本實(shí)施方式通常涉及一種存儲(chǔ)控制器、存儲(chǔ)裝置以及數(shù)據(jù)寫入方法。

背景技術(shù)：

以往，有時(shí)在寫入于磁盤的數(shù)據(jù)包含0或1的連續(xù)模式(patten)、0101…這種反復(fù)模式。在該情況下，在再現(xiàn)時(shí)難以取得同步或信號(hào)質(zhì)量會(huì)下降而難以再現(xiàn)原記錄數(shù)據(jù)。

因此，近年來，提出了一種技術(shù)，即在記錄于磁盤時(shí)使用RLL碼、MTR碼這種調(diào)制碼，限制連續(xù)模式的長(zhǎng)度(行程長(zhǎng)度(run length))、反復(fù)模式的次數(shù)(磁化反轉(zhuǎn)次數(shù))。

然而，在使用調(diào)制碼進(jìn)行編碼的情況下，有時(shí)冗余度增加而格式化效率會(huì)下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠抑制格式化效率下降的存儲(chǔ)控制器、存儲(chǔ)裝置以及數(shù)據(jù)寫入方法。

實(shí)施方式的存儲(chǔ)控制器具備控制部和接口?？刂撇吭谧鳛橐獙懭氲酱疟P的數(shù)據(jù)而輸入的寫入數(shù)據(jù)包含具有預(yù)定模式的第一模式的位串的情況下，使該位串中的任意的一個(gè)以上的位值反轉(zhuǎn)。寫入數(shù)據(jù)包含用于數(shù)據(jù)糾錯(cuò)的冗余碼。接口輸出由上述控制部反轉(zhuǎn)該位值而得到的寫入數(shù)據(jù)。

附圖說明

圖1是表示實(shí)施方式的磁盤裝置的硬件結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是例示實(shí)施方式的磁盤裝置中的寫入時(shí)利用的結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是例示實(shí)施方式的加工設(shè)定存儲(chǔ)部的表結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是例示實(shí)施方式的通知設(shè)定存儲(chǔ)部的表結(jié)構(gòu)的圖。

圖5是例示實(shí)施方式的磁盤裝置中的讀取時(shí)利用的結(jié)構(gòu)的圖。

圖6是表示實(shí)施方式的磁盤裝置中的寫入處理的過程的流程圖。

圖7是表示實(shí)施方式的磁盤裝置中的讀出處理的過程的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖詳細(xì)說明實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)控制器、存儲(chǔ)裝置以及數(shù)據(jù)寫入方法。此外，本發(fā)明并不限定于本實(shí)施方式。

(第一實(shí)施方式)

圖1是表示本實(shí)施方式的磁盤裝置1的硬件結(jié)構(gòu)的圖。磁盤裝置1具備盤件(enclosure)1a和電路基板1b。

盤件1a具備殼體11、磁盤12、主軸13、SPM(主軸馬達(dá))14、磁頭15、滑塊16、懸架17、致動(dòng)臂18、VCM(音圈馬達(dá))19以及頭IC(integrated chip：集成芯片)20。另外，電路基板1b具備馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器IC 21和作為存儲(chǔ)控制器的一例的SoC(system-on-a-chip：系統(tǒng)級(jí)芯片)22。此外，在圖1中，為了使說明簡(jiǎn)單，頭IC 20配置于殼體11外部，但是，實(shí)際上頭IC20配置于致動(dòng)臂18的預(yù)定部位。

磁盤12為記錄各種信息的圓盤狀記錄介質(zhì)，構(gòu)成為能夠以PMR(perpendicular magnetic recording)方式(垂直磁記錄方式)進(jìn)行寫入。磁盤12具有記錄層，該記錄層在與磁盤12的介質(zhì)面大致垂直的方向上具有磁各向異性。而且，磁記錄層的磁性體通過由磁頭15施加的磁場(chǎng)，在相對(duì)于磁盤12表面(介質(zhì)面)大致向垂直的方向上被磁化。另外，磁盤12的磁記錄層使用常溫下具有高矯頑力的記錄層。

磁盤12經(jīng)由主軸13以可旋轉(zhuǎn)的方式固定于殼體11。SPM 14通過使主軸具有旋轉(zhuǎn)力，使磁盤12間接地旋轉(zhuǎn)。

磁頭15構(gòu)成為對(duì)磁盤12進(jìn)行信號(hào)和/或數(shù)據(jù)的讀寫。磁頭15設(shè)置于 接受因磁盤12的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣流而浮在磁盤12上的滑塊16的長(zhǎng)度方向的端部?；瑝K16經(jīng)由允許該浮起的懸架17與致動(dòng)臂18相連接。致動(dòng)臂18通過VCM 19而在沿著磁盤12的記錄面的方向上滑動(dòng)。由此，磁頭15能夠?qū)Υ疟P12的任意處進(jìn)行信號(hào)和/或數(shù)據(jù)的讀寫。

頭IC 20與磁頭15和SoC 22電連接。頭IC 20對(duì)使用磁頭15從磁盤12讀取的信號(hào)和/或數(shù)據(jù)進(jìn)行放大，并輸出到SoC 22。另外，頭IC 20將基于從SoC 22輸出的信號(hào)和/或數(shù)據(jù)的電流輸出到磁頭15。

馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器IC 21與SPM 14、VCM 19、SoC 22相連接。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器IC 21根據(jù)來自SoC 22的控制信號(hào)控制SPM 14和VCM 19，控制磁頭15相對(duì)于磁盤12的定位。

SoC 22具備CPU(central processing unit：中央處理單元)121、RAM(random access memory：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)122、ROM(read only memory：只讀存儲(chǔ)器)123、RWC(read write channel：讀寫通道)124以及HDC(hard disc controller：硬盤控制器)125。此外，在本實(shí)施方式中，說明了將RAM 122和ROM 123設(shè)置于SoC 22內(nèi)部的示例，但是也可以將RAM 122和ROM 123中任一個(gè)或兩者設(shè)置于SoC 22外部。

CPU 121與馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器IC 21、RAM 122、ROM 123、RWC 124以及HDC 125相連接。CPU 121執(zhí)行用于進(jìn)行各種設(shè)定、寫入、讀出指示等的固件程序。CPU 121控制磁盤裝置1各部的動(dòng)作。具體地說，CPU 121依次讀出存儲(chǔ)在ROM 123中的固件程序、各種應(yīng)用程序并執(zhí)行，由此控制磁盤裝置1各部的動(dòng)作。

