一種具有金屬網(wǎng)格的uv固化型透明導電薄膜及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及導電薄膜技術領域，具體涉及一種具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜及其制備方法。
【背景技術】
[0002]在觸摸屏顯示屏幕中，透明導電薄膜(Transparent Conductive Films，TCF)作為電極元件，是重要的組成配件之一。TCF的類型有很多，主要分為碳納米管透明導電薄膜、石墨烯透明導電薄膜、金屬氧化物透明導電薄膜、高分子透明導電薄膜以及金屬納米線透明導電薄膜。但現(xiàn)有的透明導電薄膜存在導電性能較差，透過度低和制備工藝復雜等缺點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有技術中存在的缺點和不足，本發(fā)明的目的在于提供一種具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜，該透明導電薄膜導電性能好，透過度高，柔軟性好。
[0004]本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜的制備方法，該制備方法具有網(wǎng)格間隙可控，線寬及線高可調(diào)等優(yōu)點，工藝簡單，操作控制方便，質(zhì)量穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
[0005]本發(fā)明的目的通過下述技術方案實現(xiàn):一種具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜，包括透明基材層和涂布于透明基材層上表面的導電薄膜層，導電薄膜層包括導電區(qū)域和絕緣區(qū)域，導電區(qū)域具有由納米金屬線構成的金屬網(wǎng)格，絕緣區(qū)域由納米金屬線圍合形成，金屬網(wǎng)格突出于絕緣區(qū)域。
[0006]本發(fā)明的具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜導電性能好，透過度高，柔軟性好。
[0007]優(yōu)選的，所述透明基材層為經(jīng)過電暈處理的透明聚酯薄膜。電暈處理其原理是利用高頻率高電壓在被處理的塑料表面電暈放電(高頻交流電壓高達5000-15000V/m2)，而產(chǎn)生低溫等離子體，使塑料表面產(chǎn)生游離基反應而使聚合物發(fā)生交聯(lián).表面變粗糙并增加其對極性溶劑的潤濕性-這些離子體由電擊和滲透進入被印體的表面破壞其分子結(jié)構，進而將被處理的表面分子氧化和極化，離子電擊侵蝕表面，以致增加承印物表面的附著能力。電暈處理使承印物表面分子結(jié)構重新排列，產(chǎn)生更多的極性部位，有利于附著外物。
[0008]所述納米金屬線為納米銀線或納米銅線。納米金屬線具有導電性能好、透過度高、容易制備和性質(zhì)柔軟等優(yōu)點。
[0009]所述金屬網(wǎng)格為方形網(wǎng)格。本發(fā)明通過采用上述結(jié)構，導電性能好，透過度高，柔軟性好。
[0010]優(yōu)選的，所述透明基材層的厚度為10-500 μ m。具體地，所述透明基材層的厚度可以為 10 μπκΙΟΟ μηι、200 μηι、300 μηι、400 μπι 或 500 μπι。
[0011]所述導電薄膜層的厚度為10-500nm。具體地，所述導電薄膜層的厚度可以為10nm、lOOnm、200nm、300nm、400nm 或 500nmo
[0012]所述納米金屬線的寬度為1-20 μπι。具體地，所述納米金屬線的寬度可以為1 μm、5 μ m、10 μ m、15 μ m 或 20 μ m。
[0013]優(yōu)選的，所述納米金屬線由納米金屬楽料制得，納米金屬楽料由如下重量份的原料組成:
環(huán)氧丙烯酸脂 8-15份導電金屬55-80份
光引發(fā)劑5-10份
硅烷偶聯(lián)劑 0.08-0.2份咪唑0.1-0.3份
稀釋劑8-13份
固化劑2-5份。
[0014]本發(fā)明的納米金屬漿料通過采用上述原料，并嚴格控制各原料的重量配比，制得的納米金屬漿料導電性能好，質(zhì)地柔軟。
[0015]優(yōu)選的，所述導電金屬為納米銀線、納米銅線、納米銀粉或納米銅粉。本發(fā)明通過采用納米銀線、納米銅線、納米銀粉或納米銅粉作為導電金屬，具有導電性能好、透過度高、容易制備和性質(zhì)柔軟等優(yōu)點。
