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      用于集成電路的工藝變化分析的方法_2

      文檔序號(hào):9687683閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      可以被任意增加或減少。
      [0026]圖1示出了執(zhí)行集成電路的工藝變化分析的方法的一些實(shí)施例的流程圖。
      [0027]圖2示出了與圖1的方法相對(duì)應(yīng)的一些實(shí)施例的框圖。
      [0028]圖3示出了用于執(zhí)行圖1的方法的系統(tǒng)的框圖。
      [0029]圖4示出了執(zhí)行集成電路的工藝變化分析的方法的一些附加實(shí)施例的框圖。
      [0030]圖5A示出了用于重建圖4的方法中的網(wǎng)表的方法的一些實(shí)施例的流程圖。
      [0031]圖5B和圖5C示出了與圖5A的方法相對(duì)應(yīng)的重建之前和之后的網(wǎng)表的一些實(shí)施例。
      [0032]圖6示出了用于執(zhí)行圖4的方法中的器件參數(shù)分析的方法的一些實(shí)施例的流程圖。
      [0033]圖7示出了用于執(zhí)行圖4的方法中的工藝參數(shù)分析的方法的一些實(shí)施例的流程圖。
      [0034]圖8示出了用于對(duì)圖4的方法中的Monte Carlo (MC)樣本進(jìn)行分類(lèi)的方法的一些實(shí)施例的流程圖。
      [0035]圖9示出了用于執(zhí)行圖4的方法中的MC模擬的方法的一些實(shí)施例的流程圖。
      [0036]圖10示出了與圖4的方法相對(duì)應(yīng)的用于執(zhí)行集成電路的工藝變化分析的系統(tǒng)的一些實(shí)施例的示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0037]本發(fā)明提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?,用于?shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。以下將描述組件和布置的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然,這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例,也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。另外,本發(fā)明可以在多個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。
      [0038]通常,用于預(yù)測(cè)集成電路的產(chǎn)量的Monte Carlo (MC)模擬使用網(wǎng)表和工藝模型,該網(wǎng)表描述與不同器件類(lèi)型相對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)電子器件的互連,工藝模型基于限定用于制造器件類(lèi)型的工藝的工藝參數(shù)來(lái)描述器件類(lèi)型的端子之間的關(guān)系。根據(jù)網(wǎng)表和工藝模型,MC模擬可以隨機(jī)生成捕獲工藝變化的MC樣本并且可以處理MC樣本,直到達(dá)到停止條件。為了處理MC樣本,將網(wǎng)表中的工藝參數(shù)設(shè)置為MC樣本的對(duì)應(yīng)值,并且模擬網(wǎng)表以確定一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)的值。將一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)與設(shè)計(jì)規(guī)范相比較,以確定MC樣本是否滿(mǎn)足設(shè)計(jì)規(guī)范。例如,通過(guò)導(dǎo)致電壓增益為13的性能參數(shù)值的MC樣本來(lái)滿(mǎn)足要求電壓增益介于10與15之間的設(shè)計(jì)規(guī)范。一旦達(dá)到停止條件,就根據(jù)滿(mǎn)足設(shè)計(jì)規(guī)范的MC樣本與被處理的MC樣本總數(shù)的比率來(lái)計(jì)算產(chǎn)量。
      [0039]通過(guò)這種方法來(lái)預(yù)測(cè)產(chǎn)量是導(dǎo)致緩慢設(shè)計(jì)迭代的計(jì)算密集緩慢的工藝。這是因?yàn)樵陬A(yù)測(cè)產(chǎn)量之前處理所有的MC樣本,并且還因?yàn)橐瑫r(shí)考慮局部工藝參數(shù)(即,集成電路的單獨(dú)電子器件特有的參數(shù))和全局工藝參數(shù)(即,集成電路的所有電子器件公共的參數(shù))。
