專利名稱：磁復制方法及磁復制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硬盤裝置或軟盤裝置中使用的磁盤、對信號進行磁復制的方法、以及所使用的裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，磁記錄再生裝置為了實現(xiàn)小型及大容量，有高密度化的趨勢。在具有代表性的作為磁盤裝置的硬盤驅(qū)動器的領(lǐng)域中，面記錄密度超過10Gbit/sqin的裝置已經(jīng)商品化了，預計數(shù)年后，面記錄密度20Gbit/sqin的裝置將達到實用化程度，技術(shù)上的這種飛躍發(fā)展已被確認。
在這樣的高記錄密度成為可能的技術(shù)背景中，一邊提高線記錄密度，一邊在很大程度上依賴于能以良好的信噪比使寬度僅數(shù)微米的磁道上的信號再生的磁阻元件型磁頭。
另外，伴隨高記錄密度，要求降低浮動磁觸頭相對于磁盤的上浮量，上浮時不管是什么原因，盤和滑觸頭發(fā)生接觸的可能性都會增大。在這樣的狀況下，要求磁盤具有更好的平滑性。
為了使磁頭準確地掃描狹窄的磁道，磁頭的跟蹤伺服技術(shù)起著重要的作用。在采用這樣的跟蹤伺服技術(shù)的現(xiàn)有的硬盤驅(qū)動器中，在磁記錄媒體上以一定的角度間隔設有記錄跟蹤用伺服信號、地址信息信號、再生時鐘信號等的區(qū)域(以下稱預先格式記錄)。驅(qū)動裝置能利用以一定的時間間隔由磁頭再生的這些信號，檢測并修正磁頭的位置，磁頭能在磁道上準確地掃描。
如上所述，由于伺服信號、地址信息信號、再生時鐘信號等成為磁頭在磁道上準確地掃描用的基準信號，所以其寫入(以下記作格式化)時需要高精度的定位。用安裝了利用光干涉的高精度位置檢測裝置的專用的伺服裝置(以下稱伺服寫入器)，對現(xiàn)在的硬盤驅(qū)動定位記錄頭進行格式化。
可是，在用上述的伺服寫入器進行的格式化中，存在以下課題。
第一，用磁頭進行的記錄是基于磁頭和磁記錄媒體的相對移動的線記錄，需要沿許多條磁道寫入信號。因此，在采用伺服寫入器的方法中，預先格式記錄時需要很長的時間，同時為了提高生產(chǎn)率，需要多臺高價的專用伺服寫入器，預先格式記錄的成本高。
第二，安裝多個伺服寫入器，在維修管理上花費額外的成本。磁道密度越提高、磁道數(shù)量變得越多，這些課題越加突出。
因此，設計出了這樣的進行格式化的方式不使用伺服寫入器，使預先寫入了全部伺服信號的稱為主盤的磁盤和應格式化的磁盤重合，通過從外部供給復制用的能量，將主盤上的信息一并復制在磁盤上。
作為其一例，能舉出特開平10-40544號公報中所示的磁復制裝置。該公報中公開了這樣的方法在基體的表面上按照對應于信息信號的圖形形狀，形成由強磁性材料構(gòu)成的磁性部，作為主信息載體，使該主信息載體的表面與形成了強磁性薄膜或強磁性粉涂敷層的片狀或盤狀磁記錄媒體的表面接觸，再通過施加規(guī)定的磁場，將在主信息載體上形成的信息信號對應的圖形形狀的磁化圖形記錄在磁記錄媒體上。
如果采用該方法，則能將設在主信息載體上的信息信號對應的排列圖形作為磁化圖形一并記錄在磁記錄媒體上。在使用這樣的磁復制裝置的信息信號的記錄中，能沿磁記錄媒體全部表面均勻且穩(wěn)定地記錄高密度的信息信號是重要的?？墒?，在磁記錄媒體和主信息載體之間存在異常突起或異物的情況下，由于兩者接觸而在磁記錄媒體的表面上產(chǎn)生凹陷部。
圖18是采用現(xiàn)有的磁復制方法使磁記錄媒體和主信息載體接觸，進行磁復制后測定了在磁記錄媒體的表面上產(chǎn)生的凹陷部的剖面的圖。在圖18中，可知在比磁記錄媒體表面凹陷50nm左右的凹陷部的周圍，存在20nm左右的微小突起。
浮動磁性滑觸頭從磁記錄媒體表面的上浮量通常為20nm左右。與此相對應，在磁記錄媒體上如果存在圖18所示的20nm左右的突起，則數(shù)據(jù)記錄再生時，磁頭和磁記錄媒體會接觸。在此情況下，在接觸的瞬間，磁頭會跳起，磁頭和磁記錄媒體的間隙增大，信號的記錄再生性能下降。另外磁頭和磁記錄媒體實際接觸會降低磁頭的壽命，且成為導致磁記錄媒體破損的原因。
圖19是表示用光學方法測定了采用現(xiàn)有的磁復制方法進行了磁復制后的磁記錄媒體總體表面上的突起的狀態(tài)的圖?？芍诖庞涗浢襟w表面上存在許多20nm或更大的突起。
這樣，如果采用現(xiàn)有的磁復制方法，則在磁復制后的磁盤上容易存在許多突起，存在記錄再生性能及磁頭壽命下降的問題。因此，如果今后伴隨高記錄密度，磁頭和盤之間的上浮量更小的話，越發(fā)成為突出的問題。
發(fā)明的公開本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有的問題，實現(xiàn)能抑制磁盤上的微小突起的發(fā)生的可靠性高的磁復制方法。
本發(fā)明的磁復制方法包括準備磁盤的工序1；在上述磁盤上形成潤滑劑層的工序2；使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上，通過施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的工序3；以及對上述磁盤的至少與上述磁復制用主盤緊密接觸的一側(cè)表面進行拋光處理的工序4。上述各工序按照上述工序1、上述工序4、上述工序2、上述工序4、上述工序3的順序進行。
如果采用該方法，則由于對磁盤表面進行拋光處理后進行磁復制，所以能除去磁盤表面上的異常突起和異物，能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
本發(fā)明的另一形態(tài)的磁復制方法包括使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上的工序；通過對互相緊密接觸的上述磁復制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的工序；以及用光學方法檢測上述磁盤表面上的缺陷的缺陷檢測工序。在由上述缺陷檢測工序確認了上述磁盤表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，進行上述磁復制工序。
如果采用該方法，則由于確認了磁盤表面上沒有缺陷后進行磁復制，所以磁盤表面上不會發(fā)生缺陷，能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
本發(fā)明的又一形態(tài)的磁復制方法包括使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤表面上的工序；通過對互相緊密接觸的上述磁復制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的工序；以及通過用檢測用磁頭從上述磁盤表面上浮規(guī)定的距離在上述磁盤上進行掃描，檢測上述磁盤上的缺陷的檢測工序。在上述磁復制工序后進行上述檢測工序。
如果采用該方法，則能實現(xiàn)通過磁復制在磁盤表面上不會發(fā)生缺陷的可靠性高的磁復制方法，能提供一種表面上沒有缺陷的磁盤。
以下所述的本發(fā)明的其他形態(tài)的磁復制方法都是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上，通過施加外部磁場將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的方法，包括檢測盤缺陷的檢查工序。
如果采用這些形態(tài)的磁復制方法中的一種方法，則在上述檢查工序中檢查清除用盤表面，在確認了缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，對上述清除用盤反復進行規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤緊密接觸/離開的操作，此后，使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
