專利名稱：一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)計一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路制造技術(shù)的不斷進步，芯片集成度的不斷提高，后道互連(back-endinterconnect)普遍采用 立體化和多層化布線。同時，銅互連線因其較低的電阻率和更好的抗遷移性，比鋁線更有利于提高器件密度，提高時鐘頻率以及降低功耗和成本，因而成為集成電路制造的主流互連技術(shù)。大馬士革(Damascene)工藝作為實現(xiàn)多層銅金屬互連的必要技術(shù)，包括絕緣介質(zhì)層淀積；連線槽和通孔刻蝕；防擴散金屬層以及銅籽晶層的淀積；銅的電鍛(Electrochemical Plating, ECP)工藝；銅的化學(xué)機械拋光(Chemical MechanicalPolishing, CMP)等一系列工藝過程。其中CMP作為唯一能實現(xiàn)芯片表面全局平坦化的工藝，是實現(xiàn)銅互連的關(guān)鍵技術(shù)。但是化學(xué)機械拋光后(Post-CMP)的表面形貌、銅連線和絕緣介質(zhì)層的厚度存在與版形非常相關(guān)的變化(variation)。如圖I所示Post-CMP后，一些區(qū)域，如寬線或圖形密集區(qū)(high density area)，形成的碟形凹陷(碟形凹陷)和侵蝕(侵蝕)現(xiàn)象，是影響Post-CMP的平坦性的嚴重缺陷。ECP后的表面形貌、CMP的研磨特性、芯片表面材質(zhì)等諸多因素都會影響Post-CMP的形貌。其中ECP形貌和CMP研磨特性都直接受金屬線的面積密度、線寬、間距等圖形特性影響，導(dǎo)致Post-CMP的碟形凹陷和侵蝕均顯示很強的圖形相關(guān)性。因為碟形凹陷和侵蝕缺陷，互連線橫截面積會減少，電阻值增大。研究表明，在不同間距和線寬情況下，碟形凹陷對互連線電阻的影響在28. 7%到31. 7%之間，而且隨著線寬增加對電阻的影響也變大。此外，如圖2所示，后層金屬(如圖中所示的金屬2)的post-CMP形貌會因前層金屬層(如圖中所示的金屬I)的碟形凹陷和侵蝕而變得更加不平坦，形成所謂疊層效應(yīng)。這種效應(yīng)會隨著金屬層數(shù)增加而更加惡化，造成工藝和集成上難以克服的困難，并影響產(chǎn)品的良率和可靠性。現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)展使得可制造性設(shè)計技術(shù)(Design For Manufacturability, DFM)稱為近年來提出的一種針對提高芯片生產(chǎn)良率的先進設(shè)計技術(shù)，并已經(jīng)被多款自動化設(shè)計軟件所支持。該技術(shù)通過將制造工藝中可能出現(xiàn)的各種效應(yīng)和可變性問題提前反饋給設(shè)計者，設(shè)計者在設(shè)計早期預(yù)估到工藝可能對電路產(chǎn)生的影響，并以此對版圖設(shè)計進行優(yōu)化修改，最終使芯片的生產(chǎn)良率滿足預(yù)計要求。針對上文提到的銅的化學(xué)機械拋光技術(shù)(Cu-CMP)的工藝缺陷，目前業(yè)界采用的DFM優(yōu)化方法通常是在布線設(shè)計時在圖形空白區(qū)域填入冗余金屬圖形(dummy pattern),來調(diào)節(jié)版圖的金屬密度(pattern density),使其在各區(qū)域盡量一致，以此改善Cu-CMP后金屬表面的平坦性?，F(xiàn)有的用于冗余金屬圖形填充的方法大概可以歸納為兩類基于規(guī)則的填充方法(rule-based dummy metal fill)和基于模型的填充方法(model-based dummymetal fill)?；谝?guī)則的冗余金屬填充方法將版圖分為一個個特定尺寸的獨立窗口，對密度太小的窗口填充冗余金屬，并規(guī)定每一個窗口內(nèi)的金屬密度必須在規(guī)定的范圍內(nèi)。這樣最終在版圖空白區(qū)域重復(fù)填充預(yù)先設(shè)計的固定的冗余金屬圖形，使得每個窗口和整體的金屬密度達到設(shè)計規(guī)則的要求。