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      光盤的制作方法

      文檔序號:6780526閱讀:436來源:國知局
      專利名稱:光盤的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及可以高密度(超分辨率)地光學(xué)記錄和重放信息信號的光盤,特別涉及在透明的光盤基板上順序以層疊方式涂敷重放掩模層、記錄掩模層、記錄層的光盤。
      一般地,作為可以記錄和重放大量信息信號并且存取時間也短的記錄重放介質(zhì)的光盤是眾所周知的,但伴隨著信息化社會的數(shù)字化發(fā)展,當然期望使用光盤進行更高密度的記錄重放(超分辨率記錄重放)。再有,在以下說明中的記錄重放意指記錄信息信號、重放信息信號、和一邊記錄一邊重放信息信號。而且,作為利用光盤以光學(xué)方法高密度記錄重放信息信號的方法,例如提出過以下的方法。
      就是說,作為該方法有(a)縮短用于記錄重放的激光波長、(b)增大聚焦在光盤上的透鏡的NA(開口數(shù))、(c)使記錄信息信號的記錄層為多層、(d)改變記錄激光的波長以進行多重記錄、(e)形成掩模層以實質(zhì)性地減小激光的光點徑等方法。在這些方法中,形成掩模層以實質(zhì)性地減小激光的光點徑的方法披露于例如特開平5-12673號公報、特開平5-12715號公報、特開平5-28498號公報、特開平5-28535號公報、特開平5-73961號公報、特開平5-234126號公報及特開平8-315419號等公報中。


      圖10是表示現(xiàn)有技術(shù)光盤的放大剖面圖;圖11是表示在現(xiàn)有技術(shù)的光盤中掩模層的溫度與光透過率關(guān)系的圖;圖12是在現(xiàn)有技術(shù)的光盤中射入掩模層的光的強度分布與透過該掩模層的光的強度分布的模式圖,(a)表示光盤旋轉(zhuǎn)方向的光強度分布圖,(b)表示光盤半徑方向的光強度分布圖13是表示在現(xiàn)有技術(shù)的光盤中,射入掩模層的激光的光點徑與吸收光后溫度上升并且透過率提高的掩模層的光點徑之間關(guān)系的圖。
      帶有上述掩模層的現(xiàn)有技術(shù)光盤D5例如按圖10所示那樣形成,在圓盤狀的透明光盤基板(以下稱為透明基板)2上,通過順序以層疊方式涂敷掩模層4、記錄層6和保護層8來形成。而且,該掩模層4是這樣的掩模層,在不從透明基板2側(cè)照射激光L時或來自透明基板2側(cè)的激光L的光強度弱時透過率變小,另一方面,如果來自透明基板2側(cè)的激光L的光強度變強,那么該掩模層4利用吸收光后溫度上升產(chǎn)生的化學(xué)變化,如圖11所示,光透過率上升,如圖13所示,透過掩模層4的點徑實質(zhì)性地變小。
      就是說,在圖12(a)、(b)所示的激光L的光強度分布特性中,相對于入射到掩模層4的光強度分布來說,透過掩模層4的光強度分布變窄,利用該作用,可以記錄重放小的信息坑(pit)。在利用該作用時,在光盤表面上顯現(xiàn)的激光的光點狀態(tài)如圖13所示。此時,圖12(a)所示的狀態(tài)與圖13中的下述B點的旋轉(zhuǎn)方向的狀態(tài)對應(yīng),另一方面,圖12(b)所示的狀態(tài)與圖13中B點的半徑方向的狀態(tài)對應(yīng)。
      如圖13所示,如果一邊使光盤按箭頭方向旋轉(zhuǎn),一邊連續(xù)點狀地照射一定強度的激光,那么光盤上的例如B點就被從圓形光點10的A點至B點進行光強度積分的光照射。利用從吸收該光所轉(zhuǎn)換的熱中扣除因熱傳導(dǎo)和輻射而損失后的熱量,使溫度上升,掩模層的透過率提高。因此,在光點10內(nèi)透過率上升的部分在所謂的光盤旋轉(zhuǎn)方向上,就變?yōu)辄c徑的后面部分(尾流側(cè)),激光的光點徑實質(zhì)上縮小了。
