的射頻信號(hào)的信號(hào)放大電路，射頻天線感應(yīng)的射頻信號(hào)經(jīng)所述信號(hào)放大電路放大后傳輸至所述雙界面智能卡芯片中，為了增強(qiáng)射頻信號(hào)，還可以在SD卡內(nèi)部增設(shè)一層鐵磁性材料，增強(qiáng)SD卡區(qū)域內(nèi)的磁通密度。本發(fā)明實(shí)施例可以將雙界面智能卡芯片應(yīng)用在SD卡中，在不改變SD尺寸的情況下將射頻天線與SD卡結(jié)合成整體，既使SD卡具備非接觸功能，而且在使用和外形上和普通SD卡沒有什么區(qū)別。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102663475SQ201210049040
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者孫敏, 郭偉 申請(qǐng)人:東信和平智能卡股份有限公司