專利名稱：3d集成電路自動(dòng)布局中tsv位置的網(wǎng)格優(yōu)化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及3D集成電路的設(shè)計(jì)及制造，更具體地，本發(fā)明涉及用于三維集成電路設(shè)計(jì)中的自動(dòng)布局的方法，屬于電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
集成電路(integrated circuit)是ー種微型電子器件或部件。采用一定的エ藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、ニ極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。在集成電路飛速發(fā)展的今天已經(jīng)可在單個(gè)芯片上集成數(shù)億個(gè)晶體管。更具體的，根據(jù)摩爾定律的描述，先進(jìn)的エ藝水平已經(jīng)達(dá)到納米級(jí)。但是由于2D集成電路結(jié)構(gòu)在平面上的約束，隨著電路朝著更小，更密集且更高效的方向發(fā)展，平面的2D集成電路出現(xiàn)了很多棘手問(wèn)題，如線路過(guò)長(zhǎng)會(huì)帶來(lái)芯片的延遲。然而3D集成電路可以有效的減少線路長(zhǎng)度，提高運(yùn)算速度，降低功耗。3D集成電路是在2D集成電路發(fā)展下產(chǎn)生的一種新興技術(shù)。3D集成電路由多個(gè)2D電路在垂直方向上堆疊而成，且多層芯片之間可以通過(guò)TSV(跨芯片層硅孔)使其單元進(jìn)行層間的互聯(lián)。只要TSV的位置放置的合理，這種基于TSV的3D集成電路技術(shù)可以有效的減少線網(wǎng)長(zhǎng)度。如圖I為ー個(gè)3D集成電路的示意圖，該3D電路由頂層芯片6和底層芯片7堆疊而成。電路中的標(biāo)準(zhǔn)單元8是電路的基本結(jié)構(gòu)。某ー層的3D電路芯片，其性質(zhì)與普通2D芯片類似。標(biāo)準(zhǔn)單元8通過(guò)金屬互聯(lián)線9進(jìn)行互聯(lián)。而3D電路中，標(biāo)準(zhǔn)單元在整個(gè)3D電路中互聯(lián)，標(biāo)準(zhǔn)単元8不光通過(guò)金屬互聯(lián)線9進(jìn)行互聯(lián)，而且利用TSV(硅通孔)進(jìn)行不同
層單元的互聯(lián)。Through silicon via簡(jiǎn)稱TSV,它是穿過(guò)芯片的過(guò)孔。在3D集成電路中TSV的作用主要是兩個(gè)，第一，它將上層與下層2D芯片的標(biāo)準(zhǔn)單元互聯(lián)，即TSV為連接跨層線網(wǎng)處于上層和下層標(biāo)準(zhǔn)単元的橋梁；其次，由于TSV的材料大多是銅鋁等熱導(dǎo)率非常高的材料到熱能力優(yōu)于硅等半導(dǎo)體材料，故在電路中放置適量的TSV有助于電路的散熱。實(shí)驗(yàn)表明，線網(wǎng)長(zhǎng)度的減少程度跟TSV的數(shù)量有夫，TSV數(shù)量多則可以幫助線網(wǎng)長(zhǎng)度的減少，而TSV的數(shù)量少于一定程度反而會(huì)增加而外的線網(wǎng)長(zhǎng)度。而且，作為散熱功能的TSV在電路中放置的越多，其對(duì)電路的散熱幫助越大。3D集成電路制造加工時(shí)利用到的加工エ藝決定了它的線條尺寸以及TSV的間距。故在3D電路設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮到単元與単元之間的間距，尤其要考慮TSV的間距。TSV初歩定位的版圖中，需要TSV的間距不違反加工エ藝間距條件，對(duì)其版圖進(jìn)行エ藝加工間距的約束，并對(duì)其版圖進(jìn)行優(yōu)化。 完成優(yōu)化的TSV版圖可以滿足加工エ藝約束，并投產(chǎn)制造
發(fā)明內(nèi)容