ROM 123為不供給電源也保持存儲(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器，例如設(shè)為快閃存儲(chǔ)器等。而且，ROM 123存儲(chǔ)固件程序和/或各種應(yīng)用程序、這些程序執(zhí)行所需的各種數(shù)據(jù)。

RAM 122作為磁盤裝置1的主存儲(chǔ)器，提供CPU 121執(zhí)行固件程序和/或應(yīng)用程序時(shí)的作業(yè)區(qū)域。

RWC 124與CPU 121、HDC 125以及頭IC 20相連接。RWC 124對(duì)從HDC 125輸出的數(shù)據(jù)實(shí)施預(yù)定的信號(hào)處理，并將其輸出到頭IC 20。另 外，RWC 124將CPU 121所生成的測(cè)試信號(hào)向頭IC 20輸出。另外，RWC124生成寫入選通(gate)信號(hào)并輸出到頭IC 20。另外，RWC 124對(duì)從頭IC 20輸出的信號(hào)、數(shù)據(jù)實(shí)施預(yù)定的信號(hào)處理，并將其輸出到HDC 125和/或CPU 121。

HDC 125與CPU 121、RWC 124以及未圖示的主機(jī)相連接。HDC 125構(gòu)成與主機(jī)的接口，將從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)輸出到RWC 124，另外，將從RWC 124接收到的數(shù)據(jù)向主機(jī)輸出。

本實(shí)施方式的磁盤裝置1在將寫入數(shù)據(jù)寫入于磁盤12時(shí)，在該寫入數(shù)據(jù)包含0或1的連續(xù)模式、0101這種反復(fù)模式的情況下，使該模式內(nèi)的一部分位反轉(zhuǎn)。由此，抑制行程長(zhǎng)度(RUN-LENGTH)變長(zhǎng)，同時(shí)控制磁化反轉(zhuǎn)次數(shù)。

另外，以往，作為進(jìn)行編碼以使得連續(xù)的0成為一定數(shù)量以下的磁記錄調(diào)制方式，提出了RLL編碼(Run-Length Limited coding：行程長(zhǎng)度受限編碼)方式、MTR(Maximum Transition Run：最大轉(zhuǎn)換行程)編碼方式。然而，在這種以往方法中，寫入數(shù)據(jù)會(huì)增加冗余部，因此格式化效率會(huì)下降。因此，在本實(shí)施方式中，提出在抑制冗余部增加的同時(shí)抑制0或1的連續(xù)模式、0101這種反復(fù)模式的方法。

圖2是例示本實(shí)施方式的磁盤裝置1中的寫入時(shí)利用的結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)，至少使用CPU 121、ROM 123、HDC 125以及RWC 124。

HDC 125具備DRAM 211、用戶數(shù)據(jù)序列加工部212、數(shù)據(jù)選擇器213以及存儲(chǔ)部215。

DRAM 211暫時(shí)存儲(chǔ)從主計(jì)算機(jī)發(fā)送來的數(shù)據(jù)序列(以下，稱為用戶數(shù)據(jù)序列)。本實(shí)施方式的DRAM 211暫時(shí)存儲(chǔ)從主計(jì)算機(jī)發(fā)送來的數(shù)據(jù)序列，由此能夠?qū)崿F(xiàn)向磁盤12的寫入的重試。

用戶數(shù)據(jù)序列加工部212對(duì)用戶數(shù)據(jù)序列進(jìn)行加工處理。例如在寫入時(shí)發(fā)生了錯(cuò)誤、因而進(jìn)行重試時(shí)，用戶數(shù)據(jù)序列加工部212從DRAM 211讀出用戶數(shù)據(jù)序列，對(duì)該用戶數(shù)據(jù)序列進(jìn)行加工處理。通過該加工處理， 在重試時(shí)的寫入中對(duì)錯(cuò)誤進(jìn)行抑制。

數(shù)據(jù)選擇器213按照來自CPU 121的指示，選擇輸出到RWC 124的ECC編碼部227的用戶數(shù)據(jù)序列。例如，數(shù)據(jù)選擇器213在進(jìn)行寫入重試的情況下，選擇從用戶數(shù)據(jù)序列加工部212輸出的用戶數(shù)據(jù)序列。在除此以外的情況下，換言之在通常情況下，數(shù)據(jù)選擇器213選擇從DRAM 211讀出的用戶數(shù)據(jù)序列。

存儲(chǔ)部215具備日志存儲(chǔ)部127。本實(shí)施方式的存儲(chǔ)部215可以由F/F(觸發(fā)器(flip-flop))構(gòu)成，也可以使用可讀寫的存儲(chǔ)介質(zhì)。

日志存儲(chǔ)部127按照來自CPU 121的指示，存儲(chǔ)基于檢測(cè)通知等的日志。例如存儲(chǔ)寫入數(shù)據(jù)序列中的模式檢測(cè)的有無、和/或檢測(cè)該模式時(shí)的設(shè)定等。

RWC 124具備第1模式檢測(cè)部221_1、第2模式檢測(cè)部221_2、…、第n模式檢測(cè)部221_N、第1檢測(cè)用與(AND)電路224_1、第2檢測(cè)用與電路224_2、…、第N檢測(cè)用與電路224_N、第1通知用與(AND)電路222_1、第二通知用與電路222_2、…、第N通知用與電路222_N、第1模式通知選擇器223_1、第2模式通知選擇器223_2、…、第N模式通知選擇器223_N、寫入序列加工部225、ECC編碼部227以及接口部226。此外，將N設(shè)為表示本實(shí)施方式中要加工的模式的數(shù)量的數(shù)值。

在本實(shí)施方式中，作為進(jìn)行各種處理的結(jié)構(gòu)，具有包含第1模式檢測(cè)部221_1、第2模式檢測(cè)部221_2、…、第n模式檢測(cè)部221_N、第1檢測(cè)用與電路224_1、第1檢測(cè)用與電路224_2、…、第N檢測(cè)用與電路224_N、第1通知用與電路222_1、第2通知用與電路222_2、…、第N通知用與電路222_N、第1模式通知選擇器223_1、第2模式通知選擇器223_2、…、第N模式通知選擇器223_N、寫入序列加工部225、ECC編碼部227的控制部250。并且，本實(shí)施方式具有接口部226，該接口部226用于輸出控制部250所生成的信息和/或?qū)⑿畔⑤斎氲娇刂撇?50。

