專利名稱：一種新型布局的集成電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種新型布局的集成電路 結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前的集成電路(Integrated Circuit, IC)設(shè)計中，如圖1所示，金屬 通孔(Mvia)的設(shè)計會出現(xiàn)如第二層金屬通孔Mvia2和前一層金屬通孔 Mvial在相對前一層金屬M(fèi)2位于相同的位置處，從而形成堆疊式金屬通 孔，參見圖1 (a)、 1 (b)和1 (c)，第一層金屬通孔Mvial和第二層金 屬通孔Mvia2在前后左右的方向上處于同一位置，在縱垂方向呈堆疊狀 態(tài)。隨著設(shè)備線寬的減小，金屬通孔不可能完全對準(zhǔn)下邊的金屬層，第二 層金屬通孔Mvia2蝕刻的時候就有可能接觸到第一層金屬通孔Mvial，在 第二層金屬通孔Mvia2蝕刻后進(jìn)行濕法清洗的時候，會造成第一層金屬通 孔Mvial也接觸到溶劑，此時第一層金屬通孔中沉積的鎢插塞會和濕法清 洗的溶劑發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)消失而造成金屬通孔斷路，這樣就會影響整片晶 片的合格率。

實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，提供一種新型布局 的集成電路結(jié)構(gòu)。
本實用新型的一種新型布局的集成電路結(jié)構(gòu)，包括 第一層金屬；
位于上述第一層金屬上部的第一介電層，位于上述第一介電層內(nèi)并貫 通上述第一介電層的第一層金屬通孔；
3位于上述第一介電層上部的第二層金屬；
位于上述第二層金屬上部的第二介電層，位于上述第二介電層內(nèi)并貫
通上述第二介電層的第二層金屬通孔；
以及位于上述第二介電層上部的第三層金屬；
上述第二層金屬通孔與上述第一層金屬通孔在上述第二層金屬的同 一平面上的正投影處于不同位置。
上述金屬通孔中填充的金屬為鎢。
上述第一層金屬通孔與接觸孔在第一層金屬的同一平面上的正投影 處于不同位置。
上述接觸孔中填充的金屬為鎢。
采用本實用新型的一種新型布局的集成電路結(jié)構(gòu)可以避免在蝕刻上 層的金屬通孔時接觸到下層的金屬通孔，蝕刻完后進(jìn)行濕法清洗時，下層 的金屬通孔也不會接觸到濕法清洗的溶劑，因而使得鎢插塞不會與溶劑反 應(yīng)而消失，進(jìn)而解決了下層金屬通孔斷路問題，提高了晶片的合格率。


圖l (a)是現(xiàn)有的集成電路結(jié)構(gòu)的正視圖1 (b)是現(xiàn)有的集成電路結(jié)構(gòu)的左視圖l (c)是現(xiàn)有的集成電路結(jié)構(gòu)的俯視圖2 (a)是本實用新型的集成電路結(jié)構(gòu)的一個實施例的正視圖2 (b)是圖2 (a)中實施例的左視圖2 (c)是圖2 (a)中實施例的俯視圖3 (a)是本實用新型的集成電路結(jié)構(gòu)的具有多層金屬通孔的實施例 的正視圖3 (b)是圖3 (a)中實施例的左視圖； 圖3 (c)是圖3 (a)中實施例的俯視圖；圖4表示本實用新型的具有多層金屬通孔并帶有接觸孔的完整結(jié)構(gòu)示 意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，對本實用新型的具體實施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
如圖2 (a)、 2 (b)和2 (c)分別從不同角度展示了本實用新型的一 種新型布局的集成電路結(jié)構(gòu)。
圖2 (a)是本實用新型的正視圖，由圖2 (a)可知，本實用新型在縱 垂方向上的總體布局是第一層金屬M(fèi)1;位于第一層金屬M(fèi)1上部的第一 介電層，位于該第一介電層內(nèi)并貫通第一介電層的第一層金屬通孔Mvial， 第一層金屬通孔中填充有金屬、例如是鎢塞；位于該第一介電層上部的第 二層金屬M(fèi)2;位于第二層金屬M(fèi)2上部的第二介電層，位于該第二介電層 內(nèi)并貫通第二介電層的第二層金屬通孔Mvia2，第二層金屬通孔中填充有 金屬、例如是鎢塞；以及位于該第二介電層上部的第三層金屬M(fèi)3。并且 從圖2 (a)可以看到，第一層金屬通孔Mvial和第二層金屬通孔Mvia2在左 右方向上的位置是對應(yīng)一致的。
圖2 (b)是本實用新型的左視圖，由圖2 (b)可知，本實用新型在前 后方向上的總體布局與現(xiàn)有的金屬通孔的布局完全不同，在本實施例中， 第一層金屬通孔Mvial靠前端，第二層金屬通孔Mvia2靠后端。
圖2 (c)是本實用新型的俯視圖，由圖2 (c)進(jìn)一步可知，在本實施 例中，第一層金屬通孔Mvial與第二層金屬通孔Mvia2在前后方向上的位置 不一致，且他們在前后方向上沒有重疊，完全分離。
