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      一種cmp工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法

      文檔序號(hào):6514037閱讀:1184來源:國(guó)知局
      一種cmp工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法【專利摘要】一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法,應(yīng)用于APC系統(tǒng),按以下規(guī)則同步新品的定時(shí)程序中控制信息:一,舊品TECH、Layer、PPID、PostTargetclearratio和新品相同,則復(fù)制舊品controller到新品;二,clearratio不同,clearratio差異在5%以內(nèi)的任意兩筆舊品記錄,按公式A的刻開比clearratio/B和C刻開比clearratio的平均值=B和C消除前值不同影響的研磨量Table’的平均值/A的研磨量Table;計(jì)算出新品A的研磨量Table;A的前值=B、C前值的平均值;三,將A的研磨量Table和前值寫入控制信息controller,其它信息數(shù)據(jù)復(fù)制自任意一個(gè)選取的舊品B或C的數(shù)據(jù)。本發(fā)明的新品上線成功率高、成本低、減少浪費(fèi)?!緦@f明】—種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法【
      技術(shù)領(lǐng)域
      】[0001]本發(fā)明涉及芯片制造的CMP工藝,特別是一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計(jì)算方法?!?br>背景技術(shù)
      】[0002]半導(dǎo)體平坦化(CMP)是半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。在CMP業(yè)內(nèi),通常的晶圓的返工率(reworkrat1bywafer)大概在10%左右,所以控制返工率有利于節(jié)約成本、提高工作效率。[0003]CMP工藝中,有一個(gè)重要指標(biāo)是刻開率(clearrat1),是指刻開面積和未刻開面積之比,CMP的研磨時(shí)間和刻開率有一定的關(guān)系。但是這個(gè)內(nèi)在關(guān)系并沒有被利用到返工率控制上。[0004]新品上線的時(shí)候,其成功率(successrat1)大約在80%。業(yè)內(nèi)將追求新品的一次成功率、不返工作為關(guān)鍵項(xiàng)目指標(biāo)(KPI),用來體現(xiàn)質(zhì)量和技術(shù)水平、贏得客戶。所以如何提高新品的成功率是一個(gè)重要研究課題。而成功率的控制主要來自新品的理論研磨量(理論polish量、即Table)的計(jì)算和設(shè)定。[0005]現(xiàn)有的手段,憑經(jīng)驗(yàn)設(shè)定數(shù)據(jù),質(zhì)量不穩(wěn)定,將嚴(yán)重增加成本、影響機(jī)臺(tái)產(chǎn)能和使用效率,影響CT、影響costdown、影響SPCCPK的提升、OCAPrat1、holdlotrat1,甚至影響defect,MO等一系列指標(biāo),還浪費(fèi)人力和消耗能源。【
      發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明的目的是發(fā)明一種利用clearrat1計(jì)算CMP新品的研磨量Table的方法,以提高新品的成功率(successrat1),減少返工率。[0007]為此,采用的技術(shù)手段是:一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法,應(yīng)用于APC系統(tǒng),所述APC系統(tǒng)的控制信息controller中含有晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget、刻開比clearrat1數(shù)據(jù)、前值(研磨之前的膜厚值)和舊品的研磨量Table,其特征是,按以下方法同步新品的定時(shí)程序中控制信息controller:一,舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget和刻開比clearrat1與新品相同,貝U復(fù)制當(dāng)前的控制信息controller到新品;二,舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget相同,亥Ij開比clearrat1與新品不同,貝U按以下公式方法計(jì)算新品研磨量Table,A的刻開比clearrat1/B和C刻開比clearrat1的平均值=B和C消除前值不同影響的研磨量Table’的平均值/A的研磨量Table;式中A表示新品,B、C為任意兩個(gè)刻開比差異在5%以內(nèi)的舊品;A、B、C的刻開比clearrat1均為預(yù)設(shè)值;B的消除其前值不同影響的研磨量Table’=B的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的B的研磨量Table;C的消除其前值不同影響的研磨量Table’=C的前值_A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的C的研磨量Table;其中,控制信息controller中已經(jīng)存在B、C的前值和研磨量Table數(shù)據(jù),A的前值=B、C前值的平均值;然后將計(jì)算出的新品A的研磨量Table和A的前值寫入控制信息controller,其它信息數(shù)據(jù)復(fù)制自任意一個(gè)選取的舊品B或C的數(shù)據(jù)。[0008]優(yōu)選的是,所述的新品的研磨量Table的上下限設(shè)定為±800A。[0009]本發(fā)明通過尋找新品研磨量table和刻開比clearrat1的關(guān)系,揭示了一種CMP上線新品的控制信息數(shù)據(jù)的計(jì)算方法,能夠提供精確的控制信息數(shù)據(jù),大幅度提高新品成功率successrat1,最終實(shí)現(xiàn)減少返工率、提升廣能、提升CT、降低成本、提聞效率、提聞品質(zhì)的有益效果?!揪唧w實(shí)施方式】[0010]CMP研磨的時(shí)間和刻開比clearrat1有一定的關(guān)系,本發(fā)明是按照刻開比clearrat1來計(jì)算產(chǎn)品的理論研磨量poIishamout等信息數(shù)據(jù)。