為了解決對(duì)3D集成電路中跨芯片層娃孔(Through Silicon Via)位置的過(guò)于密集問(wèn)題，本發(fā)明提出了ー種3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的距離優(yōu)化法。在集成電路制造時(shí),制造廠商提供加工エ藝條件或エ藝尺寸。最終的3D集成電路版圖中，芯片線條寬度等于廠商提供的エ藝尺寸，TSV間距的長(zhǎng)度應(yīng)大于芯片線條寬度，SP3D集成電路版圖中TSV間距等于在エ廠進(jìn)行加工時(shí)的エ藝尺寸約束長(zhǎng)度。然而當(dāng)在初步定位設(shè)計(jì)時(shí)，在TSV的坐標(biāo)初步確定后，TSV的間距會(huì)違反エ藝約束。故需要重新整理TSV的位置，使所有TSV的間距滿足エ藝要求。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化方法，在TSV初步定位的版圖中生成坐標(biāo)系，在坐標(biāo)系中形成網(wǎng)格，網(wǎng)格有兩系列相互垂直的平行線，其交點(diǎn)為格點(diǎn)，TSV放在網(wǎng)格上，使其距離滿足エ藝加工約束；具體步驟如下
SI，建立TSV版圖坐標(biāo)系，確定初步定位的每個(gè)TSV坐標(biāo)在3D電路布局后初步定位的TSV版圖中建立直角坐標(biāo)系A(chǔ),坐標(biāo)軸沿版圖的邊緣；坐標(biāo)系確定后，確定甸個(gè)TSV的坐標(biāo)，利用直角坐標(biāo)系的坐標(biāo)點(diǎn)距離公式計(jì)算出每?jī)蓚€(gè)TSV之間的相對(duì)距離；S2，建立一副網(wǎng)格B，網(wǎng)格B豎直方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)橫軸的平行線系列C，所述的平行線系列C的間距等于エ藝加工間距；網(wǎng)格B水平方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)縱軸的平行線系列D，平行線系列D的間距等于エ藝加工間距；平行線系列C和平行線系列D的交點(diǎn)構(gòu)成網(wǎng)格B的格點(diǎn),姆個(gè)格點(diǎn)在直角坐標(biāo)系A(chǔ)中有唯一坐標(biāo)點(diǎn)；上述任意兩相鄰格點(diǎn)的距離等于エ藝加工間距；S3，分別計(jì)算每個(gè)TSV與所述網(wǎng)格B中每個(gè)格點(diǎn)的距離，判斷與每個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)，選定改格點(diǎn)作為它的目標(biāo)格點(diǎn)；若某個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)數(shù)目大于2，則取其中的任意一格點(diǎn)作為目標(biāo)格點(diǎn)；S4,分別將每個(gè)TSV移動(dòng)到目標(biāo)格點(diǎn)上，這樣放在格點(diǎn)上的TSV與其他格點(diǎn)上的TSV不會(huì)出現(xiàn)違反エ藝加工間距約束的情況。S5，執(zhí)行完步驟S4后，當(dāng)同一個(gè)格點(diǎn)存在多個(gè)TSV的情況時(shí)，則對(duì)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)進(jìn)行編號(hào)，將多余的TSV依次放到空閑的個(gè)點(diǎn)上，當(dāng)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)全部被占用時(shí)，就將多余的TSV依次放置到其周圍格點(diǎn)的次外圍個(gè)點(diǎn)上，循環(huán)執(zhí)行S5，直至每個(gè)格點(diǎn)TSV的個(gè)數(shù)至多為I。上述流程參見(jiàn)圖4所示。上述的坐標(biāo)系A(chǔ)的坐標(biāo)軸的刻度與實(shí)際版圖的大小相符，精確到納米級(jí)。3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化裝置，其包括有輸入單元用于輸入建立TSV版圖坐標(biāo)系，確定初歩定位的每個(gè)TSV坐標(biāo)在3D電路布局后初步定位的TSV版圖中建立直角坐標(biāo)系A(chǔ),坐標(biāo)軸沿版圖的邊緣；坐標(biāo)系確定后，確定每個(gè)TSV的坐標(biāo)，利用直角坐標(biāo)系的坐標(biāo)點(diǎn)距離公式計(jì)算出每?jī)蓚€(gè)TSV之間的相對(duì)距離；網(wǎng)格劃分單元用于在所述的TSV版圖坐標(biāo)系建立一副網(wǎng)格B，網(wǎng)格B豎直方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)橫軸的平行線系列C，所述的平行線系列C的間距等