這種填充方法的優(yōu)點是方法簡單、運行時間短及容易實施，版圖設(shè)計者只需要遵守一些很簡單的規(guī)則；該方法的缺點是雖然提高了整體金屬密度，卻忽略一些重要的關(guān)鍵因素，如線寬對化學(xué)積雪拋光后平坦性的影響等，因而不能準確控制層間介質(zhì)和金屬的厚度變化。而且這種填充方法的目標是通過最大化金屬密度來提高整體金屬密度的均勻性，完全沒有考慮大量的冗余金屬圖形會增加后道金屬互連的耦合電容，帶來信號遲延以及功耗增加等問題。基于模型的冗余金屬填充方法通過建立Cu-CMP后的表面形貌模型來設(shè)計冗余金屬填充的解決方案。這種方法不僅要考慮提高整體有效密度均勻性，還要考慮到金屬尺寸和密度對化學(xué)機械拋光后表面形貌的影響，同時，還可根據(jù)工藝模型的仿真結(jié)果和對產(chǎn)品 的實際影響，采用使版圖內(nèi)最小密度差和最少冗余金屬填入等設(shè)計規(guī)則。最小密度差的方法主要是為了使相鄰窗口間密度差異最小，而最少填充量則是為了使填充窗口內(nèi)的冗余金屬最少，目的是為了減少由冗余金屬圖形引入導(dǎo)致的寄生電學(xué)效應(yīng)。基于模型的冗余金屬填充方法在納米工藝節(jié)點下能取得更好的平坦效果，但是仿真模型參數(shù)的提取、復(fù)雜的填充算法，使其對事件和資源有較高的要求，對設(shè)計周期和成本有不可忽略的負面影響。無論是基于規(guī)則還是基于模型的冗余金屬填充方法，都具有各自的不足之處?，F(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展需要一個快速有效的冗余金屬圖形插入技術(shù)，既能達到較好的平坦化效果，同時要避免使用過于復(fù)雜的算法，保證時間和資源的合理應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
針對目前冗余金屬插入技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法。一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，包括含有圖案化金屬層表面的半導(dǎo)體晶元，所述半導(dǎo)體晶元包括信號線，所述信號線主要由圖案化金屬層形成，其中，包括以下步驟步驟1，將所述半導(dǎo)體晶元表面劃分成互不重疊，面積為A的數(shù)個正方形窗口，每個窗口以Aij表不；步驟2，對所述每個正方形窗口進行邏輯運算，將所述窗口劃分為需要插入冗余金屬圖形的待插入?yún)^(qū)，所述待插入?yún)^(qū)域以^表示，L為I到m的任意數(shù)；和不需要插入冗余金屬圖形的不插入?yún)^(qū)，所述不插入?yún)^(qū)以Bk表示，K為I到η的任意數(shù)，所述不插入?yún)^(qū)的局部圖形密度以Pk表示；步驟3,確定每個正方形窗口所插入的冗余金屬圖形的金屬密度,所述金屬密度以P d,u表示，和每個正方形窗口所插入的冗余金屬圖形的線寬，所述線寬以Wd,u表示；步驟4，按照所述金屬密度和線寬，以及預(yù)先設(shè)定的冗余金屬圖案和擺放方式，確定所述每個窗口插入的冗余金屬圖形；上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，確定所述插入的冗余金屬圖形的金屬密度的步驟包括步驟a，計算每個窗口內(nèi)所有所述不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度，所述平均金屬密度以Pij表示，計算用公式為
K
Σ Pk * Βκ _9] Plj =-
ΣΒκ
I其中P ,j表示所述不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度；ΒΚ表示不同編號的所述不插入?yún)^(qū)；PK表示對應(yīng)不插入?yún)^(qū)的金屬密度； 步驟b，調(diào)整所述每個窗口的所述金屬密度，使之與其相鄰各個窗口的密度差值在預(yù)設(shè)允許密度波動范圍內(nèi)；最終確定每個窗口的金屬密度，所述金屬密度以pt,u表示；步驟C，計算所述每個窗口內(nèi)需要插入的冗余金屬圖形的金屬密度，所述金屬密度以P d,u表示，計算用公式為
K
Pt,^a-Pij-Zb1Pd,U =-E---
ID1
