1.一種計及溫濕度影響的plp保護范圍修正方法，其特征在于，所述計及溫濕度影響的plp保護范圍修正方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述實際水汽飽和含量和參考環(huán)境中的參考相對空氣濕度，計算參考環(huán)境中所述參考相對空氣濕度對應(yīng)的參考絕對空氣濕度的步驟包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參考絕對空氣濕度，計算參考環(huán)境中參考實際溫度對應(yīng)的實際參考正離子遷移率的步驟包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參考絕對空氣濕度，計算在目標溫度下所述參考絕對空氣濕度對應(yīng)的參考正離子遷移率的步驟包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述將所述參考正離子遷移率轉(zhuǎn)換為所述參考實際溫度對應(yīng)的所述實際參考正離子遷移率的步驟包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述計算所述實際參考正離子遷移率與所述實際正離子遷移率在所述plp釋放等離子體時間內(nèi)的位移差的步驟包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述位移差對所述plp保護范圍進行修正的步驟包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述位移差和所述當前實際高度，計算所述plp修正后的實際高度的步驟包括：
9.一種plp裝置，其特征在于，所述plp裝置包括：底座、針座和陣列抗雷針桿；其中所述plp裝置的對地高度為通過權(quán)利要求1至8任一項計及溫濕度影響的plp保護范圍修正方法所計算得到的修正后的實際高度，所述plp裝置的保護范圍半徑為通過權(quán)利要求1至8任一項計及溫濕度影響的plp保護范圍修正方法所計算得到的修正后的保護范圍半徑。
10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計及溫度和濕度影響的plp保護范圍修正程序，所述計及溫度和濕度影響的plp保護范圍修正程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至8中任一項所述的計及溫濕度影響的plp保護范圍修正方法的步驟。