具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦。該平板電腦包括：數(shù)據(jù)自毀裝置；當(dāng)平板電腦遭遇非法開啟外殼或破殼的行為時(shí)，該數(shù)據(jù)自毀裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的物理性破壞。本發(fā)明平板電腦的數(shù)據(jù)自毀裝置無須軟件控制，不依賴平板電腦內(nèi)任何模塊、器件，并且與平板電腦的工作狀態(tài)無關(guān)，即使在死機(jī)、關(guān)機(jī)狀態(tài)下也能正常工作，具有極高的安全性。
【專利說明】具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及信息安全【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦。

【背景技術(shù)】
[0002]平板電腦(Tablet Personal Computer,簡(jiǎn)稱Tablet PC)是PC家族中新增加的一名成員，集移動(dòng)通信和移動(dòng)娛樂為一體，具有手寫識(shí)別和無線網(wǎng)絡(luò)通信功能，是一種小型、方便攜帶的個(gè)人電腦，以觸摸屏作為基本的輸入設(shè)備，比之筆記本電腦，它除了擁有其所有功能外，還支持手寫輸入或者語音輸入，移動(dòng)性和便攜性都更勝一籌。平板電腦的便攜性以及功能已經(jīng)為人們深刻認(rèn)識(shí)并且成為推動(dòng)社會(huì)發(fā)展的首要技術(shù)動(dòng)力，以其諸多優(yōu)點(diǎn)，受到最終用戶的歡迎，是現(xiàn)階段PC電腦的發(fā)展方向。
[0003]隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展和科學(xué)技術(shù)的全面進(jìn)步，對(duì)平板電腦的應(yīng)用范圍要求將越來越廣泛，目前平板電腦的應(yīng)用主要集中在游戲、影音娛樂等方面。
[0004]然而，對(duì)于一些特殊用戶，如軍隊(duì)、軍工、國家安全部門、政府機(jī)關(guān)，而言，數(shù)據(jù)安全極為重要。一旦平板電腦遺失發(fā)生數(shù)據(jù)泄漏，后果將不堪設(shè)想。而在目前平板電腦應(yīng)用越來越普遍的情況下，有些工作又必須要用平板電腦來完成。目前，這些特殊用戶急需一種具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一 )要解決的技術(shù)問題
[0006]鑒于上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦。
[0007]( 二 )技術(shù)方案
[0008]本發(fā)明具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦包括:數(shù)據(jù)自毀裝置。當(dāng)平板電腦遭遇非法開啟外殼或破殼的行為時(shí)，該數(shù)據(jù)自毀裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的物理性破壞。
[0009]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，數(shù)據(jù)自毀裝置包括:自毀觸發(fā)電路，當(dāng)平板電腦遭遇非法開啟外殼或破殼的行為時(shí)，該自毀觸發(fā)電路觸發(fā)一自毀觸發(fā)信號(hào)；與自毀觸發(fā)電路電性連接的自毀執(zhí)行電路，在接收到自毀觸發(fā)信號(hào)后，該自毀執(zhí)行電路向平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)引入直流脈沖高壓，以實(shí)現(xiàn)對(duì)其的物理性破壞；以及為自毀執(zhí)行電路提供電能的電池供電系統(tǒng)。
[0010]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，自毀觸發(fā)電路包括:若干個(gè)串聯(lián)的位于敏感部位的開關(guān)。該開關(guān)由上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)構(gòu)成，其中，上觸點(diǎn)位于平板電腦上殼體的一敏感部位，下觸點(diǎn)位于平板電腦下殼體上該敏感部位的相應(yīng)部位，在正常狀態(tài)下，該上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)電接觸，該開關(guān)處于閉合狀態(tài)，在該敏感部位遭遇非法開啟外殼或破殼的行為，該上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)脫離接觸，該開關(guān)處于斷開狀態(tài)。
[0011]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，自毀觸發(fā)電路包括至少3個(gè)的開關(guān)。敏感部位包括:平板電腦的四個(gè)邊角、側(cè)邊，或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的所在位置。
[0012]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，自毀執(zhí)行電路包括:檢測(cè)模塊、升壓模塊以及脈沖控制模塊；與自毀觸發(fā)電路連接的檢測(cè)模塊，在未檢測(cè)到自毀觸發(fā)信號(hào)時(shí)，該檢測(cè)模塊將電池供電系統(tǒng)與升壓模塊和脈沖控制電路隔離；在接收到自毀觸發(fā)電路的自毀觸發(fā)信號(hào)以后，該檢測(cè)模塊連通電池供電系統(tǒng)與升壓模塊和脈沖控制模塊；連接至檢測(cè)模塊的升壓模塊，在連通電池供電系統(tǒng)后，該升壓模塊產(chǎn)生直流高電壓，并輸出給脈沖控制電路；連接至升壓模塊的脈沖控制模塊，在接收升壓模塊輸出的直流高電壓后，該脈沖控制模塊將該直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓，加至數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的引腳，以實(shí)現(xiàn)對(duì)其的物理性破壞。
[0013]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，檢測(cè)模塊包括:第十一電阻R11，其第一端連接至節(jié)點(diǎn)A，第二端連接至電源電壓Vbatteky ;第十二電阻Rl2，連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間，其中，節(jié)點(diǎn)B接地；第^^一三極管QlI，其基極通過第十三電阻R13連接至節(jié)點(diǎn)A ;其集電極通過第四電阻R4連接至電源電壓Vbat胃；其發(fā)射極接地；第十二 P溝道MOS管M12，其G管腳通過第十五電阻R15連接至第十一三極管Qll的集電極，其S管腳連接至電源Vbatteky ;其D管腳連接至檢測(cè)模塊的輸出端；第^^一電容C11，連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間；其中，電源電壓Vbatteey連接至電池供電系統(tǒng)的輸出端；節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至自毀觸發(fā)電路的兩輸出端。