i=l其中P d, 表示最終需要插入的冗余金屬圖形的金屬密度；P t, u表示所述調(diào)整后的金屬密度；P u表示所述不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度；A是所述每個正方形窗口的面積大小辦表示不同編號的所述不插入?yún)^(qū)辦表示不同編號的待插入?yún)^(qū)。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，確定所述插入的冗余金屬圖形線寬的步驟包括步驟a，確定所述每個窗口各金屬線寬度的面積加權(quán)平均值，所述平均值稱為等效線寬，所述等效線寬以Wij表示；步驟b，調(diào)整所述每個窗口的所述等效線寬，使之與其相鄰各個窗口的等效線寬差值在預(yù)設(shè)允許線寬波動范圍內(nèi)；步驟C，將所述步驟b最終確定的等效線寬定義為所述每個窗口內(nèi)需要插入的冗余金屬圖形的線寬，所述線寬以Wd,u表示。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，在插入所述冗余金屬圖形前，先判斷所述每個窗口的所述每個待插入?yún)^(qū)是否與相鄰窗口的所述待插入?yún)^(qū)相連，且相連區(qū)域的所述金屬密度的差值和所述等效線寬的差值是否小于預(yù)設(shè)值；若上述區(qū)域相連且上述差值小于預(yù)設(shè)值，則將所述相連區(qū)域合并，以所述相連區(qū)域的平均金屬密度和平均等效線寬定義該區(qū)域內(nèi)需要插入的所述冗余金屬圖形的金屬密度和線寬。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，所述步驟2中，對所述每個正方形窗口進行邏輯運算時，定義需要插入的冗余金屬圖形到所述信號線的最小距離為禁止距離，所述禁止距離以d表示，若所述空白區(qū)域?qū)挾然蛩鲂盘柧€之間的距離小于禁止距離，則規(guī)定其不能插入冗余金屬圖形。
上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，所述預(yù)設(shè)的冗余金屬圖案為正方形，或長方形，或十字形，或T形或L形，或其他任何幾何圖案。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，所述冗余金屬的擺放方式為均勻填充方式或錯位填充方式，或其他任何冗余金屬圖形擺放方式。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，所述步驟b中，調(diào)整所述每個窗口的所述金屬密度的具體方法為判斷任一相鄰窗口間的密度差值是否超過密度差預(yù)設(shè)值，若超過所述預(yù)設(shè)值，則以其中密度較小的窗口為中心，計算與其相鄰的八個窗口的平均金屬密度，并以此代替所述窗口的密度值，所述密度值以P t, 表示；迭代進行上述判斷過程，直至所有相鄰窗口間的密度差值都小于所述密度差預(yù)設(shè)值。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，所述步驟b中，調(diào)整所述每個窗口的所述等效線寬的具體方法為判斷任一相鄰窗口間的等效線寬差值是否超過線寬差預(yù)設(shè)值，若超過所述預(yù)設(shè)值，則以其中等效線寬較小的窗口為中心，計算與其相鄰的八個窗口的平均等效線寬，并以此代替所述窗口的等效線寬值；迭代進行上述判斷過程，直至所有相鄰窗口間的等效線寬差值都小于所述線寬差預(yù)設(shè)值。上述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中，所述正方形窗口的大小在20um*20um到500um*500um之間；所述冗余金屬到信號線的最小距離d的大小在O. Ium到IOOum之間。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明公開的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，采用合理的金屬密度和線寬，避免了基于規(guī)則的填充方法中填充密度最大化的缺點，并結(jié)合了基于模型的填充方法中考慮線寬和密度對銅的電鍍工藝和化學(xué)機械拋光形貌的影響，可以達到較好的平坦化效果O


