本發(fā)明屬于計(jì)算電磁學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法。
背景技術(shù):
時(shí)域有限差分(finite-differencetime-domain,fdtd)方法已經(jīng)成功地應(yīng)用于求解磁化等離子體中的電磁問(wèn)題。由于它是一種顯式的數(shù)值計(jì)算的方法,其時(shí)間步長(zhǎng)受柯西穩(wěn)定性條件的限制,不能取的太大,方法時(shí)效性不好,計(jì)算速度較慢,尤其在磁化等離子體中的電磁計(jì)算中,時(shí)間步長(zhǎng)不僅僅受柯西穩(wěn)定性條件的限制,而且還與等離子體參數(shù)和差分方案有關(guān),如此更進(jìn)一步的限制了時(shí)間步長(zhǎng)的選取,其計(jì)算速度和計(jì)算效率較空氣中的計(jì)算更差。為了消除柯西穩(wěn)定性條件的限制,人們提出了無(wú)條件穩(wěn)定時(shí)域有限差分方法,比如:交替方向隱式(alternating-direction-implicit,adi)的時(shí)域有限差分(adi-fdtd)方法和基于加權(quán)拉蓋爾多項(xiàng)式的時(shí)域有限差分(finite-differencetime-domainwithweighted-laguerre-polynomials,wlp-fdtd)方法。在這些方法中,adi-fdtd方法在使用較大的時(shí)間步長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的色散誤差,而wlp-fdtd方法既能消除柯西穩(wěn)定性條件的限制,又能解決adi-fdtd方法在使用較大的時(shí)間步長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的色散誤差這個(gè)難題,因此wlp-fdtd方法可以高效的求解磁化等離子體中的電磁問(wèn)題。然而,這種wlp-fdtd方法在求解電磁場(chǎng)過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大型的稀疏矩陣方程,直接求解此方程會(huì)使得計(jì)算較復(fù)雜,內(nèi)存消耗較大,于是提出了一種因式分裂的wlp-fdtd方法,該方法在計(jì)算速度和計(jì)算效率上得到了較大的提高,但是由于該方法是通過(guò)添加微擾項(xiàng),進(jìn)行因式分裂得來(lái)的,計(jì)算中會(huì)產(chǎn)生分裂誤差,為了減小分裂誤差、提高計(jì)算精度,同時(shí)保證較快的計(jì)算速度,提出了一種高精度迭代的wlp-fdtd方法。
另外由于計(jì)算機(jī)容量的限制,電磁場(chǎng)的計(jì)算只能在有限區(qū)域進(jìn)行。為了能模擬開(kāi)域電磁波傳播過(guò)程,必須在計(jì)算區(qū)域的截?cái)噙吔缣幗o出吸收邊界條件。有人提出了完全匹配層(perfectlymatchedlayer,pml)吸收邊界,后來(lái)pml被廣泛應(yīng)用于計(jì)算區(qū)域的截?cái)?,而且被證明是非常有效的,但是研究發(fā)現(xiàn)這種傳統(tǒng)pml對(duì)低頻以及凋落波的吸收效果并不理想;使用帶有復(fù)頻率偏移(complexfrequencyshift,cfs)因子的擴(kuò)展坐標(biāo)的pml吸收邊界可以有效地改善傳統(tǒng)pml對(duì)低頻,凋落波的吸收效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,計(jì)算精度高、計(jì)算速度快,且對(duì)于低頻和凋落波具有很好的吸收效果。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是,一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,具體按照以下步驟實(shí)施:
步驟1:輸入模型文件;
步驟2:初始化參數(shù)和設(shè)置參數(shù);
步驟3:添加場(chǎng)源到x方向上的電場(chǎng)分量系數(shù)
jx(t)=exp(-(t-t0)2/τ2)
其中,t表示時(shí)間,單位為秒,t0,τ為場(chǎng)源參數(shù);
