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      工藝設(shè)計(jì)類型之間的電路設(shè)計(jì)移植的制作方法

      文檔序號(hào):8282480閱讀:396來源:國(guó)知局
      工藝設(shè)計(jì)類型之間的電路設(shè)計(jì)移植的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本發(fā)明總的來說涉及電路設(shè)計(jì),更具體地,涉及工藝設(shè)計(jì)類型之間的電路設(shè)計(jì)移植。
      【背景技術(shù)】
      [0002]電路設(shè)計(jì)通常模擬具有一個(gè)或多個(gè)器件的電路的布局,諸如,一個(gè)或多個(gè)晶體管、0PAMPS、電流型邏輯塊、模擬器件、級(jí)聯(lián)電流鏡等。這樣的器件根據(jù)多種電路拓?fù)湫再|(zhì)或器件參數(shù)(諸如溝道寬度、溝道長(zhǎng)度、多晶到多晶間隔(Poly-to-poIy spacing)、多晶密度、或多種其他參數(shù)或約束)被放在并且按大小排列在電路設(shè)計(jì)內(nèi)。根據(jù)工藝設(shè)計(jì)類型(諸如,90nm處理環(huán)境)產(chǎn)生電路設(shè)計(jì)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種方法,包括:將電路設(shè)計(jì)劃分為第一拓?fù)浞懂牶偷诙負(fù)浞懂?,電路設(shè)計(jì)根據(jù)第一工藝設(shè)計(jì)類型指定;確定用于第一拓?fù)浞懂牭膮?shù)的第一有序集合和用于第二拓?fù)浞懂牭膮?shù)的第二有序集合;以及基于參數(shù)的第一有序集合和參數(shù)的第二有序集合,縮放電路設(shè)計(jì)內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)組件,以產(chǎn)生根據(jù)用于電路設(shè)計(jì)的第二工藝設(shè)計(jì)類型指定的移植電路設(shè)計(jì)。
      [0004]優(yōu)選地,該方法包括:模擬第一拓?fù)浞懂牭碾娐吠負(fù)湫袨?,以識(shí)別用于參數(shù)的第一有序集合的第一性能特征。
      [0005]優(yōu)選地,該方法包括:基于第一性能特征,標(biāo)準(zhǔn)化參數(shù)的第一有序集合,對(duì)應(yīng)于第二工藝設(shè)計(jì)類型的新參數(shù)值的標(biāo)準(zhǔn)化參數(shù)滿足第一工藝設(shè)計(jì)類型的舊參數(shù)值。
      [0006]優(yōu)選地,確定參數(shù)的第一有序集合包括:識(shí)別用于第一拓?fù)浞懂牭膮?shù)的第一集合;以及基于尺寸分級(jí)標(biāo)準(zhǔn),對(duì)參數(shù)的第一集合內(nèi)的各個(gè)參數(shù)進(jìn)行排序,以確定參數(shù)的第一有序集合。
      [0007]優(yōu)選地,第一拓?fù)浞懂牥娏麋R拓?fù)浜筒罘謱?duì)拓?fù)渲械闹辽僖粋€(gè)。
      [0008]優(yōu)選地,第一拓?fù)浞懂牥娏麋R拓?fù)?,該方法包?識(shí)別用于第一拓?fù)浞懂爟?nèi)的包含物的Rout參數(shù)和電壓閾值(Vth)參數(shù)中的至少一個(gè)。
      [0009]優(yōu)選地,確定參數(shù)的第一有序集合包括:基于具有比用于電流鏡拓?fù)涞腣th參數(shù)更高等級(jí)的Rout參數(shù),在參數(shù)的第一有序集合內(nèi)將Rout參數(shù)排列在Vth參數(shù)之前。
      [0010]優(yōu)選地,第一拓?fù)浞懂牥ú罘謱?duì)拓?fù)?,該方法包?識(shí)別用于第一拓?fù)浞懂爟?nèi)的包含物的電壓閾值(Vth)參數(shù)、跨導(dǎo)參數(shù)和電流開與電流關(guān)比率(1n/1ff)參數(shù)中的至少一個(gè)。
      [0011]優(yōu)選地,確定參數(shù)的第一有序集合包括:基于具有比用于差分對(duì)拓?fù)涞目鐚?dǎo)參數(shù)更高等級(jí)的Vth參數(shù),在參數(shù)的第二有序集合內(nèi)將Vth參數(shù)排列在跨導(dǎo)參數(shù)之前。
      [0012]優(yōu)選地,確定參數(shù)的第一有序集合包括:基于具有比用于差分拓?fù)涞?n/1ff參數(shù)更高等級(jí)的跨導(dǎo)參數(shù),在參數(shù)的第二有序集合內(nèi)將跨導(dǎo)參數(shù)排列在1n/1ff參數(shù)之前。
