本申請要求于2015年6月26日提交的美國臨時專利申請第62/185506號的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，故通過引用的方式將其全部內(nèi)容并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及用戶輸入和與電子設(shè)備的交互。更具體地，本公開內(nèi)容涉及對用戶輸入的處理以及通過壓電懸臂向用戶提供觸覺反饋。

背景技術(shù)：

電子設(shè)備，尤其是消費性電子產(chǎn)品，必須通過用于從用戶接收輸入的裝置和用于向用戶提供輸出的裝置來與該設(shè)備的用戶交互。輸入的常規(guī)形式包括鍵盤和鼠標設(shè)備，還包括新型觸摸屏設(shè)備。輸出的常規(guī)形式包括數(shù)字式顯示器和切換式燈，而且還包括新型液晶顯示器(LCD)技術(shù)。

許多電子設(shè)備提供的輸出的另一種形式是觸覺反饋。例如，許多智能手機包括轉(zhuǎn)動質(zhì)量電動機，該轉(zhuǎn)動質(zhì)量電動機在用戶觸摸屏幕時或者為了指示新的電子郵件或來電的通知時會震動。然而，這種觸覺反饋是極其受限的，并且不局限于智能手機的任何特定部分。另外，電動機是較大的物體，其制約智能手機的設(shè)計并且限制設(shè)計者降低智能手機的厚度和其他尺寸的能力。此外，與由電動機所提供的能力相比，尤其是與智能手機內(nèi)的基于薄膜半導(dǎo)體的元件相比，電動機消耗顯著的功率。

這些相同的電子設(shè)備中的許多依賴觸覺傳感以從用戶接收輸入。在圖1中示出了一種常規(guī)的觸覺傳感技術(shù)。圖1是具有電容式觸摸屏的常規(guī)智能手機。智能手機100可以包括用于提供上述觸覺反饋的轉(zhuǎn)動質(zhì)量電動機110。智能手機100還可以包括觸摸屏120。觸摸屏120的一部分被放大以顯示包括透明材料122的屏幕120的剖面。透明材料122可以位于傳感器124A至E上。傳感器124A至E可以根據(jù)傳感器124A至E中的每個傳感器的電容變化來檢測用戶輸入，例如施加到透明材料122的力。例如，用戶按壓傳感器124C附近的屏幕120會導(dǎo)致屏幕120中的電容126B、126C和126D變化，而該變化可被傳感器124B、124C和124D分別檢測到。智能手機100內(nèi)的處理器可以檢測到電容126B、126C和126D的變化，并且將該變化與傳感器124B、124C和124D的已知的x和y位置相關(guān)聯(lián)，以確定用戶輸入的位置。電動機110和觸摸屏120的配置將用戶輸入與觸覺反饋分離。此外，觸覺反饋之所以不與觸摸屏120相關(guān)聯(lián)是因為無法將觸覺反饋傳遞到觸摸屏120的特定位置。

其它常規(guī)觸覺傳感技術(shù)例如包括基于隨接觸位置和/或所施加力變化的電阻變化對輸入進行處理的電阻式或壓阻式傳感器。這些電阻式傳感器消耗顯著量的功率。另外，它們僅能夠測量一個接觸點，并且無法檢測所施加的力的量。另一常規(guī)觸覺傳感技術(shù)是通過量子隧道效應(yīng)將應(yīng)力轉(zhuǎn)化為調(diào)制電流密度的隧道效應(yīng)傳感器。然而，它們需要電荷耦合器件(CCD)攝像機，CCD攝像機體積大并且難以集成到電子設(shè)備中。另一種常規(guī)觸覺傳感技術(shù)是電容傳感器，其基于接觸點中的電容變化來檢測輸入。該技術(shù)提供靜態(tài)檢測，但是缺乏對所施加的力或壓力的量進行量化的能力。其它的常規(guī)觸覺傳感技術(shù)包括基于超聲波的傳感器、光學(xué)傳感器和基于磁的傳感器。然而，這些傳感器都由于重量和尺寸問題而難以集成到電子設(shè)備中。

以上僅對常規(guī)電子設(shè)備以及那些設(shè)備的輸入和輸出的一些缺點作了說明。然而這些缺點說明需要對用戶輸入和用戶反饋進行進一步改進，以改善電子設(shè)備、例如消費者的智能手機與用戶交互的能力。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

可以生成用戶反饋，并通過集成到電子設(shè)備中的單個半導(dǎo)體元件接收用戶輸入。單個半導(dǎo)體元件可以包括與晶體管(例如薄膜晶體管)集成的壓電懸臂致動器，使得致動器與晶體管電絕緣但機械地附接到晶體管。一種集成方式是將致動器的壓電薄膜延伸到晶體管的柵電極疊層中。壓電薄膜通常可以是絕緣材料，使得金屬膜可以放置在壓電材料的遠離晶體管的柵電極疊層的那部分周圍。這些金屬膜包括兩個電極以在沒有向?qū)w管有影響的兩個電極施加信號的情況下控制致動器的偏轉(zhuǎn)。獨立于致動器的受控偏轉(zhuǎn)并在一些實施例中與其同時地，延伸到晶體管的柵電極疊層中的壓電膜可以基于對致動器施加的力而改變晶體管的電氣特性。壓電膜延伸到晶體管中可以基于施加到致動器的力而在晶體管的柵電極疊層的界面處感應(yīng)出電荷。感應(yīng)電荷可以導(dǎo)致晶體管的閾值電壓的改變，這可以通過耦接到晶體管的適當電路來檢測。

集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件可以是這樣的元件的陣列的一部分。例如，陣列可以橫跨跨越手套的多個手指的集成元件，或陣列可以橫跨跨過智能手機中的顯示設(shè)備的集成元件。這樣的集成元件陣列可以由處理器進行協(xié)調(diào)以提供觸覺反饋，例如模擬物理按鈕。這種局部觸覺反饋可以通過靜態(tài)偏轉(zhuǎn)的方式(例如在顯示屏中彈出的按鈕)，或者通過使用懸臂致動器振動來傳遞。這樣的集成元件陣列也可以用于接收用戶輸入，例如與由懸臂致動器所產(chǎn)生的升起的按鈕交互的用戶輸入。懸臂致動器能夠提供多信號檢測，例如力、壓力、振動和/或溫度的檢測。