[0014]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，升壓模塊包括:儲(chǔ)能電感L31，其第一端連接至檢測(cè)模塊的輸入端，第二端通過二十一二極管D21連接至升壓模塊的輸出端；升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302，為EUP2586芯片，其VIN管腳連接至儲(chǔ)能電感L31的第一端；SHDN管腳通過第二i^一電阻R21連接至檢測(cè)模塊的輸入端，并通過第二十三電容C23接地；SW管腳連接至儲(chǔ)能電感L31的第二端；0VP管腳連接至二極管Dl的負(fù)極端；GND管腳接地；儲(chǔ)能電路，包括并聯(lián)的第二十五電容C25和第二十六電容C26，兩者的第一端連接至升壓模塊的輸出端，第二端接地。
[0015]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，升壓模塊還包括:濾波電路，由并聯(lián)的第二十一電容C21和第二十二電容C22組成，兩者的第一端共同連接至檢測(cè)模塊的輸入端，第二端接地。
[0016]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，升壓模塊還包括:電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)，用于調(diào)整升壓電路輸出電壓的幅值；該電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)包括:第二十四電容C24，其第一端連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302的FB管腳；第二十三電阻R23，其與第二十四電阻R24串聯(lián)連接，第一端連接至升壓模塊的輸出端，第二端連接第二十四電阻R24，還通過第二十二電阻R22連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302的FB管腳；以及第二十四電阻R24，其與第二十三電阻R23串聯(lián)連接，第一端連接至第二十三電阻R23的第二端，第二端接地。
[0017]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，脈沖控制模塊包括:振蕩信號(hào)源，其產(chǎn)生脈沖振蕩信號(hào)；脈沖電子開關(guān)電路，包括:多個(gè)P溝道MOS管，每個(gè)P溝道MOS管的S管腳連接至升壓模塊的輸出端，G管腳通過電阻連接至升壓模塊的輸出端，D管腳分別連接至平板電腦的不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)；以及第三i^一三極管Q31，其基極通過第三十三電阻R33連接至振蕩信號(hào)源的信號(hào)輸出端，其發(fā)射極接地；其中，第三十二 P溝道MOS管M32的G管腳通過第三十五電阻R35和第三十二二極管D32連接至該第三i^一三極管Q31的集電極；上述第三十三P溝道MOS管M33的G管腳通過第三十四電阻R34和第三i^一二極管D31連接至該第三十一三極管Q31的集電極。
[0018]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，振蕩信號(hào)源包括:第三十一非門NOT 31和第三十二非門NOT 32;其中:第三i^一非門NOT 31和第三十二非門NOT 32首尾相接，且第三i^一非門NOT 31的輸入端通過第三i^一電阻R31連接至與第三十二非門NOT 32的輸出端連接的第三十二電容C32連接，其輸出端連接至該振蕩信號(hào)源的輸出端，用于輸出振蕩脈沖信號(hào)；第三H^一非門NOT 31的輸出端還連接至第三十二電阻R32的第一端，第三十二電阻R32的第二端連接至第三i^一電阻R31和第三十二電容C32之間。
[0019]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，平板電腦中存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)包括:FLASH芯片和TF卡；脈沖電子開關(guān)電路包括:第三十二 P溝道MOS管M32，其S管腳連接至升壓模塊的輸出端，其G管腳通過第三十七電阻R37連接至升壓模塊的輸出端，其D管腳連接至平板電腦的FLASH芯片；第三十三P溝道MOS管M33，其S管腳連接至升壓模塊的輸出端，其G管腳通過第三十六電阻R36連接至升壓模塊的輸出端，其D管腳連接至平板電腦的TF卡。
[0020]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，電池供電系統(tǒng)通過設(shè)置，至少保留預(yù)設(shè)比例的電能供自毀執(zhí)行電路使用。
[0021]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦還包括:權(quán)限控制裝置，該權(quán)限控制裝置確認(rèn)用戶身份，以及該用戶身份對(duì)應(yīng)的權(quán)限，以決定用戶可以對(duì)平板電腦進(jìn)行何種操作
[0022]優(yōu)選地，本發(fā)明平板電腦中，權(quán)限控制裝置包括:獲取用戶的指紋信息的指紋識(shí)別裝置；存儲(chǔ)有用戶指紋信息與用戶身份的對(duì)應(yīng)關(guān)系的用戶身份數(shù)據(jù)庫；存儲(chǔ)有用戶身份與對(duì)操作權(quán)限的對(duì)應(yīng)關(guān)系的權(quán)限數(shù)據(jù)庫；以及與指紋識(shí)別裝置、用戶身份數(shù)據(jù)庫和權(quán)限數(shù)據(jù)庫相連接的權(quán)限判定裝置，該權(quán)限判定裝置依照指紋識(shí)別裝置獲取的指紋信息，在用戶身份數(shù)據(jù)庫中確定該指紋信息對(duì)應(yīng)的用戶身份，在權(quán)限數(shù)據(jù)庫中確定該用戶身份對(duì)應(yīng)的操作權(quán)限，并阻止用戶對(duì)其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。
[0023](三)有益效果
[0024]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明平板電腦具有以下有益效果:
[0025](I)采用純硬件設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)自毀裝置，當(dāng)平板電腦遭遇非法開啟外殼等存在數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)性行為時(shí)，數(shù)據(jù)自毀裝置將自動(dòng)啟動(dòng)，對(duì)平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件內(nèi)部晶元快速進(jìn)行物理性破壞，這種物理性破壞具有是不可修復(fù)、不可逆轉(zhuǎn)的特點(diǎn)，最大限度保障內(nèi)部數(shù)據(jù)的安全性，并且，該數(shù)據(jù)自毀裝置無須軟件控制，不依賴平板電腦內(nèi)任何模塊、器件(如CPU)，并且與平板電腦的工作狀態(tài)無關(guān)，即使在死機(jī)、關(guān)機(jī)狀態(tài)下也能正常工作；