      [0013]優(yōu)選地,確定參數(shù)的第一有序集合包括以下至少一個(gè):基于凈空標(biāo)準(zhǔn),對(duì)電壓閾值(Vth)參數(shù)分級(jí);基于Id與Vd靈敏度標(biāo)準(zhǔn),對(duì)Rout參數(shù)分級(jí);基于電壓增益與電流標(biāo)準(zhǔn),對(duì)跨導(dǎo)參數(shù)分級(jí);或基于輸出擺幅衰減標(biāo)準(zhǔn),對(duì)電流開與電流關(guān)比率(1n/1ff)參數(shù)分級(jí)。
      [0014]優(yōu)選地,縮放一個(gè)或多個(gè)組件包括:基于參數(shù)的第一有序集合內(nèi)的第一參數(shù),識(shí)別用于第一組件的初始溝道長(zhǎng)度選擇;以及基于參數(shù)的第一有序集合內(nèi)的第二參數(shù),優(yōu)化用于第一組件的初始溝道長(zhǎng)度選擇,以確定用于移植電路設(shè)計(jì)的溝道長(zhǎng)度。
      [0015]優(yōu)選地,在參數(shù)的第一有序集合內(nèi),第一參數(shù)排列在第二參數(shù)之前。
      [0016]優(yōu)選地,該方法包括:利用電流平方律技術(shù),基于溝道長(zhǎng)度確定用于第一組件的溝道寬度。
      [0017]優(yōu)選地,縮放一個(gè)或多個(gè)組件包括:基于參數(shù)的第一有序集合內(nèi)的電壓閾值(Vth)參數(shù),識(shí)別用于第一組件的第一初始溝道尺寸參數(shù)選擇;基于參數(shù)的第一有序集合內(nèi)的跨導(dǎo)參數(shù),優(yōu)化第一初始溝道尺寸參數(shù)選擇,以產(chǎn)生第二初始溝道尺寸參數(shù)選擇;以及基于參數(shù)的第一有序集合內(nèi)的電流開與電流關(guān)比率(1n/1ff )參數(shù),優(yōu)化第二初始溝道尺寸參數(shù)選擇,以確定用于移植電路設(shè)計(jì)的溝道尺寸參數(shù)。
      [0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種方法,包括:將模擬電路設(shè)計(jì)劃分為電流鏡拓?fù)浞懂牶筒罘謱?duì)拓?fù)浞懂牐娐吩O(shè)計(jì)根據(jù)第一工藝設(shè)計(jì)類型指定;確定用于電流鏡拓?fù)浞懂牭膮?shù)的第一有序集合和用于差分對(duì)拓?fù)浞懂牭膮?shù)的第二有序集合;以及基于參數(shù)的第一有序集合和參數(shù)的第二有序集合,縮放電路設(shè)計(jì)內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)組件,以產(chǎn)生根據(jù)用于模擬電路設(shè)計(jì)的第二工藝設(shè)計(jì)類型指定的移植電路設(shè)計(jì)。
      [0019]優(yōu)選地,模擬電路設(shè)計(jì)包括級(jí)聯(lián)電流鏡、OPAMP和電流型邏輯(CML)中的至少一個(gè)。
      [0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了一種系統(tǒng),包括:劃分組件,配置為將電路設(shè)計(jì)劃分為第一拓?fù)浞懂牶偷诙負(fù)浞懂?,電路設(shè)計(jì)根據(jù)第一工藝設(shè)計(jì)類型指定;參數(shù)組件,配置為模擬第一拓?fù)浞懂牭碾娐吠負(fù)湫袨橐源_定參數(shù)的第一有序集合,以及模擬第二拓?fù)浞懂牭碾娐吠負(fù)湫袨橐源_定參數(shù)的第二有序集合;以及縮放組件,配置為基于參數(shù)的第一有序集合和參數(shù)的第二有序集合,縮放電路設(shè)計(jì)內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)組件,以產(chǎn)生根據(jù)用于電路設(shè)計(jì)的第二工藝設(shè)計(jì)類型指定的移植電路設(shè)計(jì)。
      [0021]優(yōu)選地,第一拓?fù)浞懂牥娏麋R拓?fù)?,并且劃分組件配置為:識(shí)別用于第一拓?fù)浞懂爟?nèi)的包含物的Rout參數(shù)和電壓閾值(Vth)參數(shù)中的至少一個(gè)。
      [0022]優(yōu)選地,第一拓?fù)浞懂牥ú罘謱?duì)拓?fù)?,劃分組件配置為:識(shí)別用于第一拓?fù)浞懂爟?nèi)的包含物的電壓閾值(Vth)參數(shù)、跨導(dǎo)參數(shù)和電流開與電流關(guān)比率(1n/1ff)參數(shù)中的至少一個(gè)。
