網(wǎng)表302之后，通過參數(shù)取回模塊304取回參數(shù)數(shù)據(jù)。將參數(shù)取回模塊304配置為通過器件類型從模型數(shù)據(jù)庫306取回參數(shù)數(shù)據(jù)并且從變化數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)庫308取回變化數(shù)據(jù)。通常通過觀測器件類型的制造樣本來生成模型和變化數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)庫306、308。在一些實施例中，通過應(yīng)用程序接口(API) 310從模型和變化數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)庫306、308取回參數(shù)數(shù)據(jù)和變化數(shù)據(jù)。
[0058]來自模型數(shù)據(jù)庫306的參數(shù)數(shù)據(jù)描述器件模型參數(shù)和工藝模型參數(shù)。來自變化數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)庫308的變化數(shù)據(jù)包括用于器件和工藝模型參數(shù)的高斯概率分布的標(biāo)準(zhǔn)差。器件模型參數(shù)描述器件類型的結(jié)構(gòu)或操作并且被器件模型用來對器件類型的端子之間的關(guān)系建模。例如，對于FinFET來說，器件模型參數(shù)可以包括由于閾值電壓、各種各樣原因所導(dǎo)致的漏電流和/或載流子迀移率的變化。工藝模型參數(shù)描述用于制造器件類型的工藝并且被工藝模型用來對器件類型的端子之間的關(guān)系建模。例如，工藝模型參數(shù)可以包括一種或多種摻雜濃度、氧化物厚度、沉積溫度和擴散深度。器件和/或工藝參數(shù)可以是局部參數(shù)或全局參數(shù)。局部參數(shù)是具有限于模型示例(如，集成芯片的單獨電子器件)的值的參數(shù)。全局參數(shù)是具有包括所有模型示例的范圍的參數(shù)(如，具有集成芯片的所有電子器件的共用值)。在一些實施例中，器件模型參數(shù)是局部參數(shù)，并且工藝模型參數(shù)是局部和全局參數(shù)的混合。在多個實施例中，器件和/或工藝模型參數(shù)也可以是偏差參數(shù)或全值參數(shù)，并且可以同樣描述為參數(shù)數(shù)據(jù)。例如，對于FinFET來說，全值器件參數(shù)可以是閾值電壓，其中偏差器件參數(shù)可以是與閾值的偏差。
[0059]在一些實施例中，MC樣本生成模塊312使用參數(shù)數(shù)據(jù)和變化數(shù)據(jù)來生成MC樣本314。MC樣本314包括具有用于每一個全局工藝模型參數(shù)的值的向量。此外，對于每一個局部工藝模型參數(shù)，該向量包括用于使用局部工藝模型參數(shù)的每一個模型示例的局部工藝模型參數(shù)的值。在一些實施例中，在根據(jù)變化數(shù)據(jù)確定的可能的值范圍的限制的條件下，隨機生成預(yù)定數(shù)量的MC樣本。
[0060]網(wǎng)表重建模塊316也可以使用參數(shù)數(shù)據(jù)和變化數(shù)據(jù)來重建網(wǎng)表302。重建網(wǎng)表302包括修正每一個模型示例，以將用于模型示例的器件和工藝模型的器件和工藝模型參數(shù)設(shè)置為初始值。在模型參數(shù)是偏差參數(shù)情況下，參數(shù)的初始值是零。在模型參數(shù)是全值參數(shù)的情況下，參數(shù)的初始值是參數(shù)的平均值。
[0061]在一些實施例中，網(wǎng)表302包括層次(hierarchical)布置，其中多個子電路不例指代相同子電路定義。在這種實施例中，重建網(wǎng)表302還包括復(fù)制子電路定義和修正多個示例，以識別單獨的子電路定義。
[0062]重建之后將敏感度分析模塊318配置為對重建的網(wǎng)表進行層次敏感度分析，以用于一個或多個設(shè)計規(guī)范320 (如，增益和/或帶寬)。敏感度分析模塊318包括器件參數(shù)分析模塊322和工藝參數(shù)分析模塊324。將器件參數(shù)分析模塊322配置為執(zhí)行器件參數(shù)分析，以確定描述對于設(shè)計規(guī)范的關(guān)鍵器件的模型示例。將工藝參數(shù)分析模塊324配置為執(zhí)行工藝參數(shù)分析，以確定關(guān)鍵模型示例的全局工藝示例參數(shù)和局部工藝示例參數(shù)對設(shè)計規(guī)范的影響。