于エ藝加工間距；網(wǎng)格B水平方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)縱軸的平行線系列D，平行線系列D的間距等于エ藝加工間距；平行線系列C和平行線系列D的交點(diǎn)構(gòu)成網(wǎng)格B的格點(diǎn)，每個(gè)格點(diǎn)在直角坐標(biāo)系A(chǔ)中有唯一坐標(biāo)點(diǎn)；上述任意兩相鄰格點(diǎn)的距離等于エ藝加工間距；目標(biāo)格點(diǎn)選取單元用于分別計(jì)算每個(gè)TSV與所述網(wǎng)格B中每個(gè)格點(diǎn)的距離，判斷與每個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)，選定該格點(diǎn)作為它的目標(biāo)格點(diǎn)；若某個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)數(shù)目大于2，則取其中的任意一格點(diǎn)作為目標(biāo)格點(diǎn)；移動(dòng)單元用于分別將每個(gè)TSV移動(dòng)到所述的目標(biāo)格點(diǎn)上；調(diào)整單元用于經(jīng)過(guò)移動(dòng)單元移動(dòng)后，當(dāng)同一個(gè)格點(diǎn)存在多個(gè)TSV的情況時(shí)，對(duì)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)進(jìn)行編號(hào)，將多余的TSV依次放到空閑的個(gè)點(diǎn)上，當(dāng)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)全部被占用時(shí)，就將多余的TSV依次放置到其周圍格點(diǎn)的次外圍個(gè)點(diǎn)上，直至每個(gè)格點(diǎn)TSV的個(gè)數(shù)至多為I。 上述的結(jié)構(gòu)如圖5所示。本發(fā)明可以獲得如下有益效果3D集成電路版圖中，TSV已經(jīng)進(jìn)行了初歩定位，但是兩兩TSV的間距位置不可能都滿足エ藝加工間距的要求。本發(fā)明致カ于利用網(wǎng)格法規(guī)范的3D電路版圖中TSV的位置，最終可以得到滿足エ藝加工要求的TSV版圖，達(dá)到疏通擁擠TSV的目的，避免TSV過(guò)于密集的情況。圖8為3D電路中TSV初步定位后的版圖圖9為網(wǎng)格法優(yōu)化過(guò)的版圖通過(guò)兩圖比較，可直觀看出通過(guò)網(wǎng)格法優(yōu)化過(guò)的版圖，TSV之間間距滿足エ藝加工要求，并且TSV排布有序。


圖I為3D集成電路芯片的剖面示意圖；圖2TSV原版圖；圖3 (a) TSV臨近格點(diǎn)放置選擇示意3 (b) TSV臨近格點(diǎn)放置完成示意4 :本發(fā)明的3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化方法的流程圖；圖5 :本發(fā)明的3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化裝置的結(jié)構(gòu)示意6擁擠格點(diǎn)TSV移動(dòng)；圖7優(yōu)化后TSV版圖；圖83D集成電路TSV初步定位版圖；圖93D集成電路TSV網(wǎng)格法優(yōu)化后版圖；圖中1、TSV，2、エ藝約束間距，3、坐標(biāo)系，4、移動(dòng)方向，5、網(wǎng)格，6、頂層芯片，7、底層芯片，8、標(biāo)準(zhǔn)單元，9、金屬互聯(lián)線，10、襯底，11、格點(diǎn)，12，格線。
具體實(shí)施例方式3D集成電路結(jié)構(gòu)示意圖如圖I所示。3D電路是多層2D芯片在豎直方向上堆疊的結(jié)構(gòu)，其任意兩層相鄰的芯片結(jié)構(gòu)關(guān)系如圖I頂層芯片6和底層芯片7，芯片中的標(biāo)準(zhǔn)單元8是集成電路信號(hào)保存和傳輸?shù)幕A(chǔ)結(jié)構(gòu)，金屬互聯(lián)線9連接標(biāo)準(zhǔn)単元完成但層芯片上的互聯(lián)。標(biāo)準(zhǔn)單元跨層互聯(lián)時(shí)使用TSVl互聯(lián)，完成信號(hào)的跨層傳輸。TSVl的結(jié)構(gòu)是穿過(guò)3D集成電路芯片相鄰兩層的過(guò)孔。。