      在圖13中,光點10內(nèi)斜線所示的區(qū)域C的部分表示透過掩模層的掩模透過光點,除去該區(qū)域C所剩余的區(qū)域D表示未透過掩模層的光點。這樣,通過形成掩模層,激光的光點徑實質(zhì)上變小,可以進行高密度光盤的記錄重放。
      但是,在形成掩模層4的現(xiàn)有技術(shù)的光盤D5中,例如在特開平5-73961號公報中披露了在掩模層中使用In,可以設(shè)定重放時不造成記錄信息破壞的溫度范圍。但是,在重放時掩模效果達到最佳在重放時的照射光強度(重放功率)下,要無破壞作用地重放在光盤中記錄的記錄信息還取決于掩模層的材料和記錄層的材料特性,因而實際上未必一定好,存在記錄信息在重放時會被破壞等問題。此外,還有記錄信息未必被完全破壞、但在反復(fù)重放過程中重放輸出緩慢衰減的情況。而且,在記錄層的記錄材料中使用AgInSbTe的實驗中,不能使用In。
      此外,在特開平5-234136號公報中論述了相對于照射光的強度,具有兩個以上的非線性透過特性或反射特性,相對于信息信號記錄時使用的強照射光的點徑規(guī)定,和相對于信息信號重放時使用的弱照射光的點徑規(guī)定。激光的記錄時照射光強度和重放時照射光強度還取決于記錄層的記錄材料特性,但也有約10倍的不同。例如,在作為相變記錄材料的AgInSbTe系材料中,記錄時照射光強度為約12mw,重放時照射光強度為約0.7mw。在作為相同的相變記錄材料的TeGeSb系中,記錄時照射光強度為約15mw,重放時照射光強度為約1mw。于是,在激光的記錄時照射光強度和重放時照射光強度有大的不同時,如果使記錄時掩模效果充分,那么重放時因掩模材料產(chǎn)生的光的衰減過大,不能獲得充分的重放輸出。特別是在透明基板上將形成掩模層的掩模材料涂敷在光的入射側(cè),在用一般光盤檢測方法檢測反射光的方式時,由于在入射時和反射時都使進入掩模層的光衰減,所以不利于實用。
      此外,在特開平8-315419號公報中,披露了在掩模層和記錄層中間形成阻熱層以便記錄層的熱不影響掩模層,最好用難以進行熱傳遞的樹脂膜作為阻熱層。而且,在上述同一公報中,披露了利用在掩模層中使用相反光變色的相反光變色層減少因熱產(chǎn)生的效應(yīng),但根據(jù)本發(fā)明人的實驗,未發(fā)生這樣的情況。在本發(fā)明人的實驗中,在通過掩模層的光所產(chǎn)生的熱條件下,記錄信息被破壞的問題較為嚴重。
      因此,在形成掩模層的光盤中,激光的點徑實際上變小,盡管可以高密度地記錄重放信息信號,但上述各公報中存在以下所說明的兩個問題。
      首先,第一個問題是,在有掩模層的光盤重放時,按重放時掩模效果最佳的重放照射光強度,在無破壞作用地重放光盤中記錄的記錄信息時,在作為記錄材料使用可寫的相變材料的情況下,如果提高重放時照射光強度,那么在非結(jié)晶狀態(tài)中記錄的記錄信息緩慢地結(jié)晶,使記錄信息被破壞。
      其次,第二個問題是,由于記錄時照射光強度比重放時照射強度大,所以如果重放時加大掩模效果,那么記錄時就會幾乎沒有掩模效果。相反,如果記錄時加大掩模效果,那么重放時掩模透過率小,幾乎不能獲得重放輸出。
      因此,在光盤的重放時掩模效果加大,并且,在記錄時也必須有掩模效果。
      本發(fā)明是鑒于上述課題而提出的方案,本發(fā)明的第一方案是提供一種光盤,在透明的光盤基板上,順序以層疊方式涂敷在激光照射光強度變強時溫度就升高、且光透過率也提高的掩模層和記錄重放信息信號的記錄層,從所述透明的光盤基板側(cè)照射的所述激光的光點徑透過所述掩模層,變?yōu)閷嶋H上縮小的光點徑入射所述記錄層,其特征在于,所述掩模層由涂敷在所述光盤基板上的重放掩模層和在涂敷在該重放掩模層上的記錄掩模層構(gòu)成。
