一種芯片溫控管理方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片溫控管理方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]為了解決芯片長時(shí)間運(yùn)行在高頻高電壓運(yùn)行環(huán)境下，導(dǎo)致芯片損壞的問題，嵌入式移動設(shè)備芯片都帶有溫控機(jī)制。如圖1所示，現(xiàn)有的技術(shù)針對溫控機(jī)制的處理就是為芯片預(yù)設(shè)溫度與頻率的對應(yīng)閾值，也就是說中央處理器的溫度超過一定閾值時(shí)，頻率電壓管理單元將會按照預(yù)設(shè)的方案，將芯片運(yùn)行的頻率降低下來，以達(dá)到調(diào)節(jié)溫度。那么這里就存在一個(gè)問題，同一批次的芯片都有工藝的偏差等因素，導(dǎo)致它們在相同頻率下工作時(shí)的發(fā)熱量不同，那么上述的閾值就無法統(tǒng)一。所以現(xiàn)有技術(shù)為了兼容性和穩(wěn)定性，將溫度閾值對應(yīng)的頻率設(shè)置的很低，那么對于工藝較好的芯片，會造成性能的損失。尤其還需要考慮相同芯片在不同整機(jī)版型的機(jī)器中，由于整機(jī)散熱性的差異導(dǎo)致即使是同一顆芯片在不同的整機(jī)中的散熱情況也不同。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種“電子裝置及用于該裝置的散熱控制方法”，見公開號為:CN103163997A，公開日為:2013-06-19的中國專利，該電子裝置，包括一本體、一芯片、一控制器、一第一光感測器及一顯不面板。本體具有一第一表面與一第二表面。芯片與控制器設(shè)置于本體中。第一光感測器設(shè)置于第一表面上，顯示面板設(shè)置于第二表面上。第一光感測器收集一外部光線信號，當(dāng)外部光線信號低于一設(shè)定值，控制器依據(jù)該外部光線信號比較結(jié)果降低芯片的工作頻率以降低電子裝置的發(fā)熱量。雖然該發(fā)明也是通過降低芯片的工作頻率以降低電子裝置的發(fā)熱量，但是該發(fā)明所采用的是外部光線信號比較結(jié)果進(jìn)行判斷，且該發(fā)明不能實(shí)現(xiàn)針對不同芯片，不同整機(jī)動態(tài)調(diào)整溫控管理機(jī)制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之一，在于提供一種芯片溫控管理系統(tǒng)，能夠針對不同芯片，不同整機(jī)動態(tài)調(diào)整溫控管理機(jī)制，從而解決芯片長時(shí)間運(yùn)行在高頻高電壓運(yùn)行環(huán)境下，導(dǎo)致芯片損壞的問題。
[0005]本發(fā)明問題之一是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種芯片溫控管理系統(tǒng)，包括溫頻測試單元、頻率電壓管理單元、中央處理器以及溫度傳感器；所述溫頻測試單元、頻率電壓管理單元、中央處理器、溫度傳感器依次連接，
[0006]所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個(gè)頻率下中央處理器的溫度，生成當(dāng)前芯片與板級環(huán)境下的中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格；
[0007]頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率，并從所述對照表格中查詢該芯片和板級環(huán)境下中央處理器此時(shí)運(yùn)行的頻率所對應(yīng)的溫度，同時(shí)判斷溫度傳感器此時(shí)獲得的溫度數(shù)值是否超過對照表格中查詢獲的溫度，是，則控制中央處理器選擇下一檔位的頻率進(jìn)行運(yùn)行，否，則不進(jìn)行操作。
[0008]進(jìn)一步的，所述板級環(huán)境由三個(gè)元素形成，三個(gè)元素為:芯片對應(yīng)的電路板、芯片運(yùn)行時(shí)的溫度以及芯片的外殼模具；所述芯片運(yùn)行的溫度是通過傳感器進(jìn)行采集獲得，芯片對應(yīng)的電路板和外殼模具是芯片形成后已確定。
[0009]進(jìn)一步的，所述溫頻測試單元運(yùn)行后，讀取磁盤中是否存在中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格，是，則直接進(jìn)入芯片正常運(yùn)行狀態(tài)，頻率電壓管理單元開始運(yùn)行；否，則所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，來獲得對照表格。