根據(jù)一個實施例，一種裝置可以包括晶體管，所述晶體管包括至少源電極、漏電極和柵電極。該設(shè)備還可以包括含有壓電材料的懸臂致動器，其中，所述懸臂致動器通過所述晶體管的所述柵電極電絕緣地但機械地連接到所述晶體管并且與所述晶體管集成，其中，所述懸臂致動器包括與所述源電極、所述漏電極和所述柵電極分離的至少兩個電極，其中，所述至少兩個電極包括第一電極和第二電極，并且其中，所述至少兩個電極允許與通過所述源電極、所述漏電極和所述柵電極訪問所述晶體管獨立地同時致動所述懸臂致動器。

根據(jù)另一個實施例，公開了一種能夠向用戶提供觸覺反饋的電子設(shè)備。該電子設(shè)備可以包括觸覺反饋設(shè)備的陣列，其中該觸覺反饋設(shè)備的陣列的至少一個觸覺反饋設(shè)備包括：晶體管，所述晶體管包括至少源電極、漏電極和柵電極的；以及含有壓電材料的懸臂致動器。所述懸臂致動器可以通過所述晶體管的所述柵電極電絕緣地但機械地連接到所述晶體管并且與所述晶體管集成。所述懸臂致動器可以包括與所述源電極、所述漏電極和所述柵電極分離的至少兩個電極。此外，所述至少兩個電極可以允許與通過所述源電極、所述漏電極和所述柵電極訪問所述晶體管獨立地同時致動所述懸臂致動器。所述電子設(shè)備可以包括：移動設(shè)備、蜂窩電話、筆記本電腦、平板電腦、媒體播放器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、電子書閱讀器、貼片、和/或手套。

根據(jù)進一步的實施例，一種方法可以包括：通過晶體管來檢測指示對電子設(shè)備的用戶輸入的壓電膜的感應(yīng)電荷的變化，其中，所述壓電膜與所述晶體管電絕緣，但機械地連接到所述晶體管；通過耦接到所述晶體管的處理器，至少部分地基于所述感應(yīng)電荷的變化來確定是否有對傳感器的壓力，其中，所述感應(yīng)電荷的變化是至少部分地基于耦接到所述壓電膜的晶體管的閾值電壓來確定的；通過所述處理器，至少部分地基于所確定的所述傳感器處的壓力來處理所述用戶輸入；和/或通過所述處理器，至少部分地基于所接收的用戶輸入來執(zhí)行操作。

根據(jù)另外的實施例，一種制造用于電子設(shè)備的單個半導(dǎo)體元件的方法可以包括：在基底上放置頂部柵結(jié)構(gòu)；在頂部柵結(jié)構(gòu)上放置有源半導(dǎo)體層以形成疊層；在該疊層上放置源電極和漏電極；在該疊層上放置壓電層；在該疊層上的壓電層上放置頂部柵電極；和/或圖案化該疊層以形成各個柵格，每個柵格包括晶體管和懸臂致動器。

根據(jù)一個實施例，一種操作具有集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的電子設(shè)備的方法可以包括：接收來自處理器的指示提供給用戶的觸覺反饋的類型的控制信號；根據(jù)所指示的觸覺反饋的類型生成反饋信號；和/或?qū)⒎答佇盘柺┘拥降谝浑姌O和第二電極，以在懸臂致動器中引發(fā)所指示的類型的觸覺反饋。觸覺反饋的類型可以包括在顯示設(shè)備上模擬按鈕和/或創(chuàng)建振動。

根據(jù)進一步的實施例，一種裝置可以包括：第一半導(dǎo)體溝道區(qū)；第二半導(dǎo)體溝道區(qū)；在第一半導(dǎo)體溝道區(qū)和第二半導(dǎo)體溝道區(qū)上的介電層；在第一半導(dǎo)體溝道區(qū)和第二半導(dǎo)體溝道區(qū)上的壓電層；和/或在第一半導(dǎo)體溝道區(qū)和第二半導(dǎo)體溝道區(qū)上的柵電極。第一半導(dǎo)體溝道區(qū)包括p型半導(dǎo)體，并且第二半導(dǎo)體溝道區(qū)包括n型半導(dǎo)體。該裝置還可以包括：耦接到第一半導(dǎo)體溝道區(qū)的第一源電極；耦接到第二半導(dǎo)體溝道區(qū)的第二源電極；和/或耦接到第一半導(dǎo)體溝道區(qū)并耦接到第二半導(dǎo)體溝道區(qū)的漏電極。該裝置還可以包括：耦接到第一源電極和漏電極的第一傳感器電路，其中，該第一傳感器電路配置為測量壓電層內(nèi)的壓電效應(yīng)；和/或耦接到第二源電極和漏電極的第二傳感器電路，其中，該第二傳感器電路配置為測量壓電層內(nèi)的熱電效應(yīng)。