      [0040]在各個(gè)實(shí)施例中,本申請(qǐng)涉及用于工藝變化分析(如,產(chǎn)量預(yù)測(cè))的方法以及采用該方法的系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中,根據(jù)MC樣本對(duì)模擬的影響(即,MC樣本與設(shè)計(jì)規(guī)范的限制的接近程度),該方法通過(guò)對(duì)MC樣本進(jìn)行分類(lèi)或排序(即,按順序放置MC樣本)來(lái)簡(jiǎn)化MC模擬工藝,以避免在非關(guān)鍵MC樣本上浪費(fèi)時(shí)間。有利地,通過(guò)對(duì)MC樣本進(jìn)行排序,首先考慮關(guān)鍵MC樣本,需要考慮較少的MC樣本,以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)精確度和/或目標(biāo)信任度。此外,在一些實(shí)施例中,通過(guò)限制對(duì)于關(guān)鍵器件的全局工藝參數(shù)(具有包含集成芯片的電子器件的范圍的參數(shù))和局部工藝參數(shù)(具有局限于集成芯片的單獨(dú)電子器件的值的參數(shù))的處理,可以減小可能MC樣本的集合的大小,以進(jìn)一步減少M(fèi)C模擬工藝的時(shí)間??偠灾?,上述優(yōu)化允許更加快速地預(yù)測(cè)產(chǎn)量,從而允許更快的設(shè)計(jì)迭代。
      [0041]此外,在一些實(shí)施例中,方法識(shí)別對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)范的一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)具有最大貢獻(xiàn)的關(guān)鍵電子器件的局部工藝參數(shù)。然后確定關(guān)鍵電子器件的全局工藝參數(shù)和局部工藝參數(shù)的敏感度值,其中敏感度值代表一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)對(duì)工藝參數(shù)的變化有多敏感。此外,生成MC樣本。根據(jù)MC樣本和敏感度值,來(lái)將MC樣本分類(lèi)為最關(guān)鍵MC樣本(即,接近設(shè)計(jì)規(guī)范的限制的MC樣本)至最不關(guān)鍵MC樣本。然后對(duì)分類(lèi)的MC樣本執(zhí)行MC模擬,直到達(dá)到停止條件。
      [0042]參考圖1,提供了用于執(zhí)行集成電路的工藝變化分析的方法的一些實(shí)施例的流程圖 100。
      [0043]在步驟102中,提供網(wǎng)表。網(wǎng)表描述電子器件和電子器件之間的互連。
      [0044]在步驟104中,在一些實(shí)施例中,重建網(wǎng)表,以包括電子器件的器件參數(shù)和工藝參數(shù)。器件參數(shù)描述電子器件的結(jié)構(gòu)或操作,并且工藝參數(shù)描述用于制造電子器件的工藝。器件參數(shù)包括網(wǎng)表的電子器件的全局參數(shù)。工藝參數(shù)包括一個(gè)或多個(gè)電子器件的局部參數(shù)和網(wǎng)表的電子器件的全局參數(shù)。
      [0045]在步驟106中,將關(guān)鍵電子器件識(shí)別為具有對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)范的一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)具有最大貢獻(xiàn)的器件參數(shù)的電子器件??梢酝ㄟ^(guò)利用第一模型(如,利用根據(jù)器件參數(shù)限定的器件模型)模擬重建的網(wǎng)表以確定一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)的第一基準(zhǔn)值,從而識(shí)別關(guān)鍵電子器件。通過(guò)執(zhí)行單獨(dú)模擬來(lái)確定一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)的第一參數(shù)值,其中一次修改一個(gè)器件參數(shù),而將其他器件參數(shù)設(shè)置為初始值。將第一參數(shù)值與對(duì)應(yīng)的第一基準(zhǔn)值比較,以確定器件參數(shù)的貢獻(xiàn)并且識(shí)別關(guān)鍵器件。
      [0046]在步驟108中,確定用于關(guān)鍵電子器件的全局工藝參數(shù)和局部工藝參數(shù)的敏感度值。敏感度值代表一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)對(duì)關(guān)鍵電子器件的全局工藝參數(shù)和局部工藝參數(shù)的變化有多敏感??梢酝ㄟ^(guò)利用第二模型(如,具有根據(jù)器件參數(shù)限定的工藝模型)模擬重建的網(wǎng)表以確定全局和關(guān)鍵局部工藝參數(shù)的第二基準(zhǔn)值,從而確定敏感度值。然后,通過(guò)執(zhí)行單獨(dú)模擬來(lái)確定第二參數(shù)值,其中以一次一個(gè)的方式修改關(guān)鍵電子器件的全局工藝參數(shù)和局部工藝參數(shù),而將其他工藝參數(shù)設(shè)置為初始值。將第二參數(shù)值與相對(duì)應(yīng)的第二基準(zhǔn)值進(jìn)行比較,以確定敏感度值。