[0026](2)指紋識(shí)別為平板電腦提供敏感數(shù)據(jù)操作權(quán)限的控制，禁止無操作權(quán)限的人員開啟平板電腦或有操作權(quán)限的用戶查看其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例平板電腦的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為圖1所示平板電腦中自毀裝置的自毀觸發(fā)電路的框架結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3為圖2所示自毀觸發(fā)電路的等效電路示意圖；
[0030]圖4為圖2所示自毀觸發(fā)電路的自毀執(zhí)行電路中檢測(cè)模塊的電路圖；
[0031]圖5示出了本發(fā)明中升壓模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖6示出了本發(fā)明中脈沖控制電路的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。需要說明的是，在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分都使用相同的圖號(hào)。附圖中未繪示或描述的實(shí)現(xiàn)方式，為所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中普通技術(shù)人員所知的形式。另外，雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但應(yīng)了解，參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計(jì)約束內(nèi)近似于相應(yīng)的值。
[0034]本發(fā)明平板電腦采用數(shù)據(jù)自毀裝置和權(quán)限控制裝置相結(jié)合進(jìn)行設(shè)計(jì)，為高安全級(jí)別的數(shù)據(jù)保護(hù)提供有利保障。
[0035]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，提供了一種平板電腦。圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例平板電腦的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例平板電腦包括:數(shù)據(jù)自毀裝置和權(quán)限控制
>J-U ρ?α裝直。
[0036]其中，數(shù)據(jù)自毀裝置用于當(dāng)平板電腦遭遇非法開啟外殼的行為時(shí)，對(duì)平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行物理性破壞。權(quán)限控制裝置用于確認(rèn)用戶身份，以及該用戶身份對(duì)應(yīng)的權(quán)限，禁止無操作權(quán)限的人員開啟平板電腦或有操作權(quán)限的用戶查看其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)。
[0037]以下對(duì)本實(shí)施例平板電腦的各個(gè)組成部分進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0038]本實(shí)施例中，自毀裝置包括:電池供電系統(tǒng)、自毀觸發(fā)電路和自毀執(zhí)行電路。
[0039]電池供電系統(tǒng)置于平板電腦的內(nèi)部，為平板電腦提供電能，同時(shí)為自毀執(zhí)行電路啟動(dòng)提供電能。具體是通過設(shè)置電池管理系統(tǒng)，使得電池供電系統(tǒng)將至少保留預(yù)定比例如10 %的電能供自毀執(zhí)行電路使用，而其他電能如90 %的電能供平板電腦在正常運(yùn)行的時(shí)候使用，從而保障自毀裝置在任意狀態(tài)下均能正常啟動(dòng)，實(shí)現(xiàn)自毀保護(hù)。
[0040]自毀觸發(fā)電路，用于負(fù)責(zé)對(duì)數(shù)據(jù)安全性風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)平板電腦遭遇非法開殼、破殼等存在安全性風(fēng)險(xiǎn)的行為時(shí)，其觸發(fā)一自毀觸發(fā)信號(hào)，并發(fā)送至自毀執(zhí)行電路。其中，該自毀觸發(fā)信號(hào)為一斷開信號(hào)，即在正常狀態(tài)下，該自毀觸發(fā)電路連通，在遭遇非法開殼、破殼等存在安全性風(fēng)險(xiǎn)的行為時(shí)，該自毀觸發(fā)電路斷開。
[0041]圖2為圖1所示平板電腦中自毀裝置的自毀觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。Al為平板電腦的上殼體，Α2為平板電腦的下殼體。上殼體Al、下殼體Α2可處于分離和閉合的狀態(tài)。
[0042]如圖2所示，自毀觸發(fā)電路包括:設(shè)置在平板電腦上、下殼體四個(gè)角點(diǎn)位置處的四個(gè)開關(guān)-Κ1、Κ2、Κ3、Κ4。需要說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要增加或減小開關(guān)的數(shù)目，并調(diào)整開關(guān)所處的位置，例如平板電腦的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)所在位置處、側(cè)邊處等。但一般情況下，開關(guān)的數(shù)目不少于3個(gè)。
[0043]請(qǐng)參照?qǐng)D2，對(duì)于其中一個(gè)開關(guān)Kl而言，其由兩個(gè)觸點(diǎn)構(gòu)成，即上觸點(diǎn)a和下觸點(diǎn)b，上觸點(diǎn)a安裝在平板電腦的上殼體Al，下觸點(diǎn)b位于平板電腦的下殼體A2，當(dāng)上殼體Al和下殼體A2組裝成閉合狀態(tài)時(shí)，所述上觸點(diǎn)a和下觸點(diǎn)b接觸形成電接觸，進(jìn)而使得上觸點(diǎn)a和下觸點(diǎn)b構(gòu)成的開關(guān)處于閉合狀態(tài)；當(dāng)上殼體Al和下殼體A2被分離后，上觸點(diǎn)a和下觸點(diǎn)b脫離接觸，使得開關(guān)Kl處于斷開狀態(tài)。
[0044]圖3為圖2所示自毀觸發(fā)電路的等效電路示意圖。如圖3所示，安裝在平板電腦上下殼體上的開關(guān)K1、K2、K3、K4串聯(lián)后由節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B輸出。該節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至自毀執(zhí)行電路。該節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B具有兩個(gè)狀態(tài)-閉合狀態(tài)(即正常狀態(tài))和斷開狀態(tài)(即被非法打開的狀態(tài))。自毀執(zhí)行電路通過檢測(cè)由4個(gè)開關(guān)組成開關(guān)回路的狀態(tài)，作為啟動(dòng)自毀功能的依據(jù)。