在本發(fā)明的上下文中描述了二十四(24)個實施例。實施例1包括一種裝置。該裝置包括具有至少源電極、漏電極和柵電極的晶體管；和含有壓電材料的懸臂致動器，其中，所述懸臂致動器通過所述晶體管的所述柵電極電絕緣地但機械地連接到所述晶體管并且與所述晶體管集成，其中所述懸臂致動器包括與所述源電極、所述漏電極和所述柵電極分離的至少兩個電極，其中，所述至少兩個電極包括第一電極和第二電極，并且其中，所述至少兩個電極允許與通過所述源電極、所述漏電極和所述柵電極訪問所述晶體管獨立地同時致動所述懸臂致動器。實施例2是實施例1中的所述裝置，該裝置還包括：耦接到所述晶體管的至少所述源電極、漏電極和柵電極的感測電路，其中，該感測電路配置為通過感測晶體管的閾值電壓的變化來檢測施加到懸臂致動器的壓力。實施例3是實施例2中所述裝置，其中，所述壓電材料包括熱電材料，并且其中，所述感測電路配置為檢測懸臂致動器周圍的環(huán)境溫度。實施例4是實施例1至3中的任一實施例的所述裝置，該裝置還包括：耦接到所述懸臂致動器的所述至少兩個電極的觸覺反饋電路。實施例5是實施例4中的所述裝置，其中，所述觸覺反饋電路配置為生成直流(DC)信號以偏轉(zhuǎn)懸臂致動器。實施例6是實施例5中的所述裝置，其中，所述觸覺反饋電路配置為模擬從表面升起的按鈕。實施例7是實施例4中所述裝置，其中，所述觸覺反饋電路配置為生成交流(AC)信號以偏轉(zhuǎn)懸臂致動器。實施例8是實施例7中的所述裝置，其中，所述觸覺反饋電路配置為生成抖動效應(yīng)。實施例9是實施例1至8中的任一實施例中的所述裝置，其中，所述懸臂致動器包括PVDF。實施例10是實施例1至9中的任一實施例中的所述裝置，其中，所述懸臂致動器包括附接在所述壓電材料的遠離所述晶體管的遠端處的負載。實施例11是實施例1至10中的任一實施例中的所述裝置，其中，所述晶體管包括交錯式底柵薄膜晶體管(TFT)、共面底柵TFT、交錯式頂柵TFT和共面頂柵TFT中的至少一個。實施例12是實施例1至11中的任一實施例中的所述裝置，其中，所述晶體管和懸臂都集成在顯示設(shè)備中，其中，所述顯示設(shè)備是電子設(shè)備的一部分，所述電子設(shè)備包括以下各項中的至少一種：移動設(shè)備、蜂窩式電話、筆記本電腦、平板電腦、媒體播放器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備和電子書閱讀器。

實施例13包括一種能夠向用戶提供觸覺反饋的電子設(shè)備。該電子設(shè)備能夠包括觸覺反饋設(shè)備的陣列，其中，該觸覺反饋設(shè)備的陣列的至少一個觸覺反饋設(shè)備包括：具有至少源電極、漏電極和柵電極的晶體管；以及含有壓電材料的懸臂致動器，其中所述懸臂致動器通過所述晶體管的所述柵電極電絕緣地但機械地連接到所述晶體管并且與所述晶體管集成，其中所述懸臂致動器包括與所述源電極、所述漏電極和所述柵電極分離的至少兩個電極，其中，所述至少兩個電極包括第一電極和第二電極，并且其中所述至少兩個電極允許與通過所述源電極、所述漏電極和所述柵電極訪問所述晶體管獨立地同時致動所述懸臂致動器。實施例14是實施例13的能夠觸覺反饋的設(shè)備，其還包括與觸覺反饋設(shè)備的陣列耦接的處理器，其中所述處理器配置為接收來自觸覺反饋設(shè)備的陣列的信號，并且配置為根據(jù)所接收的信號確定用戶輸入。實施例15是實施例13至14中任一實施例中的所述能夠觸覺反饋的設(shè)備，其還包括耦接到觸覺反饋設(shè)備的陣列的處理器，其中所述處理器配置為生成信號，當該信號被提供給所述觸覺反饋設(shè)備的陣列時導(dǎo)致所述用戶接收所確定的觸覺反饋感覺。實施例16是實施例13至15中任一實施例中的所述能夠觸覺反饋的設(shè)備，其還包括顯示設(shè)備，其中觸覺反饋設(shè)備的陣列位于顯示設(shè)備之上。

實施例17包括一種方法，該方法可以包括：通過晶體管來檢測指示對電子設(shè)備的用戶輸入的壓電膜的感應(yīng)電荷的變化，其中，所述壓電膜與所述晶體管電絕緣，但機械地連接到所述晶體管；通過耦接到所述晶體管的處理器，至少部分地基于所述感應(yīng)電荷的變化來確定是否有對傳感器的壓力，其中，所述感應(yīng)電荷的變化是至少部分地基于耦接到所述壓電膜的晶體管的閾值電壓來確定的；通過所述處理器，至少部分地基于所確定的所述傳感器處的壓力來處理所述用戶輸入；和通過所述處理器，至少部分地基于所接收的用戶輸入來執(zhí)行操作。實施例18是實施例17的所述方法，其還包括：向所述傳感器的所述壓電膜輸出信號，其中，該信號引起所述傳感器的致動器運動，其中，該信號包括被選擇以使所述致動器運動確定的距離的直流(DC)信號。實施例19是實施例17的所述方法，其還包括：向所述傳感器的所述壓電膜輸出信號，其中，該信號包括被選擇以在所述致動器中引起振動的交流(AC)信號。實施例20是實施例17至19中的任一實施例中的所述方法，其中檢測感應(yīng)電荷的變化的步驟和向傳感器的壓電膜輸出信號的步驟是同時執(zhí)行的。

實施例21是實施例1至12中的任一實施例中的所述裝置，其中晶體管還包括：第一半導(dǎo)體溝道區(qū)；第二半導(dǎo)體溝道區(qū)；在第一半導(dǎo)體溝道區(qū)和第二半導(dǎo)體溝道區(qū)上的介電層；在第一半導(dǎo)體溝道區(qū)和第二半導(dǎo)體溝道區(qū)之上的壓電層；其中柵電極在第一半導(dǎo)體溝道區(qū)之上和第二半導(dǎo)體溝道區(qū)之上延伸。實施例22是實施例21的所述裝置，其中第一半導(dǎo)體溝道區(qū)包括p-型半導(dǎo)體，并且其中第二半導(dǎo)體溝道區(qū)包括n型半導(dǎo)體。實施例23是實施例21至22的任一實施例中的所述裝置，其還包括：耦接到第一半導(dǎo)體溝道區(qū)的第一源電極；耦接到第二半導(dǎo)體溝道區(qū)的第二源電極；和耦接到第一半導(dǎo)體溝道區(qū)并耦接到第二半導(dǎo)體溝道區(qū)的漏電極。實施例24是實施例23中的所述裝置，其進一步包括耦接到第一源電極和漏電極的第一傳感器電路，其中第一傳感器電路配置為測量壓電層內(nèi)的壓電效應(yīng)；和耦接到第二源電極和漏電極的第二傳感器電路，其中第二傳感器電路配置為測量壓電層內(nèi)的熱電效應(yīng)。