      此外,在上述發(fā)明的第一方案的光盤中,具有以下特征,所述重放掩模層在所述激光在重放時的照射強度下產(chǎn)生掩模效果,所述記錄掩模層在所述激光的記錄時照射強度下產(chǎn)生掩模效果,另一方面,在所述激光在重放時的照射強度下使光衰減。
      此外,在上述發(fā)明的第一方案的光盤中,具有以下特征,所述記錄掩模層對重放時的照射光的光透過率達到30%~70%。
      本發(fā)明的第二方案提供一種光盤,在透明的光盤基板上,順序以層疊方式涂敷在當激光照射光強度變強時溫度就升高且光透過率也提高的掩模層和記錄重放信息信號的記錄層,從所述透明的光盤基板側(cè)照射的所述激光的光點徑透過所述掩模層,變?yōu)閷嶋H上縮小的光點徑入射所述記錄層,其特征在于,所述掩模層將在所述激光在重放時的照射強度下產(chǎn)生掩模效果的重放掩模材料和在所述激光的記錄時照射強度下產(chǎn)生掩模效果的記錄掩模材料混合在同一層內(nèi),并涂敷在所述透明的光盤基板上。
      圖1是表示本發(fā)明第一實施例的光盤的放大剖面圖。
      圖2是表示使本發(fā)明第一實施例的光盤部分變形的變形例的放大剖面圖。
      圖3是表示在本發(fā)明的第一實施例的光盤中用于重放掩模層的重放掩模材料的圖。
      圖4是表示在本發(fā)明的第一實施例的光盤中用于記錄掩模層的記錄掩模材料的圖。
      圖5是表示在本發(fā)明的第一實施例的光盤中重放掩模層的照射光強度與透過率關(guān)系的圖。
      圖6是表示在本發(fā)明的第一實施例的光盤中層疊重放掩模層和記錄掩模層情況下,照射光強度與透過率關(guān)系的圖。
      圖7是表示本發(fā)明的第一實施例的光盤被用于記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
      圖8是表示本發(fā)明第二實施例的光盤的放大剖面圖。
      圖9是表示使本發(fā)明第二實施例的光盤部分變形的變形例的放大剖面圖。
      圖10是表示現(xiàn)有技術(shù)的光盤的放大剖面圖。
      圖11是表示在現(xiàn)有技術(shù)的光盤中掩模層的溫度與光透過率關(guān)系的圖。
      圖12是在現(xiàn)有技術(shù)的光盤中射入掩模層的光的強度分布與透過該掩模層的光的強度分布的模式圖。
      圖13是表示在現(xiàn)有技術(shù)的光盤中射入掩模層的激光的光點徑和吸收光后透過溫度上升且透過率上升的掩模層的光點徑關(guān)系的圖。
      下面,參照圖1至圖9以&lt;第一實施例&gt;、&lt;第二實施例&gt;的順序詳細說明本發(fā)明的光盤的實施例。
      再有,在說明的便利上,對于與前面現(xiàn)有技術(shù)例中所示結(jié)構(gòu)部件相同的結(jié)構(gòu)部件用相同的符號進行說明。&lt;第一實施例&gt;
      圖1是表示本發(fā)明第一實施例的光盤的放大剖面圖;圖2是表示使本發(fā)明第一實施例的光盤部分變形的變形例的放大剖面圖;圖3是表示在本發(fā)明第一實施例的光盤中重放掩模層的重放掩模材料的圖;圖4是表示在本發(fā)明第一實施例的光盤中記錄掩模層的記錄掩模材料的圖;圖5是表示在本發(fā)明第一實施例的光盤中重放掩模層的照射光強度與透過率關(guān)系的圖;圖6是表示在本發(fā)明第一實施例的光盤中層疊重放掩模層和記錄掩模層情況下的照射光強度與透過率關(guān)系的圖;圖7是表示本發(fā)明第一實施例的光盤被用于記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