[0045]在平板電腦外殼完好的狀態(tài)下，KU K2、K3、K4均處于閉合導(dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)回路閉合，自毀執(zhí)行電路將處于待機(jī)狀態(tài)。當(dāng)平板電腦外殼上任意一角落率先非法開殼，都將導(dǎo)致該開殼位置的開關(guān)斷開，觸發(fā)自毀執(zhí)行電路，立即啟動(dòng)自毀。
[0046]可選地，除了圖2示出的這種實(shí)施方式外，還可根據(jù)平板電腦外殼形狀、以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片/介質(zhì)在平板電腦中所處的位置，在平板電腦的殼體上設(shè)置多個(gè)上下觸點(diǎn)構(gòu)成的開關(guān)，使得這些開關(guān)構(gòu)成并聯(lián)電路，并在檢測(cè)到所有開關(guān)都斷開后，再產(chǎn)生一自毀觸發(fā)信號(hào)給觸發(fā)執(zhí)行裝置。這是因?yàn)?，有些平板電腦殼體的特殊設(shè)置，以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片/介質(zhì)所處的位置決定，只有在殼體的某些位置被打開以后，才有可能接觸到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片/介質(zhì)，進(jìn)一步對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行解密等，因此這種設(shè)置方式可以防止無意中平板電腦某個(gè)位置處的上下殼體被分離，但是這種分離是無法接觸到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片/介質(zhì)的情況下，誤將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片/介質(zhì)中的數(shù)據(jù)刪除，造成不必要的損失。
[0047]此外，還可以是多個(gè)開關(guān)中第一部分開關(guān)并聯(lián)，之后再跟第二部分開關(guān)串聯(lián)連接，最終形成開關(guān)回路，以在第一部分開關(guān)全都斷開和第二部分開關(guān)中的任意一個(gè)開關(guān)斷開時(shí)，自毀觸發(fā)電路產(chǎn)生一自毀觸發(fā)信號(hào)給觸發(fā)執(zhí)行裝置。這可以根據(jù)具體的實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。
[0048]自毀執(zhí)行電路用于檢測(cè)自毀觸發(fā)信號(hào)，并在檢測(cè)到自毀觸發(fā)信號(hào)后運(yùn)用脈沖高壓對(duì)平板電腦內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(如FLASH、TF卡等)進(jìn)行物理損壞。自毀執(zhí)行電路的自毀原理是利用脈沖高壓加至平板電腦內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)引腳，造成芯片及介質(zhì)內(nèi)部晶圓、器件燒毀，實(shí)現(xiàn)快速、不可逆轉(zhuǎn)、不可修復(fù)的物理損壞，避免內(nèi)部重要數(shù)據(jù)丟失，保障數(shù)據(jù)的安全。
[0049]自毀執(zhí)行電路包括:檢測(cè)模塊、升壓模塊以及脈沖控制模塊。其中:
[0050]檢測(cè)模塊，與自毀觸發(fā)電路連接，并從自毀觸發(fā)電路接收自毀觸發(fā)信號(hào)。該檢測(cè)模塊用于在接收到自毀觸發(fā)電路的自毀觸發(fā)信號(hào)以后，檢測(cè)模塊連通電池供電系統(tǒng)與升壓模塊和脈沖控制模塊，使得電池供電系統(tǒng)為升壓模塊和脈沖控制電路提供電源。在未檢測(cè)到自毀觸發(fā)信號(hào)時(shí)，檢測(cè)模塊將電池供電系統(tǒng)與升壓模塊和脈沖控制電路隔離，阻止電池供電系統(tǒng)為升壓模塊和脈沖控制電路供電；
[0051]升壓模塊，連接至檢測(cè)模塊，并在通過檢測(cè)模塊接收到電池供電系統(tǒng)提供的電源后，產(chǎn)生對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)造成物理損壞的直流高電壓，并輸出給脈沖控制電路；
[0052]脈沖控制模塊，連接至升壓模塊，在接收升壓模塊輸出的直流高電壓后，將直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓，加至數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的引腳，對(duì)它們內(nèi)部的晶圓或器件造成毀滅性的燒毀。
[0053]圖4為圖2所示自毀觸發(fā)電路的自毀執(zhí)行電路中檢測(cè)模塊的電路圖。如圖4所示，該檢測(cè)模塊包括:
[0054]第十一電阻RlI，其第一端連接至節(jié)點(diǎn)A，第二端連接至電源電壓Vbatteky ；
[0055]第十二電阻Rl2，連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間，其中，節(jié)點(diǎn)B接地；
[0056]第H^一電容Cll，連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間；
[0057]第十一三極管Q11，其基極通過第十三電阻R13連接至節(jié)點(diǎn)A ;其集電極通過第十四電阻R14連接至電源電壓Vbatteky ;其發(fā)射極接地；
[0058]第十二 P溝道MOS管M12，相當(dāng)于一電子開關(guān)，其G管腳(I腳)通過第十五電阻R15連接至第i^一三極管Qll的集電極，其S管腳(2腳)連接至電源Vbatteky ;其D管腳(3腳)連接至檢測(cè)模塊的輸出端。連接至升壓模塊以及脈沖控制模塊的電源供電端。
[0059]其中，電源電壓Vbat胃連接至電池供電系統(tǒng)的輸出端；節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至自毀觸發(fā)電路的兩輸出端；檢測(cè)模塊的輸出端輸出電壓KILL_VDD。
[0060]可選地，第i^一電阻Rll和第十二電阻R12的阻值均為200kΩ。第十三電阻R13的阻值為2.2kQ。第十四電阻R14和第十五電阻R15的阻值分別為47kQ和lOOkQ。第i 電容Cll的電容值為0.1 μ F。該第^ 電容Cll用于濾除雜波干擾信號(hào),提高檢測(cè)模塊的準(zhǔn)確性，有效避免自毀裝置誤動(dòng)作，在某些情況下，該第十一電容Cll可以省略。
[0061]在平板電腦外殼完好狀態(tài)下，節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B所在的開關(guān)回路閉合，電源電壓Vbatteey經(jīng)第十一電阻R11，節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B至地，三級(jí)管Qll的基極沒有流入電流而處于截止?fàn)顟B(tài)，其集電級(jí)電位將上升至電源電壓Vbatteky,使得第十二 P溝道MOS管Μ12的G管腳和S管腳(1、2腳)之間電壓為0V。該第十二 P溝道MOS管Μ12也處于截止?fàn)顟B(tài)，檢測(cè)模塊輸出端輸出的電壓為0V，最終升壓模塊以及脈沖控制模塊無供電而關(guān)閉。