前述內(nèi)容已相當廣泛地概括了本發(fā)明的實施例的某些特征和技術(shù)優(yōu)勢，以便可以更好地理解下面的具體實施方式。下文中會說明另外的特征和優(yōu)點以形成本發(fā)明的權(quán)利要求的主題。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當可以領(lǐng)會，所公開的概念和特定實施例可以易于用作用于實施相同或相似的目的而修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還應(yīng)當意識到此類等效構(gòu)造不脫離如所附權(quán)利要求中所述的本發(fā)明的精神和范圍。會在結(jié)合附圖考慮時更好地根據(jù)以下說明加以理解另外的特征。然而，應(yīng)當清楚地理解，附圖中的每個僅以說明和描述的目的而提供，并非旨在限制本發(fā)明。

附圖說明

為了更加全面地理解所公開的系統(tǒng)和方法，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考如下說明。

圖1為具有電容式觸摸屏的常規(guī)智能手機。

圖2為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，集成了晶體管與懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的示圖。

圖3為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，圖2的單個半導(dǎo)體元件的操作的框圖。

圖4A-C為根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，集成有一個或更多個單個半導(dǎo)體元件的電子設(shè)備的示圖，其中，該單個半導(dǎo)體元件集成有晶體管和懸臂致動器。

圖5為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，通過集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件來接收用戶輸入的方法的流程圖。

圖6為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，與懸臂致動器集成的晶體管的電氣特性的示圖。

圖7為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，基于施加到懸臂致動器的力，與懸臂致動器集成的晶體管的閾值電壓的變化的示圖。

圖8為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，基于與懸臂致動器集成的晶體管的閾值電壓的變化而確定的施加到懸臂致動器的力的示圖。

圖9為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，通過集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件向用戶提供觸覺反饋的方法的流程圖。

圖10A-D為根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，用于集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的晶體管的各種配置的示圖。

圖11為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)型配置的示圖。

具體實施方式

圖2為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的示圖。單個半導(dǎo)體元件200包括懸臂致動器230和晶體管210，例如薄膜晶體管(TFT)。懸臂致動器230可以包括從懸臂致動器230延伸到晶體管210中的壓電膜240。具體地，壓電膜240可以在柵電極214和半導(dǎo)體溝道218之間延伸到晶體管210的柵電極疊層中。由于壓電膜240通常是不良導(dǎo)體，所以懸臂致動器230與晶體管210電絕緣，但機械地附接到晶體管210。

懸臂致動器230還可以包括第一導(dǎo)電層236、第二導(dǎo)電層238、耦接到第一導(dǎo)電層236的第一電極、以及耦接到第二導(dǎo)電層238的第二電極。雖然第一和第二電極稱為結(jié)構(gòu)元件，但是該電極本身可以是第一導(dǎo)電層236和第二導(dǎo)電層238。替代地，針對接觸點的附加結(jié)構(gòu)可以附接到第一導(dǎo)電層236和第二導(dǎo)電層238，例如焊盤。第一導(dǎo)電層236可以放置在壓電膜240的一側(cè)，并且第二導(dǎo)電層238可以放置在壓電膜240的大致相對側(cè)。第一和第二導(dǎo)電膜236和238分別耦接到第一電極和第二電極。第一和第二導(dǎo)電膜236和238可以與晶體管210電絕緣，使得可以將信號施加到第一電極和第二電極以引起壓電層240通過例如偏轉(zhuǎn)或振動來進行響應(yīng)。在一個實施例中，致動器230可以包括用于將致動器230與基底202錨固的錨固件232和234。

懸臂致動器230可以具有負載242(或突起)以調(diào)整懸臂致動器230的振動參數(shù)，例如振幅和頻率。負載242也可以例如在集成于顯示設(shè)備中時用作從屏幕彈出的物理按鈕。當將直流(DC)電壓施加到第一和第二電極時，壓電膜240與該DC電壓的幅值成比例地偏轉(zhuǎn)。因此，可以將DC信號施加到對從顯示設(shè)備的表面凸起的按鈕進行模擬的第一和第二電極，這向用戶提供直接到皮膚的反饋。當將交流(AC)電壓施加到第一和第二電極時，壓電膜240以與該AC信號相對應(yīng)的特定幅度、相位和頻率進行振動。因此，可以施加AC信號來在局部區(qū)域中，例如顯示設(shè)備的一部分，產(chǎn)生“搖動”效果。通過改變AC信號以改變振動參數(shù)，可以生成不同的感覺。

單個半導(dǎo)體元件200可以構(gòu)造在基底202上，例如玻璃、聚碳酸酯、PMMA、PET、PEN、聚酰亞胺或任何其它透明聚合物或透明無機基底。電極212、214、216、236和238可以由導(dǎo)電透明聚合物(例如PEDOT：PSS)、透明導(dǎo)電氧化物(例如ITO、AZO、F：SnO2和鋅基氧化物)、石墨烯和石墨烯類材料、金屬基納米線和/或納米顆粒(例如銀納米線、銅納米線、碳納米管以及其他碳基結(jié)構(gòu))、金屬網(wǎng)、或納米網(wǎng)來構(gòu)造。電極212、214、216、236和238中的每一個可以由不同的材料來構(gòu)造，或者電極212、214、216、236和238中的一些可以由相同的材料來構(gòu)造。半導(dǎo)體218可以由p型材料(例如SnO、Cu₂O、CuO、Ga:SnO₂)、有機半導(dǎo)體(例如并五苯)和/或其它小分子材料來構(gòu)造，或者可以由n型材料來構(gòu)造，例如ZnO、IGZO、SnO₂、a-Si:H、鋅基材料、In₂O₃和/或CdO。介電層220可以由氧化物基電介質(zhì)(例如SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、HfO₂)、線性聚合物電介質(zhì)(例如PMMA和SU-8)、或其它絕緣材料來構(gòu)造。壓電層240可以由PVDF及其共聚物(例如PVDF-TrFE和PVDF-TrFE-CFE)、聚對二甲苯、PDMS、聚丙烯、有孔隙的電荷聚合物、透明納米復(fù)合材料(例如SU-8矩陣中的ZnO)、或其他壓電材料來構(gòu)造。在一些實施例中，壓電層240也可以表現(xiàn)出允許使用單個半導(dǎo)體元件200來檢測元件200附近的溫度變化的熱電效應(yīng)。