步驟4:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的x方向上電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟5:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的y方向上電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟6:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的磁場(chǎng)分量系數(shù)
步驟7:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的磁場(chǎng)分量系數(shù)
步驟8:將k+1賦值給k,并判斷迭代次數(shù)k是否達(dá)到預(yù)設(shè)值,若未達(dá)到預(yù)設(shè)值,則返回步驟4,若達(dá)到預(yù)設(shè)值,則執(zhí)行步驟9;
步驟9:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的極化電流密度系數(shù)
步驟10:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電磁場(chǎng)分量系數(shù)的輔助變量;
步驟11:更新計(jì)算觀測(cè)點(diǎn)處的電磁場(chǎng)分量;
步驟12:將q+1賦值給q,并判斷拉蓋爾多項(xiàng)式的階數(shù)q是否達(dá)到預(yù)設(shè)值,若未達(dá)到預(yù)設(shè)值,則返回步驟3,若達(dá)到預(yù)設(shè)值,則結(jié)束。
本發(fā)明的特點(diǎn)還在于:
步驟1具體為:
計(jì)算區(qū)域大小nz,nz為z軸方向上網(wǎng)格數(shù);空間步長(zhǎng)δz;時(shí)間步長(zhǎng)δt;真空中的電導(dǎo)率σ,磁導(dǎo)率μ0,介電常數(shù)ε0;等離子體碰撞頻率υ,等離子體頻率ωp,電子回旋頻率ωb;等離子體在計(jì)算區(qū)域中的位置;吸收邊界層數(shù)npml與相關(guān)參數(shù)κzmax,αzmax,σzmax;κzmax取整數(shù),κzmax取值范圍為[1,60];αzmax取值范圍為[01);σzmax/σopt取值范圍為(0,12],σopt=(m+1)/150πδz,m取值范圍為[1,20],δz取值范圍為
步驟2初始化具體為:
將整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電磁場(chǎng)分量系數(shù)
設(shè)置的參數(shù)具體為:
設(shè)置帶有cfs因子的sc-pml吸收邊界的參數(shù)σz,κz,αz;具體為:
σz=σzmax|z-z0|m/dm;
κz=1+(κzmax-1)|z-z0|m/dm;
αz=αzmax;
式中z0為pml層與非pml截面位置,d是pml吸收邊界的厚度,κzmax取整數(shù),κzmax取值范圍為[1,60];αzmax取值范圍為[0,1);σzmax根據(jù)σopt來(lái)設(shè)置,σzmax/σopt取值范圍為(0,12];σopt=(m+1)/150πδz,m取值范圍為[1,20],δz取值范圍為
設(shè)置pml系數(shù)c1z,c2z;具體為:
c1z=1/(κzαz+σz+0.5κzε0s),c2z=(2αz/ε0s+1)c1z;
設(shè)置等離子體參數(shù)為:
步驟4具體為:
步驟4.1:電場(chǎng)分量系數(shù)
其中,k表示迭代次數(shù),n表示z軸上第n個(gè)計(jì)算網(wǎng)格處的位置,n+1/2表示z軸上第n個(gè)半網(wǎng)格處的位置,c2z|n表示系數(shù)c2z在z軸方向上第n個(gè)網(wǎng)格處的值,c2z|n-1/2表示系數(shù)c2z在z軸方向上第n-1個(gè)半網(wǎng)格處的值,δz|n表示z軸方向上第n個(gè)網(wǎng)格的大小,第
步驟4.2:使用追趕法求解步驟4.1的方程,得到整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟5具體為:
步驟5.1:電場(chǎng)分量系數(shù)
其中,
步驟5.2:使用追趕法求解步驟5.1的方程,得到整個(gè)計(jì)算區(qū)域的y方向上電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟6的更新方程具體為:
其中
步驟7的更新方程具體為:
其中
步驟9更新公式具體為:
步驟10更新公式具體為:
其中fζz代表exz,eyz,hxz,hyz,因此
步驟11的更新公式具體為:
上式中u表示電磁場(chǎng)分量ex,ey,hx,hy,r表示電磁場(chǎng)分量的位置,uq表示q階電磁場(chǎng)分量系數(shù),
本發(fā)明的有益效果是:
1).本發(fā)明一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,在直角坐標(biāo)系下,通過(guò)用加權(quán)拉蓋爾多項(xiàng)式表示電磁場(chǎng)分量,來(lái)解時(shí)域麥克斯韋方程,使得在更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電磁場(chǎng)分量系數(shù)時(shí)不涉及到時(shí)間步長(zhǎng),只是在最后計(jì)算觀測(cè)點(diǎn)處的電磁場(chǎng)分量時(shí)用到時(shí)間步長(zhǎng),因此計(jì)算過(guò)程中時(shí)間步長(zhǎng)可以取得比柯西穩(wěn)定性條件限制的時(shí)間步長(zhǎng)更大;
2).本發(fā)明一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,在求解求解磁化等離子體中的電磁場(chǎng)分量系數(shù)時(shí),使用迭代的因式分裂的方案將大型稀疏矩陣方程分裂成兩個(gè)迭代的三對(duì)角矩陣方程,使得它在計(jì)算時(shí)比wlp-fdtd方法更簡(jiǎn)單、計(jì)算速度更快、內(nèi)存消耗更少而且比無(wú)迭代的因式分裂的wlp-fdtd方法精度更高;
3).本發(fā)明一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,在設(shè)置pml系數(shù)時(shí),由于采用了cfs因子,并且通過(guò)調(diào)整cfs因子中的參數(shù),可以使得該吸收邊界對(duì)低頻與凋落波的吸收更加有效;
4).本發(fā)明一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,由于采用了復(fù)擴(kuò)展坐標(biāo)系,使得pml在實(shí)現(xiàn)時(shí)避免了場(chǎng)的分裂且與媒質(zhì)無(wú)關(guān)。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)方法的流程示意圖;
圖2是使用本發(fā)明的方法與解析解、wlp-fdtd方法和無(wú)迭代的因式分裂的wlp-fdtd方法計(jì)算的左旋極化波的反射系數(shù)振幅圖;
圖3是使用本發(fā)明的方法與解析解、wlp-fdtd方法和無(wú)迭代的因式分裂的wlp-fdtd方法計(jì)算的左旋極化波的反射系數(shù)相位圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明的一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,原理為:首先導(dǎo)出一維磁化等離子體中,電磁場(chǎng)所滿足的復(fù)擴(kuò)展坐標(biāo)系下的麥克斯韋方程,然后使用一維磁化等離子體中迭代的因式分裂的wlp-fdtd方法推導(dǎo)出整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電磁場(chǎng)分量系數(shù)更新方程,最后采用公式(21)求解觀測(cè)點(diǎn)處的電磁場(chǎng)分量。
一維磁化等離子體中,電磁場(chǎng)所滿足的復(fù)擴(kuò)展坐標(biāo)系下的麥克斯韋方程推導(dǎo)過(guò)程如下:
在各向異性色散介質(zhì)碰撞磁化等離子體中,麥克斯韋方程組和相關(guān)的聯(lián)立方程為
式中,h是磁場(chǎng)強(qiáng)度;e是電場(chǎng)強(qiáng)度;j是極化電流密度;ε0、μ0分別為真空中的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率;υ是等離子體碰撞頻率;
設(shè)外磁場(chǎng)的方向?yàn)?z軸,方程(3)可寫(xiě)為
應(yīng)用擴(kuò)展坐標(biāo)的cfs-pml,僅考慮二維tez的情況,上述麥克斯韋方程組和相關(guān)的聯(lián)立方程可化為:
式中
下面我們引入幾個(gè)輔助變量如下:
將(12)式分別代入(13)-(16),然后做如下變化
我們可以知道
式中u代表ex、ey、hx、hy,