[0062]在平板電腦外殼遭遇破壞，節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間的開關(guān)回路斷開時(shí)，電源電壓Vbatteky所產(chǎn)生的電流經(jīng)第十一電阻Rll和第十三電阻R13至第十一三極管Qll的基極，第十一三級(jí)管Qll處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，三級(jí)管Qll集電級(jí)電位將下降至0V，使得第十二 P溝道MOS管Μ12的G管腳和S管腳(1、2腳)之間電壓差值等于電源電壓Vbatteky，第十二 P溝道MOS管Μ12將處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，電源電壓Vbatteky經(jīng)第十二 P溝道MOS管Μ12至檢測(cè)模塊輸出端，輸出電壓KILL_VDD，從而為升壓模塊以及脈沖控制模塊提供電源，啟動(dòng)自毀。
[0063]圖4僅僅示出了檢測(cè)模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)圖，所述檢測(cè)模塊還可以通過其他電路來實(shí)現(xiàn)，只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員通過慣常的電路實(shí)現(xiàn)方式完成前述檢測(cè)模塊的功能，都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0064]升壓模塊，連接至檢測(cè)模塊，并在通過檢測(cè)模塊接收到電池供電系統(tǒng)提供的電源后，用于產(chǎn)生對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)造成物理損壞的高電壓，并輸出給脈沖控制電路。具體而言，該升壓模塊將電源電壓KILL_VDD(電池供電系統(tǒng)輸出的電壓，約為3V?4.2V)升壓至KILL-27.5V高電壓，現(xiàn)行的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(如FLASH、TF卡等)的工作電壓一般為3V?5V，最大值也不會(huì)超過10V，采用27.5V的高電壓，足以對(duì)它們內(nèi)部的晶元造成毀滅性的破壞。在應(yīng)對(duì)特殊耐高壓存儲(chǔ)器件時(shí)，可根據(jù)存儲(chǔ)器件特性適當(dāng)提高此電壓，保障自毀功能的可靠性。而一般情況下，該直流脈沖高壓的幅值大于1V基本上就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的物理性破壞。
[0065]圖5示出了本發(fā)明中升壓模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)圖。如圖5所示，升壓模塊包括:
[0066]濾波電路，用于濾除由檢測(cè)模塊輸入信號(hào)中的雜波，由并聯(lián)的第二i^一電容C21和第二十二電容C22組成，兩者的第一端共同連接至檢測(cè)模塊的輸入端，第二端接地；
[0067]儲(chǔ)能電感L31,其第一端連接至濾波電路的輸入端,第二端通過第二^ 二極管D21連接至升壓模塊的輸出端；
[0068]升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302，其為EUP2586芯片，該EUP2586芯片的VIN管腳(管腳6)連接至儲(chǔ)能電感L31的第一端；SHDN管腳(管腳4)通過第二十一電阻R21連接至濾波電路的輸出端，并通過第二十三電容C23接地；SW管腳(管腳I)連接至儲(chǔ)能電感L31的第二端；OVP管腳(管腳5)連接至第二十一二極管D21的負(fù)極端；GND管腳(管腳2)接地；
[0069]電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)，用于調(diào)整升壓模塊輸出電壓的幅值，包括:第二十四電容C24，其第一端連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302的FB管腳，其第二端連接至升壓模塊的輸出端；第二十三電阻R23，其與第二十四電阻R24串聯(lián)連接，第一端連接至升壓模塊的輸出端，第二端連接第二十四電阻R24，還通過第二十二電阻R22連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302的FB管腳；第二十四電阻R24，其與第二十三電阻R23串聯(lián)連接，第一端連接至第二十三電阻R23的第二端，第二端接地；
[0070]儲(chǔ)能電路，包括并聯(lián)的第二十五電容C25和第二十六電容C26，兩者的第一端連接至升壓模塊的輸出端，第二端接地。
[0071]其中，EUP2586是該升壓模塊電路的重要器件，是一款基于CMOS工藝的內(nèi)置下端MOS開關(guān)的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其內(nèi)置下端MOS開關(guān)的導(dǎo)通電阻為0.3 Ω (典型值)，能通過最大為3A的電流，并且具有2.6V?5.5V寬電壓輸入，IMHz開關(guān)頻率，以及能實(shí)現(xiàn)93%以上的高效率電能轉(zhuǎn)換等特點(diǎn)。在應(yīng)對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器件的場(chǎng)合下，可更換更高功率的DC/DC轉(zhuǎn)換器，避免啟動(dòng)自毀功能時(shí)，出現(xiàn)功率不足而導(dǎo)致升壓模塊輸出電壓迅速降低，造成自毀動(dòng)作失敗。
[0072]在電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)中，第二十四電容C24為補(bǔ)償電容，第二十三電阻R23為電壓負(fù)反饋的上偏置電阻，第二十四電阻R24為電壓負(fù)反饋的下偏置電阻，通過調(diào)節(jié)上偏置電阻和下偏置電阻的阻值，可以調(diào)節(jié)升壓模塊的輸出電壓幅值。
[0073]可選地，在該升壓模塊中，儲(chǔ)能電感L31的電感值為10 μ H，第二十五電容C25和第二十六電容C26的電容值分別為1yF和I μ F。第二 i^一電容C21和第二十二電容C22的電容值分別為1yF和0.1 μ F。第二i^一電阻R21的阻值為1kΩ，第二十三電容的電容值為I μ F。第二十四電容C24的電容值為220pF。第二十二電阻R22的電阻值為1.lkQ。第二十三電阻的電阻值為750k Ω。第二十四電阻R24的電阻值分別為5.49k Ω。第二十五電容C25和第二十六電容C26的電容值分別為1yF和I μ F。
[0074]以下介紹該升壓模塊的電路工作原理:在升壓驅(qū)動(dòng)芯片U302內(nèi)置MOS管(升壓驅(qū)動(dòng)芯片SW管腳連接至內(nèi)置MOS管的D級(jí)，GND管腳連接至內(nèi)置MOS管的S級(jí))導(dǎo)通時(shí)，儲(chǔ)能電感L31與MOS管形成回路，電源電壓KILL-VDD經(jīng)過所述回路形成的電流在儲(chǔ)能電感L31中轉(zhuǎn)化為磁能貯存，該MOS管關(guān)斷時(shí)，儲(chǔ)能電感L31中的磁能轉(zhuǎn)化為電能在電感的兩端形成電壓，上負(fù)下正，該電壓疊加在電源電壓KILL-VDD的正端，疊加后的總電壓經(jīng)由第二i^一二極管D21后輸出至儲(chǔ)能電路中的第二十五電容C25和第二十六電容C26進(jìn)行儲(chǔ)存，實(shí)現(xiàn)升壓功能。