ECC編碼部227將用戶數(shù)據(jù)序列變換為用于在讀出時(shí)進(jìn)行糾錯(cuò)的碼字(code word)。本實(shí)施方式為作為糾錯(cuò)碼使用低密度奇偶校驗(yàn)碼 (low-density parity-check code)的示例，但是也可以使用其它方法。在本實(shí)施方式中，將從ECC編碼部227輸出的數(shù)據(jù)序列稱為寫數(shù)據(jù)序列。

在一般錯(cuò)誤檢測(cè)校正中，對(duì)k單位長(zhǎng)度(k位)的碼字附加冗余碼(m位)，變換為k+m單位長(zhǎng)度的碼字。而且，能夠使用該冗余性進(jìn)行糾錯(cuò)。

本實(shí)施方式的寫數(shù)據(jù)序列也通過由ECC編碼部227進(jìn)行的向碼字的變換處理而包含冗余部，因此能夠進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)校正。

第1模式檢測(cè)部221_1、第2模式檢測(cè)部221_2、…以及第N模式檢測(cè)部221_N檢測(cè)寫數(shù)據(jù)序列是否包含按每個(gè)檢測(cè)部而預(yù)先確定的位串的模式。

例如，第1模式檢測(cè)部221_1作為預(yù)先確定的位串而檢測(cè)‘0’的連續(xù)模式。作為其它例，第2模式檢測(cè)部221_2作為預(yù)先確定的位串而檢測(cè)‘1’的連續(xù)模式。作為其它例，第N模式檢測(cè)部221_N作為預(yù)先確定的位串而檢測(cè)0101…這種反復(fù)模式。這樣，在本實(shí)施方式中，按每個(gè)模式檢測(cè)部而預(yù)先設(shè)定成為檢測(cè)對(duì)象的位串。

例如，第1模式檢測(cè)部221_1和第2模式檢測(cè)部221_2按每16位而檢測(cè)是否為連續(xù)模式。作為其它例，第N模式檢測(cè)部221_N每10位而檢測(cè)是否為反復(fù)模式。這樣，各模式檢測(cè)部對(duì)與成為檢測(cè)對(duì)象的模式相應(yīng)的每個(gè)位串進(jìn)行檢測(cè)。

而且，第1模式檢測(cè)部221_1輸出表示檢測(cè)結(jié)果的第1模式檢測(cè)信號(hào)。例如，第1模式檢測(cè)部221_1在判斷為包含連續(xù)模式的情況下，輸出第1模式檢測(cè)信號(hào)‘1’。第1模式檢測(cè)部221_1在判斷為不含連續(xù)模式的情況下，輸出第一模式檢測(cè)信號(hào)‘0’。將第1模式檢測(cè)信號(hào)輸出到第1通知用與電路222_1和第1檢測(cè)用與電路224_1。

同樣地，第2模式檢測(cè)部221_2作為連續(xù)模式的判斷結(jié)果，輸出‘0’或‘1’所示的第2模式檢測(cè)信號(hào)。將第2模式檢測(cè)信號(hào)輸出到第2通知用與電路222_2和第2檢測(cè)用與電路224_2。

第n模式檢測(cè)部221_N也作為反復(fù)模式的判斷結(jié)果，輸出‘0’或‘1’所示的第N模式檢測(cè)信號(hào)。將第N模式檢測(cè)信號(hào)輸出到第N通知用與電 路222_N和第N檢測(cè)用與電路224_N。此外，作為其它模式檢測(cè)部也進(jìn)行同樣處理而省略說明。

將第1檢測(cè)用與(AND)電路224_1設(shè)為取得第1模式檢測(cè)信號(hào)和第1模式加工使能信號(hào)的與的電路。第1模式加工使能信號(hào)設(shè)為從CPU 121輸出的信號(hào)。該第1模式加工使能信號(hào)表示是否對(duì)第1模式檢測(cè)部221_1檢測(cè)出的模式的位串進(jìn)行加工。第1模式加工使能信號(hào)在進(jìn)行位串加工的情況下設(shè)定為‘1’，在不進(jìn)行位串加工的情況下設(shè)定為‘0’。在本實(shí)施方式中，說明從CPU 121直接輸出模式加工使能信號(hào)(例如第1模式加工使能信號(hào))的示例，但是并不限定于從CPU 121直接輸出的方法，例如也可以經(jīng)由RWC 124內(nèi)部的(未圖示的)寄存器來輸出。

而且，第1檢測(cè)用與電路224_1在第1模式檢測(cè)信號(hào)‘1’和第1模式加工使能信號(hào)‘1’的情況下，輸出包含表示要加工的意思的‘1’的第1加工指示信號(hào)。第1檢測(cè)用與電路224_1在第1模式檢測(cè)信號(hào)和第1模式加工使能信號(hào)為除此以外的組合的情況下，輸出包含表示不加工的意思的‘0’的第1加工指示信號(hào)。

另外，作為第2檢測(cè)用與電路224_2、…以及第N檢測(cè)用與電路224_N進(jìn)行與第1檢測(cè)用與電路224_1同樣的處理而省略說明。此外，第2檢測(cè)用與電路224_2輸出第2加工指示信號(hào)，第N檢測(cè)用與電路224_N輸出第N加工指示信號(hào)。

寫入序列加工部225按照第1檢測(cè)用與電路224_1～第N檢測(cè)用與電路224_N的加工指示信號(hào)，對(duì)從ECC編碼部227輸入的寫數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的位串進(jìn)行加工處理。

本實(shí)施方式的寫入序列加工部225在按照加工指示信號(hào)識(shí)別出包含預(yù)先確定的模式的位串的情況下，使該位串中的任一位反轉(zhuǎn)。另外，也可以使反轉(zhuǎn)的位的位置根據(jù)檢測(cè)出的每個(gè)模式不同而不同。另外，寫入序列加工部225將包含反轉(zhuǎn)的位的寫入數(shù)據(jù)輸出到頭IC 20。此外，在本實(shí)施方式中，進(jìn)行1位反轉(zhuǎn)，但是也可以使多個(gè)位反轉(zhuǎn)。

例如，寫入序列加工部225在被輸入第1加工指示信號(hào)‘1’的情況下， 使寫數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的(第1模式檢測(cè)部221_1檢測(cè)出的)‘0’的連續(xù)模式的位串中的任一位反轉(zhuǎn)為‘1’。在本實(shí)施方式中，設(shè)為預(yù)先確定了該位串(16位)中的要反轉(zhuǎn)的位的位置。