[0010]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之二，在于提供一種芯片溫控管理方法，能夠針對不同芯片，不同整機(jī)動態(tài)調(diào)整溫控管理機(jī)制，從而解決芯片長時(shí)間運(yùn)行在高頻高電壓運(yùn)行環(huán)境下，導(dǎo)致芯片損壞的問題。
[0011]本發(fā)明問題之二是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種芯片溫控管理方法，所述方法需提供一溫頻測試單元、一頻率電壓管理單元、一中央處理器以及一溫度傳感器；
[0012]所述方法具體為:
[0013]所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個(gè)頻率下中央處理器的溫度；
[0014]所述溫頻測試單元生成當(dāng)前芯片與板級環(huán)境下的中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格；
[0015]頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率；
[0016]頻率電壓管理單元，從對照表格中查詢該芯片和板級環(huán)境下中央處理器此時(shí)運(yùn)行的頻率所對應(yīng)的溫度，判斷溫度傳感器此時(shí)獲得的溫度數(shù)值是否超過對照表格中查詢獲的溫度，是，則控制中央處理器選擇下一檔位的頻率進(jìn)行運(yùn)行，否，則不進(jìn)行操作。
[0017]進(jìn)一步的，所述板級環(huán)境的判斷具體為:所述板級環(huán)境由三個(gè)元素形成，三個(gè)元素為:芯片對應(yīng)的電路板、芯片運(yùn)行時(shí)的溫度以及芯片的外殼模具；所述芯片運(yùn)行的溫度是通過傳感器進(jìn)行采集獲得，芯片對應(yīng)的電路板和外殼模具是芯片形成后已確定。
[0018]進(jìn)一步的，所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個(gè)頻率下中央處理器的溫度，之前還包括:所述溫頻測試單元運(yùn)行后，讀取磁盤中是否存在中央處理器運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格，是，則直接進(jìn)入“所述頻率電壓管理單元，在芯片正常運(yùn)行后提高中央處理器的運(yùn)行頻率”的步驟；否，則進(jìn)入“所述溫頻測試單元讓中央處理器運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器讀取各個(gè)頻率下中央處理器的溫度，”的步驟。
[0019]本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明的系統(tǒng)中內(nèi)置一溫頻測試單元，在讀取系統(tǒng)負(fù)載狀況，判定系統(tǒng)處于閑置狀態(tài)下時(shí)，不斷的要求頻率電壓管理單元提高中央處理器的頻率，并從溫度傳感器實(shí)時(shí)采樣溫度，針對性的建立頻率與溫度的對應(yīng)關(guān)系的對照表格。該溫頻測試單元只運(yùn)行一次，生成的頻率與溫度對應(yīng)關(guān)系的對照表格保存在磁盤中。后續(xù)頻率電壓管理單元獲得溫度數(shù)值后，從磁盤中讀取對應(yīng)關(guān)系，來指導(dǎo)頻率電壓管理單元進(jìn)行降頻。從而增加了溫控機(jī)制的穩(wěn)定性和靈活性，取得良好的生產(chǎn)效益。
【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)芯片溫控管理結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2為本發(fā)明管理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖3為本發(fā)明方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]請參閱圖2所示，本發(fā)明的一種芯片溫控管理系統(tǒng)，包括溫頻測試單元20、頻率電壓管理單元21、中央處理器22以及溫度傳感器23 ;所述溫頻測試單元20、頻率電壓管理單元21、中央處理器22、溫度傳感器23依次連接，
[0024]所述溫頻測試單元20讓中央處理器22運(yùn)行在不同的頻率下，并利用溫度傳感器23讀取各個(gè)頻率下中央處理器22的溫度(穩(wěn)定后的數(shù)值)，生成當(dāng)前芯片與板級環(huán)境下的中央處理器22運(yùn)行頻率與溫度數(shù)值的對照表格；當(dāng)溫頻測試單元20讀取系統(tǒng)狀態(tài)為進(jìn)入待機(jī)模式，則此時(shí)表明啟動自適應(yīng)測試。
[0025]頻率電壓管理單元21，在