      在圖1所示的本發(fā)明第一實施例中,光盤D1在圓盤狀的透明光盤基板(以下稱為透明基板)2上,順序以層疊方式涂敷在激光L的照射光強度變強時溫度就升高且光透過率也提高的構(gòu)成掩模層4的重放掩模層4A、記錄掩模層4B,并且,在記錄掩模層4B上順序以層疊方式涂敷作為記錄重放信息信號的記錄層6的電介質(zhì)膜6A、相變材料膜6B、電介質(zhì)膜6C、Al(鋁)膜6D,此外,還在記錄層6上涂敷保護層8。因此,從透明基板2側(cè)就可入射記錄、重放用的激光L,變?yōu)閮H從單面?zhèn)染涂梢杂涗浿胤判畔⑿盘柕慕Y(jié)構(gòu)形態(tài)。
      此外,圖2所示的使本發(fā)明第一實施例部分變形的變形例的光盤D2是這樣的光盤,制備兩片從圖1所示的上述第一實施例的光盤D1的結(jié)構(gòu)中除去保護層8的光盤,各透明基板2側(cè)彼此分別在外側(cè),而各記錄層6側(cè)彼此分別在內(nèi)側(cè),通過在記錄層6之間置入粘合層40進行粘接,形成粘合的光盤。因此,該粘合光盤具有在兩面可以記錄重放信息信號的結(jié)構(gòu)形態(tài)。
      其中,如果詳細說明上述第一實施例中的光盤D1、D2的各結(jié)構(gòu)部件,就是上述透明基板2使用例如聚碳酸酯樹脂、丙烯樹脂等透明樹脂材料或透明玻璃板形成圓盤狀,在中央部分形成圖中未示出的中心孔。
      其次,上述掩模層4與現(xiàn)有技術(shù)例一樣是在激光L的照射光強度變強時溫度就升高光透過率也提高的記錄層,但與圖10所示的現(xiàn)有技術(shù)例的一層結(jié)構(gòu)的掩模層不同,具有用重放掩模層4A和記錄掩模層4B涂敷成雙層結(jié)構(gòu)的特征。
      就是說,在透明基板2上涂敷的重放掩模層4A,采用在光盤D1(或D2)的重放時用重放照射光強度為1~2.5mw的微弱激光L就可以發(fā)揮掩模效果的熱變色、光變色的相變材料等。
      在本實施例中,作為重放掩模層4A的重放掩模材料,使用熱變色材料,如圖3所示,作為呈色劑,使用山本化成(株)制造的商品GN2,作為顯色劑,使用BHPE(スヒドロキシフェニルエタソ),而且,在wt%上大致按1∶2的比例利用二維鍍敷設(shè)備通過同時鍍敷來涂敷呈色劑(GN2)和顯色劑(BHPE)。
      實驗的結(jié)果,重放掩模層4A在激光L在重放時的照射光強度為約1~2.5mw情況下可獲得較好的掩模效果,特別在重放時照射光強度為約1.5mw時掩模效果大。
      此外,在圖5所示的重放掩模層4A的照射光強度與透過率的關(guān)系中,表示所有點的透過率。在該實施例中,在具有圖5所示特性的重放掩模層4A上層疊照射光強度弱時的透過率達到約44%的記錄掩模層4B。
      而且,如圖6所示,在層疊重放掩模層4A和記錄掩模層4B后的照射光強度與透過率的關(guān)系中,如果激光L的照射光強度繼續(xù)上升,那么首先重放掩模層4A的透過率急劇上升,在重放功率下產(chǎn)生掩模效果,然后,記錄掩模層4B的透過率增大,在記錄功率下產(chǎn)生掩模效果。但是,由于記錄掩模層4A的掩模效果未產(chǎn)生,低功率下的透過率高達約44%,所以與低功率下的透過率小的情況相比,掩模效果小。
      此外,在重放掩模層4A上涂敷的記錄掩模層4B,采用在光盤D1(或D2)的記錄時,用在記錄時照射光強度為約15mw的強激光L就可以發(fā)揮掩模效果功能的熱變色、光變色的相變材料等。
      作為本實施例中記錄掩模層4B的記錄掩模材料,使用熱變色材料,如圖4所示,作為呈色材料,使用山本化成(株制)造的試制品D94-006,作為顯色劑材料,使用BHPE,而且,以重量百分比上大致按1∶2的比例利用二維鍍敷機通過同時鍍敷來涂敷呈色劑(D94-006)和顯色劑(BHPE)。此時,記錄掩模層4B是這樣的掩模層,在激光L的記錄時照射強度下產(chǎn)生掩模效果,而在重放照射光下使光衰減,上述記錄掩模材料對于重放時照射光的光透過率達到30%~70%。