通過寫入序列加工部225的加工處理，使‘0’或‘1’的連續(xù)模式的位串、0101…這種反復(fù)模式的位串內(nèi)包含的位反轉(zhuǎn)。由此，抑制寫入數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的連續(xù)模式和/或反復(fù)模式。

也就是說，以往，在從磁盤讀出數(shù)據(jù)時(shí)，在記錄數(shù)據(jù)包含0或1的連續(xù)模式、0101…這種反復(fù)模式的情況下，在再現(xiàn)時(shí)難以取得同步或信號(hào)質(zhì)量會(huì)變差，從而難以再現(xiàn)原記錄數(shù)據(jù)。因此，在記錄于磁盤時(shí)，根據(jù)RLL碼、MTR碼這種調(diào)制碼，限制連續(xù)模式的長(zhǎng)度(行程長(zhǎng)度RUN-LENGTH)和/或反復(fù)模式的次數(shù)(磁化反轉(zhuǎn)次數(shù))。然而，當(dāng)根據(jù)調(diào)制碼進(jìn)行編碼時(shí)，冗余部增加而格式化效率會(huì)下降。因此，在本實(shí)施方式中，在寫入數(shù)據(jù)序列包含連續(xù)模式和/或反復(fù)模式的情況下，進(jìn)行使位反轉(zhuǎn)的加工處理。

使寫數(shù)據(jù)序列的位反轉(zhuǎn)意味著包含了位錯(cuò)誤。然而，本實(shí)施方式的寫數(shù)據(jù)序列包含用于實(shí)現(xiàn)錯(cuò)誤檢測(cè)校正的冗余性(冗余部)。因此，在讀出該數(shù)據(jù)時(shí)，能夠進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)校正。

接口部226在其與頭IC 20之間進(jìn)行信息的發(fā)送接收。例如，接口部226將由寫入序列加工部225加工過的(換言之，位值反轉(zhuǎn)的)寫數(shù)據(jù)序列輸出到頭IC 20的寫入部251。

在本實(shí)施方式中，也可以進(jìn)行位反轉(zhuǎn)以外的處理。例如在各模式檢測(cè)部(第1模式檢測(cè)部221_1、第2模式檢測(cè)部221_2、…、第n模式檢測(cè)部221_N)檢測(cè)到連續(xù)模式和反復(fù)模式中的任一個(gè)以上而將模式通知給CPU 121的情況下，CPU 121也可以使寫入工作停止。

之后的處理依賴于磁盤裝置1。例如在ECC碼的冗余部分檢測(cè)出反復(fù)模式的情況下，在用戶數(shù)據(jù)序列加工部212包含能夠任意地重寫于用戶數(shù)據(jù)序列的位區(qū)域的情況下，將任意的值寫入于該位區(qū)域。使用寫入后的用戶數(shù)據(jù)序列再次進(jìn)行ECC編碼，能夠抑制寫數(shù)據(jù)序列包含反復(fù)模式。

頭IC 251具備寫入部251。寫入部251進(jìn)行將所輸入的寫數(shù)據(jù)序列寫 入于磁盤12的控制。另外，寫入部251在進(jìn)行寫入控制之后，將寫入完成通知輸出到各通知用與(AND)電路(第1通知用與電路222_1、第2通知用與電路222_2、…以及第N通知用與電路222_N)。

第1通知用與電路222_1設(shè)為取寫入完成通知和第1模式檢測(cè)信號(hào)的與(AND)的電路。寫入完成通知設(shè)為經(jīng)由接口部226從寫入部251輸出的信號(hào)。寫入完成通知表示寫數(shù)據(jù)序列是否正常寫入到了磁盤12。寫入完成通知在正常寫入的情況下設(shè)定為‘1’，在寫入發(fā)生異常的情況下設(shè)定為‘0’。

而且，第1通知用與電路222_1在第1模式檢測(cè)信號(hào)‘1’和寫入完成通知‘1’的情況下，輸出寫入完成通知‘1’。寫入完成通知‘1’表示與檢測(cè)出的連續(xù)模式有關(guān)的寫數(shù)據(jù)序列的寫入完成這一情況。

另外，第2通知用與電路222_2、…以及第N通知用與電路222_N進(jìn)行與第1通知用與電路222_1同樣的處理而省略說明。

第1模式通知選擇器223_1按照來自CPU 121的指示，選擇信號(hào)‘0’、第1模式檢測(cè)信號(hào)以及寫入完成通知中任一個(gè)。而且，第1模式通知選擇器223_1將所選擇的信號(hào)或通知作為第1模式檢測(cè)通知而進(jìn)行輸出。

在選擇出信號(hào)‘0’的情況下，意味著CPU 121不需要與第1模式檢測(cè)部221_1相關(guān)聯(lián)的信息。在選擇第一模式檢測(cè)信號(hào)的情況下，意味著CPU121在第1模式檢測(cè)部221_1檢測(cè)出模式的情況下接收通知。在選擇寫入完成通知的情況下，意味著CPU 121接收與第一模式檢測(cè)部221_1檢測(cè)出的模式相關(guān)聯(lián)的寫數(shù)據(jù)序列的寫入完成通知。

另外，第2模式通知選擇器223_2、…以及第N模式通知選擇器223_N進(jìn)行與第1模式通知選擇器223_1同樣的處理而省略說明。在本實(shí)施方式中，說明了第1模式通知選擇器223_1～第N模式通知選擇器223_N按照來自CPU 121的指示進(jìn)行選擇的示例。然而，第1模式通知選擇器223_1～第N模式通知選擇器223_N并不限定于按直接來自CPU 121的指示，例如，也可以經(jīng)由RWC 124內(nèi)部的(未圖示的)寄存器而被進(jìn)行指示。

ROM 123存儲(chǔ)加工設(shè)定存儲(chǔ)部231和通知設(shè)定存儲(chǔ)部232，作為CPU 121用于進(jìn)行處理的各種數(shù)據(jù)。

加工設(shè)定存儲(chǔ)部231存儲(chǔ)表示是否按每個(gè)模式進(jìn)行加工的設(shè)定信息。圖3是例示本實(shí)施方式的加工設(shè)定存儲(chǔ)部231的表結(jié)構(gòu)的圖。加工設(shè)定存儲(chǔ)部231所存儲(chǔ)的設(shè)定信息設(shè)為與輸出到檢測(cè)用與電路的模式使能信號(hào)有關(guān)的設(shè)定。在圖3示出的示例中，加工設(shè)定存儲(chǔ)部231使“模式”和“值”相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行存儲(chǔ)。