[0016]優(yōu)選的，所述光引發(fā)劑為2，4，6(三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦。本發(fā)明通過采用2，4，6 (三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦作為光引發(fā)劑，
所述硅烷偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑KH550。本發(fā)明通過采用硅烷偶聯(lián)劑KH550作為硅烷偶聯(lián)劑，可以改善無機物與有機物之間的界面作用，從而大大提高復合材料的性能導電性能。
[0017]優(yōu)選的，所述稀釋劑為環(huán)氧丙烷。本發(fā)明通過采用環(huán)氧丙烷作為稀釋劑，稀釋效果好，材料性能佳。
[0018]所述固化劑為三乙醇胺。本發(fā)明通過采用三乙醇胺作為固化劑，其固化效果好，固化速度快。
[0019]一種具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜的制備方法，包括如下步驟:
(1)取一透明聚酯薄膜作為透明基材層，在透明聚酯薄膜的一面進行清洗并烘干，將烘干后的透明聚酯薄膜進行電暈處理；
(2)將透明聚酯薄膜的電暈處理面朝上作為涂布面，置于滴膠管的下方，移動透明聚酯薄膜，打開滴膠管并擠出納米金屬漿料進行縱向涂布，靜置2-lOs，再進行UV固化；
(3)將縱向涂布并固化后的透明聚酯薄膜旋轉(zhuǎn)90°后，重新置于滴膠管的下方，移動透明聚酯薄膜，打開滴膠管并擠出納米金屬漿料進行橫向涂布，靜置2-lOs，再進行UV固化；
(4)將上述完成縱橫涂布后形成網(wǎng)格的透明聚酯薄膜烘干，形成導電薄膜層，制得具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜。
[0020]本發(fā)明的制備方法具有網(wǎng)格間隙可控，線寬及線高可調(diào)等優(yōu)點，工藝簡單，操作控制方便，質(zhì)量穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
[0021]優(yōu)選的，所述步驟(1)中，電暈處理的電流強度為0.1-0.7A，處理時間為2-lOs。本發(fā)明通過將電流強度控制在0.1-0.7A，處理時間控制在2-10S，可以提高納米金屬漿料的附著力。
[0022]優(yōu)選的，所述步驟(2)和所述步驟(3)中，透明聚酯薄膜的移動速度為0.05-0.6m/min，滴膠管的數(shù)量為4-12個，單個滴膠管的擠出速度為3.5 X 106-4.8 X ΙΟ7 μ m3/min,滴膠管距離透明聚酯薄膜電暈處理面的距離為30-100 μm，UV固化的光照強度為1000-1500W/cm2。本發(fā)明通過將透明聚酯薄膜的移動速度、單個滴膠管的擠出速度、滴膠管距離透明聚酯薄膜電暈處理面的距離、以及UV固化的光照強度控制在上述參數(shù)，使得納米金屬漿料的涂布更加均勻，網(wǎng)格間隙可控，線寬及線高可調(diào)。多個滴膠管呈一排排列，可以一次噴涂多條納米金屬楽束，節(jié)省時間。
[0023]優(yōu)選的，所述步驟(4)中，烘干溫度為80_150°C，烘干時間為10_50s。本申請通過將烘干溫度控制在80-150°C，烘干時間控制在10-50s，納米金屬漿料的固化效果好，制得的UV固化型透明導電薄膜導電性能好，透過度高，柔軟性好。
[0024]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明的具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜導電性能好，透過度高，柔軟性好。
[0025]本發(fā)明的制備方法具有網(wǎng)格間隙可控，線寬及線高可調(diào)等優(yōu)點，工藝簡單，操作控制方便，質(zhì)量穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0026]圖1是本發(fā)明的局部剖視圖。
[0027]圖2是本發(fā)明所述導電薄膜層的結(jié)構示意圖。
圖3是本發(fā)明所述導電薄膜層的縱向涂布示意圖。
圖4是本發(fā)明所述導電薄膜層的橫向涂布示意圖。
[0028]附圖標記為:1 一透明基材層、2—導電薄膜層、21—金屬網(wǎng)格、22—絕緣區(qū)域、31—滴膠管、32—紫外燈。
【具體實施方式】
[0029]為了便于本領域技術人員的理解，下面結(jié)合實施例及附圖1-4對本發(fā)明作進一步的說明，實施方式提及的內(nèi)容并非對本發(fā)明的限定。
[0030]實施例1
見圖1-2，一種具有金屬網(wǎng)格的UV固化型透明導電薄膜，包括透明基材層1和涂布于透明基材層1上表面的導電薄膜層2，導電