本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路。

背景技術(shù)：

平板電腦是一種小型、方便攜帶的個(gè)人電腦，以觸摸屏作為基本的輸入設(shè)備。隨著目前觸控屏操作功能的日益完善，以前平板電腦上常見(jiàn)的音量調(diào)節(jié)鍵，拍照鍵等物理按鍵逐漸被取消掉，相應(yīng)的按鍵功能由用戶(hù)通過(guò)操作觸控屏來(lái)實(shí)現(xiàn)。

目前市面上大多數(shù)平板電腦的物理按鍵只保留了必要的電源鍵與復(fù)位鍵，如果平板電腦由于用戶(hù)誤操作，導(dǎo)致平板電腦操作系統(tǒng)崩潰無(wú)法正常使用，用戶(hù)也無(wú)法通過(guò)觸控屏進(jìn)入配置界面執(zhí)行恢復(fù)出廠設(shè)置，由于音量調(diào)節(jié)物理鍵被取消，導(dǎo)致無(wú)法通過(guò)使用音量調(diào)節(jié)鍵與電源鍵的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)恢復(fù)出廠設(shè)置的功能，導(dǎo)致普通用戶(hù)無(wú)法修復(fù)平板電腦系統(tǒng)崩潰的問(wèn)題。此時(shí)只能通過(guò)usb接口連接PC設(shè)備進(jìn)行刷機(jī)來(lái)恢復(fù)系統(tǒng)，但是刷機(jī)需要非常專(zhuān)業(yè)的相關(guān)技術(shù)知識(shí)，普通用戶(hù)執(zhí)行刷機(jī)操作，很容易因?yàn)檎`操作導(dǎo)致平板電腦變磚。在平板電腦只保留有電源鍵與復(fù)位鍵的前提下，在平板電腦系統(tǒng)崩潰，用戶(hù)無(wú)法通過(guò)觸控屏進(jìn)入配置界面執(zhí)行恢復(fù)出廠設(shè)置時(shí)，如何利用現(xiàn)有的電源鍵與復(fù)位鍵實(shí)現(xiàn)恢復(fù)出廠設(shè)置的功能，是平板電腦設(shè)計(jì)過(guò)程中需要解決的一個(gè)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的就是解決現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的平板電腦只保留了電源鍵與復(fù)位鍵，只能實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)機(jī)與復(fù)位的功能，不能通過(guò)按鍵實(shí)現(xiàn)恢復(fù)出廠設(shè)置的功能，在系統(tǒng)崩潰只能通過(guò)刷機(jī)才能修復(fù)系統(tǒng)，極大影響用戶(hù)使用體驗(yàn)。本實(shí)用新型提供了復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路，可以實(shí)現(xiàn)利用現(xiàn)有的電源鍵與復(fù)位鍵的組合實(shí)現(xiàn)恢復(fù)出廠設(shè)置與復(fù)位的功能。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為：

本實(shí)用新型提供復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路，包括復(fù)位電路、恢復(fù)出廠設(shè)置電路，所述復(fù)位電路的輸入端和所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路的輸入端都通過(guò)復(fù)位按鍵連接電源的正極；所述復(fù)位電路的輸出端連接CPU的復(fù)位I/O引腳，所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路的輸出端連接所述CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳。

在設(shè)備上電后，按下復(fù)位按鍵，所述復(fù)位電路產(chǎn)生所述復(fù)位I/O引腳所需的低電平脈沖信號(hào)觸發(fā)所述設(shè)備執(zhí)行復(fù)位操作；在設(shè)備上電前，長(zhǎng)按復(fù)位按鍵，所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路產(chǎn)生所述恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳所需的低電平信號(hào)，并在按下電源按鍵時(shí)，所述設(shè)備冷啟動(dòng)之后，CPU檢測(cè)到所述低電平信號(hào)，觸發(fā)所述設(shè)備執(zhí)行恢復(fù)出廠設(shè)置操作。