晶體管210可以包括雙層?xùn)艠O電介質(zhì)，其包含介電材料220和從懸臂致動器230延伸出的壓電膜240。當懸臂致動器230處于沒有施加應(yīng)變的穩(wěn)定狀態(tài)時，晶體管210具有第一閾值電壓(V_T)并顯示均衡特性。具體地，晶體管210在均衡特性期間展示出無遲滯，使得描述晶體管210的特性的傳遞曲線在執(zhí)行多次掃描時回溯本身。下面的等式描述當在柵電極214處施加電壓時從源電極212通過p型半導(dǎo)體溝道218流向漏電極216的電流：

其中，I_DS是源漏電流，μ_FE是場效應(yīng)遷移率，C_OX是柵極電介質(zhì)電容，W/L是半導(dǎo)體溝道218的寬度長度比，V_GS是柵極電壓，V_T是閾值電壓并且V_DS是源漏電壓。雖然描述的是p型半導(dǎo)體溝道218，但是半導(dǎo)體溝道218還可以是n型，并且推導(dǎo)出類似的等式來描述對這樣的NMOS晶體管210的操作。使用該等式，可以確定晶體管210的閾值電壓V_T，并且可以將其與先前的確定和/或查找表進行比較以確定閾值電壓V_T的變化，并且確定是否有壓力或力已施加到懸臂致動器230。圖2的單個半導(dǎo)體元件200可以耦接到電路以執(zhí)行對閾值電壓V_T的確定和/或執(zhí)行與單個半導(dǎo)體元件200的其他操作，例如導(dǎo)致懸臂致動器230偏轉(zhuǎn)或振動。

圖3是示出根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，圖2的單個半導(dǎo)體元件的操作的框圖。電子設(shè)備300可以包括單個半導(dǎo)體元件200，該單個半導(dǎo)體元件200可以是圖2中所示的集成TFT晶體管210和懸臂致動器230。單個半導(dǎo)體元件200可以具有用于與其他電路進行通信的若干電極，包括漏電極212、柵電極214、源電極216、第一懸臂電極和第二懸臂電極。交流(AC)電壓源312可以耦接在第一和第二懸臂電極之間。AC電壓源312可以通過開關(guān)314與電極斷開。AC電壓源312可以將信號提供給懸臂致動器230以向用戶創(chuàng)建例如振動反饋。另外地或替代地，直流(DC)電壓源316可以耦接在第一和第二懸臂電極之間。DC電壓源316可以通過開關(guān)318與電極斷開。DC電壓源316可以將信號提供給懸臂致動器230以向用戶創(chuàng)建例如在顯示設(shè)備上創(chuàng)建物理按鈕的靜態(tài)偏轉(zhuǎn)。

觸覺反饋可以由單個半導(dǎo)體元件200通過控制器310來提供。控制器310可以耦接到電壓源312和316以產(chǎn)生使源312和316對懸臂致動器230施加信號從而導(dǎo)致所期望的效果的控制信號。所期望的效果可以通過耦接到控制器310的處理器330來確定。處理器330可以執(zhí)行存儲在存儲器340中的操作系統(tǒng)342和/或應(yīng)用程序340，并且該操作系統(tǒng)342和應(yīng)用程序340可以包括通過提供觸覺反饋來與用戶交互的代碼。例如，應(yīng)用程序340可以通過針對操作系統(tǒng)342的應(yīng)用程序編程接口(API)來指令處理器330在顯示設(shè)備(未示出)上創(chuàng)建按鈕。該顯示設(shè)備可以包括單個半導(dǎo)體元件(諸如集成的晶體管和懸臂200)的陣列。然后，處理器330可以指令控制器310在元件陣列內(nèi)的特定位置處創(chuàng)建靜態(tài)偏轉(zhuǎn)。然后，控制器310可以確定元件200處于所期望按鈕的范圍內(nèi)，并且命令DC電壓源316使元件200的懸臂致動器偏轉(zhuǎn)。雖然描述的是單獨的控制器310和處理器330，但是分配給控制器310或處理器330的功能可以替代地分配給其他電路。例如，由控制器310執(zhí)行的功能可以集成到處理器330中。控制器310也可以根據(jù)期望的提供給用戶的觸覺反饋來控制開關(guān)314和318與源312和316耦接或斷開。

單個半導(dǎo)體元件200也可以用于通過傳感器電路320來感測壓力、力和/或其它量。傳感器320可以耦接到漏電極212、柵電極214和源電極216中的一個或更多個。傳感器320可以執(zhí)行例如對元件200的晶體管210的閾值電壓V_T進行測量之類的操作。在對閾值電壓V_T的測量或其它測量期間，傳感器320可以將各種不同的電壓V_G施加到柵電極214，并且測量通過漏電極212和源電極216的電流I_DS。傳感器320可以將測量值報告給處理器330，借此處理器330可以執(zhí)行進一步的計算以確定例如施加的力、施加的壓力的量或者其他量。由處理器330執(zhí)行的進一步的計算可以例如包括：確定對電子設(shè)備的用戶輸入，例如用戶在觸摸屏上所觸摸的位置，或確定由用戶輸入到觸摸屏的手勢。處理器330可以將該用戶輸入報告給操作系統(tǒng)342和/或應(yīng)用程序340。然后，操作系統(tǒng)342和/或應(yīng)用程序340可以采取適當?shù)膭幼鱽眄憫?yīng)該用戶輸入。雖然描述的是單獨的傳感器320和處理器330，但是分配到傳感器320或處理器330的功能可以替代地分配到其他電路。例如，由傳感器320執(zhí)行的功能可以集成到處理器330中。

諸如圖2中所示的一個或更多個單個半導(dǎo)體元件連同諸如圖3中所示的支持電路可以合并到電子設(shè)備中以提供輸入/輸出功能。例如，可以通過圖2的單個半導(dǎo)體元件200的晶體管210來接收用戶輸入，并且可以通過懸臂致動器230來提供觸覺反饋。圖4A至4C為根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，集成有一個或更多個單個半導(dǎo)體元件的電子設(shè)備的示圖，其中，該半導(dǎo)體元件集成有晶體管和懸臂致動器。