將(21)、(22)代入(17)-(20),然后應(yīng)用加勒金的測(cè)試過(guò)程,可得
式中
s>0是時(shí)間尺度因子,q是加權(quán)拉蓋爾多項(xiàng)式的階數(shù)。
將(21)、(22)代入(6)-(11),再應(yīng)用加勒金的測(cè)試過(guò)程得到:
式中,
將(36)代入(37)得到
將(37)代入(36)得到
將(39)代入(32)得到
將(38)代入(33)得到
將方程(40)、(41)、(34)和(35)放置一起
整理后得到
其中
將(43)式寫(xiě)成矩陣的形式
(i-a-b)xq=vq-1(45)
式中
b=p1p2/(1+p2),a1=c2zdz/(1+p2),a2=c2zc3dz
添加微擾項(xiàng)
為了強(qiáng)調(diào)迭代的特點(diǎn),將(47)式重寫(xiě)為
引進(jìn)中間變量
將上式展開(kāi)得到
上兩式解得
將
將(52)、(53)和(54)聯(lián)合解得
將b=p1p2/(1+p2),a1=c2zdz/(1+p2),a2=c2zc3dz代入上式然后進(jìn)行中心差分得到
上面三式中,k表示第k次迭代,n表示第n個(gè)網(wǎng)格,n+1/2表示第n個(gè)半網(wǎng)格;在整個(gè)計(jì)算區(qū)域上,(56)式和(57)式可以寫(xiě)成三對(duì)角矩陣差分方程,與wlp-fdtd方法相比,這種迭代的因式分解的wlp-fdtd方法將大型稀疏矩陣方程的求解轉(zhuǎn)變成兩個(gè)三對(duì)角矩陣方程的求解,于是可以使用追趕法,非常簡(jiǎn)單的解得整個(gè)計(jì)算區(qū)域電磁場(chǎng)分量系數(shù),最后通過(guò)(21)式解得觀測(cè)點(diǎn)的電磁場(chǎng)分量,而且這種方法添加了迭代的方案,使得其計(jì)算精度比因式分裂的wlp-fdtd要高。
本發(fā)明一種一維高精度迭代的磁化等離子體中的實(shí)現(xiàn)方法,流程如圖1所示,具體按照以下步驟實(shí)施:
步驟1:輸入模型文件,具體為:
計(jì)算區(qū)域大小nz,nz為z軸方向上網(wǎng)格數(shù);空間步長(zhǎng)δz;時(shí)間步長(zhǎng)δt;真空中的電導(dǎo)率σ,磁導(dǎo)率μ0,介電常數(shù)ε0;等離子體碰撞頻率υ,等離子體頻率ωp,電子回旋頻率ωb;等離子體在計(jì)算區(qū)域中的位置;吸收邊界層數(shù)npml與相關(guān)參數(shù)κzmax,αzmax,σzmax;κzmax取整數(shù),κzmax取值范圍為[1,60];αzmax取值范圍為[01);σzmax/σopt取值范圍為(0,12],σopt=(m+1)/150πδz,m取值范圍為[1,20],δz取值范圍為
步驟2:初始化參數(shù)和設(shè)置參數(shù),具體為:
初始化的參數(shù)包括:
將整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電磁場(chǎng)分量系數(shù)
設(shè)置的參數(shù)具體為:
設(shè)置帶有cfs因子的sc-pml吸收邊界的參數(shù)σz,κz,αz;具體為:
σz=σzmax|z-z0|m/dm;
κz=1+(κzmax-1)|z-z0|m/dm;
αz=αzmax;
式中z0為pml層與非pml截面位置,d是pml吸收邊界的厚度,κzmax取整數(shù),κzmax取值范圍為[1,60];αzmax取值范圍為[0,1);σzmax根據(jù)σopt來(lái)設(shè)置,σzmax/σopt取值范圍為(0,12];σopt=(m+1)/150πδz,m取值范圍為[1,20],δz取值范圍為
c1z=1/(κzαz+σz+0.5κzε0s),c2z=(2αz/ε0s+1)c1z;
設(shè)置等離子體參數(shù)為:
步驟3:添加場(chǎng)源到x方向上的電場(chǎng)分量系數(shù)
其中,所添加的場(chǎng)源的表達(dá)式為:
jx(t)=exp(-(t-t0)2/τ2)
其中,t表示時(shí)間,單位為秒;t0,τ為場(chǎng)源參數(shù)。
步驟4:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的x方向上電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟4.1:電場(chǎng)分量系數(shù)