      【附圖說明】
      [0023]圖1是示出根據(jù)一些實(shí)施例的將電路設(shè)計(jì)從第一工藝設(shè)計(jì)類型移植到第二工藝設(shè)計(jì)類型的方法的流程圖。
      [0024]圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的用于構(gòu)造模擬電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)拓?fù)浞懂?topology category)的圖解。
      [0025]圖3A是根據(jù)一些實(shí)施例的用于劃分電路設(shè)計(jì)的系統(tǒng)的圖解。
      [0026]圖3B是根據(jù)一些實(shí)施例的將電路設(shè)計(jì)劃分為電流鏡拓?fù)浞懂牶筒罘謱?duì)拓?fù)浞懂牭膱D解。
      [0027]圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的用于將電路設(shè)計(jì)從第一工藝設(shè)計(jì)類型移植到第二工藝設(shè)計(jì)類型作為移植電路設(shè)計(jì)的系統(tǒng)的圖解。
      [0028]圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的識(shí)別初始溝道長(zhǎng)度選擇的圖解。
      [0029]圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的優(yōu)化初始溝道長(zhǎng)度選擇的圖解。
      [0030]圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的用于電路設(shè)計(jì)的移植電路設(shè)計(jì)的電路設(shè)計(jì)布局尺寸估計(jì)的圖解。
      [0031]圖8是示例性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的圖解,其中,可以包括配置為具體化本文闡述的一個(gè)或多個(gè)規(guī)定的處理器可執(zhí)行指令。
      [0032]圖9示出了可以實(shí)現(xiàn)本文闡述的一個(gè)或多個(gè)規(guī)定的示例性計(jì)算環(huán)境。
      【具體實(shí)施方式】
      [0033]現(xiàn)在根據(jù)附圖描述所要求保護(hù)的主題,其中,貫穿說明書,相同的參考數(shù)字通常用于指相同的元件。在以下說明書中,為了說明的目的,闡述大量具體細(xì)節(jié),以提供所要求保護(hù)的主題的理解。然而,明顯地,可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下,實(shí)踐所要求保護(hù)的主題。在其他情況下,以框圖形式示出結(jié)構(gòu)和器件,以便于描述所要求保護(hù)的主題。
      [0034]本文提供了用于將電路設(shè)計(jì)從第一工藝設(shè)計(jì)類型移植到第二工藝設(shè)計(jì)類型的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和技術(shù)。根據(jù)諸如90nm處理環(huán)境的第一工藝設(shè)計(jì)類型,設(shè)計(jì)諸如包括一個(gè)或多個(gè)組件(諸如晶體管、0PAMPS、電流型邏輯(CML)、級(jí)聯(lián)電流鏡等)的模擬電路的電路設(shè)計(jì)。根據(jù)設(shè)計(jì)約束、尺寸約束、間隔約束、或用于第一工藝設(shè)計(jì)類型的其他設(shè)計(jì)規(guī)則放置和按大小排列電路設(shè)計(jì)內(nèi)的這些組件的結(jié)構(gòu)。電路設(shè)計(jì)從第一設(shè)計(jì)工藝類型被移植到第二設(shè)計(jì)工藝類型,諸如50nm處理環(huán)境。然而,用于第一工藝設(shè)計(jì)類型的設(shè)計(jì)規(guī)則的滿足不保證電路設(shè)計(jì)將滿足用于第二工藝設(shè)計(jì)類型的設(shè)計(jì)規(guī)則。因此,如本文所提供的,電路設(shè)計(jì)有效地從第一工藝設(shè)計(jì)類型被移植到第二工藝設(shè)計(jì)類型,從而使得晶體管尺寸調(diào)整、性能分析、面積估計(jì)、
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