      [0047]在步驟110中,基于敏感度值,根據(jù)與設(shè)計(jì)規(guī)范的一個(gè)或多個(gè)限值的接近程度來(lái)對(duì)MC樣本進(jìn)行分類(lèi),從而按照順序布置MC樣本。按照該順序,首先布置最靠近設(shè)計(jì)規(guī)范的限值的MC樣本。
      [0048]在步驟112中,對(duì)分類(lèi)的MC樣本執(zhí)行MC模擬。首先MC模擬處理最靠近設(shè)計(jì)規(guī)范的邊界的MC樣本,并且處理該MC樣本,直到達(dá)到停止條件。例如,停止條件可以是處理預(yù)定數(shù)量的MC樣本。
      [0049]有利地,通過(guò)對(duì)MC樣本進(jìn)行分類(lèi),在MC模擬期間,首先處理對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)范具有最大影響的MC樣本。這允許通過(guò)對(duì)小于100%的比例的MC樣本(MC樣本的百分比小于100%的MC樣本)運(yùn)行MC模擬來(lái)確定工藝變化(如,產(chǎn)量)??偠灾捎陉P(guān)鍵電子器件對(duì)MC模擬結(jié)果具有最大影響,所以上述處理導(dǎo)致更快的產(chǎn)量預(yù)測(cè)和更短的設(shè)計(jì)迭代。
      [0050]盡管本文所述的方法(如,方法100、400、500、600、700、800和900)被示出和描述為一系列步驟或事件,但應(yīng)當(dāng)理解,這種步驟或事件的示出順序不應(yīng)該被解釋為限制意義。例如,一些步驟可以以不同順序發(fā)生和/或與不同于本文所示和/或所述步驟的其他步驟或事件同時(shí)發(fā)生。此外,可以不要求所有示出的步驟都用于實(shí)施本文中描述的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├?,并且可以在一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施本文中示出的一個(gè)或多個(gè)步驟。
      [0051]圖2示出了與圖1的方法相對(duì)應(yīng)的用于執(zhí)行集成電路布局的工藝變化分析的一些實(shí)施例的示意圖。
      [0052]如示意圖200所示,集成芯片布局202包括多個(gè)電子器件204。由集成芯片布局202生成網(wǎng)表206 (與圖1的步驟102相對(duì)應(yīng))。網(wǎng)表206是描述集成芯片布局202中的電子器件204和電子器件204之間的互連的文本文件。網(wǎng)表206包括限定器件的端子之間的關(guān)系的器件模型示例。網(wǎng)表206還包括局部器件參數(shù)、局部工藝參數(shù)和全局工藝參數(shù)。局部器件和工藝參數(shù)應(yīng)用于集成芯片布局202的子區(qū)域208中的一個(gè)或多個(gè)電子器件204。全局工藝參數(shù)應(yīng)用于包括集成芯片布局202的全體210的區(qū)域。器件模塊示例是全局工藝參數(shù)、一個(gè)或多個(gè)局部器件參數(shù)和局部工藝參數(shù)的函數(shù)。
      [0053]局部器件參數(shù)用于識(shí)別關(guān)鍵器件212 (與圖1的步驟106相對(duì)應(yīng))。關(guān)鍵器件212是對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)范的一個(gè)或多個(gè)性能參數(shù)具有最大貢獻(xiàn)213的器件。然后關(guān)鍵器件的局部和全局工藝參數(shù)用于確定敏感度值214(與圖1的步驟108相對(duì)應(yīng))。
      [0054]敏感度值214用于對(duì)MC樣本216進(jìn)行分類(lèi)(與圖1的步驟110相對(duì)應(yīng))。MC樣本216被分類(lèi)為對(duì)隨后MC模擬具有最大影響的最關(guān)鍵樣本(MCS)至對(duì)隨后MC模擬具有最小影響的最不關(guān)鍵樣本(LCS)來(lái)對(duì)。然后使用MC樣本216的子集218來(lái)執(zhí)行MC模擬。在多種實(shí)施例中,可以改變所使用的MC樣本的數(shù)量,直到達(dá)到停止條件(例如,直到處理預(yù)定數(shù)量的MC樣本或直到達(dá)到預(yù)先確定的產(chǎn)量)。
      [0055]參考圖3,提供用于執(zhí)行圖1的方法的系統(tǒng)的一些實(shí)施例的框圖300。
      [0056]如圖所示,接收網(wǎng)表302或以其他方式生成該網(wǎng)表。網(wǎng)表302描述電子器件(如,電阻器、電容器、二極管、電感器和晶體管)和電子器件之間的互連。網(wǎng)表302描述電子器件并且通過(guò)限定器件類(lèi)型的端子(如,柵極端子和源極/漏極端子)之間關(guān)系的模型示例描述互連。電子器件的模型示例可以包括電子器件的尺寸(如,溝道長(zhǎng)度、溝道寬度等)和電子器件的端子的節(jié)點(diǎn)分配。例如,根據(jù)諸如電壓、電流、阻抗和頻率的電屬性來(lái)量化端子之間的關(guān)系。
      [0057]在接收
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