      接著,作為在記錄掩模層4A上涂敷的記錄層6,可使用相變材料、光磁材料和有機材料等。本實施例的記錄層6采用相變材料,該記錄層6由多個層疊膜組成。如果具體地描述該記錄層6,那么從距記錄掩模層4B近的方向開始,順序以層疊方式涂敷ZnS-SiO2電介質(zhì)膜6A、AgInSbTe相變材料膜6B、ZnS-SiO2電介質(zhì)膜6C、Al(鋁)膜6D。
      此外,作為在記錄層6上涂敷的保護層8、40的材料,可使用光電聚合物等。
      使用圖7簡略地說明將以上形成的本發(fā)明實施例1的光盤D1、D2用于記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置20的情況。
      該記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置20主要由發(fā)射波長為650nm的激光L的半導(dǎo)體激光元件22、使來自半導(dǎo)體激光元件22的激光L成為平行光的準直透鏡24、偏光棱鏡26、1/4波片28、將激光L聚焦在光盤D1(或D2)上的NA(開口數(shù))為0.6的物鏡30、聚焦由偏光棱鏡26分岔的來自光盤D1(或D2)的反射光的聚焦透鏡32、利用該反射光獲得聚焦信息和尋跡信息的柱面透鏡34和檢測聚焦的光的光檢測器36構(gòu)成,利用該光檢測器36,通過檢測來自光盤D1(或D2)的反射光,記錄重放光盤D1(或D2)的記錄信息。
      此時,記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置20在分別進行信息信號的記錄和重放的情況下也可以將從半導(dǎo)體激光元件22發(fā)射的激光L的照射光強度轉(zhuǎn)換為記錄時照射光強度和重放時照射光強度。此外,在同時進行信息信號的記錄和重放的情況下,也可以使記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置20具有記錄和重放兩個系統(tǒng)。
      接著,使用本發(fā)明第一實施例的光盤D1、D2,利用記錄重放光學(xué)系統(tǒng)裝置20記錄重放信息信號。
      其中,作為本發(fā)明的比較例1,在不涂敷重放掩模層4A和記錄掩模層4B且未使用AgInSbTe相變材料作為記錄層6的記錄材料的情況下,在上述激光L的波長為650nm,物鏡30的NA(開口數(shù))為0.6的記錄重放條件,并且線速度為3.5m/s的情況下,如果重放功率未在0.7mw以下,那么記錄信息就可能被破壞。
      此外,作為本發(fā)明的比較例2,在僅使用圖5所示特性的重放掩模層4A的情況下,如果按1mw以上的重放功率連續(xù)長時間重放同一部位,那么記錄信息就會被破壞。此時,激光L的整個照射光強度的透過率在60%左右較小,但在高斯分布的中心強度大,此外,由重放掩模層4A吸收的光產(chǎn)生的熱被傳送給記錄層6,記錄信息可能會被破壞。
      另一方面,如果具備上述本發(fā)明第一實施例的光盤D1、D2的結(jié)構(gòu)形態(tài),那么利用記錄掩模層4B吸收光,透過重放掩模層4A的光被衰減。此外,記錄掩模層4B變?yōu)閷χ胤叛谀?A所產(chǎn)生的熱的阻斷層,因而不會產(chǎn)生記錄信息的破壞。
      此時,記錄掩模層4B對于在重放時照射光的透過率最好為30%~70%。此外,如果記錄掩模層4B對重放時照射光的透過率變?yōu)?0%以下,那么在檢測來自光盤D1(或D2)的反射光進行重放的情況下,由于在往復(fù)中光被衰減,所以檢測輸出變小,聚焦和尋跡伺服機構(gòu)的穩(wěn)定性變差,并且,重放C/N也變差。此外,如果記錄掩模層4B對于重放時的照射光的透過率變?yōu)?0%以上,那么幾乎不能指望具有記錄時的掩模效果、同時光衰減效果也變小,因為重放功率的離散等容易產(chǎn)生記錄信息的破壞。
