專利名稱：化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CMP制造工藝和CMP建模技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法及設(shè)備。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械研磨(CMP, Chemical Mechanical Polishing)作為可制造性設(shè)計工藝解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，是目前超大規(guī)模集成電路制造中唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的超精細(xì)加工技術(shù)，現(xiàn)已廣泛用于集成電路芯片、微型機(jī)械系統(tǒng)等表面的平整化。高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(HKMG，High-k Metal Gate)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是“先柵極”和“后柵極”?！昂髺艠O”又稱為可替換柵極(以下簡稱RMG)，使用該工藝時高介電常數(shù)柵電介質(zhì)無 需經(jīng)過高溫步驟，芯片的可靠性更高。因此業(yè)界在制造高性能芯片時更傾向于選擇RMG工藝。然而，RMG工藝流程涉及更多的工藝步驟，面臨更多的工藝難關(guān)和設(shè)計限制，平坦度極難達(dá)標(biāo)。研磨去除率(MRR，Material Removal Rate)作為描述芯片表面高度變化快慢的重要指標(biāo)，在CMP的模型機(jī)理分析中成為廣泛關(guān)注和研究的重點，一旦獲取MRR，即可進(jìn)一步將其用于計算研磨芯片表面的瞬時高度變化，給出芯片表面的實時輪廓和特征，并可將計算結(jié)果用于版圖設(shè)計、電特性分析等應(yīng)用流程，因此，如何獲取準(zhǔn)確可靠的研磨去除率計算公式成為CMP模型機(jī)理分析的重要因素。目前，由于化學(xué)機(jī)械研磨的過程極為復(fù)雜，CMP的過程控制仍停留在經(jīng)驗實證階段，單用一種模型或手段難以真正揭示研磨成分間的相互作用規(guī)律，獲取準(zhǔn)確合理的研磨去除率公式，現(xiàn)有的關(guān)于各種化學(xué)因素的分析一般都只在一定程度上定性或半定量地對實驗測量的數(shù)據(jù)進(jìn)行解釋和說明，因此，只有對CMP的各種過程參數(shù)、研磨界面間的接觸形態(tài)及研磨液的流體狀況進(jìn)行深入分析，才能充分揭示CMP的研磨機(jī)理，不斷滿足飛速發(fā)展的集成電路制造工藝需求。為了獲得一個合理描述化學(xué)、機(jī)械及流體效應(yīng)的CMP研磨去除率公式，本發(fā)明綜合考慮研磨粒子和研磨墊對芯片接觸及非接觸受力、研磨液對芯片的化學(xué)效應(yīng)、研磨液的流動狀況以及外界溫度等多重影響，從研磨墊、研磨粒子、研磨液、芯片、外界溫度及工藝等角度對芯片表面去除進(jìn)行全方位刻畫，獲得具有廣泛適用性的芯片表面研磨去除的處理方法。一般而言，國內(nèi)外工程應(yīng)用領(lǐng)域求解研磨去除率比較常見的方法是采用玻璃拋光行業(yè)常用的經(jīng)驗型Preston方程MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率(單位時間內(nèi)的相對滑動距離)，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)，一般在CMP的應(yīng)用中，其他各種因素主要通過系數(shù)k來體現(xiàn)。然而，k具體依賴于哪些因素，至今并無定論，如何把k解析為更加合理有效的包含化學(xué)、機(jī)械、流體等參數(shù)的函數(shù)，無論對CMP的機(jī)理分析，還是對CMP的工藝開發(fā)都具有重要指導(dǎo)意義。因此，有必要提出有效的技術(shù)方案，以解決化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，特別是通過分析研磨去除率的各個因素，優(yōu)化研磨去除率的計算。本發(fā)明實施例一方面提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法，包括以下步驟確定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)；分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率所述因素的函數(shù)方程；將所述因素的函數(shù)方程代入MRR = kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR。 