圖I所不為化學(xué)機械拋光后表面樣貌的不意圖；圖2所示為化學(xué)機械拋光后表面樣貌疊層效應(yīng)的示意圖；圖3所示為本發(fā)明一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法的流程示意圖；圖4所示為本發(fā)明一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中半導(dǎo)體晶元劃分的不意圖；圖5所示為本發(fā)明一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中窗口劃分的示意具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，包括含有圖案化金屬層表面的半導(dǎo)體晶元，半導(dǎo)體晶元包括信號線，信號線主要由圖案化金屬層形成。如圖3所示為該插入算法的流程描述，其中包括以下步驟
步驟1，將半導(dǎo)體晶元表面劃分成如圖4所示的互不重疊，面積為A的數(shù)個正方形窗口，每個窗口以Aij表不(m*n個Aij)；
步驟2，對每個正方形窗口進行邏輯運算，將窗口劃分為如圖5所示的兩個部分需要插入冗余金屬圖形的待插入?yún)^(qū)，待插入?yún)^(qū)域以^表示，L為I到m的任意數(shù)；和不需要插入冗余金屬圖形的不插入?yún)^(qū)，不插入?yún)^(qū)以Bk表示，K為I到η的任意數(shù)，不插入?yún)^(qū)的局部圖形密度以Pk表示；步驟3，確定每個正方形窗口所插入的冗余金屬圖形的金屬密度，金屬密度以Pd,u表示，和每個正方形窗口所插入的冗余金屬圖形的線寬，線寬以Wd,u表示；步驟4，按照金屬密度和線寬，以及預(yù)先設(shè)定的冗余金屬圖案和擺放方式，確定每個窗口插入的冗余金屬圖形；用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中，確定插入的冗余金屬圖形的金屬密度的
步驟包括步驟a，計算每個窗口內(nèi)所有不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度(Pij),計算用公式為
K
Σ Ρκ *ΒκPlj =-
ΣΒκ
I其中P Jj表不不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度；ΒΚ表不不同編號的不插入?yún)^(qū)；P K表不對應(yīng)不插入?yún)^(qū)的金屬密度；步驟b，調(diào)整每個窗口的所述金屬密度，使之與其相鄰各個窗口的密度差值在預(yù)設(shè)允許密度波動范圍內(nèi)；最終確定每個窗口的金屬密度，金屬密度以Pt,u表示；步驟c,計算每個窗口內(nèi)需要插入的冗余金屬圖形的金屬密度,金屬密度以P d, u表示，計算用公式為
K
Puj ^a-Pij0Zb1Pdlj =-E-
ZD1
i=l其中P d, 表示最終需要插入的冗余金屬圖形的金屬密度；P t, 表示調(diào)整后的金屬密度；P ij表不不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度；A是每個正方形窗口的面積大小！Bi表不不同編號的不插入?yún)^(qū)辦表示不同編號的待插入?yún)^(qū)。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中確定所述插入的冗余金屬圖形線寬的步驟包括步驟a，確定每個窗口各金屬線寬度的面積加權(quán)平均值，平均值稱為等效線寬，等效線寬以Wij表示；步驟b，調(diào)整每個窗口的等效線寬，使之與其相鄰各個窗口的等效線寬差值在預(yù)設(shè)允許線寬波動范圍內(nèi)；步驟C，將步驟b最終確定的等效線寬定義為每個窗口內(nèi)需要插入的冗余金屬圖形的線寬，線寬以Wd,u表示。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其中在插入所述冗余金屬圖形前，先判斷每個窗口的每個待插入?yún)^(qū)是否與相鄰窗口的待插入?yún)^(qū)相連，且相連區(qū)域的金屬密度的差值和等效線寬的差值是否小于預(yù)設(shè)值；若上述區(qū)域相連且上述差值小于預(yù)設(shè)值，則將相連區(qū)域合并，以相連區(qū)域的平均金屬密度和平均等效線寬定義該區(qū)域內(nèi)需要插入的冗余金屬圖形的金屬密度和線寬。這樣可以降低整個半導(dǎo)體晶元內(nèi)冗余金屬圖形插入的復(fù)雜性。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中的步驟2中，對每個正方形窗口進行邏輯運算時，定義需要插入的冗余金屬圖形到信號線的最小距離為禁止距離，禁止距離以d表示，若空白區(qū)域?qū)挾然蛐盘柧€之間的距離小于禁止距離，則規(guī)定其不能插入冗余金屬圖形。

