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      F2F解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置的制作方法

      文檔序號:11775162閱讀:305來源:國知局
      F2F解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及安全信息防護(hù),特別涉及一種f2f(亦稱雙頻率數(shù)據(jù)、雙相位)解碼芯片中的安全信息防護(hù)技術(shù),特別是f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置。



      背景技術(shù):

      隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計水平的提高,將多種不同工藝制程的ic(integratedcircuit,集成電路)集成到單一芯片中構(gòu)建soc(system-on-a-chip,系統(tǒng)芯片)已是大勢所趨,基于soc的產(chǎn)品越來越受到市場的歡迎。soc可以使原來由分立ic器件構(gòu)成的整機產(chǎn)品成本更低,功耗更低,可靠性更高。

      但是,隨著芯片集成度的提高,開放性與安全性之間的矛盾也越來越突出。一方面,基于其開放性和方便性,其被越來越多的芯片采用作為標(biāo)準(zhǔn)的接口,在市場上大受歡迎,另一方面,系統(tǒng)芯片因為將所有的軟硬件資源都集成在單一芯片內(nèi),如何保護(hù)芯片內(nèi)部的代碼、參數(shù)、存儲在芯片內(nèi)的密鑰等關(guān)鍵信息也越來越引起人們的重視。

      但現(xiàn)有技術(shù)中,并沒有很好的解碼芯片的敏感信息的安全防護(hù)裝置。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷而提供一種f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足,解決了f2f解碼芯片在同主機進(jìn)行一些信息交互時,敏感信息得到安全防護(hù)的問題,在芯片被攻擊時可以起到有效保護(hù)作用。

      為實現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的一種f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置,包括mcu(microcontrollerunit,微控制單元),攻擊檢測電路,安全保護(hù)電路,其中:

      所述mcu,用于控制攻擊檢測電路及安全保護(hù)電路的開閉,配置多種攻擊檢測類型的開閉,響應(yīng)安全保護(hù)電路的攻擊中斷信號并回讀攻擊類型;

      所述攻擊檢測電路,由至少一個傳感器裝置組成,并與安全保護(hù)電路的交互控制,用于識別攻擊信號;

      所述安全保護(hù)電路,用于與mcu、攻擊檢測電路的信息交互,內(nèi)置關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū),用于接到所述攻擊檢測電路發(fā)出的攻擊信號后,生成攻擊中斷信號并發(fā)給所述mcu,并對所述關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)內(nèi)容的讀取并執(zhí)行擦除處理。

      作為一種可實施方式,所述攻擊信號為高溫攻擊、低溫攻擊、高壓攻擊、低壓攻擊信號中的一種或者一種以上的組合。

      作為一種可實施方式,所述傳感器裝置為溫度傳感器裝置;

      所述溫度傳感器裝置包括二極管、高溫比較器和低溫比較器;

      利用所述二極管節(jié)點電壓,與基準(zhǔn)電壓作比較,當(dāng)溫度高于基準(zhǔn)高溫或者低于低溫時,對應(yīng)的高溫比較器或者低溫比較器會輸出高電平。

      作為一種可實施方式,所述基準(zhǔn)高溫為110度;所述基準(zhǔn)低溫為-40度。

      作為一種可實施方式,所述傳感器裝置為電壓檢測裝置;

      所述電壓檢測裝置高壓檢測模塊和低壓檢測模塊,電壓檢測包括高壓檢測和低壓檢測,通過對電源的電壓分壓,然后與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較;工作時,基準(zhǔn)電壓為1.8~3.3v時,兩個比較器都輸出低電平;當(dāng)基準(zhǔn)電壓高于3.3v時,高壓檢測比較器輸出高電平;當(dāng)基準(zhǔn)電壓低于1.8v時,低壓檢測比較器輸出高電平。

      作為一種可實施方式,所述關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)由純硬件電路搭建,包括一組帶異步低電平復(fù)位控制的寄存器,關(guān)鍵信息存儲在寄存器組中,執(zhí)行并行擦除處理,在一個時鐘周期完成信息擦除操作。

      作為一種可實施方式,所述識別是指所述信號為高電平時表示為檢測到攻擊;

      所述攻擊信號通過或門電路再經(jīng)過反相器后成為關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)的異步復(fù)位信號,即有一個檢測到攻擊時,就會在復(fù)位信號上產(chǎn)生低電平,復(fù)位關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)。

      作為一種可實施方式,f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置還包括一獨立電源,連接到所述安全防護(hù)電路上,其默認(rèn)為關(guān)閉狀態(tài)

      在安全保護(hù)電路擦除關(guān)鍵信息并上報mcu時,開啟獨立電源內(nèi)部維持擦除和上報工作,直至安全保護(hù)電路控制其關(guān)閉。

      本發(fā)明安全信息防護(hù)裝置具有如下優(yōu)點:

      本發(fā)明的f2f解碼芯片中使用的安全信息防護(hù)裝置,可以在芯片檢測到外部攻擊時及時擦除敏感信息區(qū),保護(hù)關(guān)鍵信息不被盜取造成使用者的損失,其快速及時,電路簡單,占用芯片資源少,方便實現(xiàn)。進(jìn)一步地,其可以采用電源單獨供電,敏感信息在芯片掉電后不丟失,不需要每次上電與主機端的重復(fù)配置。

      附圖說明

      為了更清楚地說明本發(fā)明具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施方式,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      圖1為本發(fā)明實施例的f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置的模塊示意圖;

      圖2為本發(fā)明實施例一高溫及低溫傳感器裝置的攻擊檢測電路示意圖;