因此，能迅速地、可靠地將附著在磁復制用主盤上的異物除去，能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
如果采用另一形式的磁復制方法，則反復進行了規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤對清除用盤緊密接觸/離開的操作后，使上述磁復制用主盤對通過上述檢查工序確認了應與上述磁復制用主盤緊密接觸的面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的檢查用盤緊密接觸，其次，通過上述檢查工序?qū)ι鲜鰴z查用盤進行缺陷檢查，在確認了表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的情況下，使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
因此，能使磁復制用主盤的缺陷檢查極其簡單、而且精度高，所以能提供可靠性高的磁復制盤。
如果采用另一形式的磁復制方法，則反復進行了規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤對通過上述檢查工序確認了與上述磁復制用主盤的緊密接觸面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的清除用盤緊密接觸/離開的操作后，使上述磁復制用主盤對通過上述檢查工序確認了應與上述磁復制用主盤緊密接觸的面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的檢查用盤緊密接觸，其次，通過上述檢查工序?qū)ι鲜鰴z查用盤進行缺陷檢查，在確認了表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的情況下，使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
如果采用另一形式的磁復制方法，則在將上述磁復制用主盤的磁性膜圖形復制在上述磁盤上后，通過上述檢查工序檢查上述磁盤的缺陷，在確認了缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以上的情況下，此后反復進行規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤與清除用盤緊密接觸/離開的操作。
因此，能簡單地、而且迅速地判斷磁復制用主盤上是否附著了異物，并能將其除去，所以能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
附圖的簡單說明圖1是表示本發(fā)明的實施形態(tài)1的磁復制方法的各工序的流程2是表示該方法中使用的磁復制用主盤的局部放大3是表示該方法的工序ST102中使用的裝置的離開狀態(tài)的剖面4是表示圖3中的裝置的緊密接觸狀態(tài)的剖面5是實施形態(tài)1中使用的磁復制用主盤的平面6是圖3或圖4所示的裝置中使用的夾持器的平面7是表示圖3或圖4所示的裝置中形成的空間S中的氣壓和經(jīng)過時間的關(guān)系的8是表示實施形態(tài)1的磁復制方法中包括的帶拋光工序ST104的9是表示實施該方法的工序ST107及工序ST108的裝置的簡略剖面10是表示實施該方法的工序ST108的裝置的離開狀態(tài)的剖面11是表示實施該方法的工序ST108的裝置的緊密接觸狀態(tài)的剖面12是表示進行該方法中的滑動高度測試用的裝置的斜視13是表示關(guān)于各種磁盤調(diào)整方法的檢查磁盤缺陷及信號缺陷的實驗結(jié)果的14是表示實施形態(tài)2的磁復制方法的各工序的流程15是表示該方法的工序ST202中使用的裝置的離開狀態(tài)的剖面16是表示圖15所示裝置中的緊密接觸狀態(tài)的剖面17是表示反復進行磁復制用主盤和清除用NiP盤的緊密接觸/離開時反復進行的緊密接觸次數(shù)和清除用NiP盤表面上的缺陷數(shù)的關(guān)系的18是表示采用現(xiàn)有方法的磁復制后測定了磁盤的凹陷部的剖面的結(jié)果的19是表示用光學測定方法測定了該磁復制后的磁盤表面的結(jié)果的圖。
實施發(fā)明用的最佳形態(tài)以下，參照


本發(fā)明的實施形態(tài)。(實施形態(tài)1)參照圖1至圖11，說明本發(fā)明的實施形態(tài)1的磁復制方法及磁復制裝置。
圖1表示包括磁盤的調(diào)整工序的磁復制工序的流程。首先說明該工序中使用的磁復制用主盤。
圖2是說明磁復制用主盤2的結(jié)構(gòu)用的局部放大圖。在圖2中，30是將磁圖形復制在磁盤上用的磁性膜。按照與記錄在磁盤上的數(shù)字信息信號對應的圖形形狀，在磁性膜30上形成由強磁性薄膜構(gòu)成的磁性部產(chǎn)生的主信息圖形。在設有磁性膜30的接觸面3上設有輻射狀的槽4。
作為強磁性薄膜，能使用多種磁性材料，不管是硬質(zhì)磁性材料、半硬質(zhì)磁性材料、軟質(zhì)磁性材料都能使用。只要是能將數(shù)字信息信號復制記錄在磁記錄媒體上的材料都可以。例如，能使用Fe、Co、Fe-Co合金等。
與復制主信息圖形的磁盤種類無關(guān)，為了發(fā)生足夠的記錄磁場磁性材料的飽和磁通密度越大越好。特別是對于超過2000奧斯忒的高頑磁力的磁盤或磁性層厚度大的軟盤來說，如果飽和磁通密度在0.8特斯拉以下，則有時不能進行充分的記錄，所以一般使用具有0.8特斯拉以上、最好是1.0特斯拉以上的飽和磁通密度的磁性材料。
首先如圖1中的工序ST101所示，用眾所周知的方法對這樣構(gòu)成的磁復制用主盤2進行清洗，例如進行擦洗?？墒怯蓪嶒灴芍?，用通常的清洗方法不能將殘留在磁復制用主盤2的接觸面3上的磁性膜30的微小異常突起或20～50nm左右的超微小的異物除去。因此，進行將超微小的異物可靠地除去用的工序ST102。在該工序中，對磁復制用主盤和清除用NiP盤進行規(guī)定次數(shù)的緊密接觸/離開的操作。參照圖3及圖4說明該工序ST102。
圖3及圖4是表示進行工序ST102用的裝置極其工作的剖面圖。圖3表示離開操作，圖4表示緊密接觸操作。圖中，1A是清除用NiP盤，2是與清除用NiP盤1A的表面緊密接觸的磁復制用主盤。
3表示磁復制用主盤2與清除用NiP盤1A接觸的接觸面。在接觸面3上設有槽4。在圖5中示出了接觸面3的平面形狀。如圖5所示，槽4從磁復制用主盤2的中心呈輻射狀地擴展。在本實施形態(tài)中，槽4的深度設定為5微米左右。5是固定在磁復制用主盤2的中心部上的夾持器，通過對準清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔，進行清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2的中心調(diào)整。另外，如圖6所示，在清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔和夾持器5之間設有規(guī)定的間隙51，能使空氣流通。
在圖3或圖4中，6是支撐清除用NiP盤1A用的支撐臺，中心部設有使空氣流通用的通氣孔7。8是排除磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A之間的空氣、或者將空氣壓送到它們之間用的空氣通路。9是從空氣通路8排出空氣用的空氣排出口，10是連接在空氣排出口上的吸引泵，11是控制空氣的排出的排氣閥。12是將空氣壓送到空氣通路8中用的給氣泵，13是控制空氣的供給的給氣閥。在給氣泵12中設有0.01微米的空氣過濾器，0.01微米以上的異物不會被壓送到空氣通路8中。14是保持磁復制用主盤2用的保持臂，將磁復制用主盤2固定。另外保持臂14利用導向構(gòu)件16、通過上部的夾持部沿垂直方向滑動自如地定位。