用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中，預(yù)設(shè)的冗余金屬圖案為正方形，或長方形，或十字形，或T形或L形，或其他任何幾何圖案。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中，冗余金屬的擺放方式為均勻填充方式或錯位填充方式，或其他任何冗余金屬圖形擺放方式。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中，確定窗口金屬密度的步驟b中，調(diào)整每個窗口的金屬密度的具體方法為判斷任一相鄰窗口間的密度差值是否超過密度差預(yù)設(shè)值Δ P，若超過Λ P，則以其中密度較小的窗口為中心，計算與其相鄰的八個窗口的平均金屬密度，并以此代替該窗口的密度值，密度值以Ptlij表示；迭代進行上述判斷過程，直至所有相鄰窗口間的密度差值都小于密度差預(yù)設(shè)值。上述迭代計算不得超過特定次數(shù)，以避免不收斂引起的大計算量。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中，確定窗口線寬的步驟b中，調(diào)整每個窗口的等效線寬的具體方法為判斷任一相鄰窗口間的等效線寬差值是否超過線寬差預(yù)設(shè)值A(chǔ)W，若超過Λ W，則以其中等效線寬較小的窗口為中心，計算與其相鄰的八個窗口的平均等效線寬，并以此代替該窗口的等效線寬值；迭代進行上述判斷過程，直至所有相鄰窗口間的等效線寬差值都小于線寬差預(yù)設(shè)值。上述迭代計算不得超過特定次數(shù)，以避免不收斂引起的大計算量。用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法中，正方形窗口的大小在20um*20um到500um*500um之間；冗余金屬到信號線的最小距離d的大小在O. Ium到IOOum之間。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的申請專利范圍，所以凡運用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等效結(jié)構(gòu)變化，均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，包括含有圖案化金屬層表面的半導(dǎo)體晶元，所述半導(dǎo)體晶元包括信號線，所述信號線主要由圖案化金屬層形成，其特征在于，包括以下步驟 步驟1，將所述半導(dǎo)體晶元表面劃分成互不重疊，面積為A的數(shù)個正方形窗口，每個窗口以Aij表示； 步驟2，對所述每個正方形窗口進行邏輯運算，將所述窗口劃分為需要插入冗余金屬圖形的待插入?yún)^(qū)，所述待插入?yún)^(qū)域以^表示，L為I到m的任意數(shù)；和不需要插入冗余金屬圖形的不插入?yún)^(qū)，所述不插入?yún)^(qū)以Bk表示，K為I到η的任意數(shù)，所述不插入?yún)^(qū)的局部圖形密度以P K表不； 步驟3，確定每個正方形窗口所插入的冗余金屬圖形的金屬密度，所述金屬密度以Pd,u表示，和每個正方形窗口所插入的冗余金屬圖形的線寬，所述線寬以Wd,u表示； 步驟4，按照所述金屬密度和線寬，以及預(yù)先設(shè)定的冗余金屬圖案和擺放方式，確定所述每個窗口插入的冗余金屬圖形。
2.如權(quán)利要求I所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，確定所述插入的冗余金屬圖形的金屬密度的步驟包括 步驟a，計算每個窗口內(nèi)所有所述不插入?yún)^(qū)的平均金屬密度，所述平均金屬密度以P ,j表示，計算用公式為
