專(zhuān)利名稱(chēng)：記錄頭上的改進(jìn)的研磨的傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，特別涉及一種控制研磨加工的裝置和方法，以便制造一種包含具有所需帶高度的初級(jí)磁阻讀出元件的讀寫(xiě)頭。
背景技術(shù)：
磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)介質(zhì)是一平的圓盤(pán)，它能夠保持局部的磁場(chǎng)。存儲(chǔ)在磁盤(pán)里的數(shù)據(jù)通過(guò)這些局部的磁場(chǎng)找到物理顯示。數(shù)據(jù)以同心的圓形路徑、即磁軌的方式布置在磁盤(pán)上。
局部的磁場(chǎng)可在磁盤(pán)非?？拷蓬^時(shí)通過(guò)磁性敏感頭檢測(cè)。在操作過(guò)程中，磁盤(pán)連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)，這意味著每次轉(zhuǎn)動(dòng)，固定在從磁盤(pán)中心起的一個(gè)給定半徑上的磁頭將遭遇沿著給定磁軌的每個(gè)局部的磁場(chǎng)。


圖1顯示了一個(gè)能夠讀出和寫(xiě)入局部的磁場(chǎng)于磁盤(pán)表面的讀寫(xiě)頭100。圖1所示的讀寫(xiě)頭100包括由AlTiC(鋁，鈦和碳化物)晶片材料構(gòu)成的本體102。與本體102連接的是用標(biāo)號(hào)104共同表示的磁阻讀出元件和一寫(xiě)入元件。磁阻讀出元件104的電阻在導(dǎo)入磁場(chǎng)時(shí)變化。通常，磁阻讀出元件104位于其中的磁場(chǎng)越大，其電阻越高。因此，磁阻讀出元件104被用來(lái)通過(guò)定向讀出元件104下面的局部的磁場(chǎng)和和觀測(cè)在元件104里的電阻的變化檢測(cè)存儲(chǔ)在磁盤(pán)表面上的局部的磁場(chǎng)。
為了檢測(cè)讀出元件104的電阻的變化，一恒定電流通過(guò)磁阻讀出元件104，并觀測(cè)橫跨元件104的電壓。當(dāng)元件104的電阻由于靠近的磁場(chǎng)的影響增加時(shí)，橫跨元件104的電壓按比例增加。這樣，由于橫跨讀出元件104的電壓的相應(yīng)升高而觀測(cè)到電阻的變化。被用來(lái)檢測(cè)局部的磁場(chǎng)的恒定電流被傳送通過(guò)導(dǎo)體106和108，而導(dǎo)體106和108與磁阻元件104的相反兩端電接觸。導(dǎo)體106和108通向一對(duì)線(xiàn)接頭110和112，而線(xiàn)接頭110和112將導(dǎo)體106和118與一對(duì)細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體114和116連接，該細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體114和116沿磁頭100的整個(gè)長(zhǎng)度延伸并與檢測(cè)電路(未畫(huà)出)連接。讀寫(xiě)頭100還包括導(dǎo)體118和120，電流通過(guò)它們記錄在磁盤(pán)表面的磁場(chǎng)。導(dǎo)體118和120還通向一對(duì)線(xiàn)接頭122和124，而線(xiàn)接頭122和124將導(dǎo)體118和120與一對(duì)細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體126和128連接，該細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)體126和128沿磁頭100的整個(gè)長(zhǎng)度延伸并與寫(xiě)入電路(未畫(huà)出)連接。