其次，參照圖3及圖4，詳細說明離開/緊密接觸的操作。
首先，參照圖3說明通過壓送進行的離開。在該操作中，在將排氣閥11關(guān)閉、將給氣閥13打開的狀態(tài)下，通過使給氣泵12工作，使空氣流入通路8中。于是如圖3中的箭頭A所示，空氣向上被壓送到通氣孔7中。被壓送到通氣孔7中的空氣將夾持器5向上推。另外如箭頭B所示，空氣被壓送到槽4中。被壓送到槽4中的空氣通過槽4從磁復制用主盤2的中心向外周呈輻射狀地擴散。再通過磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A的間隙排放到大氣中。利用該空氣的流動，附著在磁復制用主盤2或清除用NiP盤1A的表面上的微細的異物與空氣一起被排出到外部。
圖7中示出了這時的經(jīng)過時間與磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A夾持的空間(以下稱空間S)內(nèi)的氣壓的關(guān)系。在該圖中，從經(jīng)過時間約3秒附近開始通過壓送進行的離開操作。因此，空間S內(nèi)的氣壓從101.3kPa急速地上升。此后約130kPa的氣壓保持約1秒時間。在此期間內(nèi)，如上所述磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A處于相當于離開狀態(tài)。
在該操作中，清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2之間的間隙最好設定得盡可能地小。在本實施例中，設定為約0.5mm。因此，清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2之間的空氣流動得快，所以能可靠地將存在于兩者之間的微細的異物排出到外部。
在本實施形態(tài)中，從清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2緊密接觸的狀態(tài)開始，在磁復制用主盤2與保持臂14呈一體地上升0.5mm的時刻，通過保持臂14的上表面與導向構(gòu)件16的下表面接觸，控制清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2之間的距離。
其次，參照圖4說明通過吸引進行的緊密接觸操作。在該操作中，使給氣泵12停止，關(guān)閉給氣閥13。于是，使磁復制用主盤2固定的保持臂14由于自重而向下移動，夾持器5在與清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔對準的狀態(tài)下被置于清除用NiP盤1A上。此后，打開排氣閥11，使排氣泵10工作。
于是，如圖4中的箭頭C所示，通氣孔7中的空氣被向下排出，所以槽4內(nèi)部、即空間S內(nèi)的空氣也通過清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔和夾持器5的間隙排出，由清除用NiP盤1A關(guān)閉的槽4的空間內(nèi)的壓力變得比大氣壓低。因此，清除用NiP盤1A幾乎被大氣壓15壓在磁復制用主盤2上。
其結(jié)果，存在于清除用NiP盤1A上的異物被夾持在清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2之間。由于清除用NiP盤1A利用硬度比磁復制用主盤2低的材料形成，所以夾持在兩者之間的異物不會損傷磁復制用主盤2的表面，而是在清除用NiP盤1A一側(cè)陷入或產(chǎn)生缺陷。另外，存在于磁復制用主盤2上的微小異常突起通過與清除用NiP盤1A緊密接觸而被平坦化。在圖7中，從經(jīng)過時間0秒開始的吸引后，空間S內(nèi)的氣壓約30kPa的區(qū)間相當于上述緊密接觸狀態(tài)。
緊密接觸操作后，接著再次進行圖3所示的離開操作。即，關(guān)閉排氣閥11，打開給氣閥13，使給氣泵12工作。于是，如圖3中的箭頭A、B所示，空氣被壓送，磁復制用主盤2利用空氣被壓送的力而向上移動，通過保持臂14的上表面與導向構(gòu)件16的下表面接觸而停止。這時，如箭頭B所示，空氣保持著通過槽4從磁復制用主盤2的中心向外周側(cè)呈輻射狀被壓送的狀態(tài)。因此，存在于磁復制用主盤2的表面上的異物與從給氣泵12被壓送的空氣一起排出到大氣中，或者被復制在清除用NiP盤1A上。這樣，通過反復進行規(guī)定次數(shù)的緊密接觸/離開操作，能將存在于磁復制用主盤2的表面上的異物除去。
其次說明磁盤1的調(diào)整方法。
首先，如工序ST103(濺射)所示，用眾所周知的方法在基板表面上形成磁性層。形成磁性層時能采用這樣的工序例如利用蒸鍍或濺射之類的干式電鍍法，在鋁制的基板上設置磁性層。另外，通常通過進行利用蒸鍍或濺射之類的干式電鍍法、或者浸漬法或旋轉(zhuǎn)涂敷法，在磁性層上設置保護膜的工序，采用保護磁性層的方法。
在工序ST103之后，在工序ST104中進行帶拋光。參照圖8說明該工序。圖8表示本發(fā)明的實施形態(tài)的進行帶拋光的狀態(tài)。利用以下構(gòu)件進行該工序使磁盤1旋轉(zhuǎn)用的主軸55、將磁盤1上的突起除去用的研磨帶56、以及為了將研磨帶56按壓在磁盤1上而吹出空氣57的噴嘴58。
首先一邊使磁盤1旋轉(zhuǎn)，一邊從噴嘴58吹出空氣57，將研磨帶56按壓在磁盤1上。同時沿圖中箭頭P的方向移動研磨帶56，將磁盤1上的突起除去。在一例中，在該拋光工序中使用的研磨帶56使用磨粒面的平均粗度為1.0微米的磨粒。另外，研磨帶56壓在磁盤1上的加工壓力為400kPa。如果按壓力過大，有可能損傷磁盤表面。另外如果按壓力過小，則拋光效果不足。利用該工序能將保護膜形成后存在于磁盤1的表面上的異常突起除去。
研磨帶56的磨粒面的平均粗度最好在0.1微米以上、5.0微米以下的范圍內(nèi)。磨粒面的平均粗度如果小于0.1微米，則不能有效地進行研磨。磨粒面的平均粗度如果大于5.0微米，則可能損傷磁盤表面。作為研磨材料，最好使用α-Al2O3、SiO2、金剛石等硬質(zhì)研磨材料。如果不包含硬度大的研磨材料，則磁性層的拋光效果不足。
作為研磨帶56的支撐體的原料，可以采用聚乙烯對苯二酸鹽(PET)等聚酯類、聚丙烯等聚烯烴類、聚碳酸酯、聚酰胺等由合成樹脂構(gòu)成的膜。
在工序ST104之后，如圖1在工序ST105所示，實施眾所周知的形成潤滑劑層的工序。通過將磁盤1浸漬在潤滑劑溶液中后，以規(guī)定的速度提上來涂敷潤滑劑。
在工序ST105之后，在工序ST106中再次實施帶拋光工序。該工序的順序與工序ST104相同，但加工壓力條件不同。即在該工序中，圖8中的將研磨帶56按壓在磁盤1上的加工壓力為40kPa。
這樣，在潤滑劑形成工序的前后執(zhí)行帶拋光工序，另外，通過在后面的帶拋光工序中減小研磨帶加在磁盤上的按壓力，能可靠地除去潤滑膜形成后存在于磁盤1的表面上的異物。
實驗結(jié)果已表明，在以上的工序中通過調(diào)整磁盤1，在磁復制前的磁盤1的表面上不存在異物和異常突起物，能作成適合于磁復制的磁盤。后面將參照圖13說明其詳細情況。
參照圖9說明接著實施的工序ST107和工序ST108。在圖9中，60是凈化室，將對0.01微米以上的異物的集塵效率達99.9999995％的過濾器61配置在上部，0.01微米以上的異物不會進入凈化室內(nèi)。在該凈化室60內(nèi)配置著用光學檢查方法檢查磁盤1的表面上是否存在異物的工序ST107及磁復制工序ST108中使用的裝置。