本發(fā)明應(yīng)用于APC系統(tǒng),所述的APC系統(tǒng)的控制信息controller中含有晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget、刻開比clearrat1數(shù)據(jù)、前值和研磨量Table,前值是指研磨之前的膜厚值,以上數(shù)據(jù)都是APC系統(tǒng)工作的必要信息數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)決定了研磨質(zhì)量和效果。同樣的產(chǎn)品,不同的層次,亥lJ開比clearrat1不一樣,所以刻開比clearrat1是反映產(chǎn)品模板pattern疏密的一個(gè)參數(shù),根據(jù)刻開比clearrat1計(jì)算polish的理論polish量,即Table(研磨量)。[0011]設(shè)定新品為A,同步新品A的定時(shí)程序中同步控制信息controller的方法如下:一,舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget和刻開比clearrat1與新品相同,貝U復(fù)制當(dāng)前的控制信息controller到新品;二,舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget相同,亥Ij開比clearrat1與新品不同,貝U按以下公式方法計(jì)算新品研磨量Table,A的刻開比clearrat1/B和C刻開比clearrat1的平均值=B和C消除前值不同影響的研磨量Table’的平均值/A的研磨量Table;式中A表示新品,B、C為任意兩個(gè)刻開比差異在5%以內(nèi)的舊品;A、B、C的刻開比clearrat1均為預(yù)設(shè)值;B的消除其前值不同影響的研磨量Table’=B的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的B的研磨量Table;C的消除其前值不同影響的研磨量Table’=C的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的C的研磨量Table;其中,控制信息controller中已經(jīng)存在B、C的前值和研磨量Table數(shù)據(jù),A的前值=B、C前值的平均值;將新品A的研磨量Table和前值寫入控制信息controller,其它信息數(shù)據(jù)(如晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget等)復(fù)制自任意一個(gè)選取的B或C的數(shù)據(jù)。另外,APC系統(tǒng)中設(shè)定新品A研磨量Table的上下限設(shè)定為±800A。[0012]至此,新品A的研磨量信息數(shù)據(jù)計(jì)算完成,通過對(duì)CMP設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入,可以完成新品的上線生產(chǎn)。[0013]實(shí)際的線上作業(yè)中,inlinethickness的量測(cè)本來就存在誤差和波動(dòng),包括工藝機(jī)臺(tái)和量測(cè)機(jī)臺(tái)間的差異,而本發(fā)明的方法是利用刻開比clearrat1的差異與研磨量table差異之間的聯(lián)系來獲取新品的研磨數(shù)據(jù),clearrat1的差異越大,Table的差異也越大,以差異的大小做Table的分布。本發(fā)明方法數(shù)據(jù)要求較低,能夠提高成功率、降低計(jì)算難度、減少誤差以及差異的累加。本發(fā)明的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,批次研磨量(lotpolish)數(shù)據(jù)一步到位,能減少返工率,提高了效率、進(jìn)一步降低了成本?!緳?quán)利要求】1.一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法,應(yīng)用于APC系統(tǒng),所述APC系統(tǒng)的控制信息controller中含有晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget、刻開比clearrat1數(shù)據(jù)、前值和舊品的研磨量Table,其特征是,按以下方法同步新品的定時(shí)程序中控制信息controller:一,舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget和刻開比clearrat1與新品相同,貝U復(fù)制當(dāng)前的控制信息controller到新品;二,舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應(yīng)用的工藝程序PPID、中心值PostTarget相同,亥Ij開比clearrat1與新品不同,貝U按以下公式方法計(jì)算新品研磨量Table,A的刻開比clearrat1/B和C刻開比clearrat1的平均值=B和C消除前值不同影響的研磨量Table’的平均值/A的研磨量Table;式中A表示新品,B、C為任意兩個(gè)刻開比差異在5%以內(nèi)的舊品;A、B、C的刻開比clearrat1均為預(yù)設(shè)值;B的消除其前值不同影響的研磨量Table’=B的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的B的研磨量Table;C的消除其前值不同影響的研磨量Table’=C的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的C的研磨量Table;其中,控制信息controller中已經(jīng)存在B、C的前值和研磨量Table數(shù)據(jù),A的前值=B、C前值的平均值;然后將計(jì)算出的新品A的研磨量Table和A的前值寫入控制信息controller,其它信息數(shù)據(jù)復(fù)制自任意一個(gè)選取的舊品B或C的數(shù)據(jù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)的精確計(jì)算方法,其特征是:所述的新品研磨量Table的上下限為±800A?!疚臋n編號(hào)】G06F17/50GK104516993SQ201310455219【公開日】2015年4月15日申請(qǐng)日期:2013年9月30日優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日【發(fā)明者】張禮麗,劉毅申請(qǐng)人:無錫華潤(rùn)上華科技有限公司
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