專利名稱：化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)， 為了提高集成度，降低制造成本，半導(dǎo)體器件的尺寸日益減小，平面布線已難以滿足半導(dǎo)體器件高密度分布的要求，只能采用多層布線技術(shù)，進(jìn)一步提高半導(dǎo)體器件的集成密度。由于多層互連或填充深度比較大的沉積過程導(dǎo)致了晶片表面過大的起伏，引起光刻工藝聚焦的困難，使得對(duì)線寬的控制能力減弱，降低了整個(gè)晶片上線寬的一致性。為此，需要對(duì)不規(guī)則的晶片表面進(jìn)行平坦化處理。目前，化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP) 是達(dá)成全局平坦化的最佳方法，尤其是在半導(dǎo)體制作工藝進(jìn)入亞微米領(lǐng)域后，化學(xué)機(jī)械研磨已成為一項(xiàng)不可或缺的制作工藝技術(shù)。目前，通常采用化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，也稱為研磨機(jī)臺(tái)或拋光機(jī)臺(tái)來進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝。所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備包括第一研磨平臺(tái)(Platen 1)、第二研磨平臺(tái)(Platen 2)、第三研磨平臺(tái)(Platen 3)以及用于裝卸晶片的中轉(zhuǎn)平臺(tái)(也稱為初始位)。所有進(jìn)入到化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的晶片必須先經(jīng)所述中轉(zhuǎn)平臺(tái)傳送至第一研磨平臺(tái)，再傳送至第二研磨平臺(tái)，之后才能傳送至第三研磨平臺(tái)，最后經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)移出所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備。所述第一研磨平臺(tái)、第二研磨平臺(tái)和第三研磨平臺(tái)上分別粘貼有第一研磨墊、第二研磨墊以及第三研磨墊。目前，通常將化學(xué)機(jī)械研磨工藝分為三個(gè)階段進(jìn)行所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的第一階段在所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的第一研磨平臺(tái)上進(jìn)行，所述第一階段也稱為粗加工研磨，所述第一階段利用較大的研磨速率(Removal Rate, RR)去除介質(zhì)層上方的大部分的金屬層，形成初步平坦化；所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的第二階段在第二研磨平臺(tái)上進(jìn)行，所述第二階段也稱為精加工研磨，為了精確控制研磨終點(diǎn)，所述第二階段用較小的研磨速率去除介質(zhì)層上方的全部金屬層；所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的第三階段在第三研磨平臺(tái)上進(jìn)行，所述第三階段也稱為過研磨(over polish)階段，所述第三階段是為了確保介質(zhì)層上方的金屬層被完全去除，并去除阻擋層(barrier)和一定量的介質(zhì)層，以進(jìn)一步提高平坦化程度。 其中，第一階段和第二階段可使用相同的研磨液，該研磨液的主要目的是去除金屬層(例如銅)；而第三階段與前兩個(gè)階段使用的研磨液的成分有所不同，第三階段使用的研磨液的主要目的是去除阻擋層和介質(zhì)層。有關(guān)化學(xué)機(jī)械研磨工藝的更多信息還可參見申請(qǐng)?zhí)枮?200810226330. 7的中國專利申請(qǐng)。但是，在實(shí)際生產(chǎn)中還經(jīng)常遇到另外一種情況，即已經(jīng)進(jìn)行完化學(xué)機(jī)械研磨工藝的晶片，由于等待時(shí)間to-time)過長或晶片表面附著有顆粒(particle)等原因需要返工(rework)，即需要重新進(jìn)行一次化學(xué)機(jī)械研磨工藝，以去除晶片表面部分厚度的金屬層和介質(zhì)層，從而將晶片表面的缺陷去除掉，避免出現(xiàn)金屬腐蝕缺陷(metal corrosion defect)。一般的，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工過程中，無需在所述第一研磨平臺(tái)和第二研磨平臺(tái)上進(jìn)行研磨工藝，只需在所述第三研磨平臺(tái)上對(duì)返工的晶片進(jìn)行研磨，并采用第三階段使用的研磨液(該研磨液的主要目的是去除介質(zhì)層)，以去除返工晶片表面部分厚度的金屬層和部分厚度的介質(zhì)層。