3.如權(quán)利要求I所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，確定所述插入的冗余金屬圖形線寬的步驟包括步驟a，確定所述每個窗口各金屬線寬度的面積加權(quán)平均值，所述平均值稱為等效線寬，所述等效線寬以Wij表示； 步驟b，調(diào)整所述每個窗口的所述等效線寬，使之與其相鄰各個窗口的等效線寬差值在預(yù)設(shè)允許線寬波動范圍內(nèi)； 步驟C，將所述步驟b最終確定的等效線寬定義為所述每個窗口內(nèi)需要插入的冗余金屬圖形的線寬，所述線寬以Wd,u表示。
4.如權(quán)利要求I所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，在插入所述冗余金屬圖形前，先判斷所述每個窗口的所述每個待插入?yún)^(qū)是否與相鄰窗口的所述待插入?yún)^(qū)相連，且相連區(qū)域的所述金屬密度的差值和所述等效線寬的差值是否小于預(yù)設(shè)值；若上述區(qū)域相連且上述差值小于預(yù)設(shè)值，則將所述相連區(qū)域合并，以所述相連區(qū)域的平均金屬密度和平均等效線寬定義該區(qū)域內(nèi)需要插入的所述冗余金屬圖形的金屬密度和線寬。
5.如權(quán)利要求I所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，所述步驟2中，對所述每個正方形窗口進行邏輯運算時，定義需要插入的冗余金屬圖形到所述信號線的最小距離為禁止距離，所述禁止距離以d表示，若所述空白區(qū)域?qū)挾然蛩鲂盘柧€之間的距離小于禁止距離，則規(guī)定其不能插入冗余金屬圖形。
6.如權(quán)利要求I所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的冗余金屬圖案為正方形，或長方形，或十字形，或T形或L形。
7.如權(quán)利要求I所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，所述冗余金屬的擺放方式為均勻填充方式或錯位填充方式。
8.如權(quán)利要求2所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，所述步驟b中，調(diào)整所述每個窗口的所述金屬密度的具體方法為判斷任一相鄰窗口間的密度差值是否超過密度差預(yù)設(shè)值，若超過所述預(yù)設(shè)值，則以其中密度較小的窗口為中心，計算與其相鄰的八個窗口的平均金屬密度，并以此代替所述窗口的密度值，所述密度值以P t, 表示；迭代進行上述判斷過程，直至所有相鄰窗口間的密度差值都小于所述密度差預(yù)設(shè)值。
9.如權(quán)利要求3所述的用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，其特征在于，所述步驟b中，調(diào)整所述每個窗口的所述等效線寬的具體方法為判斷任一相鄰窗口間的等效線寬差值是否超過線寬差預(yù)設(shè)值，若超過所述預(yù)設(shè)值，則以其中等效線寬較小的窗口為中心，計算與其相鄰的八個窗口的平均等效線寬，并以此代替所述窗口的等效線寬值；迭代進行上述判斷過程，直至所有相鄰窗口間的等效線寬差值都小于所述線寬差預(yù)設(shè)值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于銅互連冗余金屬圖形的插入算法，包括將半導(dǎo)體晶元劃分成互不重疊，面積為A的數(shù)個正方形窗口；對每個窗口進行邏輯運算，將窗口劃分為①待插入?yún)^(qū)；②不插入?yún)^(qū)；確定每個窗口所插入的冗余金屬圖形的金屬密度和線寬；按照金屬密度和線寬，以及預(yù)先設(shè)定的冗余金屬圖案和擺放方式，確定窗口內(nèi)插入的冗余金屬圖形。本發(fā)明的有益效果是采用合理的金屬密度和線寬，避免了基于規(guī)則的填充方法中填充密度最大化的缺點，并結(jié)合了基于模型的填充方法中考慮線寬和密度對銅的電鍍工藝和化學(xué)機械拋光后表面形貌的影響，可以達到較好的平坦化效果。
文檔編號G06F17/50GK102663147SQ20121004916
公開日2012年9月12日 申請日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者張旭升, 方精訓(xùn), 范永潔 申請人:上海華力微電子有限公司