普通sim卡控制器支持低阻抗sim卡的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系統(tǒng)，包括：信號上升沿檢測單元比較SIM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；當(dāng)所述SIM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低或高電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SIM_DATA信號拉高至高電平。本發(fā)明使用普通SIM卡控制器就可以支持低阻抗SIM卡。只需在SIM_DATA信號上增加本發(fā)明的系統(tǒng)，并不改動原有普通SIM卡電路，當(dāng)終端不需要支持低阻抗SIM卡功能時，可不貼裝本發(fā)明系統(tǒng)從而降低成本，因此有利于多種機(jī)型共用一種PCB板的量產(chǎn)復(fù)用策略，即工板策略。本發(fā)明電路簡單，成本低，功耗小，易于推廣。
【專利說明】普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及SIM卡，特別涉及一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，普通SM卡控制器只支持普通SM卡。如圖1所示，其是普通SM卡的電路原理圖。
[0003]在圖1中，Dl?D4是釋放靜電器件(ESD器件)，用以防止SM電路被靜電擊穿，而SIM電路均由VSM供電。
[0004]進(jìn)一步的，Rl是上拉電阻，按照SM卡一致性測試電氣特性要求，Rl必須大于3K以上。根據(jù)SM規(guī)范，在Guardtime期間，普通SM卡控制器不再驅(qū)動SM_DATA信號，而靠Rl為SM_DATA信號提供上拉，也就是說，如果SM_DATA信號傳輸?shù)淖詈笠粋€比特是低，則Rl負(fù)責(zé)將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0005]進(jìn)一步的,普通SIM卡規(guī)范要求SIM_DATA的Guardtime上升時間小于1000ns。但是，由于手機(jī)中SM_DATA信號上的寄生電容很大，其中所述寄生電容包括:ESD器件電容、PCB (印刷電路板)走線電容，以及SM卡連接器、SIM卡及SM卡控制器引腳電容，通常情況下，假如SM_DATA信號傳輸?shù)淖詈笠粋€比特是低，即1上位低電平，則SM_DATA信號上的寄生電容會輕易超過40pF，從而導(dǎo)致SM_DATA的Guardtime上升時間超過100ns。
[0006]由于低阻抗SM卡規(guī)范要求SM_DATA的Guardtime上升時間要小于100ns，而SM卡一致性測試電氣特性要求，當(dāng)1上為低電平時，通過Rl灌入電流小于1mA，因此不能直接減小1上的上拉電阻來減小SM_DATA的Guardtime上升時間，因此普通SM卡傳統(tǒng)電路無法安全通過低阻抗SIM卡測試。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有普通SIM卡控制器不支持低阻抗SIM卡的問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)，包括:
[0009]信號上升沿檢測單元；
[0010]上拉信號產(chǎn)生單元，與所述信號上升沿檢測單元連通；
[0011 ] 上拉電路單元，與所述上拉信號產(chǎn)生單元連通。
[0012]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)中，
[0013]所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源，其中，所述快速比較器由所述VCC電源供電；所述快速比較器的陽極輸入一預(yù)設(shè)的參考電平，陰極輸入SHLDATA信號;
[0014]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:反向非門和VSM電源，其中，所述反向非門由所述VSIM電源供電；
[0015]所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻，其中，所述肖特基二極管與所述第二電阻串接。
[0016]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)中，
[0017]所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源，其中，所述快速比較器由所述VCC電源供電；所述快速比較器的陰極輸入一預(yù)設(shè)的參考電平，陽極輸入SHLDATA信號;
[0018]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:緩沖驅(qū)動門和VSIM電源，其中，所述緩沖驅(qū)動門由所述VSIM電源供電；
[0019]所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻，其中，所述肖特基二極管與所述第二電阻串接。
[0020]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)中，
[0021]所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻和第一高速NPN三極管，其中，所述第三電阻與所述第一高速NPN三極管導(dǎo)通；
[0022]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:第四電阻和第二高速NPN三極管，其中，所述第四電阻與所述第二高速NPN三極管導(dǎo)通；
[0023]所述上拉電路單元包括:第二電阻。
[0024]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)中，
[0025]所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻、第一高速NPN三極管和第四電阻，其中，所述第三電阻、第四電阻分別與所述第一高速NPN三極管導(dǎo)通；
[0026]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:高速P溝道MOS管；
[0027]所述上拉電路單元包括:第二電阻。
[0028]同時，本發(fā)明還提供一種普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)，包括:
[0029]超低壓電平轉(zhuǎn)換單元，所述超低壓電平轉(zhuǎn)換單元的輸入級由VCC電源供電，輸出級由VSIM電源供電；
[0030]上拉電路單元，與所述超低壓電平轉(zhuǎn)換單元連通。
[0031]進(jìn)一步的，在所述的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)中，所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻，其中，所述肖特基二極管與所述第二電阻串接。