進(jìn)一步地，所述復(fù)位電路包括電容、第一反相器；所述電容的一端與所述第一反相器的輸入端連接，所述電容的另一端與所述復(fù)位按鍵連接，所述反相器的輸出端連接所述CPU的復(fù)位I/O引腳。

進(jìn)一步地，所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路包括第二反相器；所述第二反相器的輸入端與所述復(fù)位按鍵連接，所述第二反相器的輸出端連接所述CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳。

進(jìn)一步地，所述第一反相器包括：第一NPN三極管、第一限流電阻和上拉電阻；所述第一NPN三極管的基極通過(guò)所述第一限流電阻連接到所述電容的一端，所述第一NPN三極管的發(fā)射極接地，所述第一NPN三極管的集電極通過(guò)所述上拉電阻與所述電源的正極連接。

進(jìn)一步地，所述復(fù)位電路還包括復(fù)位IC芯片，所述復(fù)位IC芯片連接在所述復(fù)位I/O引腳與第一反相器的輸出端之間。

進(jìn)一步地，所述電容的充電時(shí)間常數(shù)小于所述復(fù)位按鍵按下的時(shí)長(zhǎng)。

進(jìn)一步地，所述第二反相器包括第二NPN三極管和第二限流電阻，所述第二NPN三極管的基極通過(guò)所述第二限流電阻連接到所述復(fù)位按鍵的一端，所述第二NPN三極管的發(fā)射極接地，所述第二NPN三極管的集電極連接所述CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳。

進(jìn)一步地，所述復(fù)位IC芯片規(guī)格為BL8509B-263DCRM。

進(jìn)一步地，所述電源為恒壓輸出電源，所述電源的輸出電壓為3.3V。

進(jìn)一步地，所述電容為貼片陶瓷電容。

采用本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，與已有的公知技術(shù)相比，具有如下有益效果：

(1)電路物理按鍵只保留電源鍵與復(fù)位鍵。

(2)長(zhǎng)按或者短按都會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。

(3)電路簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路的第一電路原理圖；

圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路的第一結(jié)構(gòu)框圖；

圖3示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路的第二電路原理圖；

圖4示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路的第二結(jié)構(gòu)框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將更全面地描述本公開(kāi)的各種實(shí)施例。本公開(kāi)可具有各種實(shí)施例，并且可在其中做出調(diào)整和改變。然而，應(yīng)理解：不存在將本公開(kāi)的各種實(shí)施例限于在此公開(kāi)的特定實(shí)施例的意圖，而是應(yīng)將本公開(kāi)理解為涵蓋落入本公開(kāi)的各種實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)的所有調(diào)整、等同物和/或可選方案。

在下文中，可在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”或“可包括”指示所公開(kāi)的功能、操作或元件的存在，并且不限制一個(gè)或更多個(gè)功能、操作或元件的增加。此外，如在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中所使用，術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”及其同源詞僅意在表示特定特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項(xiàng)的組合，并且不應(yīng)被理解為首先排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項(xiàng)的組合的存在或增加一個(gè)或更多個(gè)特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項(xiàng)的組合的可能性。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一個(gè)”包括同時(shí)列出的文字的任何組合或所有組合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一個(gè)”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的表述(諸如“第一”、“第二”等)可修飾在各種實(shí)施例中的各種組成元件，不過(guò)可不限制相應(yīng)組成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的順序和/或重要性。以上表述僅用于將一個(gè)元件與其它元件區(qū)別開(kāi)的目的。例如，第一用戶(hù)裝置和第二用戶(hù)裝置指示不同用戶(hù)裝置，盡管二者都是用戶(hù)裝置。例如，在不脫離本公開(kāi)的各種實(shí)施例的范圍的情況下，第一元件可被稱(chēng)為第二元件，同樣地，第二元件也可被稱(chēng)為第一元件。

應(yīng)注意到：如果描述將一個(gè)組成元件“連接”到另一組成元件，則可將第一組成元件直接連接到第二組成元件，并且可在第一組成元件和第二組成元件之間“連接”第三組成元件。相反地，當(dāng)將一個(gè)組成元件“直接連接”到另一組成元件時(shí)，可理解為在第一組成元件和第二組成元件之間不存在第三組成元件。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)“用戶(hù)”可指示使用電子裝置的人或使用電子裝置的裝置(例如，人工智能電子裝置)。