      圖3為本發(fā)明實施例二高壓及低壓傳感器裝置的攻擊檢測電路示意圖;

      圖4為本發(fā)明實施例的安全保護(hù)電路示意圖。

      具體實施方式

      如圖1-4所示,為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明了。結(jié)合具體的實施方式,對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。此過程中,省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述,用以避免對不必要地混淆本發(fā)明的概念。對于這些描述,只是示例性的。并不是限制本發(fā)明的范圍。

      如圖1所示,所述f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置,包括mcu(microcontrollerunit,微控制單元)10,攻擊檢測電路30,安全保護(hù)電路20,其中:

      所述mcu10,用于控制攻擊檢測電路及安全保護(hù)電路的開閉,配置多種攻擊檢測類型的開閉,響應(yīng)安全保護(hù)電路的攻擊中斷信號并回讀攻擊類型。

      攻擊檢測電路30,由至少一個傳感器裝置組成,并與安全保護(hù)電路的交互控制,用于識別攻擊信號。

      所述攻擊信號包括但不限于高溫攻擊、低溫攻擊、高壓攻擊、低壓攻擊信號。

      安全保護(hù)電路20,用于與mcu、攻擊檢測電路的信息交互,內(nèi)置關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)40,支持對關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)40內(nèi)容的讀取并執(zhí)行擦除處理。

      實施例一:

      所述傳感器裝置為溫度傳感器裝置,如圖2所示,該溫度傳感器包括二極管、高溫比較器和低溫比較器。

      溫度檢測采用了二極管的溫度特性實現(xiàn),二極管的電壓與溫度關(guān)系密切相關(guān),如圖2的電路,利用該節(jié)點電壓,與基準(zhǔn)電壓(trefh,trefl)作比較,可以實現(xiàn)溫度報警功能。當(dāng)溫度高于110或者低于-40度時,對應(yīng)的高溫比較器comp1或者低溫比較器comp2會輸出高電平。

      實施例二:

      本發(fā)明實施例中,所述傳感器裝置為電壓檢測裝置。

      所述電壓檢測裝置高壓檢測模塊和低壓檢測模塊,電壓檢測包括高壓檢測和低壓檢測,通過對vbat的電壓分壓,然后與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。工作時,基準(zhǔn)vbat電壓為1.8~3.3v,兩個比較器都輸出低電平。當(dāng)vbat高于4v時,高壓檢測比較器comp1會輸出高電平trig_h,電壓低于1.8v時,低壓檢測比較器comp2會輸出高電平trig_l。

      基準(zhǔn)高電壓vrefh和基準(zhǔn)低電壓vrefl產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓,不隨電源電壓變化。

      所述安全保護(hù)電路用于與mcu進(jìn)行信息交互,與攻擊檢測電路的信息交互,內(nèi)置關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū),支持對信息區(qū)內(nèi)容的讀取并能快速及時執(zhí)行擦除處理。

      其中關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)由純硬件電路搭建,可執(zhí)行并行擦除處理,可在一個時鐘周期完成信息擦除操作。

      如圖4所示,關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)由一組帶異步復(fù)位(低電平復(fù)位)控制的寄存器組成,關(guān)鍵信息存儲在寄存器組中。

      攻擊檢測信號包括但不限于高溫攻擊temp_h、低溫攻擊temp_l、高壓攻擊trig_h、低壓攻擊trig_l信號,每個攻擊信號為高電平時表示為檢測到攻擊,這4個攻擊信號通過或門電路再經(jīng)過反相器后成為敏感信息存儲器的異步復(fù)位信號,即有一個檢測到攻擊時,就會在復(fù)位信號上產(chǎn)生低電平,從而立即復(fù)位關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū),實現(xiàn)關(guān)鍵信息的快速擦除。

      所述f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)方法,包括如下步驟:

      步驟s100,mcu通過內(nèi)部總線接口控制安全保護(hù)電路打開;

      步驟s200,安全保護(hù)電路通過接口配置攻擊檢測電路工作使能;

      步驟s300,一旦攻擊檢測電路檢測到攻擊后,通過接口傳輸給安全保護(hù)電路;

      步驟s400,安全保護(hù)電路識別攻擊信號并快速擦除其內(nèi)部的關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)的信息并同時向mcu上報攻擊。

      實施例三:

      較佳地,作為另一種可實施方式,配置一獨立電源,連接到所述安全防護(hù)電路上,其默認(rèn)為關(guān)閉狀態(tài),在安全保護(hù)電路擦除關(guān)鍵信息并上報mcu時,開啟獨立電源內(nèi)部維持擦除和上報工作,直至安全保護(hù)電路控制其關(guān)閉。

      本實施例三中的其他工作與實施例一、二相同,因此,在本實施例中不再一一詳細(xì)描述。

      作為一種可實施方式,本實施例中的解碼芯片為金融領(lǐng)域的解碼芯片,其安全性要求較高,關(guān)鍵信息也比較多,有必要受到很好的保護(hù)。

      本發(fā)明實施例的通過可以在芯片檢測到外部攻擊時及時擦除敏感信息區(qū),保護(hù)關(guān)鍵信息不被盜取造成使用者的損失,硬件電路實現(xiàn)外部攻擊檢測及信息區(qū)擦除操作,快速及時,電路簡單,占用芯片資源少,方便實現(xiàn)。進(jìn)一步地,采用電源單獨供電,敏感信息在芯片掉電后不丟失,方便使用。

      以上所述的具體實施方式,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)軌道了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式而已,并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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