本發(fā)明致カ于對(duì)已經(jīng)初步確定TSV位置的版圖進(jìn)行優(yōu)化，使所有TSV的間距滿足エ藝加工間距約束，即任意兩TSV的距離大于或等于エ藝約束的間距。其優(yōu)化的方法是指，建立坐標(biāo)系3于TSV版圖，確定TSV的坐標(biāo)，每個(gè)TSV的坐標(biāo)視為一個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)，建立ー副網(wǎng)格利用確定的坐標(biāo)系3，網(wǎng)格的中等距的兩系列互相垂直的平行線的交點(diǎn)的坐標(biāo)點(diǎn)稱為格點(diǎn)11，即格線12的交點(diǎn)是格點(diǎn)11，這兩系列平行線的間距大小等于エ藝約束的間距大小，每個(gè)格點(diǎn)11有各自的坐標(biāo)。計(jì)算每個(gè)TSV與格點(diǎn)11的坐標(biāo)的距離，把TSV的坐標(biāo)點(diǎn)改成與其距離最近的格點(diǎn)。完成整理優(yōu)化TSV坐標(biāo)的過(guò)程。下面說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施步驟。第一歩，建立直角坐標(biāo)系，確定TSV坐標(biāo)。如圖2，圖中黑色圓圈為T(mén)SV1，建立ー個(gè)直角坐標(biāo)系，其坐標(biāo)軸沿版圖邊緣生成。坐標(biāo)系的橫軸沿版圖的水平方向邊緣建立，坐標(biāo)系的縱軸沿版圖的垂直方向邊緣建立。在坐標(biāo)系中，計(jì)算并確定TSV的坐標(biāo)，視其為ー坐標(biāo)點(diǎn)。
第二步，在坐標(biāo)系中生成網(wǎng)格.確定エ藝約束間距的大小。エ藝約束間距即為3D集成電路在生產(chǎn)時(shí)用的加工エ藝，加工エ藝決定3D集成電路的金屬互聯(lián)線9寬度以及TSVl的間距。在坐標(biāo)系中生成一系列垂直于X軸的平行線，平行線的間距等于加工エ藝間距2，生成一系列垂直于Y軸的平行線，平行線的間距等于加工エ藝間距2，兩系列平行線即為格線12。兩系列平行線相交成為網(wǎng)格5，交點(diǎn)為格點(diǎn)11，計(jì)算并確定每個(gè)格點(diǎn)11在坐標(biāo)系中的坐標(biāo)點(diǎn)。每個(gè)格點(diǎn)與其上下左右四個(gè)格點(diǎn)的距離均為エ藝加工間距。第三步.計(jì)算每個(gè)TSVl坐標(biāo)點(diǎn)與格點(diǎn)11坐標(biāo)點(diǎn)的距離，利用直角坐標(biāo)系的距離計(jì)算公式。第四歩，將每個(gè)TSVl移動(dòng)到與它距離最近的格點(diǎn)11上，即將TSVl的坐標(biāo)更改為與其坐標(biāo)點(diǎn)距離最近格點(diǎn)的坐標(biāo)。此時(shí)所有TSV都放置在格點(diǎn)11上,而且ー個(gè)格點(diǎn)上的TSVl與其他格點(diǎn)上的TSV的距離大于加工エ藝間距，如圖3(a)所示。第五步，將所有TSV2移動(dòng)到與其最近的格點(diǎn)11上后，會(huì)出現(xiàn)多個(gè)TSV2被移動(dòng)到同一個(gè)格點(diǎn)上11的情況，如圖3(b)所示。整理版圖中多個(gè)TSV占用同一個(gè)格點(diǎn)的情況，其步驟如下I.給某個(gè)TSV個(gè)數(shù)大于I的格點(diǎn)臨近一周的格點(diǎn)11順時(shí)針?lè)较蚓幪?hào)。2.依次將該格點(diǎn)上多余的TSV移動(dòng)至已經(jīng)編號(hào)的臨近格點(diǎn)上。3.當(dāng)移動(dòng)TSV遇到格點(diǎn)已經(jīng)存在其他TSV吋，就跳過(guò)該格點(diǎn)，將TSV順時(shí)針移動(dòng)至下ー個(gè)格點(diǎn)。4.當(dāng)編過(guò)號(hào)的較為臨近的一周格點(diǎn)已經(jīng)全部被占滿時(shí)，就將這一周格點(diǎn)的臨近ー周格點(diǎn)編號(hào)，將多余的格點(diǎn)按第I步編號(hào)，按第2、3步移動(dòng)。5.重復(fù)步驟1-4，直至每個(gè)格點(diǎn)上TSV的個(gè)數(shù)至多為ー個(gè)。例如，圖4中(a)情況所示，中心的格點(diǎn)存在4個(gè)TSV，其中3個(gè)是多余的。該格點(diǎn)右邊的格點(diǎn)存在著ー個(gè)TSV。