[0063]器件參數(shù)分析包括:通過利用器件模型并且利用器件示例參數(shù)(被設(shè)置為用于偏差參數(shù)的零并且用于全值參數(shù)的平均值)模擬重建的網(wǎng)表，以確定用于設(shè)計規(guī)范的性能參數(shù)的第一基準(zhǔn)值。然后當(dāng)器件示例參數(shù)變化而其他器件示例參數(shù)仍然設(shè)置為初始值時，通過測量設(shè)計規(guī)范的性能參數(shù)的變化量來確定每一個器件示例參數(shù)的貢獻值。在確定貢獻值之后，通過選擇具有最高貢獻值的選擇的關(guān)鍵模型示例來結(jié)束用于設(shè)計規(guī)范的器件參數(shù)分析。例如，可以選擇與貢獻符合預(yù)定閾值或比例的器件示例參數(shù)相對應(yīng)的模型示例。
[0064]用于設(shè)計規(guī)范的工藝參數(shù)分析包括:通過利用工藝模型模擬重建的網(wǎng)表來確定用于設(shè)計規(guī)范的性能參數(shù)的第二基準(zhǔn)值。這與器件參數(shù)分析形成對比，器件參數(shù)分析利用設(shè)計模型來模擬重建的網(wǎng)表。對于關(guān)鍵模型示例的每一個全局工藝示例參數(shù)和每一個局部工藝示例參數(shù)來說，工藝參數(shù)分析還包括確定敏感度值，該敏感度值描述設(shè)計規(guī)范的性能參數(shù)對工藝示例參數(shù)有多敏感?；诠に囀纠齾?shù)的標(biāo)準(zhǔn)差(如，用于對應(yīng)的工藝模型參數(shù)的變化數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)差)，通過選擇工藝示例參數(shù)的值來確定工藝示例參數(shù)的敏感度值。然后將工藝示例參數(shù)設(shè)置為重建的網(wǎng)表中選擇的值，以形成新的網(wǎng)表，其中，使用工藝模型來模擬新的網(wǎng)表，以預(yù)測用于性能參數(shù)的第二值。選擇性地利用加權(quán)和/或歸一化來對第二值與相對應(yīng)的第二基準(zhǔn)值之間的差值進行計算和求和，以確定敏感度值。
[0065]在生成MC樣本314和執(zhí)行層次敏感度分析之后，將MC分類模塊326配置為:對于一個或多個設(shè)計規(guī)范320，基于敏感度值對MC樣本314進行分類。對于設(shè)計規(guī)范的分類包括:基于敏感度值，確定MC樣本的概率并且估計MC樣本的一個或多個性能參數(shù)的值。然后，基于估計的值和確定的概率來確定MC樣本的得分。然后，根據(jù)得分按順序布置MC樣本。通常，將最低得分分配給被估計為與性能參數(shù)的平均值具有最大偏差的MC樣本。
[0066]根據(jù)MC樣本314的分類，將MC模擬模塊328配置為:對于一個或多個設(shè)計規(guī)范320 (如，電壓)，對從最接近設(shè)計規(guī)范的限值的MC樣本至最遠離限值的MC樣本執(zhí)行MC模擬，直到滿足停止條件(如，預(yù)定數(shù)量的MC樣本、預(yù)定的產(chǎn)量等)。通過將工藝示例參數(shù)設(shè)置為重建的網(wǎng)表中的MC樣本的對應(yīng)的值而形成新的網(wǎng)表，并且利用工藝模型模擬新的網(wǎng)表來執(zhí)行MC模擬，以確定用于設(shè)計規(guī)范的一個或多個性能參數(shù)的值。將網(wǎng)表模擬的性能參數(shù)值與設(shè)計規(guī)范比較并且確定(又稱為進行判定)MC樣本是否滿足設(shè)計規(guī)范。一旦達到停止條件，就將上述判定用于確定最終產(chǎn)量330 (如，滿足設(shè)計規(guī)范的MC樣本與處理的MC樣本的總數(shù)的比率)。附加地或可選地，將上述判定用于確定性能最差或性能最好的MC樣本(如，與設(shè)計規(guī)范具有最大偏差或最小偏差的性能參數(shù)值的MC樣本)。
[0067]圖4示出了提供用于預(yù)測集成電路的產(chǎn)量的方法的一些附加的實施例的流程圖400。