[0032]同時，本發(fā)明還提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，包括:
[0033]信號上升沿檢測單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0034]當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低或高電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平。
[0035]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:反向非門和VSIM電源；所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻；
[0036]信號上升沿檢測單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平的步驟包括:快速比較器比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0037]當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，快速比較器輸出低電平，觸發(fā)反向非門輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0038]進(jìn)一步的，在所述的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的方法中，所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:緩沖驅(qū)動門和VSIM電源；所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻；
[0039]信號上升沿檢測單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平的步驟包括:快速比較器比較SM_DATA信號和預(yù)設(shè)的參考電平；
[0040]當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出高電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，快速比較器輸出高電平，觸發(fā)緩沖驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平。
[0041]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻和第一高速NPN三極管；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:第四電阻和第二高速NPN三極管；所述上拉電路單元包括:第二電阻；
[0042]當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，導(dǎo)通第一高速NPN三極管，并觸發(fā)導(dǎo)通第二高速NPN三極管驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0043]進(jìn)一步的，在所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法中，所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻、高速NPN三極管和第四電阻；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:高速P溝道MOS管；所述上拉電路單元包括:第二電阻；
[0044]當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，導(dǎo)通第一高速NPN三極管，并觸發(fā)導(dǎo)通高速P溝道MOS管驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0045]同時，本發(fā)明還提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，包括:
[0046]超低壓電平轉(zhuǎn)換單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0047]當(dāng)所述SIM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，超低壓電平轉(zhuǎn)換單元輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0048]本發(fā)明提供的一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系統(tǒng)，具有以下有益效果:本發(fā)明使用普通SM卡控制器就可以支持低阻抗SM卡。只需在SM_DATA信號上增加本發(fā)明的系統(tǒng)，并不改動原有普通SIM卡電路，當(dāng)終端不需要支持低阻抗SIM卡功能時，可不貼裝本發(fā)明系統(tǒng)從而降低成本，因此有利于多種機(jī)型共用一種PCB板的量產(chǎn)復(fù)用策略，即工板策略。本發(fā)明電路簡單，成本低，功耗小，易于推廣。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0049]圖1是現(xiàn)有的普通SM卡的電路原理圖；
[0050]圖2是本發(fā)明實施例1的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖3是本發(fā)明實施例1的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)和方法的電路設(shè)計圖；
[0052]圖4是本發(fā)明實施例1的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)和方法的電路設(shè)計圖；
[0053]圖5是本發(fā)明實施例2的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)和方法的電路設(shè)計圖；
[0054]圖6是本發(fā)明實施例3的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖7是本發(fā)明實施例3的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)和方法的電路設(shè)計圖；
[0056]圖8是本發(fā)明實施例4的普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)和方法的電路設(shè)計圖。

【具體實施方式】
