觸摸基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，具體地，涉及一種觸摸基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]觸摸顯示屏廣泛地應用在智能手機、平板電腦等智能終端設備上，其包括顯示面板和觸摸屏。按照實現觸摸的原理，觸摸屏主要分為電阻式觸摸屏、電容式觸摸屏、表面聲波觸摸屏等；其中，電容式觸摸屏通過其內部的觸控電極與人的手指產生耦合電容實現對觸摸動作的識別。
[0003]在觸摸顯示屏中，由于至少部分區(qū)域采用金屬制備的觸控電極會導致以下問題，即:由于金屬具有較高的反射率，來自外界的光線照射在觸控電極的金屬區(qū)域上時會形成反光，在采用上述觸摸屏的觸摸顯示屏中，上述觸控電極的金屬區(qū)域的反光會影響觸摸顯示屏的顯示效果和顯示品質。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種觸摸基板及其制備方法、顯示裝置，所述觸摸基板可以降低，甚至避免反光，從而提高觸摸顯示裝置的顯示效果和顯示品質。
[0005]為實現本發(fā)明的目的而提供一種觸摸基板，包括用于實現觸控的觸控電極，所述觸控電極的反光區(qū)設置有漫反射結構。
[0006]其中，所述漫反射結構包括一個或多個漫反射單元，每個漫反射單元的形狀為半球、圓錐、圓臺、棱錐、棱臺中的至少一種。
[0007]其中，所述漫反射結構包括一個或多個漫反射單元，每個漫反射單元為截面為梯形、半圓形或三角形的柱體。
[0008]其中，所述漫反射結構的反射率小于40%。
[0009]其中，所述漫反射結構的材料為鉬、鉬合金或鉬合金氧化物。
[0010]其中，所述觸控電極包括多條相互平行的第一電極和多條相互平行的第二電極，所述第一電極和第二電極交錯設置，所述第一電極和所述第二電極之間電絕緣。
[0011]在觸控電極的第一種具體結構中，所述第一電極和第二電極由金屬材料構成。
[0012]優(yōu)選地，所述漫反射結構與第二電極的材料不同。
[0013]在觸控電極的第二種具體結構中，所述第一電極為透明電極，每條第二電極包括被多條第一電極隔斷的透明電極部以及將相鄰的透明電極部橋接在一起的橋接部，所述橋接部由金屬材料制成；所述漫反射結構與橋接部的材料不同。
[0014]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種觸摸基板的制備方法，用于制備本發(fā)明提供的上述觸摸基板，所述觸摸基板的制備方法包括:
[0015]制備觸控電極的步驟；
[0016]在觸控電極的與所述反光區(qū)對應的區(qū)域制備漫反射結構的步驟。
[0017]其中，所述觸摸基板中的觸控電極為其第一種具體結構的上述優(yōu)選方案，制備觸控電極的步驟包括:
[0018]通過構圖工藝形成第一電極的圖形；
[0019]通過構圖工藝形成第二電極的圖形；
[0020]所述漫反射結構在形成所述第二電極的圖形的構圖工藝中形成。
[0021]其中，制備第二電極和漫反射結構的構圖工藝包括:
[0022]依次沉積金屬薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層；
[0023]使用灰階掩模板/半色調掩模板對所述光刻膠層進行曝光，并顯影，使對應用于形成漫反射結構的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應用于形成第二電極、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除;
[0024]通過刻蝕，將第三區(qū)域內的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內的金屬薄膜暴露，獲得與第一電極對應的漫反射結構的圖形；
[0025]通過刻蝕，將第三區(qū)域內的金屬薄膜去除，獲得第二電極的圖形；
[0026]對光刻膠區(qū)域進行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并通過刻蝕，將第二區(qū)域內的漫反射薄膜去除，使第二區(qū)域內的金屬薄膜暴露，獲得與第二電極對應的漫反射結構的圖形；
[0027]將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
[0028]其中，制備第二電極和漫反射結構的構圖工藝包括:
[0029]依次沉積金屬薄膜、保護層薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層；
[0030]使用灰階掩模板/半色調掩模板對所述光刻膠層進行曝光，并顯影，使對應用于形成漫反射結構的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應用于形成第二電極、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除;
[0031]通過刻蝕，將第三區(qū)域內的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內的保護層薄膜暴露，獲得與第一電極對應的漫反射結構的圖形；
[0032]通過依次刻蝕，將第三區(qū)域內的保護層薄膜、金屬薄膜去除，獲得第二電極的圖形；
[0033]對光刻膠區(qū)域進行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并至少通過刻蝕，將第二區(qū)域內的漫反射薄膜去除，獲得與第二電極對應的漫反射結構的圖形；
[0034]將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
[0035]其中，所述觸摸基板中的觸控電極為其第二種具體結構，制備觸控電極的步驟包括:
[0036]通過構圖工藝形成第一電極，以及第二電極的透明電極部的圖形；
[0037]通過構圖工藝形成第二電極的橋接部的圖形；
[0038]所述漫反射結構在形成所述第二電極的橋接部的圖形的構圖工藝中形成。
[0039]其中，制備第二電極的橋接部和漫反射結構的構圖工藝包括:
[0040]依次沉積金屬薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層；
[0041]使用灰階掩模板/半色調掩模板對所述光刻膠層進行曝光，并顯影，使對應用于形成漫反射結構的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應用于形成橋接部、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除;
[0042]通過刻蝕，將第三區(qū)域內的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內的金屬薄膜暴露，獲得與第一電極對應的漫反射結構的圖形；
[0043]通過刻蝕，將第三區(qū)域內的金屬薄膜去除，獲得橋接部的圖形；
[0044]對光刻膠區(qū)域進行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并通過刻蝕，將第二區(qū)域內的漫反射薄膜去除，使第二區(qū)域內的金屬薄膜暴露，獲得與橋接部對應的漫反射結構的圖形；
[0045]將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
[0046]其中，制備第二電極的橋接部和漫反射結構的構圖工藝包括:
[0047]依次沉積金屬薄膜、保護層薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層；
[0048]使用灰階掩模板/半色調掩模板對所述光刻膠層進行曝光，并顯影，使對應用于形成漫反射結構的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應用于形成橋接部、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除;
[0049]通過刻蝕，將第三區(qū)域內的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內的保護層薄膜暴露，獲得與第一電極對應的漫反射結構的圖形；