首先，將送入盒62置于凈化室60內(nèi)，該送入盒62用來收容從凈化室60的左側(cè)沿箭頭I的方向送來的經(jīng)過了工序ST106(帶拋光)的磁盤1。
其次，利用凈化用機械手69取出收容在盒62內(nèi)的磁盤1，放置在主軸64上。65是激光光源，66是檢測器，67是使激光不至于漏到外部用的蓋。使來自激光光源65的激光照射在利用主軸64進行旋轉(zhuǎn)的磁盤1上，通過用檢測器66檢測這時發(fā)生的散射光，檢測至少在進行磁復制前的磁盤1上存在的異物。
在用檢測器66確認了異物的情況下，利用凈化用機械手70將磁盤1收容在NG盒(圖中未示出)中。
在用檢測器66在磁盤1的表面上未確認異物的情況下，執(zhí)行磁復制工序ST108。因此，利用凈化用機械手70將磁盤1放置在支撐臺6上。
如本實施形態(tài)所示，在工序ST107中的磁盤1的表面檢查中，最好采用散射光方式。就是說，散射光方式的檢查是適合于檢測盤表面上的異物的方法，在磁復制之前通過執(zhí)行該工序，能有效地只對不存在異物的磁盤1進行磁復制。
其次，實施磁復制工序ST108。參照圖10及圖11說明其內(nèi)容。圖10及圖11是表示執(zhí)行工序ST108用的裝置及其工作的剖面圖。圖10表示磁復制用主盤2和磁盤1離開的狀態(tài)。圖11表示磁復制用主盤2和磁盤1緊密接觸的狀態(tài)。
該裝置具有與在工序ST102中使用的圖3及圖4所示的裝置同樣的結(jié)構(gòu)。因此，同一要素標以同一編號進行說明。主要的不同點在于安裝磁盤1代替圖3及圖4中的清除用NiP盤1A；以及如圖11所示，配置了磁鐵20。磁復制用主盤2上與磁盤1的接觸面3如圖5所示。保持磁復制用主盤2用的保持臂14通過從設在中心部的通孔吸引空氣(圖中未示出)，吸附磁復制用主盤2。
首先，參照圖10說明離開操作。通過在關(guān)閉排氣閥11、打開給氣閥13的狀態(tài)下使吸引泵12工作，使空氣流入空氣通路8中。于是如圖10中的箭頭A所示，在通氣孔7中空氣被往上方壓送。因此，被壓送到通氣孔7中的空氣將夾持器5推向上方，如箭頭B所示，再將空氣壓送到槽4中。被壓送到槽4中的空氣通過槽4，從磁復制用主盤2的中心向外周側(cè)呈輻射狀擴散。然后，再通過磁復制用主盤2和磁盤1之間的間隙排放到大氣中。這時的時間經(jīng)過與用磁復制用主盤2和磁盤1夾著的空間(以下稱空間S)內(nèi)的氣壓之間的關(guān)系與圖7所示的相同。
其次，參照圖11說明緊密接觸操作。使給氣泵12停止，關(guān)閉給氣閥13。因此，磁復制用主盤2由于重力作用而向下移動，在夾持器5與清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔對準的狀態(tài)下，被置于磁盤上。此后，打開排氣閥11，使排氣泵10工作。于是，如圖11中的箭頭C所示，通氣孔7中的空氣被向下排出，所以槽4內(nèi)部的空氣也通過磁盤1的內(nèi)周孔和夾持器5的間隙51排出，由磁盤1關(guān)閉的槽4的空間內(nèi)的壓力變得比大氣壓低。因此，磁盤1幾乎被大氣壓15壓在磁復制用主盤2上。在圖7中，從經(jīng)過時間0秒開始的吸引后，空間S內(nèi)的氣壓約30kPa的區(qū)間相當于上述的緊密接觸狀態(tài)。
然后，使磁鐵20沿箭頭D的方向移動，使其接近磁復制用主盤2，在其距離達到1mm時停止沿箭頭D的方向移動。其次使磁鐵20沿磁盤1的圓周方向、即沿箭頭E的方向旋轉(zhuǎn)一周以上，施加復制所必要的磁場。利用以上的方法，在磁盤1的表面上形成已經(jīng)在磁復制用主盤2的表面上形成的磁性膜30的圖形。
如圖9所示，磁復制工序ST108結(jié)束后，磁盤1由凈化用機械手71收容在送出盒63中，此后送出盒63被從凈化室60中送出。
如本實施形態(tài)所示，在凈化室60內(nèi)一并進行檢查工序ST107和磁復制工序ST108，通過工序ST107檢查了磁盤1的表面后，通過在工序ST108中進行的磁復制，在兩工序之間能避免異物附著在磁盤的表面上，所以通過磁復制工序能防止在磁盤表面上發(fā)生凹陷傷。
另外，在本實施形態(tài)中，雖然在工序ST107及工序ST108中，輸送磁盤1時使磁盤1的表面朝上，但也可以例如沿著平行于凈化室60內(nèi)的過濾器61的空氣流(在圖9中從上至下的方向)的方向即縱向設置磁盤的表面。在此情況下，隨著空氣流運動的微小異物流與磁盤1的表面平行。因此，更不容易發(fā)生異物附著在磁盤1的表面上。
另外，在本實施形態(tài)中，雖然個別地配置主軸64和支撐臺6，但即使在同一場所實施工序ST107和工序ST108也沒關(guān)系。
其次參照圖12說明滑動高度測試工序ST109。所謂滑動高度測試，是利用檢測用磁頭在磁盤上進行掃描，這時通過檢測加在檢測用磁頭上的沖擊，來檢測磁盤上的缺陷的一種測試。這時使磁盤和檢測用磁頭之間的間隙比利用磁頭掃描磁盤時兩者之間的間隙小一些。
圖12是表示本發(fā)明的實施形態(tài)的進行滑動高度測試用的裝置的斜視圖。該裝置有保持經(jīng)過了磁復制工序ST108后的磁盤1并使其旋轉(zhuǎn)的主軸21。磁盤1利用壓板機構(gòu)22被固定在主軸21上。滑動高度測試用磁頭滑觸頭40被支撐在磁頭支撐機構(gòu)23上。磁頭支撐機構(gòu)23的基底利用導向臂24進行單臂支撐。聲發(fā)射傳感器25固定在導向臂24上。磁頭定位部26通過磁頭支撐機構(gòu)23及導向臂24，將磁頭40定位在磁盤1的記錄面上動作。由定位控制部27控制磁頭定位部26的動作。主軸控制部28控制主軸21的動作。由控制器29控制定位控制部27和主軸控制部28。
該裝置的工作如下。首先，由控制器29通過主軸控制部28使磁盤1勻速旋轉(zhuǎn)。其次，用定位控制部27進行控制，以便使磁頭定位部26沿圖12中的箭頭F的方向移動，使磁盤1和磁頭40之間達到規(guī)定的距離、例如在15nm的位置停止。以下說明該位置的設定方法。
預先測定磁頭定位部26在某一位置時磁盤1和磁頭40之間的距離。然后，算出為了使磁盤1和磁頭40之間的距離為15nm所應移動的距離，存儲在控制器29中?？刂破?9通過定位控制部27使磁頭定位部26移動，將磁盤1和磁頭40之間的距離設定為15nm。如上所述，這里磁盤1和磁頭40之間的距離、即15nm是將磁盤1安裝在記錄再生裝置中進行記錄再生時磁頭的上浮量或更小的值。
其次，由定位控制部27進行控制，以便在使磁盤1旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使磁頭40沿圖12中的箭頭G的方向、即沿磁盤1的半徑方向移動，在工序ST108中進行了磁復制時，對與磁復制用主盤2接觸的面進行滑動高度測試。
因此，利用聲發(fā)射傳感器25根據(jù)由于沖擊而發(fā)生的過大的振動能量，檢測磁盤1的表面上存在的異常突起、特別是記錄再生時磁盤1和磁頭之間的間隙以上的突起的存在。
這里，如果在一個磁盤1上存在一個以上的異常突起，則斷定為不良盤，如圖1所示返回工序ST102，開始進行磁復制用主盤2的清除。
另外，在未檢測到異常突起的情況下，斷定為好盤，實施下一道工序ST110。工序ST110是檢查磁盤1的表面、特別是檢查在磁復制工序ST108中與磁復制用主盤2接觸的面上的缺陷的工序，利用與圖1中的工序ST107同樣的方法，對磁盤1的表面進行光學方式的缺陷檢查。
在通過該檢查發(fā)現(xiàn)了缺陷的情況下，如圖1所示返回工序ST102，開始進行磁復制用主盤2的清除。在未發(fā)現(xiàn)缺陷的情況下，將磁盤1裝入硬盤裝置中。
通過實施以上的工序，能實現(xiàn)磁復制后磁盤上不會留下缺陷、而且也不會發(fā)生信號劣化的可靠性高的磁復制。
參照圖13說明這一點。圖13表示采用市售的光學方式的檢查方法，對采用包括本實施形態(tài)中的方法的各種磁復制方法進行了磁復制的磁盤測定了缺陷數(shù)的結(jié)果、以及進行了信號缺陷檢查的結(jié)果。