圖4A示出了智能手機400，其包括合并有單個半導(dǎo)體元件404(例如圖2中所示的集成的傳感器和懸臂致動器)的陣列的顯示設(shè)備402。當構(gòu)造智能手機400時，可以將元件404放置在顯示器(例如液晶顯示器(LCD))的頂部。附加元件和/或保護層可以放置在元件404上。元件404可以用于在顯示設(shè)備402上傳遞局部的觸覺反饋和/或接收與用戶在顯示設(shè)備402上的觸摸位置相關(guān)的用戶輸入。

圖4B示出了手套410，其包括元件412中的一個或更多個，例如圖2中所示的集成的傳感器和懸臂致動器。元件412可以布置在手套410上的各個不同位置處，例如在手套410的指尖上。元件412可以耦接到處理器和集成到手套410中的其它電路。替代地，手套410可以通過有線或無線連接與處理來自元件412的信號以及生成針對元件412的控制信號的設(shè)備(例如計算機或智能手機)進行通信。手套410可以在用戶的手的特定手指上或特定部位向用戶提供觸覺反饋。當用戶在手套410中作出手部動作或擺動手指時，手套410還可以接收用戶輸入。

圖4C示出了貼片420，其包括一個或更多個元件422，例如圖2中所示的集成的傳感器和懸臂致動器。貼片420可以制造為旨在為了醫(yī)療應(yīng)用而應(yīng)用到人的皮膚上的小型基底。元件422可以耦接到處理器和集成到貼片420中的其它電路。替代地，貼片420可以通過有線或無線連接與處理來自元件422的信號并生成針對元件422的控制信號的設(shè)備(例如計算機或智能手機)進行通信。

可以通過例如圖2中所示的單個半導(dǎo)體元件200，通過如圖5的流程圖中所示的處理從該元件獲得的信息而來接收用戶輸入。圖5為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，通過集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件來接收用戶輸入的方法的流程圖。方法500在方框502開始于：檢測與壓電懸臂集成的晶體管的閾值電壓V_T的變化。閾值電壓V_T的變化可能歸因于由壓電懸臂上的力、壓力或其他效應(yīng)而引起的晶體管的柵電極處的感應(yīng)電荷。方框502處的步驟可以包括測量晶體管的閾值電壓V_T。然后，在方框504處，能夠根據(jù)閾值電壓V_T的變化來確定是否有壓力施加到懸臂致動器。

當在方框502和504處確定閾值電壓V_T存在變化并計算出所施加的壓力之后，可以在方框506處對用戶輸入進行處理。方框506處的步驟可以包括例如確定用戶在觸摸屏上施加壓力的位置。方框506處的步驟還可以包括在觸摸屏的一部分上跟蹤所施加的壓力以確定在觸摸屏上作出手勢，例如圈出顯示在觸摸屏上的文本的一部分或使顯示在觸摸屏上的文本的一部分高亮顯示。在方框508處，基于方框506的所處理的用戶輸入，在電子設(shè)備上執(zhí)行操作。例如，可以將在方框506處處理的用戶輸入圓圈提供給應(yīng)用程序，并且該應(yīng)用程序?qū)λΤ龅奈谋緢?zhí)行高亮顯示或其他文本格式。

然后，在方框510處，可以基于方框506的用戶輸入或在方框508處執(zhí)行的操作來將觸覺反饋提供給用戶?？梢酝ㄟ^與在方框502中檢測到其閾值電壓V_T變化的晶體管集成的那個壓電懸臂來提供觸覺反饋。在一個實施例中，該反饋可以通過在方框502處經(jīng)歷閾值電壓V_T變化的那個晶體管來提供給用戶。例如，顯示屏可以在高亮顯示的文本附近振動短暫的半秒或振動一秒來引起用戶注意最新的高亮顯示的文本。在另外的示例中，可以彈出對話框以確認用戶使用“OK”或“取消”按鈕來選擇文本。可以通過將DC電壓施加到在顯示屏上顯示“OK”或“取消”按鈕處的特定懸臂致動器，來使“OK”或“取消”按鈕升出顯示屏的表面。對話框的位置可以在用戶高亮顯示的文本的位置附近。

返回參照圖5的步驟502，晶體管的閾值電壓V_T是晶體管的可測量電氣特性。圖6為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，與懸臂致動器集成的晶體管的電氣特性的示圖。圖600示出了線602，其示出晶體管(例如圖2中所示的晶體管210)對變化的柵源電壓V_GS的響應(yīng)。通常，由于V_GS的幅值隨固定的漏源電壓V_DS增大，所以對數(shù)y軸上所示的通過晶體管的電流I_DS增大。在圖610中示出了晶體管的閾值電壓V_T的計算。圖610的線612以線性標度示出針對變化的柵源電壓V_GS的通過晶體管的電流I_DS?？梢愿鶕?jù)線612的線性區(qū)域的斜率繪制出以形式y(tǒng)＝mx+b的線614。線614與x軸的交點表示晶體管的閾值電壓V_T。對于在圖610的線612中測量的晶體管而言，閾值電壓V_T為約1伏。閾值電壓V_T可以定義為當導(dǎo)電溝道(或電介質(zhì)/半導(dǎo)體界面附近的堆積層)剛開始連接源電極和漏電極時，柵源電壓V_GS的值。由于柵極半導(dǎo)體功函數(shù)差、半導(dǎo)體背景載流子濃度、以及在電介質(zhì)、半導(dǎo)體和電介質(zhì)/半導(dǎo)體界面中的陷阱電荷的密度，使得閾值電壓V_T偏離理想值(大約0V)。

可以在與圖6中所示的那些示圖相類似的示圖中示出由于例如由施加到與晶體管集成的懸臂致動器的力所引起的柵極疊層中的感應(yīng)電荷而導(dǎo)致的晶體管的閾值電壓V_T的變化。當在懸臂部分中存在應(yīng)變的情況下，例如借助于力、壓力、偏轉(zhuǎn)或振動，通過壓電膜自身的壓電性質(zhì)而在該壓電膜中感應(yīng)出電荷，如下面的等式所述：