[0075]圖5示出了僅僅是升壓模塊的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)慣常的技術(shù)手段，采用其他的電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)升壓模塊。只要采用本領(lǐng)域中慣常的技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)前述升壓模塊功能的電路結(jié)構(gòu)，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0076]脈沖控制模塊，其接收所述升壓模塊輸出的直流高電壓，并將所述直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓后，加至數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的引腳，對(duì)它們內(nèi)部的晶圓或器件造成毀滅性的燒毀。
[0077]其中，脈沖控制模塊包括多個(gè)輸出端口，每個(gè)不同的輸出端口分別連接至平板電腦不同類型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片/介質(zhì)上；如所述輸出端口包括Flash輸出端口，用于連接至平板電腦的Flash存儲(chǔ)卡上，TF卡輸出端口，連接至平板電腦的TF卡等。采用脈沖高壓的優(yōu)點(diǎn)是瞬間功率大(因?yàn)槊}沖功率大部分將由升壓模塊的輸出電容C25、C26提供)。特別適用于多個(gè)存儲(chǔ)器件的場(chǎng)合下，由于各個(gè)存儲(chǔ)器件電性能存在差異，燒毀必定存在先后順序，最先燒毀的存儲(chǔ)器件勢(shì)必對(duì)其它正在燒毀的存儲(chǔ)器件造成影響，采用脈沖高壓方式由于瞬間功率大的特點(diǎn)可大大降低這種影響，自毀可靠性更高。
[0078]圖6示出了本發(fā)明中脈沖控制電路的一種電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，所述脈沖控制電路包括:
[0079]振蕩信號(hào)源，其產(chǎn)生振蕩脈沖信號(hào)，包括:第三^ 非門NOT 31和第三十二非門NOT 32。其中，第三i^一非門NOT 31和第三十二非門N0T32首尾相接，且第三i^一非門NOT31的輸入端通過第三i^一電阻R31連接至與所述第三十二非門NOT 32的輸出端連接的第三十二電容C32連接，其輸出端連接至該振蕩電路的輸出端，輸出所述振蕩脈沖信號(hào)；第
非門NOT 31的輸出端還連接至第三十二電阻的第一端，第三十二電阻的第二端連接至所述第三十一電阻和第三十二電容之間；
[0080]脈沖電子開關(guān)電路，包括:多個(gè)P溝道MOS管，每個(gè)P溝道MOS管的S管腳連接至升壓模塊的輸出端，G管腳通過電阻連接至升壓模塊的輸出端，D管腳分別連接至平板電腦的不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)；圖6中示出了包括兩個(gè)P溝道MOS管的情形，具體為:第三十二 P溝道MOS管M32，其S管腳(2管腳)連接至升壓模塊的輸出端，其G管腳(I管腳)通過第三十七電阻R37連接至升壓模塊的輸出端，其D管腳(3管腳)連接至平板電腦的FLASH芯片；第三十三P溝道MOS管M33，其S管腳(2管腳)連接至升壓模塊的輸出端，其G管腳(I管腳)通過第三十六電阻R36連接至升壓模塊的輸出端，其D管腳(3管腳)連接至平板電腦的TF卡；
[0081]第三十一三極管Q31，其基極通過第三十三電阻R33連接至振蕩信號(hào)源的輸出端，其發(fā)射極接地，每個(gè)上述P溝道MOS管的G管腳通過電阻和二極管連接至第三十一三極管Q31的集電極，如上述第三十二 P溝道MOS管M32的G管腳(I管腳)通過第三十五電阻R35和第三十二二極管D32連接至該第三i^一三極管的集電極；上述第三十三P溝道MOS管M33的G管腳(I管腳)通過第三十四電阻R34和第三十一二極管D31連接至該第三十一三極管Q31的集電極。
[0082]在圖6所示的脈沖控制電路中，輸入端(KILL-27.5V)連接至升壓模塊的輸出端，第三H^一非門N0T31和第三十二非門N0T32的VCC管腳連接至檢測(cè)模塊的輸出端(KILL_VDD)，其輸出端(KILL-FLASH)連接至平板電腦內(nèi)的FLASH芯片，KILL_TF連接至平板電腦內(nèi)的TF卡。
[0083]需要說明的是，由于第三i^一非門N0T31和第三十二非門N0T32在芯片上使用同一個(gè)VCC管腳和GND管腳，因此在連接電路的時(shí)候只要連接所述同一個(gè)管腳即可，故圖6中僅示出了第三i^一非門N0T31的VCC管腳和GND管腳的連接方式。
[0084]圖6僅示出了平板電腦包括FLASH芯片和TF卡的情況，即僅示出了針對(duì)FLASH芯片和TF卡的兩個(gè)脈沖電子開關(guān)電路。當(dāng)然，本發(fā)明的脈沖控制模塊還可以包括針對(duì)其他存儲(chǔ)芯片和介質(zhì)的脈沖電子開關(guān)電路，其結(jié)構(gòu)與圖6示出的FLASH或TF卡的脈沖電子開關(guān)電路相同，包括P溝道MOS管M33，且與其他的脈沖電子開關(guān)電路并聯(lián)連接。
[0085]其中，振蕩信號(hào)源產(chǎn)生頻率為2Hz，脈寬為250ms的脈沖信號(hào)，由第三i^一非門N0T31輸出至第三i^一三極管Q31，由第三i^一三極管Q31同時(shí)驅(qū)動(dòng)第三十三P溝道MOS管M33、第三十二 P溝道MOS管M32，在第三十二 P溝道MOS管M32及第三十三P溝道MOS管M33的D管腳形成頻率為2Hz，脈寬為250ms，幅度為27.5V的脈沖電壓，分別加至相應(yīng)的存儲(chǔ)器件。該第三i^一非門N0T31和第三十二非門N0T32位于同一芯片上，兩者的VCC管腳共同連接至電池供電系統(tǒng)的輸出端，GND管腳共同接地，此處不再詳細(xì)說明。
[0086]第三十二電阻R32、第三十二電容C32決定振蕩信號(hào)源的頻率；第三i^一二極管D31和第三十二二極管D32起隔離作用，配合第三十四電阻R34、第三十五電阻R35共同隔離第三十三P溝道MOS管M33、第三十二 P溝道MOS管M32的G級(jí)，避免在極端環(huán)境或條件下M33、M34中某一個(gè)MOS管損壞(如G、S擊穿)而影響到另外一個(gè)MOS管的正常工作，使得第三十三P溝道MOS管M33、第三十二 P溝道MOS管M32工作狀態(tài)互不影響，好處是在這種狀態(tài)下能提高自毀的數(shù)據(jù)量，最大限度減少重要數(shù)據(jù)被讀取或解密的風(fēng)險(xiǎn)。
[0087]該脈沖控制電路輸出的電壓KILL_Flash和KILL_TF均高達(dá)27.5V，分別可以對(duì)Flash芯片和TF卡造成物理損壞。需要說明的是，物理損壞具有數(shù)據(jù)損壞的快速性以及不可修復(fù)特點(diǎn)，能夠防止重要數(shù)據(jù)被讀取或解密，最大限度的保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全。
[0088]通過上述說明可知，在本實(shí)施例平板電腦遭遇非法開啟外殼的情況時(shí)，機(jī)內(nèi)自毀裝置將自動(dòng)燒毀Flash和TF卡，保障內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全。