按照流程的順序，從左至右表示每一行的取樣方法1～8中分別包括的工序。
將未實施磁復制的通常的磁盤上的缺陷數(shù)作為1，評價結(jié)果欄中示出了缺陷數(shù)的相對平均值。
另外，關(guān)于評價結(jié)果欄中用D.O.表示的信號缺陷，對通過磁復制記錄的信號進行再生評價，與未實施磁復制的通常的磁盤的讀寫時的信號輸出進行比較，以發(fā)生了漏失信息的缺陷數(shù)為基準，進行了相對的評價。用等級“A”、“B”、“C”表示該評價的結(jié)果。等級A意味著與未實施磁復制的通常的磁盤的讀寫時的漏失信息的程度等同。等級B意味著漏失信息是這樣的通常磁盤的漏失信息的1.5倍以下。等級C意味著漏失信息超過了這樣的通常磁盤的漏失信息的1.5倍。但是，沒給出等級C的取樣方法。
在評價用的實驗中，用本實施形態(tài)的圖10及圖11所示的方法進行了磁復制。另外，關(guān)于取樣方法6、7、8，是在進行磁復制之前用散射光方式進行光學方式的檢查，只對檢查中未發(fā)現(xiàn)缺陷的磁盤進行了磁復制。如本實施形態(tài)的圖9所示，光學檢查裝置和磁復制裝置呈一體地構(gòu)成，在光學檢查后進行磁復制。在該光學檢查中，在磁盤的表面上檢測到異物的比例如下，即取樣方法6為5％，取樣方法7為0％，取樣方法8為0％。
另外，磁復制用主盤2通過實施工序ST101(磁復制用主盤的清洗)及工序102(磁復制用主盤和清除用盤的緊密接觸/離開)，在接觸面3上不存在微小異物和異常突起物的狀態(tài)下進行了實驗。
由圖13中的取樣方法6、取樣方法7、取樣方法8的結(jié)果可知，通過在磁復制之前實施光學檢查，進行磁復制的磁盤表面上的缺陷數(shù)、信號缺陷都與未實施磁復制的通常的磁盤的程度等同。另一方面，由其他取樣方法的結(jié)果可知，在磁復制之前不進行光學檢查的情況下，磁盤表面上的缺陷數(shù)、信號缺陷都比通常的磁盤差。
這意味著在磁復制之前磁盤表面上不存在異物的情況下，通過磁復制在磁盤表面上發(fā)生凹陷傷。如取樣方法1、取樣方法4、或取樣方法5所示，可知一旦在磁盤上發(fā)生凹陷傷，此后通過帶拋光工序，能在某種程度上消除磁盤表面上的缺陷，關(guān)于信號缺陷，恢復起來比較困難。其理由是因為通過帶拋光，能將凹陷部周圍的隆起部分削平，但沒有使凹陷部分達到平坦的效果，所以使信號再生時發(fā)生空白，伴隨信號輸出的降低，所以出現(xiàn)信號缺陷。
另外，在進行磁復制之前，通過滑動高度測試和磁頭拋光等，如果用磁頭掃描磁盤表面，則異物容易附著在磁盤表面上。就是說，如果用磁頭掃描磁盤表面，則使磁頭在規(guī)定的位置、例如在磁盤和磁頭之間的空間為15nm的位置移動時，在磁頭的上浮量達到穩(wěn)定之前，磁盤和磁頭必定會發(fā)生物理性的接觸。一旦發(fā)生磁盤和磁頭的沖撞，由于摩擦而在磁盤表面上發(fā)生傷痕，或附著上摩擦掉的粉末。這個問題今后隨著朝向?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化的低上浮量的進展而越來越成為嚴重的問題。因此，可以不采用在磁復制前使磁頭在磁盤表面上掃描的工序的方法。
圖13中的取樣方法1、取樣方法2、取樣方法3、以及取樣方法6表示在實施磁復制之前用磁頭掃描磁盤表面的情況，取樣方法4、取樣方法5、取樣方法7、以及取樣方法8表示在實施磁復制之前未用磁頭掃描磁盤表面的情況。
從圖13中的評價結(jié)果可知，在取樣方法1中在實施磁復制之前用磁頭掃描磁盤表面，磁復制后的帶拋光工序在某種程度上能抑制這時發(fā)生的缺陷，但不能消除信號缺陷。另一方面，在取樣方法6中在磁復制之前不管是否用磁頭掃描磁盤表面，都能獲得良好的結(jié)果。這是因為在磁復制時預先在光學檢查工序中檢測了缺陷，在取樣方法7及8中缺陷發(fā)生率為0％，與此不同，取樣方法6為5％。
從以上可知，作為實施磁復制之前的磁盤的調(diào)整方法，本實施形態(tài)所示的方法中的取樣方法7或取樣方法8為好。在取樣方法7中，雖然在磁復制后進行了帶拋光，但與省略了帶拋光的取樣方法8的評價結(jié)果為同等程度。因此，磁復制后的帶拋光工序也可以省略。
如果如上采用本實施形態(tài)，則由于在濺射、帶拋光、潤滑劑涂敷、帶拋光工序之后進行磁復制，所以能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
另外，在本實施形態(tài)中，由于在磁復制之前用光學檢查方法測定磁盤表面，在確認了磁盤表面上沒有缺陷后再進行磁復制，所以不會通過磁復制給磁盤增添凹陷傷，能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
另外，在本實施形態(tài)中，由于在磁復制之前不進行磁頭拋光和滑動高度測試這樣的磁頭掃描，所以不會通過磁復制給磁盤增添凹陷傷，能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
另外，一并執(zhí)行光學檢查工序ST107和磁復制工序ST108的方法不限定于象本實施形態(tài)那樣將這些工序用的裝置配置在同一個凈化室內(nèi)的方法。例如，也可以將兩個凈化室重合起來構(gòu)成一個整體，另外，在超低塵埃型的凈化室內(nèi)整體地構(gòu)成裝置本身，也能發(fā)揮同樣的效果。
另外，在本實施形態(tài)中，如圖9所示雖然將磁盤表面橫向放置，但為了更不容易附著異物，也可以縱向放置。在此情況下，執(zhí)行磁復制工序ST108時，作為使磁復制用主盤2靠到磁盤一側(cè)的方法，不是象圖11所示的本實施形態(tài)那樣利用重力，而是利用設置在保持臂14和保持臺16之間的施力用的彈簧，將磁復制用主盤2推到磁盤1一側(cè)，如果這樣構(gòu)成也能獲得同樣的效果。(實施形態(tài)2)參照圖14～圖17說明實施形態(tài)2中的磁復制裝置及調(diào)整磁記錄媒體的方法。
圖14中示出了進行本實施形態(tài)的磁復制的工序的流程。這里使用的磁復制用主盤的結(jié)構(gòu)與實施形態(tài)1中的圖2及圖5所示的磁復制用主盤2相同。首先如圖14中的工序ST201所示，用眾所周知的方法、例如擦洗法對磁復制用主盤2進行清洗。可是，如上所述，通過實驗已經(jīng)表明用現(xiàn)有的清洗方法不能將殘留在磁復制用主盤2的復制面3上的20～50nm左右的超微小異物除去。因此，進行可靠地除去超微小異物用的工序ST202。該工序與實施形態(tài)1中的工序ST102相同。參照圖15及圖16說明該工序ST202。
圖15及圖16是表示進行工序ST202用的裝置及其工作的剖面圖。圖15表示離開操作，圖16表示緊密接觸操作。該裝置的結(jié)構(gòu)及工作除了保持臂17的結(jié)構(gòu)以外，與實施形態(tài)1中圖3及圖4所示的相同。因此，同一要素標以同一編號，不重復說明。保持臂17通過從貫通內(nèi)部設置的通孔吸引空氣(圖中未示出)吸附磁復制用主盤2，從而保持磁復制用主盤2。
首先，實施圖15所示的離開操作。這時的工作參照圖3與上述的工作大致相同。利用保持臂17保持磁復制用主盤2。通過在關(guān)閉排氣閥11、打開給氣閥13的狀態(tài)下使吸引泵12工作，空氣通過空氣通路8、通氣孔7而被壓送到槽4中。被壓送到槽4中的空氣從磁復制用主盤2的中心向外周側(cè)呈輻射狀擴散，通過磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A之間的間隙排放到大氣中。附著在磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A的表面上的微細的異物利用該空氣流，與空氣一起被排放到大氣中。
這時的時間經(jīng)過與用磁復制用主盤2和磁盤1夾著的空間S內(nèi)的氣壓之間的關(guān)系如圖7所示。