D₃＝d₃₃T₃₃+ε₃₃E₃₃

其中，D是電位移，T是機械應(yīng)力，E是電場，d₃₃是壓電常數(shù)，并且ε₃₃是介電常數(shù)。然后，作為所施加的機械應(yīng)力的函數(shù)的電壓可以以如下方式進行估算：

其中，s是厚度，ε是壓電材料的相對介電常數(shù)并且ε₀是真空中的介電常數(shù)。

這些等式表明，電位移或電荷能夠通過電場和所施加的力F或應(yīng)力T來控制。與所述應(yīng)變成比例的感應(yīng)電荷使晶體管的柵極介電電容(C_OX)變化，這改變了晶體管的傳輸特性。然后，柵極電容的變化被轉(zhuǎn)換為閾值電壓V_T的變化，能夠通過適當?shù)碾娐?例如參考圖3描述的電路)來檢測這種閾值電壓的變化。此外，由于壓電膜中感應(yīng)的電荷與應(yīng)變成正比，因此閾值電壓V_T的變化可以直接與應(yīng)變成正比。對于該給定的配置，閾值電壓V_T在正向或負向上的變化可以指示應(yīng)力的存在，例如來自用戶的觸摸，而變化的幅值感測施加在懸臂致動器上的力的量。利用在一區(qū)域(例如智能手機中的觸摸屏的區(qū)域)上的傳感器的陣列也能夠感測到壓力，這是因為壓力能夠作為存在于某個區(qū)域上的力來進行計算。可以調(diào)節(jié)內(nèi)置到電子設(shè)備中的每平方厘米的致動器的數(shù)量以獲得期望的分辨率。另外，能夠通過識別閾值電壓V_T的變化的幅度和頻率來檢測振動。

圖7為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，基于施加在懸臂致動器上的力，與懸臂致動器集成的晶體管的閾值電壓的變化的示圖。在圖700中，線704中示出在懸臂致動器處于施加應(yīng)力的情況下的晶體管的傳輸特性，而線602中示出在懸臂致動器沒有被施加應(yīng)力的情況下的晶體管。在圖710中，計算圖700中所示的兩個晶體管的閾值電壓V_T。來自線612的第一晶體管的閾值電壓V_T能夠被計算為在大約1伏處的截距722。能夠通過繪制線718并且找出在x軸上的大約1.75伏的截距來計算來自線714的第二晶體管的閾值電壓V_T。返回參照圖5，可以在方法500的步驟502處確定大約0.75伏特的閾值電壓的變化，并且通過步驟504、506和508來進一步處理，以便基于通過集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件接收的用戶輸入來控制電子設(shè)備。

如圖8所示，檢測到的單個半導(dǎo)體元件中的閾值電壓V_T的變化可以與施加到懸臂致動器的力成正比。圖8為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，基于與懸臂致動器集成的晶體管的閾值電壓的變化所確定的施加到懸臂致動器上的力的示圖。圖800示出了線802，其示出對于與懸臂致動器集成的晶體管而言，施加到懸臂致動器的力和測量出的閾值電壓V_T之間的關(guān)系。線802示出所施加力和閾值電壓V_T變化之間的近似線性的關(guān)系。返回參照圖5，在一個實施例中，通過編程到處理器(例如圖3的處理器330)中的已知的算法或等式，可以在方框504處來確定施加到懸臂的壓力。在另一個實施例中，查找表可以存儲在圖3的存儲器340中，使得處理器330能夠?qū)z測到的閾值電壓V_T的變化轉(zhuǎn)換成所施加力的值。在另外的實施例中，算法、方程或查找表可以包括校準調(diào)整。例如，當用戶第一次設(shè)置電子設(shè)備時，可以要求該用戶在懸臂致動器上以不同的力度進行按壓，并且處理器330可以隨著用戶提供校準輸入而執(zhí)行測量。這樣的校準過程可以允許電子設(shè)備適應(yīng)于將會由不同用戶施加的不同壓力。校準過程還可以允許電子設(shè)備適應(yīng)于集成的晶體管和懸臂致動器的輕微的制造差異。

以上描述了利用圖2中所示的單個半導(dǎo)體元件接收和處理用戶輸入，然而，單個半導(dǎo)體元件還可以用于向用戶提供反饋。圖9為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，通過集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件來向用戶提供觸覺反饋的方法的流程圖。方法900在方框902開始于：通過集成的晶體管和壓電懸臂來接收觸覺反饋的指示以提供給用戶。例如參照圖3，處理器330可以從應(yīng)用程序340接收指令以模擬智能手機的顯示設(shè)備上的按鈕。在方框904處，確定是應(yīng)當通過懸臂致動器的感應(yīng)振動還是靜態(tài)偏轉(zhuǎn)來提供反饋。

如果通過靜態(tài)偏轉(zhuǎn)來提供反饋，那么方法900前進到方框906，即，將直流(DC)信號施加到與晶體管集成的壓電懸臂?？梢岳缤ㄟ^耦接到圖2的懸臂致動器210的兩個電極來施加DC信號。如果通過感應(yīng)振動來提供反饋，那么方法900前進到方框908，即，將交流(AC)信號施加到與晶體管集成的壓電懸臂。AC信號同樣可以施加到圖2的懸臂致動器210的電極。在一個實施例中，反饋可以包括靜態(tài)偏轉(zhuǎn)和感應(yīng)振動兩者。在本實施例中，施加到壓電懸臂的AC信號可以具有DC偏置，使得DC偏置不為零，并且DC偏置具有造成靜態(tài)偏轉(zhuǎn)連同感應(yīng)振動的效應(yīng)。

當在方框906或方框908處提供反饋之后，方法900可以前進到方框910。在方框910處，可以通過與壓電懸臂集成的晶體管來接收用戶輸入。例如，當通過懸臂致動器將物理按鈕呈現(xiàn)在智能手機的顯示設(shè)備上時，可以通過耦接到懸臂致動器的晶體管來檢測在該按鈕上按壓的用戶輸入。在該示例中，可以與將觸覺反饋提供給用戶同時地接收該用戶輸入。因此，用戶輸入可以直接響應(yīng)于反饋而接收。