      此外,在重放掩模層4A中使用沒有熱變色的In、TeGe、Sb等相變材料的情況下,掩模效果達到最大在重放時的照射光強度與熱變色的情況相比進一步變大,反復(fù)重放時對記錄信息的破壞大。但是,使用記錄掩模層4B也可以。然而,在記錄層6的記錄材料中也使用相變記錄材料的可寫型光盤的情況下,在使用前照射激光,進行從成膜后的非結(jié)晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變成結(jié)晶狀態(tài)的初始化,但如果在記錄掩模層4B中使用In、TeGe、Sb等相變材料,那么初始化時的激光功率就必須達到更大功率。另一方面,在熱變色材料的情況下,通過選擇初始化使用的激光波長,由于可以減小初始化時光的衰減,所以即使附帶記錄掩模層4B,初始化時的激光功率也可以與沒有記錄掩模層4B的情況大致相同。
      此外,一般來說,用于記錄重放的激光L在用于記錄的輸出大的地方噪聲就小,在用于重放的低輸出時噪聲小。因此,與按0.7mw照射光強度在(激光輸出中為約3倍的約2.1mw)進行重放的情況相比,按1.5mw(在激光輸出中為約3倍的約4.5mw照)射光強度在記錄掩模層4B中對光進行衰減而重放的情況下C/N比良好。
      如上所述,按照上述第一實施例的光盤D1、D2,由于用重放掩模層4A和記錄掩模層4B雙層制成掩模層4,所以在激光L在重放時的照射強度下在重放掩模層4A中產(chǎn)生掩模效果,并且,由于在激光的重放照射強度下利用記錄掩模層4B使光衰減,所以可以無破壞作用地重放記錄信息,同時由于在激光L在記錄時的照射強度下在記錄掩模層4B中產(chǎn)生掩模效果,所以確實可以進行信息信號的高密度記錄重放(超分辨率記錄重放)。&lt;第二實施例&gt;
      圖8是表示本發(fā)明第二實施例的光盤的放大剖面圖,圖9是表示使本發(fā)明第二實施例的光盤部分變形的變形例的放大剖面圖。
      圖8所示的本發(fā)明第二實施例的光盤D3實際上具備重放掩模效果和記錄掩模效果的第一實施例的技術(shù)思想,作為掩模層4的記錄重放掩模層4C在透明基板2上僅涂敷一層,并且,在記錄重放掩模層4C上順序以層疊方式涂敷作為記錄層6的電介質(zhì)膜6A、相變材料膜6B、電介質(zhì)膜6C、Al(鋁)6D,在記錄層6上涂敷保護層8。而且,從透明基板2側(cè)就可射入用于記錄、重放的激光L,變?yōu)閮H從單面就可以記錄重放信息信號的結(jié)構(gòu)形態(tài)。
      此外,圖9所示的對本發(fā)明第二實施例部分加以變化的變形例的光盤D4是這樣制成的光盤,制備兩片從圖8所示的上述第二實施例的光盤D3的結(jié)構(gòu)中除去保護層8的光盤,各透明基板2側(cè)彼此分別在外側(cè),并且,各記錄層6側(cè)彼此分別在內(nèi)側(cè),通過在記錄層6之間置入粘合層40進行粘合,形成粘合的光盤。因此,該粘合光盤也具有從兩面可以記錄重放信息信號的結(jié)構(gòu)形態(tài)。
      其中,在上述第二實施例的光盤D3、D4的構(gòu)成部件中,記錄重放掩模層4C在同一層內(nèi)將在激光L在重放時的照射強度下產(chǎn)生掩模效果的重放掩模材料和在激光L的記錄時照射強度下產(chǎn)生掩模效果的記錄掩模材料混合,并涂敷在透明基板2上。就是說,作為重放掩模材料的呈色劑,使用山本化成(株)制造的商品GN2,作為記錄掩模材料的顯色劑,使用山本化成(株)制造的試制品D94-006,作為記錄和重放共用的顯色劑材料,使用BHPE,GN2∶D94-006∶BHPE按重量百分比大致為2∶1∶6的比例混合在同一層內(nèi),通過鍍敷方法進行涂敷。