其次，實施圖16所示的緊密接觸操作。這時的工作與參照圖4說明的工作大致相同。首先，使離開操作時工作的給氣泵12停止，關(guān)閉給氣閥13。然后，通過解除附加在保持臂17上的空氣的吸引，使磁復制用主盤2離開保持臂17。于是，磁復制用主盤2在重力作用下向下移動，在夾持器5與清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔對準的狀態(tài)下，被置于清除用NiP盤1A上。
其次，打開排氣閥11，使排氣泵10工作。于是，槽4內(nèi)部的空氣通過通氣孔7并通過清除用NiP盤1A的內(nèi)周孔和夾持器5之間的間隙被排出，清除用NiP盤1A利用大氣壓大致被壓在磁復制用主盤2上。其結(jié)果，存在于磁復制用主盤2上的異物被夾持在清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2之間。由于清除用NiP盤1A利用硬度比磁復制用主盤2低的材料形成，所以夾持在兩者之間的異物不會損傷磁復制用主盤2的表面，而是在清除用NiP盤1A一側(cè)陷入或產(chǎn)生缺陷。另外，存在于磁復制用主盤2上的微小異常突起通過與清除用NiP盤1A緊密接觸而被平坦化。
其次，再次實施圖15所示的離開操作。即，關(guān)閉排氣閥11，打開給氣閥13，使給氣泵12工作。于是，如圖15中的箭頭A、B所示，空氣被壓送，磁復制用主盤2利用空氣被壓送的力而向上移動，在與保持臂17接觸的地方停止。這時，如箭頭B所示，空氣保持著通過槽4從磁復制用主盤2的中心向外周側(cè)呈輻射狀被壓送的狀態(tài)。因此，存在于磁復制用主盤2的表面上的異物與從給氣泵12被壓送的空氣一起排出到大氣中，或者被復制在清除用NiP盤1A上。這樣，通過反復進行規(guī)定次數(shù)的緊密接觸/離開操作，能將存在于磁復制用主盤2的表面上的異物除去。
在該工序ST202中，在清除用的盤上不涂敷潤滑劑者為好。這是因為象通常的磁盤那樣如果涂敷潤滑劑，則不容易使異物附著在清除盤一側(cè)。通過使用不涂敷潤滑劑的NiP盤，能可靠地使附著在磁復制用盤上的異物附著在清除用盤上。
另外，如上所述，清除用盤1A的硬度比磁復制用主盤2的硬度小者為好。如果清除用盤1A的表面硬度比磁復制用主盤2的硬度高，則會出現(xiàn)以下問題。即，其硬度比磁復制用主盤2高、而且比清除用盤低的異物存在于磁復制用主盤2和清除用盤1A之間時，由于清除用盤表面的硬度比異物的硬度高，所以在清除用盤表面上不產(chǎn)生凹陷，而陷入硬度比異物低的磁復制用主盤2的表面中，在磁復制用主盤2上產(chǎn)生缺陷。這樣如果在磁復制用主盤2上一旦產(chǎn)生缺陷，則對以后的全部磁復制產(chǎn)生不良影響。
作為清除用盤，能使用在鋁基板上形成了NiP的電鍍層的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是形成了具有例如Co-Re-P、Co-Ni-P、Co-Ni-Re-P這樣的磁特性的電鍍層的結(jié)構(gòu)。由于形成具有磁特性的電鍍層，所以能獲得以下效果。即，在存在于磁復制用主盤2的表面上的磁性膜上存在異常突起的情況下，通過反復進行緊密接觸/離開的工作，有時磁性膜會剝離，但如果在清除用盤1A的表面上存在具有磁特性的電鍍層，則剝離的磁性膜可靠地附著在清除用盤一側(cè)。
另外，清除用盤1A與磁復制用主盤2接觸的區(qū)域Sa比磁盤1與磁復制用主盤2接觸的區(qū)域Sb大，而且區(qū)域Sa可包括全部區(qū)域Sb。這是因為在清除的區(qū)域Sa以外的地方如果磁盤1與磁復制用主盤2接觸，則異物有可能附著在磁盤1上。
作為使區(qū)域Sa比區(qū)域Sb大的方法，首先，作為清除用盤1A可以使用尺寸比磁盤1大的盤。但在實用上，有時也用與磁盤1相同的制造裝置制造清除用盤1A，在這樣的情況下由于成為尺寸相同的盤，所以為了使區(qū)域Sa比區(qū)域Sb大，可以采用以下的方法。就是說，將清除用盤1A偏心地安裝在圖15中的支撐臺6上，如果在進行上述的緊密接觸/離開動作的每一循環(huán)中進行旋轉(zhuǎn)，則清除用盤1A的位置相對于磁復制用主盤2依次偏移，能對比區(qū)域Sb大的區(qū)域進行吸引/壓送。
接著圖14中的工序ST202，檢查磁復制用主盤2的表面3上是否附著了異物。直接檢查磁復制用主盤2的表面3上附著的異物是極其困難的。因為如圖2所示，在磁復制用主盤2的表面3上存在由槽4形成的凹凸和由磁性膜30形成的微小的凹凸，所以例如在光學檢查方法中，在凹凸部的頂部發(fā)生光源的散射光，有時將該部分錯誤地斷定為異物。
如果采用本實施形態(tài)，則能利用下述的方法簡單且可靠地檢查磁復制用主盤2的表面3上是否附著了異物。就是說，不是直接檢查磁復制用主盤2的表面，而是在使磁復制用主盤2和檢查用NiP盤緊密接觸后，通過檢查反映磁復制用主盤2的表面形狀的檢查用NiP盤的表面，進行磁復制用主盤2的表面3的檢查。以下詳細說明。
首先，如圖14中的工序ST203所示，使磁復制用主盤2和檢查用NiP盤1B只緊密接觸一次，然后離開。作為該用途的裝置與工序ST202相同，使用圖15及圖16所示的裝置。與工序ST202不同的地方在于不使用清除用NiP盤1A，而是使用檢查用NiP盤1B。作為檢查用NiP盤1B表面的材料，使用硬度比磁復制用主盤2的表面低的材料。因此，磁復制用主盤2的表面上的凹凸能復制在檢查用NiP盤1B的表面上。
其次，在工序ST204中，用光學檢查方法、例如用采用多普勒效應測定盤的凹凸面、即缺陷的方法，對檢查用NiP盤1B與磁復制用主盤2緊密接觸的面檢查是否存在規(guī)定深度以上的缺陷。
這時，復制了磁復制用主盤2的表面凹凸形狀的檢查用NiP盤1B的總體表面呈同一平面，由于沒有磁復制用主盤2那樣的槽，所以在光學測定中不發(fā)生散射光，能進行準確的檢查。通過該檢查，能間接地進行磁復制用主盤2的檢查。
在工序ST204的檢查中如果不存在規(guī)定深度以上的缺陷，則斷定磁復制用主盤2上不存在異物。通過采用該方法，能以簡單的順序可靠地判斷磁復制用主盤2上異物存在的有無。
在工序ST204的檢查中如果不存在規(guī)定深度以上的缺陷，則在磁復制工序ST208中使用在工序ST203中使用的磁復制用主盤2。
在工序ST204的檢查中如果檢測到不良現(xiàn)象，則再次通過工序ST202對磁復制用主盤2進行清除。
如工序ST205及工序ST206所示，在磁復制用主盤2的清除或檢查中使用清除用NiP盤1A及檢查用NiP盤1B之前，先對它們進行光學檢查。光學檢查方法最好采用散射光方式。特別是因為散射光方式的檢查方法容易檢測盤表面上的異物。參照圖17說明實施清除之前先進行光學檢查的理由。
圖17中的曲線表示以下的數(shù)據(jù)。首先，對清除用NiP盤1A進行光學檢查，將表面上存在異物的盤和不存在異物的盤區(qū)分開。其次，對各個清除用NiP盤1A反復進行與磁復制用主盤2的緊密接觸/離開的操作，每一次都計數(shù)清除用NiP盤1A表面上的缺陷數(shù)。用圖17中的曲線表示該結(jié)果的緊密接觸次數(shù)和清除用NiP盤1A表面上的缺陷數(shù)的關(guān)系。圖17中的黑三角符號表示清除用NiP盤1A表面上存在異物的情況，黑方塊符號表示不存在異物的情況。
進行上述實驗時，首先進行一次磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A的緊密接觸/離開后，對清除用NiP盤1A的表面進行光學檢查，計數(shù)了缺陷數(shù)。使用THOT制的盤測試4218進行了測定。將這時的缺陷數(shù)作為初始值。這時，由于磁復制用主盤2上的缺陷被復制在清除用NiP盤1A上，所以通過進行清除用NiP盤1A的表面檢查，能間接地把握磁復制用主盤2上的缺陷的狀態(tài)。