雖然圖2中示出了并且在上面描述了特定的晶體管結(jié)構(gòu)，但是圖2的單個半導(dǎo)體元件200的晶體管并不限于特定的晶體管配置。其它晶體管配置也可以與懸臂致動器集成。例如，圖10A至D為根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例，集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的晶體管的不同配置的示圖。圖10A示出可以合并入根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的圖2的單個半導(dǎo)體元件200中的底柵交錯式TFT結(jié)構(gòu)。圖10B示出可以并入根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的圖2的單個半導(dǎo)體元件200中的底柵共面TFT結(jié)構(gòu)。圖10C示出可以并入根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的圖2的單個半導(dǎo)體元件200中的頂柵交錯式TFT結(jié)構(gòu)。圖10D示出可以并入根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例的圖2的單個半導(dǎo)體元件200中的頂柵共面TFT結(jié)構(gòu)。

此外，雖然單個晶體管示出為與懸臂致動器集成在圖2的單個半導(dǎo)體元件200中，但是多個晶體管可以與壓電材料或懸臂致動器集成，例如在互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu)中。圖11為示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，集成有晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)型配置的示圖。單個半導(dǎo)體元件1100可以包括與晶體管集成的壓電層1116。該晶體管可以包括n型半導(dǎo)體溝道1112和p型半導(dǎo)體溝道1114。與元件1100的通信可以通過第一源電極1102、第二源電極1104、公共柵電極1106和公共漏電極1108來進行。懸臂致動器(未示出)可以類似于圖2的懸臂致動器230從公共柵電極1106延伸出。

當在元件1100的CMOS狀結(jié)構(gòu)中使用兩個半導(dǎo)體(n型1112和p型1114)時，能夠檢測壓電效應(yīng)(例如觸摸、力、壓力和/或振動)，連同熱電效應(yīng)(例如溫度)。如果由于壓電效應(yīng)引起的感應(yīng)電荷導(dǎo)致p型半導(dǎo)體1114中的閾值電壓V_T變化，那么能夠在n型半導(dǎo)體1112中檢測到熱電效應(yīng)。還能夠進行檢測，使得通過p型半導(dǎo)體1114檢測熱電效應(yīng)并且通過n型半導(dǎo)體1112檢測壓電效應(yīng)。

圖2中所示的單個半導(dǎo)體元件和上述單個半導(dǎo)體元件的其它配置可以通過常規(guī)薄膜處理技術(shù)的新穎組合來制造。在一個實施例中，頂柵結(jié)構(gòu)可以在剛性玻璃基底上制成?？梢酝ㄟ^DC反應(yīng)磁控濺射來放置透明的p型一氧化錫(SnO)半導(dǎo)體有源層。然后，源和漏電極可以是從鈦和金源蒸發(fā)的電子束。接著，可以在源極和漏極的放置之后對放置的疊層進行退火以結(jié)晶出SnO有源層。然后，可以將P型(VDF-TrFE-CFE)共聚物壓電材料粉末溶入二甲基甲酰胺(DMF)中以獲得溶液，其中，將該溶液過濾和離心在SnO膜上，接著是聚合物的軟烘。然后，可以將該膜進行退火以改善結(jié)晶度。接著，可以對鋁頂柵電極進行熱蒸發(fā)以完成疊層。該設(shè)備的層可以通過常規(guī)的光刻技術(shù)和剝離工藝來圖案化。

雖然說明的是制造的一個特定方法，但是可以使用許多其它的制造方法以獲得具有集成的晶體管和懸臂致動器的單個半導(dǎo)體元件的相同或相似的配置。例如，所描述的方法使用不透明電極，其包括鈦、金和鋁，但是在該過程中可以用透明電極，例如氧化銦錫(ITO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、石墨烯、銀納米線或任何其他有機或無機的可用透明電極來替代。

如果實施在固件和/或軟件中，則上述功能、例如相對于圖5和圖9的流程圖的功能可以存儲為在計算機可讀介質(zhì)上的一個或更多個指令或代碼。示例包括用數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)編碼的非臨時性計算機可讀介質(zhì)和用計算機程序編碼的計算機可讀介質(zhì)。計算機可讀介質(zhì)包括物理計算機存儲介質(zhì)。存儲介質(zhì)可以是能夠通過計算機訪問的任何可用介質(zhì)。以舉例的方式而非限制，這樣的計算機可讀介質(zhì)可以包括隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、壓縮盤只讀存儲器(CD-ROM)或其它光盤存儲器、磁盤存儲器或其它磁性存儲設(shè)備，或能夠用于將期望的程序代碼以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式進行存儲并能夠通過計算機訪問的任何其它介質(zhì)。磁盤和光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光盤、數(shù)字多功能盤(DVD)、軟盤以及藍光光盤。通常，磁盤磁性地再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤光學(xué)地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述的組合也應(yīng)包括在計算機可讀介質(zhì)的范圍之內(nèi)。

除了存儲在計算機可讀介質(zhì)上之外，可以將指令和/或數(shù)據(jù)提供為在包含于通信裝置中的傳輸介質(zhì)上的信號。例如，通信裝置可以包括具有對指令和數(shù)據(jù)的指示的信號的收發(fā)器。指令和數(shù)據(jù)配置為使一個或更多個處理器實現(xiàn)權(quán)利要求中所概括的功能。

雖然已經(jīng)詳細地說明了本公開內(nèi)容和某些代表性優(yōu)點，但是應(yīng)當理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，在此能夠作出各種改變、替換和變更。此外，本申請的范圍并不旨在限于本說明書中所描述的工藝、機器、制造、事件的組合、裝置、方法和步驟的具體實施例。正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員中的一個會從本公開內(nèi)容容易地領(lǐng)會的一樣，可以利用當前存在的或者以后要開發(fā)的、與本文中所描述的對應(yīng)實施例執(zhí)行基本上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)基本上相同的結(jié)果的工藝、機器、制造、事件的組合、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求旨在將這樣的工藝、機器、制造、事件的組合、裝置、方法或步驟包括在其范圍內(nèi)。