模式保持與模式使能信號(hào)的輸出目的地有關(guān)的信息。例如在模式為“第1模式”的情況下，表示輸出目的地為第1檢測(cè)用與電路224_1。

值設(shè)定為‘1’或‘0’。在本實(shí)施方式中，在值為‘1’的情況下，CPU121輸出表示進(jìn)行加工處理的信號(hào)。在值為‘0’的情況下，CPU 121輸出表示不進(jìn)行加工處理的信號(hào)。

通知設(shè)定存儲(chǔ)部232存儲(chǔ)表示在每次檢測(cè)出模式時(shí)是否通知給CPU121的設(shè)定信息。圖4是例示本實(shí)施方式的通知設(shè)定存儲(chǔ)部232的表結(jié)構(gòu)的圖。在圖4示出的示例中，通知設(shè)定存儲(chǔ)部232使“選擇器”和“值”相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行存儲(chǔ)。

“選擇器”表示設(shè)定目的地選擇器。在選擇器為“第1模式通知”的情況下，將在檢測(cè)出第1模式的情況下進(jìn)行通知的第1模式通知選擇器223_1設(shè)為設(shè)定目的地。

值設(shè)為‘0’、‘1’或‘2’。在本實(shí)施方式中，在值為‘0’的情況下，在選擇器中設(shè)定為將信號(hào)‘0’通知給CPU 121。在值為‘1’的情況下，在選擇器中設(shè)定為將模式檢測(cè)通知(檢測(cè)出模式這一情況)通知給CPU121。在值為‘2’的情況下，在選擇器中設(shè)定為將寫入完成通知通知給CPU121。

例如在選擇器為“第1模式通知”且值為“1”的情況下，CPU 121進(jìn)行對(duì)第1模式通知選擇器223_1輸出模式檢測(cè)通知的指示。

CPU 121通過執(zhí)行存儲(chǔ)在ROM 123中的程序，實(shí)現(xiàn)輸出部241、重試控制部242以及日志更新部243。

輸出部241根據(jù)加工設(shè)定存儲(chǔ)部231，輸出表示是否按每個(gè)檢測(cè)用與 電路(第1檢測(cè)用與電路224_1、第2檢測(cè)用與電路224_2、…以及第N檢測(cè)用與電路224_N)進(jìn)行加工處理的模式加工使能信號(hào)。由此，能夠設(shè)定是否按每個(gè)模式進(jìn)行加工處理。

另外，輸出部241根據(jù)通知設(shè)定存儲(chǔ)部232，輸出表示按每個(gè)模式通知選擇器(第1模式通知選擇器223_1、第2模式通知選擇器223_2以及第N模式通知選擇器223_N)通知給CPU 121的信息種類的信號(hào)。由此，能夠設(shè)定按每個(gè)模式通知的內(nèi)容。

重試控制部242控制寫入重試。本實(shí)施方式的重試控制部242根據(jù)來自模式通知選擇器(第1模式通知選擇器223_1、第2模式通知選擇器223_2以及第N模式通知選擇器223_N)的模式檢測(cè)通知來進(jìn)行重試控制。

例如，本實(shí)施方式的重試控制部242根據(jù)模式檢測(cè)通知，在盡管從寫數(shù)據(jù)序列檢測(cè)出預(yù)先確定的模式的位串也沒有進(jìn)行用于對(duì)該模式進(jìn)行加工處理的設(shè)定的情況下，進(jìn)行該重試控制。作為更詳細(xì)的示例，重試控制部242在從第N模式通知選擇器223_N接收到第N模式的檢測(cè)通知‘1’，并且，加工設(shè)定存儲(chǔ)部231中與第N模式對(duì)應(yīng)的值為‘0’(不進(jìn)行加工處理)的情況下，進(jìn)行重試控制。

而且，本實(shí)施方式的重試控制部242對(duì)用戶數(shù)據(jù)序列加工部212指示進(jìn)行加工處理的意思。并且，重試控制部242對(duì)數(shù)據(jù)選擇器213指示選擇從用戶數(shù)據(jù)序列加工部212輸出的用戶數(shù)據(jù)序列。

而且，用戶數(shù)據(jù)序列加工部212按照該指示對(duì)從DRAM 211讀出的用戶數(shù)據(jù)序列進(jìn)行加工處理。作為加工處理，設(shè)為用戶數(shù)據(jù)序列中的用戶數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的能夠任意地重寫的位區(qū)域(例如先頭等)的任意位的反轉(zhuǎn)等。這樣，通過使用戶數(shù)據(jù)序列的位反轉(zhuǎn)，能夠抑制由ECC編碼部227變換后的寫數(shù)據(jù)序列與連續(xù)模式、反復(fù)模式等的模式一致。

日志更新部243按照CPU 121所接收的通知，更新存儲(chǔ)在日志存儲(chǔ)部127中的日志。由此，能夠?qū)懭胗诖疟P12的寫數(shù)據(jù)序列中的加工處理后的寫數(shù)據(jù)序列等進(jìn)行確定。

圖5是例示本實(shí)施方式的磁盤裝置1中的讀取時(shí)利用的結(jié)構(gòu)的圖。如 圖5所示，在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，至少使用CPU 121、ROM 123、HDC 125以及RWC 124。

頭IC 20具備讀出部501。讀出部501在具有讀出指示的情況下，從磁盤20讀出介質(zhì)數(shù)據(jù)序列，將該介質(zhì)數(shù)據(jù)序列輸出到RWC 124內(nèi)的信號(hào)處理部124。

RWC 124具備第1模式檢測(cè)部511_1、第2模式檢測(cè)部511_2、…、第N模式檢測(cè)部511_N、第1檢測(cè)用與電路512_1、第2檢測(cè)用與電路512_2、…、第N檢測(cè)用與電路512_N、讀出序列加工部513、數(shù)據(jù)選擇器514、信號(hào)處理部515以及ECC解碼部521。

信號(hào)處理部515對(duì)從讀出部501接收的介質(zhì)數(shù)據(jù)序列進(jìn)行A/D變換、均衡、維特比等波形處理，將波形處理后的數(shù)據(jù)序列作為讀數(shù)據(jù)序列而進(jìn)行輸出。之后，在ECC解碼部521中進(jìn)行糾錯(cuò)。在該糾錯(cuò)中，在寫入時(shí)反轉(zhuǎn)的位部分被糾錯(cuò)為反轉(zhuǎn)前數(shù)據(jù)。