[0057]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法和系統(tǒng)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0058]【實施例1】
[0059]如圖2所示，當(dāng)SM_DATA信號從低向高跳變過程中驅(qū)動SM_DATA自身，本實施例使SM_DATA上升時間大大縮短，本發(fā)明提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，包括:
[0060]信號上升沿檢測單元21 ；
[0061]上拉信號產(chǎn)生單元22，與所述信號上升沿檢測單元21連通；
[0062]上拉電路單元23，與所述上拉信號產(chǎn)生單元22連通。
[0063]同時，本發(fā)明還提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，包括:
[0064]步驟一:信號上升沿檢測單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0065]步驟二:當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低或高電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平。
[0066]進(jìn)一步的，如圖3所示，其是實施例1的電路設(shè)計圖。
[0067]具體的，所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器31和VCC電源，其中，所述快速比較器31由所述VCC電源供電；所述快速比較器31的陽極輸入一預(yù)設(shè)的參考電平，所述參考電平是一個較低的電壓，如0.3V，陰極輸入SIM_DATA信號；
[0068]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:反向非門32和VSM電源，其中，所述反向非門32由所述VSM電源供電，因此可同時支持1.8V和3V的SM卡；
[0069]所述上拉電路單元包括:肖特基二極管D5和第二電阻R2，其中，所述肖特基二極管D5與所述第二電阻R2串接。在本實施例中，所述肖特基二極管D5導(dǎo)通電壓低，通常為0.3V，所述第二電阻R2選用阻值較小的電阻，如IKohm。
[0070]特別要說明的是，如果參考電平電壓較低，且第二電阻R2較電阻Rl阻值差距不太大時，所述肖特基二極管D5可省略，但這會增加電路耗電。
[0071]進(jìn)一步的，如圖4所示，如果快速比較器31的陽極、陰極輸入信號對調(diào)，且所述反向非門32換成緩沖器，也可實現(xiàn)相同功能，也屬于本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0072]進(jìn)一步的，SIM_DATA信號縮短上升時間方法如下:
[0073]步驟一:快速比較器31比較SM_DATA信號和預(yù)設(shè)的參考電平；
[0074]步驟二:當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，快速比較器31輸出低或高電平，觸發(fā)反向非門32輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0075]具體的，按照低阻抗SM規(guī)范，要求SM_DATA信號在Gardtime時期上升沿(0.3*VSM?0.7*VSM)之間的時間小于100ns，此時間大約為時間常數(shù)R*C (R為SM_DATA上拉電阻，即第二電阻R2，C為SM_DATA上所有電容之和)，一般情況下，C為約40?60pF，當(dāng)?shù)诙娮鑂2為IKohm時，理論上可計算得到上升時間R*C小于100ns，這樣就達(dá)到了低阻抗SIM卡電氣特性的要求。
[0076]【實施例2】
[0077]在實施例2中，本發(fā)明提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，包括:
[0078]信號上升沿檢測單元；
[0079]上拉信號產(chǎn)生單元，與所述信號上升沿檢測單元連通；
[0080]上拉電路單元，與所述上拉信號產(chǎn)生單元連通。
[0081]同時，在實施例2中，本發(fā)明還提供一種普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，包括:
[0082]步驟一:信號上升沿檢測單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0083]步驟二:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平。
[0084]進(jìn)一步的，如圖5所示，其是實施例2的電路設(shè)計圖。
[0085]具體的，所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻R3和第一高速NPN三極管BI，其中，所述第三電阻R3與所述第一高速NPN三極管BI導(dǎo)通，所述第一高速NPN三極管BI接地；
[0086]在本實施例中，所述第三電阻R3選擇較大的電阻，如47Kohm ；
[0087]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:第四電阻R4和第二高速NPN三極管B2，其中，所述第四電阻R4與所述第二高速NPN三極管B2導(dǎo)通；
[0088]在本實施例中，所述第四電阻R4選擇較大的電阻，如1Kohm;
[0089]所述上拉電路單元包括:第二電阻R2。
[0090]在本實施例中，所述第二電阻R2選擇較小的電阻，如IKohm。
[0091]進(jìn)一步的，SIM_DATA信號縮短上升時間方法如下:
[0092]當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，導(dǎo)通第一高速NPN三極管BI，并觸發(fā)導(dǎo)通第二高速NPN三極管B2驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0093]具體的，在本實施例中，所述參考電平選擇0.7V，當(dāng)SIM_DATA信號高于0.7V時，所述第一高速NPN三極管BI導(dǎo)通，同時觸發(fā)導(dǎo)通第二高速NPN三極管B2驅(qū)動輸出高電平，當(dāng)所述第二高速NPN三極管B2輸出高電平時，上拉電路單元迅速將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0094]【實施例3】
[0095]在實施例3中，信號上升沿檢測單元和上拉信號產(chǎn)生單元可由一個超低壓電平轉(zhuǎn)換單元一并實現(xiàn)，也可實現(xiàn)本發(fā)明的相同功能。
[0096]如圖6所示，本發(fā)明提供一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，包括:
[0097]超低壓電平轉(zhuǎn)換單元51，所述超低壓電平轉(zhuǎn)換單元51的輸入級由VCC電源供電，輸出級由VSIM電源供電；