在這種情況下，對(duì)多余的TSV進(jìn)行移動(dòng)，首先將中心格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)一次編號(hào)，從上邊的格點(diǎn)開(kāi)始順時(shí)針將其周圍的格點(diǎn)依次從1-8號(hào)編號(hào)。然后將多余的TSV依次向周圍的格點(diǎn)，第一個(gè)多余的TSV移動(dòng)到I號(hào)格點(diǎn)上，第二個(gè)多余TSV移動(dòng)到2號(hào)格點(diǎn)上，第三個(gè)多余TSV移動(dòng)到3號(hào)格點(diǎn)，但是由于三號(hào)格點(diǎn)已經(jīng)存在TSV，所以將該多余TSV順次移動(dòng)到下ー個(gè)格點(diǎn)，故將該TSV放置到4號(hào)格點(diǎn)。這時(shí)所有多余TSV已經(jīng)全部移動(dòng)到了周圍的格點(diǎn)上，如圖4中(b)。重復(fù)上述流程將整個(gè)版圖中所有格點(diǎn)多余個(gè)TSV安排至每個(gè)格點(diǎn)至多有ー個(gè)TSV。
當(dāng)電路中所有的TSV単獨(dú)的放置在對(duì)應(yīng)的格點(diǎn)上后，整個(gè)優(yōu)化過(guò)程結(jié)束。得到完整的網(wǎng)格化TSV優(yōu)化版圖。如圖5所示。電路中所有TSV的位置整齊，可滿足加工エ藝條件井能夠投產(chǎn)制造。·
權(quán)利要求
1.3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化方法，其特征在于在TSV初步定位的版圖中生成坐標(biāo)系，在坐標(biāo)系中形成網(wǎng)格，網(wǎng)格有兩系列相互垂直的平行線，其交點(diǎn)為格點(diǎn)，TSV放在網(wǎng)格上，使其距離滿足エ藝加工約束；具體步驟如下 SI，建立TSV版圖坐標(biāo)系，確定初步定位的每個(gè)TSV坐標(biāo)在3D電路布局后初步定位的TSV版圖中建立直角坐標(biāo)系A(chǔ)，坐標(biāo)軸沿版圖的邊緣；坐標(biāo)系確定后，確定每個(gè)TSV的坐標(biāo)，利用直角坐標(biāo)系的坐標(biāo)點(diǎn)距離公式計(jì)算出每?jī)蓚€(gè)TSV之間的相對(duì)距離； S2，在TSV版圖坐標(biāo)系中建立一副網(wǎng)格B，網(wǎng)格B豎直方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)橫軸的平行線系列C，所述的平行線系列C的間距等于エ藝加工間距；網(wǎng)格B水平方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)縱軸的平行線系列D，平行線系列D的間距等于エ藝加工間距；平行線系列C和平行線系列D的交點(diǎn)構(gòu)成網(wǎng)格B的格點(diǎn)，每個(gè)格點(diǎn)在直角坐標(biāo)系A(chǔ)中有唯一坐標(biāo)點(diǎn)；上述任意兩相鄰格點(diǎn)的距離等于エ藝加工間距； S3,分別計(jì)算每個(gè)TSV與所述網(wǎng)格B中每個(gè)格點(diǎn)的距離，判斷與每個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)，選定改格點(diǎn)作為它的目標(biāo)格點(diǎn)；若某個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)數(shù)目大于2，則取其中的任意一格點(diǎn)作為目標(biāo)格點(diǎn)； S4，分別將每個(gè)TSV移動(dòng)到目標(biāo)格點(diǎn)上，這樣放在格點(diǎn)上的TSV與其他格點(diǎn)上的TSV不會(huì)出現(xiàn)違反エ藝加工間距約束的情況； S5，當(dāng)同一個(gè)格點(diǎn)存在多個(gè)TSV的情況時(shí)，則對(duì)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)進(jìn)行編號(hào)，將多余的TSV依次放到空閑的個(gè)點(diǎn)上，當(dāng)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)全部被占用時(shí)，就將多余的TSV依次放置到其周圍格點(diǎn)的次外圍個(gè)點(diǎn)上，循環(huán)執(zhí)行S5直至每個(gè)格點(diǎn)TSV的個(gè)數(shù)至多為I。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化方法，其特征在于所述的坐標(biāo)系A(chǔ)的坐標(biāo)軸的刻度與實(shí)際版圖的大小相符，精確到納米級(jí)。