本發(fā)明實施例另一方面還提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的設(shè)備，包括選擇模塊、分析模塊和運算模塊。所述選擇模塊，用于選定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)；所述分析模塊，用于分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率所述因素的函數(shù)方程；所述運算模塊，用于將所述因素的函數(shù)方程代入MRR = kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR。本發(fā)明實施例另一方面還提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨模擬過程中表面形貌獲取方法，包括根據(jù)研磨去除率的影響因素中對工藝配置有影響的因素，調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，其中，所述研磨去除率的影響因素包括研磨液中的有效研磨粒子數(shù)、單粒子去除體積、研磨過程參數(shù)、芯片表面研磨去除物的質(zhì)量傳輸速率、研磨液PH值及溫度中的一種或多種；根據(jù)調(diào)整的所述化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，結(jié)合實際工藝測量結(jié)果，對研磨去除率試驗數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合以確定最終工藝參數(shù)；將所述最終工藝參數(shù)用于化學(xué)機(jī)械研磨模擬仿真，以獲得芯片表面形貌變化。本發(fā)明提出的上述方案,通過考察Preston方程MRR = kPV,對研磨系數(shù)k逐步進(jìn)行解析，分析影響研磨去除率的因素，綜合考慮晶圓、粒子、研磨墊及研磨液四體相互作用關(guān)系，深刻揭示多體間作用規(guī)律，能更加客觀真實地描述化學(xué)機(jī)械研磨的工藝實際，對CMP的機(jī)理分析，版圖設(shè)計，以及大生產(chǎn)線工藝研發(fā)具有積極指導(dǎo)作用。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖I為本發(fā)明實施例化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法流程圖2為研磨去除率影響因素分析及優(yōu)化計算示意圖；圖3為研磨粒子和研磨墊相互作用示意圖；圖4為研磨粒子受力示意圖；圖5為本發(fā)明實施例化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為對HKMG Al CMP工藝的優(yōu)化仿真流程圖。
具體實施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。為了獲得一個合理描述化學(xué)、機(jī)械及流體效應(yīng)的CMP研磨去除率，本發(fā)明綜合考慮研磨粒子和研磨墊對芯片接觸及非接觸受力、研磨液對芯片的化學(xué)效應(yīng)、研磨液的流動狀況以及外界溫度等多重影響，從研磨墊、研磨粒子、研磨液、芯片、外界溫度及工藝等角度對芯片表面去除進(jìn)行全方位刻畫，獲得具有廣泛適用性的芯片表面研磨去除的處理方法。實施例一基于上述目的，本發(fā)明提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法，包括以下步驟確定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)；分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率所述因素的函數(shù)方程；將所述因素的函數(shù)方程代入MRR = kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR。如圖I所示，為本發(fā)明實施例化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法流程圖，包括以下步驟SllO :確定研磨去除率計算公式。在步驟SllO中，首先確定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)。一般而言，國內(nèi)外工程應(yīng)用領(lǐng)域求解研磨去除率比較常見的方法是采用玻璃拋光行業(yè)常用的經(jīng)驗型Preston方程MRR = kPV。