具體的說，當(dāng)有多個(gè)晶片需要返工時(shí)，由于所有需返工的晶片必須經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)傳送至第一研磨平臺(tái)，再傳送至第二研磨平臺(tái)，最后才能傳送至第三研磨平臺(tái)，因此，現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法通常包括以下過程首先，將第一晶片傳送至第一研磨平臺(tái)上；然后，將第一晶片由第一研磨平臺(tái)傳送至第二研磨平臺(tái)，同時(shí)將第二晶片傳送至第一研磨平臺(tái)；接著，將所述第一晶片由第二研磨平臺(tái)傳送至第三研磨平臺(tái)，同時(shí)將第二晶片由第一研磨平臺(tái)傳送至第二研磨平臺(tái)，同時(shí)將第三晶片傳送至第一研磨平臺(tái)上。也就是說，所述第一晶片在第三研磨平臺(tái)上進(jìn)行研磨處理時(shí)，所述第二晶片和第三晶片分別在第二研磨平臺(tái)和第一研磨平臺(tái)上等待，只有等第一晶片在第三研磨平臺(tái)上進(jìn)行完研磨處理過程去除了第一晶片表面的缺陷后，并且將第一晶片從第三研磨平臺(tái)上移走時(shí)，第二晶片才能從第二研磨平臺(tái)上移到第三研磨平臺(tái)上進(jìn)行研磨處理。然而，在現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨返工方法中，第二晶片和第三晶片在等待時(shí)，未向所述第二晶片和第三晶片噴灑去離子水或氣體，也就是說，所述第二晶片和第三晶片未進(jìn)行任何隔離處理，所述化學(xué)機(jī)械研磨平臺(tái)上的各種污染物(例如腐蝕性的液體或各種顆粒) 極有可能濺落到第二晶片和第三晶片表面，從而污染第二晶片和第三晶片，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的良率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，以解決現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，在第一研磨平臺(tái)和第二研磨平臺(tái)上的晶片容易被污染，而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的良率下降的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，包括提供化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備包括第一研磨平臺(tái)、第二研磨平臺(tái)以及第三研磨平臺(tái)，所述第三研磨平臺(tái)上設(shè)置有第一晶片，所述第二研磨平臺(tái)上方設(shè)置有第二晶片，所述第一研磨平臺(tái)上方設(shè)置有第三晶片；向所述第一晶片的表面噴灑研磨液以去除所述第一晶片表面的缺陷，同時(shí)，分別向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水?？蛇x的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，所述氣體或去離子水以自下向上的方向噴吹所述第二晶片和第三晶片的表面。可選的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體時(shí)，所述氣體為氮?dú)饣蚝??？蛇x的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，所述氣體的流量為100 2OOsccm,所述氣體的壓力為5 2OiTorr15可選的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹去離子水時(shí)，所述去離子水的流量為300 1000mL/min?？蛇x的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，向所述第一晶片的表面噴灑研磨液的時(shí)間為3 20sec?？蛇x的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水的時(shí)間為3 20seC?？蛇x的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，向所述第一晶片的表面噴灑研磨液以去除第一晶片表面的缺陷的步驟之后，還包括將所述第一晶片移出化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備；同時(shí)，將第二晶片傳送至第三研磨平臺(tái)并向第二晶片的表面噴灑研磨液以去除第二晶片表面的缺陷；同時(shí)，將所述第三晶片傳送至第二研磨平臺(tái)并向第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水。可選的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，將所述第三晶片傳送至第二研磨平臺(tái)并向第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水的同時(shí)，還包括將第四晶片傳送至所述第一研磨平臺(tái)并向第四晶片的表面噴吹氣體或去離子水?？