[0068]在步驟402中，接收網(wǎng)表，該網(wǎng)表用于描述電子器件和電子器件之間的互連。
[0069]在步驟404中，重建網(wǎng)表。在一些實施例中，重建網(wǎng)表包括在網(wǎng)表中多次重復(fù)復(fù)制子電路定義(步驟406)并且包括電子器件的器件參數(shù)和工藝參數(shù)(步驟408)。下文中，圖5A至圖5C將更加具體地描述重建網(wǎng)表的方法的一些實施例。
[0070]在步驟410中，執(zhí)行器件參數(shù)分析，以識別網(wǎng)表中的關(guān)鍵電子器件，該關(guān)鍵電子器件對一個或多個性能參數(shù)做出最大貢獻。下文中，圖6將更加具體地描述識別關(guān)鍵電子器件的方法的一些實施例。
[0071]在步驟412中，執(zhí)行工藝參數(shù)分析，以確定用于關(guān)鍵電子器件的全局和局部工藝參數(shù)的敏感度值。下文中，圖7將更加具體地描述確定敏感度值的方法的一些實施例。
[0072]在步驟414中，基于敏感度值，生成MC樣本并且根據(jù)與設(shè)計規(guī)范的一個或多個限值的接近程度來對MC樣本進行分類。下文中，圖8將更加具體地描述對MC樣本進行分類的方法的一些實施例。
[0073]在步驟416中，對分類的MC樣本執(zhí)行MC模擬，以預(yù)測產(chǎn)量。下文中，圖9將更加具體地描述對分類的MC樣本執(zhí)行MC模擬的方法的一些實施例。
[0074]圖5A示出了用于重建圖4的方法400中的網(wǎng)表(例如，參見圖4中的404)的方法的一些實施例的流程圖500。流程圖500包括與網(wǎng)表的扁平化(flattening)相對應(yīng)的第一部分501和與重建期間修正模型示例相對應(yīng)的第二部分511。
[0075]如圖所示，在步驟502中接收網(wǎng)表。此外，在步驟504中確定網(wǎng)表是否包括多次示例化(instantiate)的任何子電路定義。如果存在多次示例化的任何子電路定義，則在步驟506中選擇多次重復(fù)的子電路定義。然后在步驟508中，除了子電路定義的第一示例，對于子電路定義的每一個示例都復(fù)制選擇的子電路定義。此外，在步驟510中，除了第一示例，修正選擇的子電路定義的示例，以示例化對應(yīng)的復(fù)制的子電路定義。此后，在步驟504中，再次進行子電路判定。
[0076]如果不存在多次示例化的任何子電路定義，則將模型示例修正為具有器件和工藝模型參數(shù)。這包括在步驟512中選擇未修正的模型示例。此后，在步驟514中，接收用于選擇的模型示例的器件類型的器件模型參數(shù)和工藝模型參數(shù)。此外，在步驟516中，在選擇的模型示例包括全值參數(shù)的情況下，接收平均值以用作全值參數(shù)。在一些實施例中，在步驟518中，根據(jù)器件和工藝參數(shù)以及平均值，修正選擇的模型示例以包括被設(shè)置為初始值的器件和工藝模型參數(shù)。偏差參數(shù)的初始值是零，并且全值參數(shù)的初始值是相對應(yīng)的平均值。
[0077]在一些實施例中，可以在步驟520至步驟532中執(zhí)行修正所選擇的模型示例。在步驟520中，選擇未處理的器件和工藝模型參數(shù)。此外，在步驟522中，確定選擇的模型參數(shù)是局部參數(shù)還是全局參數(shù)。如果選擇的模型參數(shù)是全局參數(shù)，則在步驟524中確定是否存在相對應(yīng)的示例參數(shù)。如果當(dāng)選擇的模型參數(shù)是全局參數(shù)時不存在示例參數(shù)，或者如果選擇的模型參數(shù)是局部參數(shù)，則在步驟526中創(chuàng)建用于選擇的模型參數(shù)的示例參數(shù)。此外，在步驟528中將示例參數(shù)設(shè)置為初始值，并且在步驟530中將選擇的模型參數(shù)設(shè)置為示例參數(shù)。如果當(dāng)選擇的模型參數(shù)是全局參數(shù)時存在示例參數(shù)，則在步驟530中將選擇的模型參數(shù)設(shè)置為示例參數(shù)。
[0078]在步驟532中，通過將選擇的模型參數(shù)設(shè)置為示例參數(shù)，確定是否還存在未處理的模型參數(shù)。如果還存在未處理的模型參數(shù)，則在520中選擇未處理的器件和工藝模型參數(shù)并且重復(fù)上述步驟。<