一般在CMP的應(yīng)用中，其他各種因素主要通過系數(shù)k來體現(xiàn)。然而，k具體依賴于哪些因素，至今并無定論，如何把k解析為更加合理有效的包含化學(xué)、機(jī)械、流體等參數(shù)的函數(shù)，無論對CMP的機(jī)理分析，還是對CMP的工藝開發(fā)都具有重要指導(dǎo)意義。本發(fā)明提出的方案，將對影響研磨去除率的因素作具體分析，并得出可行的計算方案。S120 :分析影響研磨去除率的因素。在步驟S120中，分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率因素的函數(shù)方程。作為本發(fā)明的實施例，影響因素包括以下一個或多個因素研磨液中的有效研磨粒子數(shù)、單粒子去除體積、研磨過程參數(shù)、芯片表面研磨去除物的質(zhì)量傳輸速率、研磨液PH值及溫度。如圖2所示的解析過程，可進(jìn)一步得知，有效研磨粒子數(shù)的確定可考慮多種因素綜合得出，單粒子去除體積可來源于力平衡方程的求解，研磨過程參數(shù)包括研磨墊與芯片之間的局部壓力和芯片相對研磨墊的滑動速度，研磨液PH值及溫度來源于實驗測定的溫度和PH值中。如圖2所示，為研磨去除率影響因素分析及優(yōu)化計算示意圖。具體而言，影響因素總結(jié)如下確定研磨液中的有效研磨粒子數(shù)，例如包括以下過程(I)考察研磨粒子和研磨墊之間的接觸行為,把研磨粒子數(shù)N拆分為有效研磨粒子Ne和無效研磨粒子N1數(shù)，有效研磨粒子為與芯片直接接觸起研磨作用的研磨粒子，無效研磨粒子為研磨墊上不與芯片直接接觸，因而對研磨不起作用的研磨粒子，真正對研磨去除率起主導(dǎo)作用的是有效研磨粒子數(shù)Ne，如圖3所示；(2)利用Greenwood和Williamson彈性接觸模型[I],計算芯片和研磨墊的實
際接觸面積4，其中，A為芯片面積，η研磨墊粗糙峰密度為
粗糙峰頂半徑，d為芯片表面和研磨墊平均峰值高度之間的距離，z為研磨墊表面高度，
, 丄
φ{(diào)^) = —Γ=^β 2σ1 , σ為峰值高度的標(biāo)準(zhǔn)偏差；
■\]2πσ(3)假定分子結(jié)構(gòu)呈層狀有序分布狀態(tài)，獲取參與研磨去除的有效分子數(shù)
=唭中，Cv為研磨粒子體積濃度，^是磨粒體
^ aa
積；(4)根據(jù)Jeng的研究工作[2]，確定參與研磨去除的有效分子數(shù)Κ =4(3<7_ /)=ΑπηΚ (—dmz)dz(3a-d) :π;，其中，尤為研磨液的稀
Pa — L)Pa—1}
OO
釋倍數(shù)，Ps為研磨液稀釋前的密度，ms_a為研磨液稀釋前的質(zhì)量濃度，PaS研磨粒子的密度，D為磨粒的平均直徑； (5)對有效磨粒數(shù)Nei和Ne2取加權(quán)平均，獲得最終有效研磨粒子數(shù)N= β Nei+(I- β )Ne2，其中β是權(quán)系數(shù)，O彡β彡I。確定單粒子去除體積，即通過考察有效研磨粒子嵌入芯片深度Δ H1與磨粒所受載荷間的相互關(guān)系，確立單個有效研磨粒子去除芯片表面物質(zhì)的有效體積VoU例如包括以下過稈=(I)對研磨粒子進(jìn)行受力分析，示意圖如圖4所示。根據(jù)力平衡原理，磨粒所受芯片接觸力Fw、所受研磨墊接觸力Fp以及范德華作用力間滿足Fp+Fvdw=Fw ；(2)求解以上微觀力平衡方程Fp+Fvdw=Fw，可以獲得研磨粒子嵌入芯片深度AH1 ；(3)確立單個有效研磨粒子去除芯片表面物質(zhì)的有效體積Vols=K1V Δ S (Ra, Δ H1)，其中K1為比例常數(shù)，AS為圖4中的黑色弓形面積，V為芯片相對研磨墊的滑動速度。過稈參數(shù)中局部壓力P的影響由Preston方程MRR = kPV可知,在其他條件固定的情況下,研磨墊與芯片之間的局部壓力P與研磨去除率呈線性關(guān)系，例如，此處對P值不用進(jìn)行解析。溫度T、PH倌n的影響
通過實驗可以證實，研磨去除率與溫度T、PH值η之間具有以下依賴關(guān)系MRR - β-ν^-τ -πη-ι}，其中，R是普適氣體常數(shù)，Ea為活化能。研磨產(chǎn)物的質(zhì)暈傳輸速率的影響:根據(jù)研磨液的流動特征，考察研磨產(chǎn)物的傳輸速率、質(zhì)量密度與MRR間的函數(shù)關(guān)系為MRR - pwu,pw為反應(yīng)產(chǎn)物密度，υ為反應(yīng)物進(jìn)入芯片表面與反應(yīng)產(chǎn)物脫離芯片表面的質(zhì)量傳輸速率，可以通過有效邊界層理論獲取
Ci -C11IKV= I !〗！丨―，其中，K為化學(xué)反應(yīng)平衡常數(shù)，ke為化學(xué)反應(yīng)速率，C^Cn為研
P' K Κβ"
