個漫反射單元，每個漫反射單元為截面為梯形、半圓形或三角形的柱體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸基板，其特征在于，所述漫反射結(jié)構(gòu)的反射率小于40%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述的觸摸基板，其特征在于，所述漫反射結(jié)構(gòu)的材料為鉬、鉬合金或鉬合金氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸基板，其特征在于，所述觸控電極包括多條相互平行的第一電極和多條相互平行的第二電極，所述第一電極和第二電極交錯設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極之間電絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸摸基板，其特征在于，所述第一電極和第二電極由金屬材料構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸摸基板，其特征在于，所述漫反射結(jié)構(gòu)與第二電極的材料不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸摸基板，其特征在于，所述第一電極為透明電極，每條第二電極包括被多條第一電極隔斷的透明電極部以及將相鄰的透明電極部橋接在一起的橋接部，所述橋接部由金屬材料制成，所述漫反射結(jié)構(gòu)設(shè)置于與所述橋接部對應(yīng)的區(qū)域。
10.一種觸摸基板的制備方法，用于制備權(quán)利要求1?9任意一項(xiàng)所述的觸摸基板，其特征在于，所述觸摸基板的制備方法包括: 制備觸控電極的步驟； 在與觸控電極的反光區(qū)對應(yīng)的區(qū)域制備漫反射結(jié)構(gòu)的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，所述觸摸基板為權(quán)利要求8所述觸摸基板，制備觸控電極的步驟包括: 通過構(gòu)圖工藝形成第一電極的圖形； 通過構(gòu)圖工藝形成第二電極的圖形； 所述漫反射結(jié)構(gòu)在形成所述第二電極的圖形的構(gòu)圖工藝中形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，制備第二電極和漫反射結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖工藝包括: 依次沉積金屬薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層； 使用灰階掩模板/半色調(diào)掩模板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光，并顯影，使對應(yīng)用于形成漫反射結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應(yīng)用于形成第二電極、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除; 通過刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜暴露，獲得與第一電極對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 通過刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜去除，獲得第二電極的圖形； 對光刻膠區(qū)域進(jìn)行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并通過刻蝕，將第二區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，使第二區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜暴露，獲得與第二電極對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，制備第二電極和漫反射結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖工藝包括: 依次沉積金屬薄膜、保護(hù)層薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層； 使用灰階掩模板/半色調(diào)掩模板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光，并顯影，使對應(yīng)用于形成漫反射結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應(yīng)用于形成第二電極、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除; 通過刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層薄膜暴露，獲得與第一電極對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 通過依次刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層薄膜、金屬薄膜去除，獲得第二電極的圖形； 對光刻膠區(qū)域進(jìn)行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并至少通過刻蝕，將第二區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，獲得與第二電極對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，所述觸摸基板為權(quán)利要求9所述的觸摸基板，制備觸控電極的步驟包括: 通過構(gòu)圖工藝形成第一電極，以及第二電極的透明電極部的圖形； 通過構(gòu)圖工藝形成第二電極的橋接部的圖形； 所述漫反射結(jié)構(gòu)在形成所述第二電極的橋接部的圖形的構(gòu)圖工藝中形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，制備第二電極的橋接部和漫反射結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖工藝包括: 依次沉積金屬薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層； 使用灰階掩模板/半色調(diào)掩模板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光，并顯影，使對應(yīng)用于形成漫反射結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應(yīng)用于形成橋接部、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除；通過刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜暴露，獲得與第一電極對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 通過刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜去除，獲得橋接部的圖形； 對光刻膠區(qū)域進(jìn)行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并通過刻蝕，將第二區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，使第二區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜暴露，獲得與橋接部對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，制備第二電極的橋接部和漫反射結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖工藝包括: 依次沉積金屬薄膜、保護(hù)層薄膜和漫反射薄膜，以及在漫反射薄膜的表面涂覆光刻膠層； 使用灰階掩模板/半色調(diào)掩模板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光，并顯影，使對應(yīng)用于形成漫反射結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的光刻膠的厚度大于對應(yīng)用于形成橋接部、且位于第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的光刻膠的厚度，以及使第一區(qū)域、第二區(qū)域外的第三區(qū)域的光刻膠完全去除； 通過刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，使第三區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層薄膜暴露，獲得與第一電極對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 通過依次刻蝕，將第三區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層薄膜、金屬薄膜去除，獲得橋接部的圖形； 對光刻膠區(qū)域進(jìn)行灰化，使第二區(qū)域的光刻膠完全去除，以及使第一區(qū)域保留光刻膠，并至少通過刻蝕，將第二區(qū)域內(nèi)的漫反射薄膜去除，獲得與橋接部對應(yīng)的漫反射結(jié)構(gòu)的圖形； 將第一區(qū)域保留的光刻膠剝離。
17.根據(jù)權(quán)利要求12或15所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，對漫反射薄膜的刻蝕采用干法刻蝕，對金屬薄膜的刻蝕采用濕法刻蝕；或者 對漫反射薄膜的刻蝕采用濕法刻蝕，對金屬薄膜的刻蝕采用干法刻蝕。
18.根據(jù)權(quán)利要求13或16所述的觸摸基板的制備方法，其特征在于，對漫反射薄膜和保護(hù)層薄膜的刻蝕均采用濕法刻蝕，且能刻蝕漫反射層的刻蝕液的集合，與能刻蝕保護(hù)層的刻蝕液的集合的差集至少包括一種刻蝕液。
19.一種顯示裝置，包括觸摸基板，其特征在于，所述觸摸基板采用權(quán)利要求1?9任意一項(xiàng)所述的觸摸基板。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種觸摸基板及其制備方法、顯示裝置，所述觸摸基板，包括用于實(shí)現(xiàn)觸控的觸控電極，所述觸控電極的反光區(qū)設(shè)置有漫反射結(jié)構(gòu)。所述觸摸基板，其觸控電極的反光區(qū)設(shè)置有漫反射結(jié)構(gòu)，所述漫反射結(jié)構(gòu)可以將來自外界的射向觸控電極的反光區(qū)的光線向不同的方向散射，從而可以改善反光，甚至避免出現(xiàn)反光，進(jìn)而可以提高觸摸顯示裝置的顯示效果和顯示品質(zhì)。
【IPC分類】G06F3-044, G02F1-1333
【公開號】CN104820533
【申請?zhí)枴緾N201510266857
【發(fā)明人】黎午升, 曹占鋒
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年5月22日