實際上，第一層金屬通孔Mvial和第二層金屬通孔Mvia2的位置只要是 后一層的金屬通孔相對于前一層的金屬通孔在不同的位置即可。也即包括 以下實施例
實施例一，Mvial靠近左端，Mvia2靠近右端；Mvia2與Mvial前后方 向上處于同一位置；
實施例二， Mvial靠近左前端，Mvia2靠近右后端；
實施例三，Mvial靠近左后端，Mvia2靠近右前端；實施例四，Mvial靠近右端，Mvia2靠近左端；Mvia2與Mvial前后方 向上處于同一位置；
實施例五，Mvial靠近右前端，Mvia2靠近左后端；
實施例六，Mvial靠近右后端，Mvia2靠近左前端；
實施例七，Mvial靠近前端，Mvia2靠近后端；Mvia2與Mvial左右方 向上處于同一位置；
實施例八，Mvial靠近后端，Mvia2靠近前端；Mvia2與Mvial左右方 向上處于同一位置；
當(dāng)然還可以包括其他的實施例，只要不違背第二層金屬通孔Mvia2相 對于第一層金屬通孔Mvial處于不同位置的宗旨即可。
釆用本實用新型的新型布局的優(yōu)點(diǎn)在于，因為后一層的金屬通孔相對 于前一層的金屬通孔在不同的位置，所以當(dāng)蝕刻上層如第二層金屬通孔 Mvia2時不會接觸到下層的第一層金屬通孔Mvial ，蝕刻完后進(jìn)行的濕法清 洗時，第一層金屬通孔Mvial也不會接觸到溶劑，因而使得鎢插塞不會與 溶劑反應(yīng)而消失，進(jìn)而解決了第一層金屬通孔Mvial斷路的問題，提高了 晶片的合格率。
當(dāng)然，本實用新型還可以用于具有更多層的金屬通孔的實施例中，如 圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (c)所示，只要滿足后一層的金屬通孔Mvia (n+l) 相對于前一層的金屬通孔Mvia (n)在不同的位置即可達(dá)到本實用新型的 上述效果。
另外，如圖4所示，第一層金屬層M1和多晶硅3之間的連接孔、即接 觸孔2與上述第一金屬通孔Mvial在上述第一金屬層Ml的同一平面上的正 投影處于也不同位置，不同的方式如上述各種實施例所述，只要滿足第一 層金屬通孔Mvial和接觸孔的位置相對于第一金屬層處于不同的位置即 可。并且，接觸孔2中填充有金屬、例如是鎢塞。
雖然，本實用新型已通過以上實施例及其附圖得到清楚說明，然而在 不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)
可以根據(jù)本實用新型作出各種相應(yīng)的改變，但這些相應(yīng)的改變都應(yīng)屬于本 實用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種新型布局的集成電路結(jié)構(gòu)，包括第一層金屬；位于上述第一層金屬上部的第一介電層，位于上述第一介電層內(nèi)并貫通上述第一介電層的第一層金屬通孔；位于上述第一介電層上部的第二層金屬；位于上述第二層金屬上部的第二介電層，位于上述第二介電層內(nèi)并貫通上述第二介電層的第二層金屬通孔；以及位于上述第二介電層上部的第三層金屬；其特征在于，上述第二層金屬通孔與上述第一層金屬通孔在上述第二層金屬的同一平面上的正投影處于不同位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于上述金屬通孔中 填充的金屬為鎢。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于上述第一層金屬 通孔與接觸孔在第一層金屬的同一平面上的正投影處于不同位置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于上述接觸孔中填 充的金屬為鎢。
專利摘要本實用新型涉及一種新型布局的集成電路結(jié)構(gòu)，其包括第一層金屬；位于上述第一層金屬上部的第一介電層，位于上述第一介電層內(nèi)并貫通上述第一介電層的第一層金屬通孔；位于上述第一介電層上部的第二層金屬；位于上述第二層金屬上部的第二介電層，位于上述第二介電層內(nèi)并貫通上述第二介電層的第二層金屬通孔；以及位于上述第二介電層上部的第三層金屬；上述第二層金屬通孔與上述第一層金屬通孔在第二層金屬的同一平面上的正投影處于不同位置。采用本實用新型可以避免在上層的第二層金屬通孔濕法清洗時對下層的第一層金屬通孔造成影響，從而提高了晶片的合格率。
文檔編號H01L23/522GK201374333SQ200920007119
公開日2009年12月30日 申請日期2009年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月23日
發(fā)明者任丙振, 劉梅娜, 張進(jìn)剛, 黃志剛, 黃海棟 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司