數(shù)據(jù)選擇器514按照來自CPU 121的指示，選擇輸出到ECC解碼部521的讀數(shù)據(jù)序列。

例如，數(shù)據(jù)選擇器514按照來自CPU 121的指示，選擇從讀出部501輸出的讀數(shù)據(jù)序列。

而且，在ECC解碼部521解碼失敗的情況下，數(shù)據(jù)選擇器514按照來自CPU 121的指示，選擇從讀出序列加工部513輸出的讀數(shù)據(jù)序列。

這樣，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)選擇器514通常選擇從信號(hào)處理部515輸出的讀數(shù)據(jù)序列，在解碼失敗的情況下，能夠選擇加工處理后的讀數(shù)據(jù)序列。此外，本實(shí)施方式并不限定于這種選擇方式，例如也可以使用選擇從通常進(jìn)行加工處理的讀數(shù)據(jù)序列等其它方法。說明了本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)選擇器514按照來自CPU 121的指示進(jìn)行選擇的示例。然而，數(shù)據(jù)選擇器514并不限定于按直接來自CPU 121的指示，例如也可以經(jīng)由RWC 124內(nèi)部的(未圖示的)寄存器而被進(jìn)行指示。

ECC解碼部521對(duì)所輸入的讀數(shù)據(jù)序列進(jìn)行糾錯(cuò)，將作為糾錯(cuò)結(jié)果的用戶數(shù)據(jù)序列輸出到HDC 125。在本實(shí)施方式中，作為糾錯(cuò)碼使用低密度 奇偶校驗(yàn)碼(low-densityparity-checkcode)，但是也可以使用其它方法。此外，在本實(shí)施方式中，說明將ECC解碼部521設(shè)置于RWC 124內(nèi)的示例，但是也可以設(shè)置于HDC內(nèi)部。

ECC解碼部521在對(duì)從信號(hào)處理部515輸出的讀數(shù)據(jù)序列進(jìn)行由ECC解碼進(jìn)行的錯(cuò)誤檢測(cè)校正之后，將校正過的用戶數(shù)據(jù)序列輸出到主計(jì)算機(jī)。ECC解碼部521不具有在寫入序列加工部233進(jìn)行加工處理時(shí)反轉(zhuǎn)了的位的位置信息。然而，如果在糾錯(cuò)能力內(nèi)，則ECC解碼部521能夠校正由寫入序列加工部233反轉(zhuǎn)的位。這樣，ECC解碼部521在糾錯(cuò)能力內(nèi)能夠校正在寫入時(shí)反轉(zhuǎn)的位以及在實(shí)際讀出時(shí)實(shí)際由噪聲等導(dǎo)致成為錯(cuò)誤的位。

在本實(shí)施方式的ECC解碼部521糾錯(cuò)失敗的情況下，將該狀況輸出到CPU 121。而且，CPU 121對(duì)數(shù)據(jù)選擇器514進(jìn)行指示，選擇從讀出序列加工部513輸出的讀數(shù)據(jù)序列。

也就是說，當(dāng)通過圖2示出的結(jié)構(gòu)校正在寫入時(shí)進(jìn)行的位的反轉(zhuǎn)時(shí)，讀數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的錯(cuò)誤數(shù)減少。由此，使用了讀數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的冗余性的糾錯(cuò)能力提高。換言之，即使在讀數(shù)據(jù)序列的糾錯(cuò)失敗的情況下，在校正在寫入時(shí)反轉(zhuǎn)的位之后再次進(jìn)行糾錯(cuò)時(shí)，則也有可能成功。因此，在本實(shí)施方式中，在糾錯(cuò)失敗的情況下，讀出序列加工部513能夠進(jìn)行與檢測(cè)出的模式相應(yīng)的加工處理。

因此，ECC解碼部521在讀數(shù)據(jù)序列的糾錯(cuò)失敗的情況下，再次讀出相同讀數(shù)據(jù)序列。另外，ECC解碼部521將ECC可靠度信息輸出到讀出序列加工部513和信號(hào)處理部515。

而且，信號(hào)處理部515在根據(jù)ECC可靠度信息校正介質(zhì)數(shù)據(jù)序列之后，作為讀數(shù)據(jù)序列而進(jìn)行輸出。另外，信號(hào)處理部515將讀出可靠度信息輸出到讀出序列加工部513。

另外，將讀數(shù)據(jù)序列輸出到讀出序列加工部513、第1模式檢測(cè)部511_1、第2模式檢測(cè)部511_2、…以及第N模式檢測(cè)部511_N。

第1模式檢測(cè)部511_1、第2模式檢測(cè)部511_2、…以及第N模式檢 測(cè)部511_N檢測(cè)讀數(shù)據(jù)序列是否包含按每個(gè)模式檢測(cè)部而預(yù)先確定的位串的模式。也就是說，模式檢測(cè)部(第1模式檢測(cè)部511_1、第2模式檢測(cè)部511_2、…以及第N模式檢測(cè)部511_N)從讀數(shù)據(jù)序列中檢測(cè)從寫入于磁盤12時(shí)根據(jù)寫數(shù)據(jù)序列而檢測(cè)出的模式的位串進(jìn)行了預(yù)先確定的位的反轉(zhuǎn)的位串。

例如，第1模式檢測(cè)部511_1檢測(cè)‘0’的連續(xù)模式的位串中的僅預(yù)先確定的位置的位為‘1’的位串。此外，預(yù)先確定的位置設(shè)為寫入序列加工部225進(jìn)行了反轉(zhuǎn)的位的位置。

而且，第1模式檢測(cè)部511_1輸出表示檢測(cè)結(jié)果的第1模式檢測(cè)信號(hào)。例如，在判斷為包含上述模式的情況下，第1模式檢測(cè)部221_1輸出第1模式檢測(cè)信號(hào)‘1’。在判斷為不包含上述模式的情況下，第1模式檢測(cè)部221_1輸出第1模式檢測(cè)信號(hào)‘0’。

作為其它例，第2模式檢測(cè)部511_2作為預(yù)先確定的位串，檢測(cè)‘1’的連續(xù)模式的位串中的僅預(yù)先確定的位置的位為‘0’的位串。作為其它例，第N模式檢測(cè)部221_N作為預(yù)定位串，檢測(cè)0101…這種反復(fù)模式中的預(yù)先確定的位置的位反轉(zhuǎn)了的位串。這樣，各模式檢測(cè)部檢測(cè)寫入時(shí)由寫入序列加工部225進(jìn)行了加工處理的位串。