蛇x的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備還包括設(shè)置于所述第一研磨平臺(tái)上方的第一研磨液手臂，利用所述第一研磨液手臂向所述第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水。可選的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備還包括設(shè)置于所述第二研磨平臺(tái)上方的第二研磨液手臂，利用所述第二研磨液手臂向所述第二晶片的表面噴吹氣體或去離子水。可選的，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法中，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備還包括設(shè)置于所述第三研磨平臺(tái)上方的第三研磨液手臂，利用所述第三研磨液手臂向所述第一晶片的表面噴灑研磨液。由于采用了以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明向第三研磨平臺(tái)上的第一晶片的表面噴灑研磨液以去除第一晶片表面的缺陷時(shí)，還向第二研磨平臺(tái)等待的第二晶片和第一研磨平臺(tái)上等待的第三晶片表面噴吹氣體或去離子水，以確保化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備上的各種污染物不會(huì)濺落到第二晶片和第三晶片表面，防止第二研磨平臺(tái)和第一研磨平臺(tái)上等待的晶片被污染，提高了半導(dǎo)體器件的良率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所采用的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的俯視圖；圖3為圖2中第一研磨平臺(tái)的立體示意圖；圖4為圖2中第二研磨平臺(tái)的立體示意圖；圖5為圖2中第三研磨平臺(tái)的立體示意圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)背景技術(shù)所述，在現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨返工方法中，第三研磨平臺(tái)上的第一晶片進(jìn)行研磨處理時(shí)，未向第二研磨平臺(tái)和第一研磨平臺(tái)上等待的第二晶片和第三晶片進(jìn)行任何隔離處理，使得化學(xué)機(jī)械研磨平臺(tái)上的各種污染物極有可能濺落到第二晶片和第三晶片表面，從而污染第二晶片和第三晶片，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的良率下降。因此，本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，該方法向第三研磨平臺(tái)上的第一晶片的表面噴灑研磨液以去除第一晶片表面的缺陷時(shí)，還向第二研磨平臺(tái)上等待的第二晶片和第一研磨平臺(tái)上等待的第三晶片表面噴吹氣體或去離子水，以確保各種污染物不會(huì)濺落到第二晶片和第三晶片表面，防止第二研磨平臺(tái)和第一研磨平臺(tái)上等待的晶片被污染，有利于提高半導(dǎo)體器件的良率。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法的流程圖， 結(jié)合該圖2，該方法包括以下步驟步驟Si，并結(jié)合圖2至圖5，首先，提供化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100包括第一研磨平臺(tái)110、第二研磨平臺(tái)120以及第三研磨平臺(tái)130，所述第三研磨平臺(tái)130上設(shè)置有第一晶片10，所述第二研磨平臺(tái)120上方設(shè)置有第二晶片20，所述第一研磨平臺(tái)110上方設(shè)置有第三晶片30。所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100還包括用于裝卸晶片的中轉(zhuǎn)平臺(tái)140，所有需返工的晶片必須先經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)140傳送至第一研磨平臺(tái)110，再傳送至第二研磨平臺(tái)120，之后才能傳送至第三研磨平臺(tái)130，最后經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)140移出化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100。其中，第一研磨平臺(tái)110、第二研磨平臺(tái)120和第三研磨平臺(tái)130上分別粘貼有第一研磨墊112、第二研磨墊122以及第三研磨墊132。此外，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100還包括研磨頭支架150， 所述研磨頭支架150是可旋轉(zhuǎn)的，其大致呈十字形，所述研磨頭支架150具有四個(gè)支臂，每個(gè)支臂的下方連接有一個(gè)研磨頭。