[0098]上拉電路單元52，與所述超低壓電平轉(zhuǎn)換單元51連通。
[0099]具體的，所述上拉電路單元包括:肖特基二極管D5和第二電阻R2，其中，所述肖特基二極管D5與所述第二電阻R2串接。在本實施例中，所述肖特基二極管D5導(dǎo)通電壓低，通常為0.3V，所述第二電阻R2選用阻值較小的電阻，如IKohm。
[0100]同時，如圖7所示，本發(fā)明還提供一種普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，包括:
[0101]步驟一:超低壓電平轉(zhuǎn)換單元比較SHLDATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0102]步驟二:當(dāng)所述SIM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，超低壓電平轉(zhuǎn)換單元輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0103]具體的，在本實施例中，超低壓電平轉(zhuǎn)換單元可最低接受0.9V電壓，且高電平判斷門限為0.9V*0.65=0.585V,因此當(dāng)VCC電壓為0.9V時，當(dāng)SIM_DATA電壓高于0.585V時，超低壓電平轉(zhuǎn)換芯片驅(qū)動輸出高。當(dāng)超低壓電平轉(zhuǎn)換芯片驅(qū)動輸出高時，上拉電路單元迅速將SM_DATA信號拉高至電平。
[0104]【實施例4】
[0105]在實施例4中，本發(fā)明提供一種普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的系統(tǒng)，包括:
[0106]信號上升沿檢測單元；
[0107]上拉信號產(chǎn)生單元，與所述信號上升沿檢測單元連通；
[0108]上拉電路單元，與所述上拉信號產(chǎn)生單元連通。
[0109]同時，在實施例4中，本發(fā)明還提供一種普通SM卡控制器支持低阻抗SM卡的方法，使用所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，包括:
[0110]步驟一:信號上升沿檢測單元比較SHLDATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平；
[0111]步驟二:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0112]進(jìn)一步的，如圖8所示，其是實施例4的電路設(shè)計圖。
[0113]具體的，所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻R3、第一高速NPN三極管BI和第四電阻R4，其中，所述第三電阻R3、第四電阻R4分別與所述第一高速NPN三極管BI導(dǎo)通，所述第一高速NPN三極管BI接地；
[0114]在本實施例中，所述第三電阻R3選擇較大的電阻，如47Kohm ;所述第四電阻R4也選擇較大的電阻，如1Kohm ；
[0115]所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:高速P溝道MOS管Ml，所述高速P溝道MOS管Ml由VSIM電源供電；
[0116]所述上拉電路單元包括:第二電阻R2。
[0117]在本實施例中，所述第二電阻R2選擇較小的電阻，如IKohm。
[0118]進(jìn)一步的，SIM_DATA信號縮短上升時間方法如下:
[0119]當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，導(dǎo)通第一高速NPN三極管BI，并觸發(fā)導(dǎo)通高速P溝道MOS管Ml驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0120]具體的，在本實施例中，所述參考電平選擇0.7V，當(dāng)SIM_DATA信號高于0.7V時，所述第一高速NPN三極管BI導(dǎo)通，同時觸發(fā)高速P溝道MOS管Ml驅(qū)動輸出高電平，當(dāng)所述高速P溝道MOS管Ml輸出高電平時，上拉電路單元迅速將SM_DATA信號拉高至高電平。
[0121]綜合上述結(jié)構(gòu)的結(jié)合，本發(fā)明使用普通SIM卡控制器就可以支持低阻抗SIM卡。只需在SM_DATA信號上增加本發(fā)明的系統(tǒng)，并不改動原有普通S頂卡電路，當(dāng)終端不需要支持低阻抗SIM卡功能時，可不貼裝本發(fā)明系統(tǒng)從而降低成本，因此有利于多種機(jī)型共用一種PCB板的量產(chǎn)復(fù)用策略，即工板策略。本發(fā)明電路簡單，成本低，功耗小，易于推廣。
[0122]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 信號上升沿檢測單元； 上拉信號產(chǎn)生單元，與所述信號上升沿檢測單元連通； 上拉電路單元，與所述上拉信號產(chǎn)生單元連通。
2.如權(quán)利要求1所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于， 所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源，其中，所述快速比較器由所述VCC電源供電；所述快速比較器的陽極輸入一預(yù)設(shè)的參考電平，陰極輸入SM_DATA信號；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:反向非門和VSIM電源，其中，所述反向非門由所述VSIM電源供電； 所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻，其中，所述肖特基二極管與所述第二電阻串接。
3.如權(quán)利要求1所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于， 所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源，其中，所述快速比較器由所述VCC電源供電；所述快速比較器的陰極輸入一預(yù)設(shè)的參考電平，陽極輸入SHLDATA信號；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:緩沖驅(qū)動門和VSIM電源，其中，所述緩沖驅(qū)動門由所述VSIM電源供電； 所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻，其中，所述肖特基二極管與所述第二電阻串接。