另外，各模式檢測(cè)部也與第1模式檢測(cè)部511_1同樣地，輸出表示檢測(cè)結(jié)果的模式檢測(cè)信號(hào)。

第1檢測(cè)用與電路512_1設(shè)為取得第1模式檢測(cè)信號(hào)和第1模式加工使能信號(hào)的與的電路。第1模式加工使能信號(hào)設(shè)為與圖2的輸出部241所輸出的第1模式加工使能信號(hào)相同。也就是說，圖5的第1模式加工使能信號(hào)表示是否為在寫入時(shí)進(jìn)行了加工處理的模式。在本實(shí)施方式中，說明模式加工使能信號(hào)(例如，第1模式加工使能信號(hào)～第N模式加工使能信號(hào))從CPU 121直接輸出的示例，但是并不限定于從CPU 121直接輸出的方法，例如也可以經(jīng)由RWC 124內(nèi)部的(未圖示的)寄存器而被輸出。

第1檢測(cè)用與電路512_1在第1模式檢測(cè)信號(hào)‘1’和第1模式加工使能信號(hào)‘1‘的情況下，輸出包含表示要加工的意思的‘1’的第1加工指 示信號(hào)。第1檢測(cè)用與電路224_1在第1模式檢測(cè)信號(hào)和第1模式加工使能信號(hào)為除此以外的組合的情況下，輸出包含表示不加工的意思的‘0’的第一加工指示信號(hào)。

另外，第2檢測(cè)用與電路512_2、…以及第N檢測(cè)用與電路512_N進(jìn)行與第1檢測(cè)用與電路512_1同樣的處理而省略說明。此外，第2檢測(cè)用與電路512_2輸出第2加工指示信號(hào)，第N檢測(cè)用與電路512_N輸出第N加工指示信號(hào)。

讀出序列加工部513按照第1檢測(cè)用與電路224_1～第N檢測(cè)用與電路224_N的加工指示信號(hào)，對(duì)從信號(hào)處理部515輸入的讀數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的位串進(jìn)行加工處理。在本實(shí)施方式中，設(shè)為預(yù)先決定了按檢測(cè)出的每個(gè)模式執(zhí)行的加工處理。

例如，寫入序列加工部225在被輸入第1加工指示信號(hào)‘1’的情況下，對(duì)讀數(shù)據(jù)序列內(nèi)包含的‘0’的連續(xù)模式的位串中的僅預(yù)先確定的位置反轉(zhuǎn)為‘1’的位串，將該位置的位反轉(zhuǎn)為‘0’。

通過寫入序列加工部225進(jìn)行加工處理，校正在寫入時(shí)反轉(zhuǎn)的位。由此，寫入序列加工部225作為讀數(shù)據(jù)序列，輸出‘0’或‘1’的連續(xù)模式的位串、0101…這種反復(fù)模式的位串。

另外，寫入序列加工部225在確定反轉(zhuǎn)哪一位時(shí)，也可以使用存儲(chǔ)在日志存儲(chǔ)部127中的日志、ECC可靠度信息、讀出可靠度信息。由此，寫入序列加工部225能夠提高位的反轉(zhuǎn)精度。

而且，將寫入序列加工部225所輸出的、加工過的讀數(shù)據(jù)序列被輸出到ECC解碼部521。而且，在ECC解碼521糾錯(cuò)成功的情況下，將校正過的用戶數(shù)據(jù)序列輸出到主計(jì)算機(jī)。

接著，說明本實(shí)施方式的磁盤裝置1中的寫入處理。圖6是表示本實(shí)施方式的磁盤裝置1中的上述處理的過程的流程圖。

HDC 125在DRAM 211中暫時(shí)存儲(chǔ)從主計(jì)算機(jī)輸入的用戶數(shù)據(jù)序列(S601)。此外，設(shè)為數(shù)據(jù)選擇器213選擇DRAM 211側(cè)。

ECC編碼部227從DRAM 211讀出用戶數(shù)據(jù)序列，將用戶數(shù)據(jù)序列 變換為用于進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)校正的碼字(S602)。將變換后的碼稱為寫數(shù)據(jù)序列。

各模式檢測(cè)部從寫數(shù)據(jù)序列檢測(cè)是否包含預(yù)定的模式的位串(S603)。在所有模式檢測(cè)部判斷為不含預(yù)定模式的位串的情況下(S603：“否”)，過渡到S611。

另一方面，在各模式檢測(cè)部(第1模式檢測(cè)部221_1、第2模式檢測(cè)部221_2、…、第n模式檢測(cè)部221_N)從寫數(shù)據(jù)序列判斷為包含預(yù)定模式的位串的情況下(S603：“是”)，判斷通知用與電路和模式通知用選擇器是否應(yīng)該將檢測(cè)出的模式通知給CPU 121(S604)。在判斷為不應(yīng)該通知的情況下(S604：“否”)，過渡到S606。另一方面，在判斷為應(yīng)該通知的情況下(S604：“是”)，通知用與電路和模式通知用選擇器將模式檢測(cè)信號(hào)通知給CPU 121(S605)。

CPU 121根據(jù)被通知的模式檢測(cè)信號(hào)，判斷是否為應(yīng)該使寫入停止的模式(S606)。在判斷為應(yīng)該使寫入停止的模式的情況下(S606：“是”)，停止該寫數(shù)據(jù)序列的寫入處理。然后，用戶數(shù)據(jù)序列加工部212按照來自CPU 121的指示，從DRAM 211讀出用戶數(shù)據(jù)序列(S607)，對(duì)該用戶數(shù)據(jù)進(jìn)行加工處理(S608)。之后，從S602恢復(fù)再次開始處理。

CPU 121在根據(jù)被通知的模式檢測(cè)信號(hào)判斷為并非應(yīng)該使寫入停止的模式的情況下(S606：“否”)，根據(jù)需要，進(jìn)行以下等處理：將該通知的模式檢測(cè)信號(hào)作為日志而存儲(chǔ)到日志存儲(chǔ)部127。

檢測(cè)用與電路(第1通知用與電路222_1、第2通知用與電路222_2、…、第N通知用與電路222_N)根據(jù)來自CPU 121的每個(gè)模式的加工處理的有無和模式檢測(cè)信號(hào)，輸出模式加工使能信號(hào)。