如圖2所示，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100還包括第一研磨液手臂113、第二研磨液手臂123以及第三研磨液手臂133，其中，第一研磨液手臂113設(shè)置于第一研磨平臺(tái)110的上方，第二研磨液手臂123設(shè)置于第二研磨平臺(tái)120的上方，第三研磨液手臂133設(shè)置于第三研磨平臺(tái)130的上方。可利用第一研磨液手臂113向第一研磨平臺(tái)110上的第三晶片30 表面噴吹氣體或去離子水，利用第二研磨液手臂123向第二研磨平臺(tái)120上的第二晶片20 表面噴吹氣體或去離子水，利用第三研磨液手臂133向第三研磨液平臺(tái)130上的第一晶片 10表面噴灑研磨液。利用現(xiàn)有的研磨設(shè)備自帶的三個(gè)研磨液手臂即可完成本發(fā)明實(shí)施例提供的化學(xué)研磨工藝的返工過程，無需額外購置設(shè)備，降低了生產(chǎn)成本。當(dāng)然，本發(fā)明本不局限于此，根據(jù)實(shí)際需要，也可采用其它方式向第二研磨平臺(tái)120和第一研磨平臺(tái)110上的晶片的表面噴吹氣體或去離子水。接著執(zhí)行步驟S2，向第一晶片10的表面噴灑研磨液以去除第一晶片10表面的缺陷；同時(shí)，向第二晶片20的表面噴吹氣體或去離子水；同時(shí)，向第三晶片30的表面噴吹氣體或去離子水。具體的說，如圖3所示，向第一晶片10的表面噴灑研磨液時(shí)，可將要研磨的第一晶片10附著在化學(xué)機(jī)械設(shè)備的第三研磨頭131上，該第一晶片10的待研磨面向下并接觸相對(duì)旋轉(zhuǎn)的第三研磨墊132，第三研磨頭131提供的下壓力將該第一晶片10緊壓到第三研磨墊132上，當(dāng)該第三研磨平臺(tái)130旋轉(zhuǎn)時(shí)，第三研磨頭131也進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。同時(shí)，第三階段使用的研磨液(該研磨液的主要目的是去除介質(zhì)層)通過第三研磨液手臂133輸送到第三研磨墊132上，并通過離心力均勻地分布在第三研磨墊132上，返工過程所使用的研磨液包含有化學(xué)腐蝕劑和研磨顆粒，通過化學(xué)腐蝕劑和所述待研磨表面的化學(xué)反應(yīng)生成較軟的容易被去除的材料，然后通過機(jī)械摩擦將這些較軟的物質(zhì)從被研磨的第一晶片10的表面去掉，從而去除返工的第一晶片10表面部分厚度的金屬層和部分厚度的介質(zhì)層，以將第一晶片10表面的缺陷去除掉，避免出現(xiàn)金屬腐蝕缺陷(metal corrosion defect)，提高半導(dǎo)體器件的可靠性。在進(jìn)行圖3所示步驟的同時(shí)，如圖4所示，第二晶片20被設(shè)置在第二研磨平臺(tái)120 的上方，第二晶片20附著在化學(xué)機(jī)械設(shè)備的第二研磨頭121上，并向第二晶片20的表面噴吹氣體或去離子水，以確保第二晶片20的表面不會(huì)被污染。較佳的，所述第二晶片20是處于升起狀態(tài)，即第二晶片20是位于第二研磨平臺(tái)120上方，使第二晶片20不接觸第二研磨墊122，所述氣體或去離子水以自下向上的方向噴吹第二晶片20的表面。可利用所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100自帶的第二研磨液手臂123，向第二晶片20的表面噴吹氣體或去離子水。在進(jìn)行圖3和圖4所示步驟的同時(shí)，如圖5所示，第三晶片30被設(shè)置在第一研磨平臺(tái)110的上方，第三晶片30附著在化學(xué)機(jī)械設(shè)備的第一研磨頭111上，并向第三晶片30 的表面噴吹氣體或去離子水，以確保第三晶片30的表面不會(huì)被污染。較佳的，所述第三晶片30是處于升起狀態(tài)，即第三晶片30不接觸第一研磨墊112，所述氣體或去離子水自下向上的方向噴吹第三晶片30的表面?？衫盟龌瘜W(xué)機(jī)械研磨設(shè)備100自帶的第一研磨液手臂113，向第三晶片30的表面噴吹氣體或去離子水。在本實(shí)施例中，向第一晶片10的表面噴灑研磨液的同時(shí)，向第二晶片20的表面噴吹的是氣體，所述氣體優(yōu)選為氮?dú)饣蚝?，所述氮?dú)夂秃廨^為純凈，不會(huì)污染第二晶片20 的表面；所述氣體的流量優(yōu)選為100 200sCCm，所述氣體的壓力優(yōu)選為5 20Torr，上述流量和壓力的氣體噴吹到第二晶片20的表面時(shí)，既不會(huì)由于壓力和流量太大對(duì)第二晶片 20上的圖形造成損傷，又可確保將第二晶片20隔離起來，防止化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備上的污染物附著到第二晶片20表面。當(dāng)然，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，向第一晶片10的表面噴灑研磨液的同時(shí)，也可向第二晶片20的表面噴吹去離子水，所述去離子水同樣可將第二晶片20 隔離開來，避免其被污染。