在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的并且并非意在限制本公開(kāi)的各種實(shí)施例。如在此所使用，單數(shù)形式意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否則在這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)的各種實(shí)施例所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。所述術(shù)語(yǔ)(諸如在一般使用的詞典中限定的術(shù)語(yǔ))將被解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中的語(yǔ)境含義相同的含義并且將不被解釋為具有理想化的含義或過(guò)于正式的含義，除非在本公開(kāi)的各種實(shí)施例中被清楚地限定。

實(shí)施例1

請(qǐng)一并參閱圖1和圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了復(fù)位與恢復(fù)出廠設(shè)置二合一電路，包括復(fù)位電路、恢復(fù)出廠設(shè)置電路，所述復(fù)位電路的輸入端和所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路的輸入端都通過(guò)復(fù)位按鍵連接電源的正極。所述電源為恒壓輸出電源，在本實(shí)施例中，所述電源的輸出電壓為3.3V。在其他實(shí)施例中電源的輸出電壓可以為5V。所述復(fù)位電路的輸出端連接CPU的復(fù)位I/O引腳，所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路的輸出端連接所述CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳。

所述復(fù)位電路包括電容、第一反相器；所述電容的一端與所述第一反相器的輸入端連接，所述電容的另一端與所述復(fù)位按鍵連接，所述反相器的輸出端連接所述CPU的復(fù)位I/O引腳。

在某一具體實(shí)施例中，所述第一反相器包括NPN三極管Q1、電阻R1和R3，所述NPN三極管Q1的基極通過(guò)電阻R3連接到所述電容C1的一端，所述NPN三極管Q1的發(fā)射極接地，所述NPN三極管Q1的集電極通過(guò)電阻R1與所述電源的正極連接。

所述恢復(fù)出廠設(shè)置電路包括第二反相器；所述第二反相器的輸入端與所述復(fù)位按鍵連接，所述第二反相器的輸出端連接所述CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳。

在某一具體實(shí)施例中，所述第二反相器包括NPN三極管Q2和電阻R2，所述NPN三極管Q2的基極通過(guò)電阻R2連接到所述復(fù)位按鍵的一端，所述NPN三極管Q2的發(fā)射極接地，所述NPN三極管Q2的集電極連接所述CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳。

目前平板電腦使用的大多數(shù)CPU芯片復(fù)位引腳都是低電平脈沖信號(hào)觸發(fā)，恢復(fù)出廠設(shè)置引腳都是低電平信號(hào)觸發(fā)。

下面參閱圖1加以說(shuō)明，在設(shè)備上電后，沒(méi)按復(fù)位按鍵S1的情況下，CPU的復(fù)位I/O引腳為高電平電位，所述高電平的電壓值為3.3V。電路節(jié)點(diǎn)2處的電壓為0V，NPN三極管Q1的發(fā)射極接地，NPN三極管Q1的基極與發(fā)射極兩端的電壓Vbe為0V，NPN三極管Q1處于截止?fàn)顟B(tài)。

當(dāng)復(fù)位按鍵S1被按下，電路節(jié)點(diǎn)2處的電壓由原來(lái)的0V變?yōu)殡娫吹碾妷褐?.3V，此時(shí)電路節(jié)點(diǎn)2處的電平被拉高，電容器C1開(kāi)始被充電，此時(shí)電容C1相當(dāng)于導(dǎo)線導(dǎo)通，加載在NPN三極管Q1基極與發(fā)射極兩端的電壓Vbe遠(yuǎn)大于導(dǎo)通電壓，NPN三極管Q1處于飽和狀態(tài)。NPN三極管Q1集電極與發(fā)射極兩端的電壓Vce近似為0V。NPN三極管Q1的集電極的電平被立即拉低。