其中,k表示迭代次數(shù),n表示z軸上第n個(gè)計(jì)算網(wǎng)格處的位置,n+1/2表示z軸上第n個(gè)半網(wǎng)格處的位置,c2z|n表示系數(shù)c2z在z軸方向上第n個(gè)網(wǎng)格處的值,c2z|n-1/2表示系數(shù)c2z在z軸方向上第n-1個(gè)半網(wǎng)格處的值,δz|n表示z軸方向上第n個(gè)網(wǎng)格的大小,第
步驟4.2:使用追趕法求解步驟4.1的方程,得到整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟5:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的y方向上電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟5.1:電場(chǎng)分量系數(shù)
其中,
步驟5.2:使用追趕法求解步驟5.1的方程,得到整個(gè)計(jì)算區(qū)域的y方向上電場(chǎng)分量系數(shù)
步驟6:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的磁場(chǎng)分量系數(shù)
其中
步驟7:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的磁場(chǎng)分量系數(shù)
其中
步驟8:將k+1賦值給k,并判斷迭代次數(shù)k是否達(dá)到預(yù)設(shè)值,若未達(dá)到預(yù)設(shè)值,則返回步驟4,若達(dá)到預(yù)設(shè)值,則執(zhí)行步驟9;
步驟9:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的極化電流密度系數(shù)
步驟10:更新計(jì)算整個(gè)計(jì)算區(qū)域的電磁場(chǎng)分量系數(shù)的輔助變量,更新公式具體為:
其中fζz代表exz,eyz,hxz,hyz,因此
步驟11:更新計(jì)算觀測(cè)點(diǎn)處的電磁場(chǎng)分量,更新公式具體為:
上式中u表示電磁場(chǎng)分量ex,ey,hx,hy,r表示電磁場(chǎng)分量的位置,uq表示q階電磁場(chǎng)分量系數(shù),
步驟12:將q+1賦值給q,并判斷拉蓋爾多項(xiàng)式的階數(shù)q是否達(dá)到預(yù)設(shè)值,若未達(dá)到預(yù)設(shè)值,則返回步驟3,若達(dá)到預(yù)設(shè)值,則結(jié)束。
下面通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)本發(fā)明的效果進(jìn)行說(shuō)明:
為了檢驗(yàn)本發(fā)明方法的正確性、高效性以及高精度,我們計(jì)算了9mm厚碰撞磁化等離子體對(duì)垂直入射電磁波的反射和透射系數(shù)。入射電磁波為高斯脈沖,加到ex上,其表達(dá)式為exp(-(t-t0)2/τ2),式中t0=20ps,τ=5ps。計(jì)算區(qū)域?yàn)?50個(gè)網(wǎng)格,每個(gè)網(wǎng)格大小為75微米,磁化等離子體占據(jù)第201到320的網(wǎng)格,其參數(shù)為ωp=(2π)·50×109rad/s,ωb=3.0×1011rad/s,υ=2.0×1010hz,其余為真空。完全匹配層吸收邊界放置在計(jì)算區(qū)域的兩端,均為10個(gè)網(wǎng)格。時(shí)間尺度因子為s=1.885×1012,時(shí)間步長(zhǎng)為0.25ps,仿真時(shí)間為tf=1ns,階數(shù)為200,迭代次數(shù)k為2。pml吸收邊界參數(shù)κzmax=1,σzmax=σopt,αzmax=0。采用本發(fā)明方法、wlp-fdfd方法和因式分裂的wlp-fdtd方法以及解析解計(jì)算反射系數(shù)振幅和反射系數(shù)相位,計(jì)算結(jié)果參見(jiàn)圖2和圖3。從圖中可見(jiàn),本發(fā)明方法和wlp-fdtd方法、解析解計(jì)算結(jié)果一致,驗(yàn)證了本發(fā)明方法的正確性,且本發(fā)明方法的計(jì)算精度相比于因式分裂的wlp-fdtd方法的計(jì)算精度要高。在運(yùn)行計(jì)算時(shí)間上,wlp-fdtd方法需要0.34秒,因式分裂的wlp-fdtd方法需要0.15秒,本發(fā)明專利中的計(jì)算方法需要0.23秒,由此可知本發(fā)明專利中的計(jì)算方法相對(duì)于wlp-fdtd方法計(jì)算速度得到了提高,雖然計(jì)算速度比因式分裂的wlp-fdtd方法要稍慢點(diǎn)但精度比因式分裂的wlp-fdtd方法要高,尤其是在高頻段,精度提高更明顯。