其次，進行了規(guī)定次數(shù)的磁復制用主盤2和清除用NiP盤1A的緊密接觸/離開后，將清除用NiP盤1A更換成新的清除用NiP盤1A。進行一次該清除用NiP盤1A和磁復制用主盤2的緊密接觸/離開后，對新的清除用NiP盤1A的表面進行光學檢查，計數(shù)了缺陷數(shù)。能將該缺陷數(shù)間接地看作這時的磁復制用主盤2的缺陷數(shù)。
根據(jù)圖17所示的結(jié)果可知，如果使用不存在異物的清除用NiP盤1A，通過10次緊密接觸/離開，磁復制用主盤2上的缺陷數(shù)為0，與此不同，如果使用存在異物的清除用NiP盤，則為了使缺陷數(shù)為0，需要反復進行1000次的緊密接觸/離開。
就是說，在磁復制用主盤2的清除工序(圖14中的工序ST202)之前，進行清除用NiP盤的檢查，通過使用不存在異物的清除用NiP盤，能有效地進行清除。
另外，如工序ST206所示，在緊密接觸之前對檢查用NiP盤1B進行檢查，是為了預先防止由于使檢查用NiP盤1B與磁復制用主盤2接觸而導致異物附著在磁復制用主盤2上。
其次說明磁盤1的調(diào)整方法。首先，用眾所周知的方法在基板的表面上形成磁性層。形成磁性層時，可以采用例如用蒸鍍或濺射法之類的干式電鍍法在鋁制的基板上設置磁性層的工序。另外，再通過用蒸鍍或濺射法之類的干式電鍍法、或者浸漬法或旋轉(zhuǎn)涂敷法，執(zhí)行在磁性層上設置保護膜的工序，來保護磁性層。
其次，實施作為眾所周知的技術(shù)的形成潤滑劑的工序。是通過將磁盤1浸漬在潤滑劑溶液中后，以規(guī)定的速度提上來涂敷潤滑劑的工序。通過以上這樣的處理來調(diào)整磁盤1。
其次，如工序5T207所示，用光學檢查方法進行是否有異物存在于磁盤1的表面上的檢查。這里，作為檢查方法最好采用散射光方式。散射光方式的檢查方法是一種適合于檢測盤表面上的異物的方法。在該工序之后實施的磁復制之前，為了可靠地除去異物，采用該方法即可。當然，也可以采用取得現(xiàn)有的磁盤1、在工序ST207中進行光學檢查的方法。在磁盤1的表面上不存在規(guī)定的粒徑以上的粒子的情況下，將該磁盤1提供給磁復制工序ST208。
其次，說明磁復制工序ST208。該工序中使用的裝置的結(jié)構(gòu)與實施形態(tài)1中使用的如圖10及圖11所示的裝置相同，所以參照圖10及圖11進行說明。
如圖10所示進行磁復制工序ST208中的磁復制用主盤2和磁盤1之間的離開操作。這時的時間經(jīng)過與用磁復制用主盤2和磁盤1夾著的空間S內(nèi)的氣壓之間的關(guān)系如圖7所示。
如圖11所示進行利用吸引進行的緊密接觸操作。使給氣泵12停止，關(guān)閉給氣閥13。于是，保持磁復制用主盤2保持臂14由于自重而向下移動，夾持器5在與磁盤1的內(nèi)周孔對準的狀態(tài)下被置于磁盤1上。此后，打開排氣閥11，使排氣泵10工作。于是，如圖11中的箭頭C所示，通氣孔7中的氣體被向下排出，所以槽4內(nèi)部、即空間S內(nèi)的氣體也通過磁盤1的內(nèi)周孔和夾持器5的間隙排出。
因此，磁復制用主盤2和磁盤1沿全周呈緊密接觸的狀態(tài)，其壓力變得比大氣壓低。因此，磁盤1被大氣壓15壓在磁復制用主盤2上。
此后，如圖11所示使磁鐵20沿箭頭D的方向移動，使其接近磁復制用主盤2，在其距離達到1mm時停止沿箭頭D的方向移動。其次使磁鐵20沿磁盤1的圓周方向、即沿箭頭E的方向旋轉(zhuǎn)一周以上，施加復制所必要的磁場。
此后，再次通過圖10所示的離開操作，使磁復制用主盤2和磁盤1離開。
其次進行滑動高度測試工序ST209。該工序與實施形態(tài)1中的滑動高度測試工序109相同，用圖12所示的裝置實施。
在該工序ST209中，如果在一個磁盤1上存在一個以上的異常突起，則斷定為不良盤，返回圖14中的工序ST202，開始進行磁復制用主盤2的清除。另外，在未檢測到異常突起的情況下，斷定為好盤，實施下一道工序ST210。
工序ST210是檢查磁盤1的表面上的缺陷的工序，對磁盤1的表面進行光學方式的缺陷檢查。在該檢查中發(fā)現(xiàn)了缺陷的情況下，如圖14所示返回工序ST202，開始進行磁復制用主盤2的清除。在未發(fā)現(xiàn)缺陷的情況下，將磁盤1裝入硬盤裝置中。
這樣，作為在反復進行磁復制工序中判斷在磁復制用主盤2上是否附著了異物的方法，采用對磁復制后的磁盤1的表面檢查缺陷、發(fā)現(xiàn)了缺陷時對磁復制用主盤進行清除、再檢查的方法。因此，能簡單、且迅速地判斷磁復制用主盤2上是否附著了異物，且能將其除去，所以能實現(xiàn)可靠性高的磁復制。
如上所述如果采用本實施形態(tài)，則用光學檢查方法確認了盤表面上沒有異物后，通過使該盤和磁復制用主盤進行緊密接觸/離開，來進行清除，由于采用這樣的方法，所以能有效且可靠地對磁復制用主盤進行清除。
另外，如果采用本實施形態(tài)，則由于采用通過檢查緊密接觸后的盤來檢測磁復制用主盤的表面上是否有異物的方法，所以能簡單、且準確地判斷主盤的清除情況。
另外，如本實施形態(tài)所示，即使在磁復制用主盤2的清除后不采用執(zhí)行工序ST202的方法，省略工序ST201，從工序ST202開始實施，也能充分發(fā)揮磁復制用主盤2的清除效果。
另外，還可以用同一裝置實施工序ST202和工序ST208。
另外，不限于如上所述使用夾持器5進行磁復制用主盤2和磁盤1的定位的方法，例如也可以采用將能移動的載物臺設置在保持磁復制用主盤2的保持臂14上，利用光學方法進行磁復制用主盤2和磁盤1的定位的方法。
工業(yè)上利用的可能性如果采用本發(fā)明，則用磁復制用主盤將對應于信息信號的磁化圖形復制在磁盤上時，在磁盤上不會發(fā)生微小的突起，能實現(xiàn)可靠性高的磁復制方法。另外，有效且可靠地對磁復制用主盤進行清除后，能實現(xiàn)生產(chǎn)效率高的磁復制方法。
權(quán)利要求
1.一種磁復制方法，其特征在于包括準備磁盤的工序1；在上述磁盤上形成潤滑劑層的工序2；使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上，通過施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的工序3；以及對上述磁盤的至少與上述磁復制用主盤緊密接觸的一側(cè)表面進行拋光處理的工序4，上述各工序按照上述工序1、上述工序4、上述工序2、上述工序4、上述工序3的順序進行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復制方法，其特征在于工序1之后實施拋光處理的工序4中的研磨構(gòu)件對上述磁盤的按壓力比工序2之后拋光處理中的按壓力大。
3.一種磁復制方法，其特征在于包括使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤上的工序；通過對互相緊密接觸的上述磁復制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的工序；以及用光學方法檢測上述磁盤表面上的缺陷的缺陷檢測工序，在由上述缺陷檢測工序確認了上述磁盤表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，進行上述磁復制工序。
4.一種磁復制裝置，其特征在于備有使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在磁盤上的緊密接觸裝置；通過對互相緊密接觸的上述磁復制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的復制裝置；以及用光學方法檢測上述磁盤表面上的缺陷的缺陷檢測裝置，在由上述缺陷檢測裝置檢測出上述磁盤表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，由上述緊密接觸裝置及上述復制裝置進行磁復制。