若向第二晶片20的表面噴吹去離子水時(shí)，所述去離子水的流量優(yōu)選為300 lOOOmL/min，該流量可確保第二晶片20的圖形不會(huì)被損傷，又可確保將第二晶片20隔離起來。同樣，在本實(shí)施例中，向第一晶片10的表面噴灑研磨液的同時(shí)，向第三晶片30的表面噴吹的是氣體，所述氣體優(yōu)選為氮?dú)饣蚝?，所述氮?dú)夂秃廨^為純凈，不會(huì)污染第三晶片30的表面；所述氣體的流量優(yōu)選為100 200sCCm，所述氣體的壓力優(yōu)選為5 20ΤΟΠ·，上述流量和壓力的氣體噴吹到第三晶片30的表面時(shí)，既不會(huì)由于壓力和流量太大對(duì)第三晶片30上的圖形造成損傷，又可確保將第三晶片30隔離起來，防止化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備上的污染物附著到第三晶片30表面。當(dāng)然，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，向第一晶片10的表面噴灑研磨液的同時(shí)，也可向第三晶片30的表面噴吹去離子水，所述去離子水同樣可將第三晶片30隔離開來，避免其被污染。向第三晶片30的表面噴吹去離子水時(shí)，所述去離子水的流量優(yōu)選為300 lOOOmL/min，該流量可確保第三晶片30的圖形不會(huì)被損傷，又可確保將第三晶片30隔離起來。在本實(shí)施例中，向第一晶片10的表面噴灑研磨液的時(shí)間、向第二晶片20的表面噴吹氣體或去離子水的時(shí)間、以及向第三晶片30的表面噴吹氣體或去離子水的時(shí)間是相同的，即第一研磨平臺(tái)110、第二研磨平臺(tái)120以及第三研磨平臺(tái)130上的晶片的工藝時(shí)間相同。優(yōu)選的，向第一晶片10的表面噴灑研磨液的時(shí)間、向第二晶片20的表面噴吹氣體或去離子水的時(shí)間、以及向第三晶片30的表面噴吹氣體或去離子水的時(shí)間均為3 20sec。該時(shí)間可確保第一晶片10上的部分金屬層和部分介質(zhì)層被去除，該第一晶片10表面的缺陷被全部去除掉，提高半導(dǎo)體器件的可靠性，并可避免由于該時(shí)間過長而影響化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的產(chǎn)能。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可根據(jù)實(shí)際需要去除的金屬層和介質(zhì)層的厚度，相應(yīng)的調(diào)整向第一晶片10的表面噴灑研磨液的時(shí)間。特別的，執(zhí)行步驟S2之后，即向第一晶片10的表面噴灑研磨液以去除第一晶片10 表面的缺陷之后，將第一晶片10經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)140移出化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，放進(jìn)存儲(chǔ)晶片的晶片盒內(nèi)；同時(shí)，將第二晶片20傳送至第三研磨平臺(tái)130并向第二晶片20的表面噴灑研磨液以去除第二晶片20表面的缺陷；同時(shí)，將第三晶片30傳送至第二研磨平臺(tái)120并向第三晶片30的表面噴吹氣體或去離子水，以在第三晶片30等待研磨的過程中，將第三晶片30 的表面隔離起來，防止化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備上的污染物附著到第三晶片30表面。當(dāng)需要返工的晶片的數(shù)量僅為三片時(shí)，去除第二晶片20表面的缺陷之后，即可將第二晶片20經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)140移出化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，放進(jìn)存儲(chǔ)晶片的晶片盒內(nèi)；同時(shí)，將第三晶片30傳送至第三研磨平臺(tái)130并向第三晶片30的表面噴灑研磨液，以去除第三晶片 30表面的缺陷。在去除第三晶片30表面的缺陷之后，即可將第三晶片30經(jīng)中轉(zhuǎn)平臺(tái)140 移出所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，放進(jìn)存儲(chǔ)晶片的晶片盒內(nèi)。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，若需要返工的晶片的數(shù)量多于三片時(shí)，將第三晶片30 傳送至第二研磨平臺(tái)并向第三晶片30的表面噴吹氣體或去離子水的同時(shí)，還包括將待返工的第四晶片傳送至第一研磨平臺(tái)110并向第四晶片40的表面噴吹氣體或去離子水，以防止化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備上的污染物附著到第四晶片40表面。接下來，即可重復(fù)進(jìn)行傳遞晶片以及研磨晶片的過程，該過程和上述描述類似，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上述描述可以得知其它晶片的處理過程，在此不再贅述。