·磨液界面及芯片表面氧化膜界面濃度，β \ β11為傳質(zhì)系數(shù)。S130 :根據(jù)影響研磨去除率的因素計算研磨去除率。在步驟S130中，將所述因素的函數(shù)方程代入MRR = kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR例如，作為本發(fā)明的實施例，基于以上分析，研磨去除率與局部壓力、有效研磨粒子數(shù)、質(zhì)量傳輸速率、芯片表面物質(zhì)的密度、研磨液PH值及溫度間的關(guān)系為
MRR = KiK2ASiR，Δ//,W 廠 ., ^(z — d)(p(z)dz
-—--+-—
β1 K M
ο
β( $ )2/3 +(1-β)(3σ- )
Pa-D3P-D3
_OO本發(fā)明提出的上述方案,通過考察Preston方程MRR = kPV,對研磨系數(shù)k逐步進(jìn)行解析，分析影響研磨去除率的因素，綜合考慮晶圓、粒子、研磨墊及研磨液四體相互作用關(guān)系，深刻揭示多體間作用規(guī)律，能更加客觀真實地描述化學(xué)機(jī)械研磨的工藝實際，對CMP的機(jī)理分析，版圖設(shè)計，以及大生產(chǎn)線工藝研發(fā)具有積極指導(dǎo)作用。本發(fā)明實施例可適用于HKMG工藝中鋁的化學(xué)機(jī)械研磨去除率的計算。實施例二相應(yīng)于上述計算的方法，如圖5所示，本發(fā)明實施例還提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的設(shè)備500，包括選擇模塊510、分析模塊520和運算模塊530。具體而言，選擇模塊510用于選定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)。分析模塊520用于分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率因素的函數(shù)方程。分析模塊520分析的因素包括以下一個或多個因素研磨液中的有效研磨粒子數(shù)、單粒子去除體積、研磨過程參數(shù)、芯片表面研磨去除物的質(zhì)量傳輸速率、研磨液PH值及溫度。有效研磨粒子數(shù)計算的函數(shù)方程為
有效研磨粒子數(shù)Ν=β ΝΕ1+(1_β )NE2,其中，O≤β≤1 ;
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法，其特征在于，包括以下步驟 確定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)； 分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率所述因素的函數(shù)方程，所述因素包括以下一個或多個因素研磨液中的有效研磨粒子數(shù)、單粒子去除體積、研磨過程參數(shù)、芯片表面研磨去除物的質(zhì)量傳輸速率、研磨液PH值及溫度； 將所述因素的函數(shù)方程代入MRR = kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，計算所述有效研磨粒子數(shù)的函數(shù)方程為 有效研磨粒子數(shù)
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述質(zhì)量傳輸速率和芯片表面物質(zhì)的密度與研磨去除率MRR的關(guān)系為 MRRoc pwu , Pw為芯片表面物質(zhì)的密度，u為所述質(zhì)量傳輸速率。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，研磨液PH值和溫度與研磨去除率MRR的關(guān)系為 MRR -，其中，τ為溫度、n為PH值，R為普適氣體常數(shù)，Ea為活化能。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述研磨去除率的具體計算公式為
6.一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的設(shè)備，其特征在于，包括選擇模塊、分析模塊和運算模塊， 所述選擇模塊，用于選定研磨去除率計算公式MRR = kPV，其中，V是芯片和研磨墊之間的相對滑動速率，P是施加于芯片表面的外部壓力，k是Preston系數(shù)； 所述分析模塊，用于分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率所述因素的函數(shù)方程，所述因素包括以下一個或多個因素研磨液中的有效研磨粒子數(shù)、單粒子去除體積、研磨過程參數(shù)、芯片表面研磨去除物的質(zhì)量傳輸速率、研磨液PH值及溫度； 所述運算模塊，用于將所述因素的函數(shù)方程代入MRR = kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，計算所述有效研磨粒子數(shù)的函數(shù)方程為 有效研磨粒子數(shù)N= β Nei+(I-β )ΝΕ2, 其中，O≤β≤1;