寫入序列加工部233根據(jù)模式加工使能信號(hào)，判斷從ECC編碼部227接收到的用戶數(shù)據(jù)序列是否包含應(yīng)該進(jìn)行位反轉(zhuǎn)的模式(S609)。在本實(shí)施方式中，在第1模式加工使能信號(hào)、第2模式加工使能信號(hào)、…以及第N模式加工使能信號(hào)中的任意的一個(gè)以上為‘1’的情況下，判斷為應(yīng)該進(jìn)行位反轉(zhuǎn)。

在寫入序列加工部233判斷為沒有包含應(yīng)該進(jìn)行位反轉(zhuǎn)的模式的情況下(S609：“否”)，過渡到S611。另一方面，在寫入序列加工部233判斷為包含應(yīng)該進(jìn)行位反轉(zhuǎn)的模式的情況下(S609：“是”)，進(jìn)行位反轉(zhuǎn)(S610)。此外，設(shè)為反轉(zhuǎn)的位的位置根據(jù)檢測(cè)出的模式不同而不同。

寫入部251將從寫入序列加工部233輸出的寫數(shù)據(jù)序列寫入到磁盤12(S611)。然后，在寫入部251寫入了寫數(shù)據(jù)序列的情況下，輸出寫入完成通知。

然后，模式通知用選擇器判斷是否應(yīng)該將寫入完成通知通知給CPU(612)。在判斷為不要通知的情況下(S612：“否”)，結(jié)束處理。另一方面，在判斷為應(yīng)該通知的情況下(S612：“是”)，模式通知用選擇器將寫入完成通知通知給CPU 121(S613)。

在本實(shí)施方式中，通過進(jìn)行上述處理，能夠?qū)⑿Ｕ恕?’或‘1’的連續(xù)模式和/或‘010101’等反復(fù)模式而得到的寫數(shù)據(jù)序列寫入到磁盤12。

接著，說明本實(shí)施方式的磁盤裝置1中的讀出處理。圖7是表示本實(shí)施方式的磁盤裝置1中的上述處理的過程的流程圖。

讀出部501將來自磁盤12的介質(zhì)數(shù)據(jù)序列作為讀數(shù)據(jù)序列而進(jìn)行輸出(S701)。CPU 121判斷是否對(duì)讀數(shù)據(jù)序列實(shí)施模式檢測(cè)(S702)。CPU 121根據(jù)判斷結(jié)果設(shè)定選擇器514。

并且，在CPU 121判斷為不實(shí)施模式檢測(cè)的情況下(S702：“否”)，ECC解碼部521對(duì)經(jīng)由數(shù)據(jù)選擇器514輸入的讀數(shù)據(jù)序列進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)校正(S705)。

另一方面，在CPU 121判斷為實(shí)施模式檢測(cè)的情況下(S702：“是”)，各模式檢測(cè)部檢測(cè)讀數(shù)據(jù)序列是否包含預(yù)先確定的模式的位串(S703)。

各模式檢測(cè)部將是否包含模式的位串作為模式檢測(cè)信號(hào)而進(jìn)行輸出。檢測(cè)用與電路取模式檢測(cè)信號(hào)和來自CPU 121的模式加工使能信號(hào)的與。然后，檢測(cè)用與電路將取與的結(jié)果通知給讀出序列加工部513。

讀出序列加工部513按照來自檢測(cè)用與電路的通知，對(duì)讀數(shù)據(jù)序列進(jìn)行加工處理(S704)。在數(shù)據(jù)選擇器514選擇讀出序列加工部513的讀數(shù) 據(jù)序列的情況下，ECC解碼部521對(duì)從讀出序列加工部513輸出的讀數(shù)據(jù)序列進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)校正(S705)。

然后，ECC解碼部521判斷是否完成糾錯(cuò)(S706)。在判斷為完成糾錯(cuò)的情況下(S706：“是”)，作為用戶數(shù)據(jù)序列輸出到主計(jì)算機(jī)(S707)。

另一方面，在ECC解碼部521判斷為沒有完成糾錯(cuò)的情況下(S706：“否”)，將該狀況通知給CPU 121。然后，CPU 121判斷是否重新進(jìn)行讀數(shù)據(jù)序列的加工處理(S708)。在判斷為不重新進(jìn)行的情況下(S708：“否”)，對(duì)主計(jì)算機(jī)輸出錯(cuò)誤通知(S709)，結(jié)束處理。

在CPU 121判斷為重新進(jìn)行讀數(shù)據(jù)序列的加工處理的情況下(S708：“是”)，檢測(cè)從信號(hào)處理部515輸出的讀數(shù)據(jù)序列是否包含預(yù)先確定的模式的位串(S703)。之后，還進(jìn)行S704以后的處理。

在上述實(shí)施方式中，為了限制行程長(zhǎng)度和/或磁化反轉(zhuǎn)次數(shù)，具備模式檢測(cè)部，該模式檢測(cè)部檢測(cè)ECC編碼后的寫數(shù)據(jù)序列是否包含預(yù)先確定的模式的位串。模式檢測(cè)部檢測(cè)作為預(yù)先確定的模式的位串而行程長(zhǎng)度和/或連續(xù)磁化反轉(zhuǎn)次數(shù)是否為預(yù)先確定的長(zhǎng)度以下。在大于預(yù)先確定的長(zhǎng)度的情況下，使該位串中的1位反轉(zhuǎn)。由此，能夠?qū)⑿谐涕L(zhǎng)度和/或連續(xù)磁化反轉(zhuǎn)次數(shù)限制為預(yù)定長(zhǎng)度以下。因而，能夠抑制讀出時(shí)的異常。

在上述實(shí)施方式中，如上所述，通過使位串中的位反轉(zhuǎn)，能夠抑制RLL編碼(Run-Length Limited coding)方式、MTR(Maximum Transition Run)編碼方式的利用，因此能夠抑制寫數(shù)據(jù)序列的冗余性(冗長(zhǎng)性)。由此，能夠抑制格式化效率下降。

在本實(shí)施方式中，能夠根據(jù)模式使所執(zhí)行的加工處理不同。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)與模式的重要度相應(yīng)的加工處理和/或日志記錄等。

說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式僅作為示例而提出，并不意圖限定發(fā)明的范圍。能夠以其它各種方式實(shí)施這些新實(shí)施方式，在不脫離發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式、其變形包含在發(fā)明的范圍、宗旨中，同時(shí)包含在與權(quán)利要求書所記載的發(fā)明等同的范圍中。

本申請(qǐng)享有以美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)62/202386號(hào)(申請(qǐng)日：2015年8月7日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)，包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的所有內(nèi)容。