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，包括提供化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備包括第一研磨平臺(tái)、第二研磨平臺(tái)以及第三研磨平臺(tái)，所述第三研磨平臺(tái)上設(shè)置有第一晶片，所述第二研磨平臺(tái)上方設(shè)置有第二晶片，所述第一研磨平臺(tái)上方設(shè)置有第三晶片；向所述第一晶片的表面噴灑研磨液以去除所述第一晶片表面的缺陷，同時(shí)，分別向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，所述氣體或去離子水以自下向上的方向噴吹所述第二晶片和第三晶片的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體時(shí)，所述氣體為氮?dú)饣蚝狻?br> 4.如權(quán)利要求3所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，所述氣體的流量為100 2OOsccm,所述氣體的壓力為5 2OiTorr15
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹去離子水時(shí)，所述去離子水的流量為300 lOOOmL/min。
6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，向所述第一晶片的表面噴灑研磨液的時(shí)間為3 20sec。
7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，向所述第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水的時(shí)間為3 20sec。
8.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，向所述第一晶片的表面噴灑研磨液以去除第一晶片表面的缺陷的步驟之后，還包括將所述第一晶片移出化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備；同時(shí)，將所述第二晶片傳送至第三研磨平臺(tái)并向第二晶片的表面噴灑研磨液以去除第二晶片表面的缺陷；同時(shí)，將所述第三晶片傳送至第二研磨平臺(tái)并向第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水。
9.如權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，將所述第三晶片傳送至第二研磨平臺(tái)并向第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水的同時(shí)，還包括將第四晶片傳送至所述第一研磨平臺(tái)并向第四晶片的表面噴吹氣體或去離子水。
10.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備還包括設(shè)置于所述第一研磨平臺(tái)上方的第一研磨液手臂，利用所述第一研磨液手臂向所述第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水。
11.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備還包括設(shè)置于所述第二研磨平臺(tái)上方的第二研磨液手臂，利用所述第二研磨液手臂向所述第二晶片的表面噴吹氣體或去離子水。
12.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備還包括設(shè)置于所述第三研磨平臺(tái)上方的第三研磨液手臂，利用所述第三研磨液手臂向所述第一晶片的表面噴灑研磨液。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法，所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝的返工方法包括提供化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備包括第一研磨平臺(tái)、第二研磨平臺(tái)以及第三研磨平臺(tái)，所述第三研磨平臺(tái)上設(shè)置有第一晶片，所述第二研磨平臺(tái)上方設(shè)置有第二晶片，所述第一研磨平臺(tái)上方設(shè)置有第三晶片；向所述第一晶片的表面噴灑研磨液以去除第一晶片表面的缺陷，同時(shí)，分別向第二晶片和第三晶片的表面噴吹氣體或去離子水。本發(fā)明可防止第二研磨平臺(tái)和第一研磨平臺(tái)上等待的晶片被污染，提高了半導(dǎo)體器件的良率。
文檔編號(hào)B24B37/27GK102371532SQ20101026156
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者劉俊良, 鄧武鋒 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司