隨著電容器C1逐漸被充電，電容器C1兩端電壓逐漸增大，由于電路節(jié)點(diǎn)2處的電壓維持不變，NPN三極管Q1的基極電壓逐漸變小，當(dāng)NPN三極管Q1基極與發(fā)射極兩端的電壓Vbe小于導(dǎo)通電壓，會(huì)觸發(fā)NPN三極管Q1變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。當(dāng)電容器C1充電完成后，電容器C1相當(dāng)于斷路，NPN三極管Q1的基極電流為0，這也會(huì)觸發(fā)NPN三極管Q1變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。當(dāng)NPN三極管Q1變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，NPN三極管Q1的集電極的電平又被拉高。

隨著NPN三極管Q1的集電極的電平有原來(lái)的高電平被拉低，接著又被拉高，就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)低電平脈沖信號(hào)，所以電路的節(jié)點(diǎn)4端會(huì)產(chǎn)生所述復(fù)位I/O引腳所需的低電平脈沖信號(hào)觸發(fā)所述設(shè)備執(zhí)行復(fù)位操作。

所述電容C1的充電時(shí)間常數(shù)小于所述復(fù)位按鍵按下的時(shí)長(zhǎng)。不論復(fù)位按鍵S1長(zhǎng)按下還是短按下時(shí)，電路節(jié)點(diǎn)2處的電壓都會(huì)通過(guò)電容器C1和NPN三極管Q1會(huì)得到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)從3.3V拉到0V再回到3.3V復(fù)位信號(hào)。所述CPU接收到該低電平脈沖復(fù)位信號(hào)，在設(shè)備處于死機(jī)或開(kāi)關(guān)機(jī)的情況都會(huì)掉電重啟。

在設(shè)備上電后，沒(méi)按復(fù)位鍵S1的情況下，CPU的恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳為高電平電位，所述高電平的電壓值為3.3V。電路節(jié)點(diǎn)2處的電壓為0V，NPN三極管Q2的發(fā)射極都接地，NPN三極管Q2的基極與發(fā)射極兩端的電壓Vbe為0V，NPN三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)。

當(dāng)復(fù)位按鍵S1被按下，電路節(jié)點(diǎn)2處的電壓由原來(lái)的0V變?yōu)殡娫吹碾妷褐?.3V，此時(shí)電路節(jié)點(diǎn)2處的電平被拉高，加載在NPN三極管Q2基極與發(fā)射極兩端的電壓Vbe遠(yuǎn)大于導(dǎo)通電壓，NPN三極管Q2處于飽和狀態(tài)。NPN三極管Q2集電極與發(fā)射極兩端的電壓Vce近似為0V。NPN三極管Q2的集電極的電壓由原來(lái)的3.3V變?yōu)?V電平被拉低。所以電路的節(jié)點(diǎn)3端會(huì)產(chǎn)生所述恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳所需的低電平信號(hào)。只要復(fù)位按鍵S1一直被按下，電路的節(jié)點(diǎn)3端的電平就一直為低電平。如果復(fù)位按鍵S1一旦松開(kāi)，電路的節(jié)點(diǎn)3端的電平就會(huì)變?yōu)楦唠娖健?/p>

復(fù)位按鍵S1做正常的復(fù)位功能使用時(shí)，在設(shè)備上電后長(zhǎng)按或短按復(fù)位按鍵S1，電源電壓經(jīng)過(guò)復(fù)位按鍵S1對(duì)電容C1充電，因電容的充電特性，NPN三極管Q1的基極輸入端會(huì)得到一個(gè)脈沖電壓，這個(gè)脈沖電壓經(jīng)過(guò)NPN三極管Q1反相，得到一個(gè)CPU復(fù)位所需的低電平脈沖信號(hào)，該低電平脈沖信號(hào)觸發(fā)CPU執(zhí)行復(fù)位操作。CPU對(duì)恢復(fù)出廠設(shè)置I/O引腳3端的信號(hào)只在設(shè)備冷啟動(dòng)時(shí)才識(shí)別，開(kāi)機(jī)后是不作識(shí)別，因而不會(huì)影響正常的復(fù)位操作。