8.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述質(zhì)量傳輸速率和芯片表面物質(zhì)的密度與研磨去除率MRR的關(guān)系為 MRRoc pwu , Pw為芯片表面物質(zhì)的密度，u為所述質(zhì)量傳輸速率。
9.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，研磨液PH值和溫度與研磨去除率MRR的關(guān)系為 MRlUym-…，其中，T為溫度、n為PH值，R為普適氣體常數(shù)，Ea為活化能。
10.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述運算模塊計算所述研磨去除率MRR的具體計算公式為
11.一種化學(xué)機(jī)械研磨模擬過程中表面形貌獲取方法，包括 根據(jù)研磨去除率的影響因素中對工藝配置有影響的因素，調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，其中，所述研磨去除率的影響因素包括研磨液中的有效研磨粒子數(shù)、單粒子去除體積、研磨過程參數(shù)、芯片表面研磨去除物的質(zhì)量傳輸速率、研磨液PH值及溫度中的一種或多種； 根據(jù)調(diào)整的所述化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，結(jié)合實際工藝測量結(jié)果，對研磨去除率試驗數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合以確定最終工藝參數(shù)； 將所述最終工藝參數(shù)用于化學(xué)機(jī)械研磨模擬仿真，以獲得芯片表面形貌變化。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)研磨去除率的影響因素中對工藝配置有影響的因素，調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，包括 S1、根據(jù)研磨去除率與研磨去除率的影響因素函數(shù)關(guān)系，調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，所述工藝配置包括工作溫度、PH值、研磨液、研磨墊、研磨液的滴定速率、工作壓力及芯片和研磨墊轉(zhuǎn)速中的一種或多種； 所述根據(jù)調(diào)整的所述化學(xué)機(jī)械研磨的工藝配置，結(jié)合實際工藝測量結(jié)果，對研磨去除率試驗數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合以確定最終工藝參數(shù)，包括 S2、根據(jù)所述的工藝配制，結(jié)合實際工藝測量結(jié)果，對研磨去除率試驗數(shù)據(jù)采用非線性最小二乘法進(jìn)行數(shù)值擬合，確定最終工藝參數(shù)； 其中，所述方法可多次執(zhí)行步驟SI和S2，以逐步優(yōu)化工藝配置以確定所述最終工藝參數(shù)。
將所述最終工藝參數(shù)用于化學(xué)機(jī)械研磨模擬仿真，以獲得芯片表面形貌變化，包括 S3、通過讀取芯片表面初始高度，結(jié)合研磨去除速率公式，將步驟S2獲得的所述最終工藝參數(shù)用于CMP模擬仿真，以實時偵測芯片表面的形貌變化，所述表面形貌變化包括反映金屬與阻擋層、介質(zhì)層間的高度差異和芯片研磨平坦性的圖形特征。
全文摘要
提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的方法，包括確定研磨去除率計算公式MRR＝kPV；分析影響研磨去除率的因素，得到影響研磨去除率所述因素的函數(shù)方程；將所述因素的函數(shù)方程代入MRR＝kPV中，得到研磨去除率的具體計算公式，根據(jù)所述具體計算公式計算研磨去除率MRR。此外，還提出了一種化學(xué)機(jī)械研磨去除率計算的設(shè)備。本發(fā)明提出的上述方案，通過分析影響研磨去除率的因素，綜合考慮晶圓、粒子、研磨墊及研磨液四體相互作用關(guān)系，深刻揭示多體間作用規(guī)律，能更加客觀真實地描述化學(xué)機(jī)械研磨的工藝實際，對CMP的機(jī)理分析，版圖設(shè)計，以及大生產(chǎn)線工藝研發(fā)具有積極指導(dǎo)作用。
文檔編號G06F19/00GK102799793SQ20121030119
公開日2012年11月28日 申請日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月27日
發(fā)明者徐勤志, 陳嵐 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所