[0089]權(quán)限控制裝置用于確認(rèn)用戶身份，以及該用戶身份對(duì)應(yīng)的權(quán)限，以決定用戶可以對(duì)平板電腦進(jìn)行何種操作。請(qǐng)參照?qǐng)D1，該權(quán)限控制裝置包括:指紋識(shí)別裝置，用于獲取用戶的指紋信息；用戶身份數(shù)據(jù)庫，存儲(chǔ)有用戶指紋信息與用戶身份的對(duì)應(yīng)關(guān)系；權(quán)限數(shù)據(jù)庫，存儲(chǔ)有用戶身份與對(duì)操作權(quán)限的對(duì)應(yīng)關(guān)系；權(quán)限判定裝置，用于依照指紋識(shí)別裝置獲取的指紋信息，在用戶身份數(shù)據(jù)庫中確定該指紋信息對(duì)應(yīng)的用戶身份，在權(quán)限數(shù)據(jù)庫中確定該用戶身份對(duì)應(yīng)的操作權(quán)限，并阻止用戶對(duì)其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。
[0090]對(duì)于權(quán)限判定裝置而言，上述阻止用戶對(duì)其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問具體包括:對(duì)于用戶身份數(shù)據(jù)庫中并不存在的用戶，平板電腦不予開機(jī)；對(duì)于用戶身份信息數(shù)據(jù)庫中存在的用戶，準(zhǔn)許開機(jī)，僅準(zhǔn)許其查看其權(quán)限對(duì)應(yīng)的敏感數(shù)據(jù)，對(duì)其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)進(jìn)行鎖定。
[0091]至此，已經(jīng)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述。依據(jù)以上描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)對(duì)本發(fā)明具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦有了清楚的認(rèn)識(shí)。
[0092]此外，上述對(duì)各元件和方法的定義并不僅限于實(shí)施例中提到的各種具體結(jié)構(gòu)、形狀或方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單地更改或替換。
[0093]綜上所述，本發(fā)明提供一種平板電腦，該平板電腦可以為行業(yè)用戶提供更好的便攜操作，同時(shí)能讓用戶獲得更直觀、更全面的相關(guān)信息，最重要的是，能有效的保障內(nèi)部信息的安全，避免重要信息丟失或泄密而造成巨大損失，非常適用于軍隊(duì)、軍工、國家安全部分以及其他特殊行業(yè)的人員使用。
[0094]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有高數(shù)據(jù)安全性的平板電腦，其特征在于，包括:數(shù)據(jù)自毀裝置； 當(dāng)所述平板電腦遭遇非法開啟外殼或破殼的行為時(shí)，該數(shù)據(jù)自毀裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)所述平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的物理性破壞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板電腦，其特征在于，所述數(shù)據(jù)自毀裝置包括: 自毀觸發(fā)電路，當(dāng)所述平板電腦遭遇非法開啟外殼或破殼的行為時(shí)，該自毀觸發(fā)電路觸發(fā)一自毀觸發(fā)信號(hào)； 與所述自毀觸發(fā)電路電性連接的自毀執(zhí)行電路，在接收到所述自毀觸發(fā)信號(hào)后，該自毀執(zhí)行電路向所述平板電腦內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)引入直流脈沖高壓，以實(shí)現(xiàn)對(duì)其的物理性破壞；以及 為所述自毀執(zhí)行電路提供電能的電池供電系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板電腦，其特征在于，所述自毀觸發(fā)電路包括:若干個(gè)串聯(lián)的位于敏感部位的開關(guān)； 該開關(guān)由上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)構(gòu)成，其中，上觸點(diǎn)位于平板電腦上殼體的一敏感部位，下觸點(diǎn)位于平板電腦下殼體上該敏感部位的相應(yīng)部位，在正常狀態(tài)下，該上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)電接觸，該開關(guān)處于閉合狀態(tài)，在該敏感部位遭遇非法開啟外殼或破殼的行為，該上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)脫離接觸，該開關(guān)處于斷開狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板電腦，其特征在于，所述自毀觸發(fā)電路包括至少3個(gè)所述的開關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板電腦，其特征在于，所述敏感部位包括:平板電腦的四個(gè)邊角、側(cè)邊，或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的所在位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板電腦，其特征在于，所述自毀執(zhí)行電路包括:檢測(cè)模塊、升壓模塊以及脈沖控制模塊； 與自毀觸發(fā)電路連接的檢測(cè)模塊，在未檢測(cè)到自毀觸發(fā)信號(hào)時(shí)，該檢測(cè)模塊將電池供電系統(tǒng)與升壓模塊和脈沖控制電路隔離；在接收到自毀觸發(fā)電路的自毀觸發(fā)信號(hào)以后，該檢測(cè)模塊連通電池供電系統(tǒng)與升壓模塊和脈沖控制模塊； 連接至所述檢測(cè)模塊的升壓模塊，在連通電池供電系統(tǒng)后，該升壓模塊產(chǎn)生直流高電壓，并輸出給脈沖控制電路； 連接至所述升壓模塊的脈沖控制模塊，在接收所述升壓模塊輸出的直流高電壓后，該脈沖控制模塊將該直流高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷髅}沖電壓，加至數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片及和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的引腳，以實(shí)現(xiàn)對(duì)其的物理性破壞。