5.一種磁復制方法，其特征在于包括使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在上述磁盤表面上的工序；通過對互相緊密接觸的上述磁復制用主盤和上述磁盤施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上的工序；以及通過用檢測用磁頭從上述磁盤表面上浮規(guī)定的距離在上述磁盤上進行掃描，檢測上述磁盤上的缺陷的檢測工序，在上述磁復制工序后進行上述檢測工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復制方法，其特征在于還包括從上述磁盤表面上浮規(guī)定的距離后，用檢查用磁頭在上述磁盤上進行掃描，檢測上述磁盤上的缺陷的工序5，在上述工序3之后執(zhí)行上述工序5。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁復制方法，其特征在于上述工序1之后實施拋光處理的工序4中的研磨構(gòu)件對上述磁盤的按壓力比上述工序2之后實施上述拋光處理中的按壓力大。
8.一種磁復制方法，該方法是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在磁盤表面上，通過施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上，該磁復制方法的特征在于包括檢測盤缺陷的檢查工序，在上述檢查工序中檢查清除用盤表面，在確認了缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下后，對上述清除用盤反復進行規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤緊密接觸/離開的操作，此后，使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
9.一種磁復制方法，該方法是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在磁盤表面上，通過施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上，該磁復制方法的特征在于包括檢測盤缺陷的檢查工序，在反復進行了規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤對清除用盤緊密接觸/離開的操作后，使上述磁復制用主盤對通過上述檢查工序確認了應與上述磁復制用主盤緊密接觸的面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的檢查用盤緊密接觸，其次，通過上述檢查工序?qū)ι鲜鰴z查用盤進行缺陷檢查，在確認了表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的情況下，使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
10.一種磁復制方法，該方法是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在磁盤表面上，通過施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上，該磁復制方法的特征在于包括檢測盤缺陷的檢查工序，在反復進行了規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤對通過上述檢查工序確認了與上述磁復制用主盤的緊密接觸面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的清除用盤緊密接觸/離開的操作后，使上述磁復制用主盤對通過上述檢查工序確認了應與上述磁復制用主盤緊密接觸的面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的檢查用盤緊密接觸，其次，通過上述檢查工序?qū)ι鲜鰴z查用盤進行缺陷檢查，在確認了表面上的缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的情況下，使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
11.一種磁復制方法，該方法是使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在磁盤表面上，通過施加外部磁場，將在上述磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在上述磁盤上，該磁復制方法的特征在于包括檢測盤缺陷的檢查工序，在將上述磁復制用主盤的磁性膜圖形復制在上述磁盤上后，通過上述檢查工序檢查上述磁盤的缺陷，在確認了缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以上的情況下，此后反復進行規(guī)定次數(shù)的使上述磁復制用主盤與清除用盤緊密接觸/離開的操作。
12.根據(jù)權(quán)利要求8、9、或11所述的磁復制方法，其特征在于通過吸引上述磁復制用主盤和上述清除用盤之間的氣體，進行上述緊密接觸的操作，通過使氣體流入上述磁復制用主盤和上述清除用盤之間，進行上述離開的操作。
13.根據(jù)權(quán)利要求8、9、或11所述的磁復制方法，其特征在于上述磁復制用主盤的硬度比上述磁盤及上述清除用盤的硬度高。
14.根據(jù)權(quán)利要求8、9、或11所述的磁復制方法，其特征在于上述清除用盤的硬度比上述磁盤的硬度低。
15.根據(jù)權(quán)利要求8、9、或11所述的磁復制方法，其特征在于使上述磁復制用主盤和上述清除用盤緊密接觸的區(qū)域包括從上述磁復制用主盤向上述磁盤進行磁復制時的磁復制區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求8、9、或11所述的磁復制方法，其特征在于在使上述磁復制用主盤和上述清除用盤緊密接觸/離開的操作中，用不涂敷潤滑劑的上述清除用盤將上述磁復制用主盤上的異物除去。
17.根據(jù)權(quán)利要求8、9、或11所述的磁復制方法，其特征在于使用在表面上預先形成電鍍膜的上述清除用盤。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁復制方法，其特征在于上述電鍍膜具有磁特性。
19.根據(jù)權(quán)利要求8至11中的任意一項所述的磁復制方法，其特征在于通過上述檢測工序檢查進行上述磁復制前的上述磁盤表面上的缺陷，在確認了缺陷數(shù)或缺陷的大小在規(guī)定值以下的情況下，然后使上述磁盤和上述磁復制用主盤緊密接觸，進行磁復制。
全文摘要
包括準備磁盤的工序1(ST103);在磁盤上形成潤滑劑層的工序2(ST105);使至少在一面上形成了磁性膜的磁復制用主盤緊密地接觸在磁盤上,通過施加外部磁場,將在磁復制用主盤上形成的磁性膜的圖形復制在磁盤上的工序3(ST108);以及對磁盤的至少與磁復制用主盤緊密接觸的一側(cè)表面進行拋光處理的工序4(ST104、ST106)。按照工序1、工序4、工序2、工序4、工序3的順序?qū)嵤?br> 文檔編號G11B5/82GK1386267SQ01802244
公開日2002年12月18日 申請日期2001年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月31日
發(fā)明者橋秀幸, 浜田泰三, 石田達朗, 東間清和 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社