復(fù)位按鍵S1做恢復(fù)出廠設(shè)置功能使用時(shí)，在設(shè)備還沒(méi)開(kāi)機(jī)前按著復(fù)位按鍵S1不放，因電容器C1的充電特性，電路節(jié)點(diǎn)4端也會(huì)得到一個(gè)低電平脈沖復(fù)位信號(hào)，但是在關(guān)機(jī)狀態(tài)下，該復(fù)位信號(hào)對(duì)設(shè)備無(wú)影響，等這個(gè)復(fù)位信號(hào)過(guò)后按電源鍵啟動(dòng)設(shè)備，在設(shè)備啟動(dòng)的過(guò)程中因復(fù)位按鍵S1一直被按下，電源的高電壓經(jīng)過(guò)NPN三極管Q2反相，電路節(jié)點(diǎn)3端為低電平信號(hào)，這時(shí)CPU檢測(cè)到低電平信號(hào)就進(jìn)入恢復(fù)出廠設(shè)置模式?；謴?fù)出廠設(shè)置模式只有在設(shè)備冷啟動(dòng)時(shí)才檢測(cè)，并檢測(cè)到有5秒以上的低平信號(hào)才進(jìn)入恢復(fù)出廠設(shè)置模式，其它狀態(tài)都不起作用。所以恢復(fù)出廠設(shè)置要長(zhǎng)按復(fù)位按鍵S1達(dá)到預(yù)設(shè)的時(shí)長(zhǎng)。

一般的復(fù)位電位都是通過(guò)按下復(fù)位按鍵并松開(kāi)復(fù)位按鍵來(lái)產(chǎn)生CPU復(fù)位所示的低電平脈沖信號(hào)，本申請(qǐng)中的實(shí)施例中通過(guò)電容的充電來(lái)實(shí)現(xiàn)所需的脈沖信號(hào)。

實(shí)施例2

請(qǐng)一并參閱圖3和圖4所示，本實(shí)用新型實(shí)施例是在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上在復(fù)位電路中增加了復(fù)位IC芯片，以提高復(fù)位電路的抗干擾能力。

如圖3所示，所述復(fù)位IC芯片連接在所述復(fù)位I/O引腳與第一反相器的輸出端之間。

增加了復(fù)位IC芯片，主要可以大大提高CPU的復(fù)位性能，其原理是通過(guò)確定的電壓值(閾值)啟動(dòng)復(fù)位操作，同時(shí)排除瞬間干擾的影響，可防止CPU在電源啟動(dòng)和關(guān)閉期間的誤操作，保證數(shù)據(jù)安全。

一般使用的阻容復(fù)位方式穩(wěn)定性極差，常常有按了復(fù)位沒(méi)反應(yīng)的情況發(fā)生，要按一段時(shí)間才能復(fù)位的經(jīng)歷。而且如果使用上電復(fù)位時(shí)，容易產(chǎn)生復(fù)位不成功。電容的溫度性比較敏感，在特殊環(huán)境中，復(fù)位的電平寬度變化十分大，造成芯片不動(dòng)作，或者在強(qiáng)干擾下誤動(dòng)作。所以在本實(shí)施例中使用復(fù)位IC芯片。

所述復(fù)位IC芯片優(yōu)選3管腳的BL8509B-263DCRM。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個(gè)優(yōu)選實(shí)施場(chǎng)景的示意圖，附圖中的模塊或流程并不一定是實(shí)施本實(shí)用新型所必須的。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解實(shí)施場(chǎng)景中的裝置中的模塊可以按照實(shí)施場(chǎng)景描述進(jìn)行分布于實(shí)施場(chǎng)景的裝置中，也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實(shí)施場(chǎng)景的一個(gè)或多個(gè)裝置中。上述實(shí)施場(chǎng)景的模塊可以合并為一個(gè)模塊，也可以進(jìn)一步拆分成多個(gè)子模塊。

上述本實(shí)用新型序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施場(chǎng)景的優(yōu)劣。

以上公開(kāi)的僅為本實(shí)用新型的幾個(gè)具體實(shí)施場(chǎng)景，但是，本實(shí)用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。