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平板電腦，其特征在于，所述檢測(cè)模塊包括: 第十一電阻(Rll)，其第一端連接至節(jié)點(diǎn)A，第二端連接至電源電壓Vbatteky ； 第十二電阻(R12)，連接于節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間，其中，節(jié)點(diǎn)B接地； 第十一三極管(Qll)，其基極通過第十三電阻(R13)連接至節(jié)點(diǎn)A ;其集電極通過第十四電阻(R14)連接至電源電SVbatteky ;其發(fā)射極接地； 第十二 P溝道MOS管(M12)，其G管腳通過第十五電阻(R15)連接至所述第十一三極管(Qll)的集電極，其S管腳連接至電源Vbat胃；其D管腳連接至檢測(cè)模塊的輸出端； 第H^一電容(Cll)，連接于所述節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間； 其中，電源電壓Vbatteky連接至電池供電系統(tǒng)的輸出端；所述節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B連接至自毀觸發(fā)電路的兩輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平板電腦，其特征在于，所述升壓模塊包括: 儲(chǔ)能電感(L31),其第一端連接至檢測(cè)模塊的輸入端,第二端通過二^ 二極管(D21)連接至升壓模塊的輸出端； 升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)，為EUP2586芯片，其VIN管腳連接至所述儲(chǔ)能電感(L31)的第一端；SHDN管腳通過第二十一電阻(R21)連接至檢測(cè)模塊的輸入端，并通過第二十三電容(C23)接地；SW管腳連接至儲(chǔ)能電感(L31)的第二端；OVP管腳連接至所述二極管(Dl)的負(fù)極端；GND管腳接地； 儲(chǔ)能電路，包括并聯(lián)的第二十五電容(C25)和第二十六電容(C26)，兩者的第一端連接至升壓模塊的輸出端，第二端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平板電腦，其特征在于，所述升壓模塊還包括: 濾波電路，由并聯(lián)的第二i^一電容(C21)和第二十二電容(C22)組成，兩者的第一端共同連接至檢測(cè)模塊的輸入端，第二端接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平板電腦，其特征在于，所述升壓模塊還包括:電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)，用于調(diào)整升壓電路輸出電壓的幅值；該電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)包括: 第二十四電容(C24)，其第一端連接至升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)的FB管腳； 第二十三電阻(R23)，其與第二十四電阻(R24)串聯(lián)連接，第一端連接至升壓模塊的輸出端，第二端連接第二十四電阻R24，還通過第二十二電阻(R22)連接至所述升壓驅(qū)動(dòng)芯片(U302)的FB管腳；以及 第二十四電阻(R24)，其與所述第二十三電阻(R23)串聯(lián)連接，第一端連接至所述第二十三電阻(R23)的第二端，第二端接地。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平板電腦，其特征在于，所述脈沖控制模塊包括: 振蕩信號(hào)源，其產(chǎn)生脈沖振蕩信號(hào)； 脈沖電子開關(guān)電路，包括:多個(gè)P溝道MOS管，每個(gè)P溝道MOS管的S管腳連接至升壓模塊的輸出端，G管腳通過電阻連接至升壓模塊的輸出端，D管腳分別連接至平板電腦的不同數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)；以及 第三十一三極管(Q31)，其基極通過第三十三電阻(R33)連接至振蕩信號(hào)源的信號(hào)輸出端，其發(fā)射極接地； 其中，所述第三十二 P溝道MOS管(M32)的G管腳通過第三十五電阻(R35)和第三十二二極管(D32)連接至該第三i^一三極管(Q31)的集電極；上述第三十三P溝道MOS管(M33)的G管腳通過第三十四電阻(R34)和第三十一二極管(D31)連接至該第三十一三極管(Q31)的集電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的平板電腦，其特征在于，所述振蕩信號(hào)源包括:第三十一非門(NOT 31)和第三十二非門(NOT 32);其中: 第三i^一非門(NOT 31)和第三十二非門(NOT 32)首尾相接，且第三i^一非門(NOT31)的輸入端通過第三i^一電阻(R31)連接至與所述第三十二非門(NOT 32)的輸出端連接的第三十二電容(C32)連接，其輸出端連接至該振蕩信號(hào)源的輸出端，用于輸出所述振蕩脈沖信號(hào)；第三i^一非門(NOT 31)的輸出端還連接至第三十二電阻(R32)的第一端，第三十二電阻(R32)的第二端連接至所述第三i^一電阻(R31)和第三十二電容(C32)之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的平板電腦，其特征在于，所述平板電腦中存儲(chǔ)芯片和/或存儲(chǔ)介質(zhì)包括=FLASH芯片和TF卡； 所述脈沖電子開關(guān)電路包括:第三十二 P溝道MOS管(M32)，其S管腳連接至升壓模塊的輸出端，其G管腳通過第三十七電阻(R37)連接至升壓模塊的輸出端，其D管腳連接至平板電腦的FLASH芯片；第三十三P溝道MOS管(M33)，其S管腳連接至升壓模塊的輸出端，其G管腳通過第三十六電阻(R36)連接至升壓模塊的輸出端，其D管腳連接至平板電腦的TF卡。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板電腦，其特征在于，所述電池供電系統(tǒng)通過設(shè)置，至少保留預(yù)設(shè)比例的電能供所述自毀執(zhí)行電路使用。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的平板電腦，其特征在于，還包括: 權(quán)限控制裝置，該權(quán)限控制裝置確認(rèn)用戶身份，以及該用戶身份對(duì)應(yīng)的權(quán)限，以決定用戶可以對(duì)平板電腦進(jìn)行何種操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的平板電腦，其特征在于，所述權(quán)限控制裝置包括: 獲取用戶的指紋信息的指紋識(shí)別裝置； 存儲(chǔ)有用戶指紋信息與用戶身份的對(duì)應(yīng)關(guān)系的用戶身份數(shù)據(jù)庫； 存儲(chǔ)有用戶身份與對(duì)操作權(quán)限的對(duì)應(yīng)關(guān)系的權(quán)限數(shù)據(jù)庫；以及 與所述指紋識(shí)別裝置、用戶身份數(shù)據(jù)庫和權(quán)限數(shù)據(jù)庫相連接的權(quán)限判定裝置，該權(quán)限判定裝置依照指紋識(shí)別裝置獲取的指紋信息，在用戶身份數(shù)據(jù)庫中確定該指紋信息對(duì)應(yīng)的用戶身份，在權(quán)限數(shù)據(jù)庫中確定該用戶身份對(duì)應(yīng)的操作權(quán)限，并阻止用戶對(duì)其操作權(quán)限之外的敏感數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。
【文檔編號(hào)】G06F1/16GK104317362SQ201410582417
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月27日
【發(fā)明者】趙曉巖 申請(qǐng)人:北京同方時(shí)訊電子股份有限公司