      此時,記錄重放掩模層4C具有與前面第一實施例中用圖6說明的層疊的重放掩模層4A和記錄掩模層4B的情況大致相同的透過率特性。就是說,記錄重放掩模層4C是這樣的掩模層,在重放時照射光下呈現(xiàn)掩模效果,衰減不破壞記錄信息的功率,并且,即使在記錄時照射光下,也具備具有掩模效果的透過率特性。在這種情況下,重放功率即使為1.5mw也不破壞記錄信息。
      如上所述,按照上述實施例2的光盤D3、D4,由于在記錄重放掩模層4C內(nèi)使重放掩模材料和記錄掩模材料混合在同一層內(nèi),所以可以獲得與第一實施例的光盤D1、D2大致相同的效果。
      在以上詳述的本發(fā)明的光盤中,按照方案1和方案3的說明,由于使掩模層按重放掩模層和記錄掩模層制成兩層,所以在激光的重放照射強度下在重放掩模層中產(chǎn)生掩模效果,并且,由于在激光的記錄照射強度下利用記錄掩模層使光衰減,可以無破壞作用地進行記錄信息的重放,同時由于在激光的記錄時照射強度下在記錄掩模層中產(chǎn)生掩模效果,所以可以確實地進行信息信號的高密度記錄重放(超分辨率記錄重放)。
      此外,按照方案4的記載,特別是由于將掩模層(記錄重放掩模層)內(nèi)的重放掩模材料和記錄掩模材料混合在同一層內(nèi),所以可以獲得與上述方案1至方案3所述的光盤大致相同的效果。
      權(quán)利要求
      1.一種光盤,在透明的光盤基板上,順序以層疊方式涂敷掩模層和記錄重放信息信號的記錄層,所述掩模層在激光照射光強度變強時溫度就升高、光透過率也提高,從所述透明的光盤基板側(cè)照射的所述激光的光點徑透過所述掩模層,變?yōu)閷嶋H上縮小的光點徑入射到所述記錄層上,其特征在于,所述掩模層由涂敷在所述光盤基板上的重放掩模層和涂敷在該重放掩模層上的記錄掩模層構(gòu)成。
      2.如權(quán)利要求1所述的光盤,其特征在于,所述重放掩模層在所述激光在重放時的照射強度下產(chǎn)生掩模效果,所述記錄掩模層在所述激光在記錄時的照射強度下產(chǎn)生掩模效果,另一方面,在所述激光在重放時的照射強度下使光衰減。
      3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的光盤,其特征在于,所述記錄掩模層對重放時的照射光的光透過率達到30%~70%。
      4.一種光盤,在透明的光盤基板上,順序以層疊方式涂敷掩模層和記錄重放信息信號的記錄層,所述掩模層在激光照射光強度變強時溫度就升高、光透過率也提高,從所述透明的光盤基板側(cè)照射的所述激光的光點徑透過所述掩模層,變?yōu)閷嶋H上縮小的光點徑入射到所述記錄層上,其特征在于,所述掩模層將在所述激光的重放時照射強度下產(chǎn)生掩模效果的重放掩模材料和在所述激光的記錄時照射強度下產(chǎn)生掩模效果的記錄掩模材料混合在同一層內(nèi),并涂敷在所述透明的光盤基板上。
      全文摘要
      提供一種在高密度(超分辨率)地光學(xué)記錄重放信息信號時,不破壞記錄信息并且可以確實記錄重放的掩模層。提供一種光盤,在透明的光盤基板2上,順序?qū)盈B地涂敷掩模層4和記錄重放信息信號的記錄層6,從透明的光盤基板側(cè)2照射的激光L的光點徑透過掩模層4,變?yōu)閷嶋H上縮小的光點徑入射到所述記錄層6上,其特征在于,掩模層4由涂敷在光盤基板2上的重放掩模層4A和涂敷在該重放掩模層4A上的記錄掩模層4B構(gòu)成。
      文檔編號G11B7/258GK1282075SQ00109530
      公開日2001年1月31日 申請日期2000年6月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月23日
      發(fā)明者上野一郎 申請人:日本勝利株式會社
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