4.如權(quán)利要求1所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于， 所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻和第一高速NPN三極管，其中，所述第三電阻與所述第一高速NPN三極管導(dǎo)通； 所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:第四電阻和第二高速NPN三極管，其中，所述第四電阻與所述第二高速NPN三極管導(dǎo)通； 所述上拉電路單元包括:第二電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于， 所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻、第一高速NPN三極管和第四電阻，其中，所述第三電阻、第四電阻分別與所述第一高速NPN三極管導(dǎo)通； 所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:高速P溝道MOS管； 所述上拉電路單元包括:第二電阻。
6.一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 超低壓電平轉(zhuǎn)換單元，所述超低壓電平轉(zhuǎn)換單元的輸入級由VCC電源供電，輸出級由VSIM電源供電； 上拉電路單元，與所述超低壓電平轉(zhuǎn)換單元連通。
7.如權(quán)利要求6所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的系統(tǒng)，其特征在于，所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻，其中，所述肖特基二極管與所述第二電阻串接。
8.一種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用如權(quán)利要求1所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 信號上升沿檢測單元比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平； 當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低或高電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
9.如權(quán)利要求8所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，其特征在于，所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:反向非門和VSIM電源；所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻； 信號上升沿檢測單元比較SHLDATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平的步驟包括:快速比較器比較SM_DATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平； 當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，快速比較器輸出低電平，觸發(fā)反向非門輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平。
10.如權(quán)利要求8所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，其特征在于，所述信號上升沿檢測單元包括:快速比較器和VCC電源；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:緩沖驅(qū)動門和VSIM電源；所述上拉電路單元包括:肖特基二極管和第二電阻； 信號上升沿檢測單元比較SHLDATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平的步驟包括:快速比較器比較SM_DATA信號和預(yù)設(shè)的參考電平； 當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出高電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，快速比較器輸出高電平，觸發(fā)緩沖驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
11.如權(quán)利要求8所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，其特征在于，所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻和第一高速NPN三極管；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:第四電阻和第二高速NPN三極管；所述上拉電路單元包括:第二電阻； 當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，導(dǎo)通第一高速NPN三極管，并觸發(fā)導(dǎo)通第二高速NPN三極管驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
12.如權(quán)利要求8所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，其特征在于，所述信號上升沿檢測單元包括:第三電阻、高速NPN三極管和第四電阻；所述上拉信號產(chǎn)生單元包括:高速P溝道MOS管；所述上拉電路單元包括:第二電阻； 當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，信號上升沿檢測單元輸出低電平，觸發(fā)上拉信號產(chǎn)生單元驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SHLDATA信號拉高至高電平的步驟包括:當(dāng)所述SHLDATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，導(dǎo)通第一高速NPN三極管，并觸發(fā)導(dǎo)通高速P溝道MOS管驅(qū)動輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
13.—種普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的方法，使用如權(quán)利要求6所述的普通SIM卡控制器支持低阻抗SIM卡的的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 超低壓電平轉(zhuǎn)換單元比較SHLDATA信號和一預(yù)設(shè)的參考電平； 當(dāng)所述SIM_DATA信號高于預(yù)設(shè)的參考電平時，超低壓電平轉(zhuǎn)換單元輸出高電平，從而上拉電路單元將SM_DATA信號拉高至高電平。
【文檔編號】G06K7/00GK104346305SQ201310345356
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月8日
【發(fā)明者】范團(tuán)寶, 石珊珊 申請人:聯(lián)芯科技有限公司