3.3D集成電路自動(dòng)布局中TSV位置的網(wǎng)格優(yōu)化裝置，其特征在于其包括有 輸入單元用于輸入建立TSV版圖坐標(biāo)系，確定初步定位的每個(gè)TSV坐標(biāo)在3D電路布局后初步定位的TSV版圖中建立直角坐標(biāo)系A(chǔ),坐標(biāo)軸沿版圖的邊緣；坐標(biāo)系確定后，確定每個(gè)TSV的坐標(biāo)，利用直角坐標(biāo)系的坐標(biāo)點(diǎn)距離公式計(jì)算出每?jī)蓚€(gè)TSV之間的相對(duì)距離；網(wǎng)格劃分單元用于在所述的TSV版圖坐標(biāo)系建立一副網(wǎng)格B，網(wǎng)格B豎直方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)橫軸的平行線系列C，所述的平行線系列C的間距等于エ藝加工間距；網(wǎng)格B水平方向的網(wǎng)格線是垂直于坐標(biāo)系A(chǔ)縱軸的平行線系列D，平行線系列D的間距等于エ藝加工間距；平行線系列C和平行線系列D的交點(diǎn)構(gòu)成網(wǎng)格B的格點(diǎn)，每個(gè)格點(diǎn)在直角坐標(biāo)系A(chǔ)中有唯一坐標(biāo)點(diǎn)；上述任意兩相鄰格點(diǎn)的距離等于エ藝加工間距； 目標(biāo)格點(diǎn)選取單元用于分別計(jì)算每個(gè)TSV與所述網(wǎng)格B中每個(gè)格點(diǎn)的距離，判斷與每個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)，選定該格點(diǎn)作為它的目標(biāo)格點(diǎn)；若某個(gè)TSV距離最近的格點(diǎn)數(shù)目大于2,則取其中的任意一格點(diǎn)作為目標(biāo)格點(diǎn)； 移動(dòng)單元用于分別將每個(gè)TSV移動(dòng)到所述的目標(biāo)格點(diǎn)上； 調(diào)整單元用于經(jīng)過(guò)移動(dòng)單元移動(dòng)后，當(dāng)同一個(gè)格點(diǎn)存在多個(gè)TSV的情況時(shí)，對(duì)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)進(jìn)行編號(hào)，將多余的TSV依次放到空閑的個(gè)點(diǎn)上，當(dāng)該格點(diǎn)周圍的格點(diǎn)全部被占用時(shí)，就將多余的TSV依次放置到其周圍格點(diǎn)的次外圍個(gè)點(diǎn)上，直至每個(gè)格點(diǎn)TSV的個(gè)數(shù)至多為I。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種3D集成電路中TSV的網(wǎng)格位置優(yōu)化法，屬于3D集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。在3D集成電路進(jìn)行加工生產(chǎn)時(shí)，廠商不能加工TSV的間距小于加工工藝的間距約束的版圖。本發(fā)明使用網(wǎng)格法對(duì)TSV的間距進(jìn)行優(yōu)化，從而得到優(yōu)化后的版圖使TSV的間距滿足工藝加工要求，并能夠完成制造。本法明的實(shí)現(xiàn)方法首先在TSV初步定為的版圖中建立直角坐標(biāo)系，隨后給TSV確定坐標(biāo)，隨后產(chǎn)生一副網(wǎng)格，保證網(wǎng)格中每個(gè)格點(diǎn)的距離大于工藝上可以加工的最小距離，將每個(gè)TSV移動(dòng)到離之最近的格點(diǎn)上，最后再整理單個(gè)點(diǎn)上多TSV的情況保證最后的版圖每個(gè)格點(diǎn)上只有一個(gè)TSV，完成優(yōu)化并加工制造集成電路。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102682163SQ201210125758
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月25日
發(fā)明者侯立剛, 彭曉宏, 汪金輝, 白澍, 耿淑琴 申請(qǐng)人:北京工業(yè)大學(xué)