圖2顯示了一磁阻讀出元件104的放大圖。從圖2中可看到，磁阻讀出元件104的底部邊緣200沿滑動(dòng)件的空氣支承表面延伸?？諝庵С斜砻娴淖饔檬侵圃煲豢諝狻皦|子”，當(dāng)讀寫(xiě)頭100位于轉(zhuǎn)動(dòng)的磁盤(pán)上面時(shí)，讀寫(xiě)頭100漂浮在該氣墊上。
磁阻讀出元件104的頂部邊緣用標(biāo)號(hào)204表示。磁阻讀出元件104的底部邊緣200和頂部邊緣204之間的距離叫做“帶高度”。磁阻讀出元件的帶高度是一個(gè)重要的變量，因?yàn)樗_定了磁阻元件對(duì)磁場(chǎng)的靈敏度。通常，帶高度越小，磁阻元件的靈敏度越高，反之亦然。
如圖3所示，在加工前，磁阻讀出元件具有約100,000的帶高度。導(dǎo)體106和108具有大致相同的高度。在制造過(guò)程中，磁阻頭部被“研磨”，由此減少磁阻讀出元件104的帶高度，如圖2所示，約是500(通常具有±10％的公差)，這取決于產(chǎn)品要求?！把心ァ笔且粋€(gè)術(shù)語(yǔ)，用來(lái)描述一個(gè)研磨加工，其中，磁阻讀出元件104和與其相關(guān)的導(dǎo)體106和108通過(guò)研磨性泥漿被仔細(xì)地磨削，直至達(dá)到理想的帶高度。研磨加工的目的是減少磁阻讀出元件的帶高度，直至制造出適當(dāng)?shù)拇判造`敏度。
理想的是，能夠在研磨過(guò)程中直接測(cè)試磁阻讀出元件的靈敏度，這樣，當(dāng)達(dá)到適當(dāng)?shù)撵`敏度時(shí)可停止研磨。不幸的是，為了直接測(cè)試讀出元件的靈敏度必須使電信號(hào)通過(guò)磁阻讀出元件，這樣，磁阻讀出元件和研磨性泥漿之間的靜電放電的可能性增加。這種靜電放電對(duì)于讀出元件是有害的，因此，最好將這種放電的可能性降至最低。
本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，在研磨過(guò)程中，次級(jí)電阻元件的電阻可被監(jiān)控并被用作一代替物以直接檢測(cè)初級(jí)磁阻元件的帶高度。當(dāng)次級(jí)磁阻元件的電阻達(dá)到預(yù)定的水平時(shí)，可假定初級(jí)磁阻元件的帶高度處于適當(dāng)?shù)姆秶?，而研磨可停止了。為了使用這種通過(guò)代替物檢測(cè)的方案，初級(jí)和次級(jí)元件應(yīng)該這樣布置在初級(jí)和次級(jí)元件的靈敏度之間存在已知的關(guān)系。
圖4顯示了一未切塊的和未研磨的晶片400，它包含兩個(gè)讀寫(xiě)頭402和404及一個(gè)研磨導(dǎo)向件406。讀寫(xiě)頭402包含一初級(jí)磁阻元件408，而研磨導(dǎo)向件406包含一次級(jí)電阻元件410，其電阻與磁阻元件408有已知的關(guān)系。在研磨過(guò)程中，次級(jí)電阻元件410的電阻被監(jiān)控。當(dāng)次級(jí)電阻元件410的電阻達(dá)到一定水平時(shí)，就假定初級(jí)磁阻元件408的帶高度處于適當(dāng)?shù)姆秶?，而研磨即被停止。為了確保次級(jí)電阻元件410的電阻與初級(jí)磁阻元件408的帶高度處于已知的關(guān)系，初級(jí)和次級(jí)元件的頂部邊緣被對(duì)齊。因此，在研磨過(guò)程中，初級(jí)和次級(jí)元件的帶高度應(yīng)該相等，而次級(jí)元件的電阻應(yīng)該作為初級(jí)元件的帶高度的適當(dāng)?shù)拇嫖铩Ｈ欢?，現(xiàn)有技術(shù)中已知的該方案具有若干問(wèn)題。初級(jí)和次級(jí)元件408和410之間的距離相當(dāng)大(大概500微米)。由于這么大的距離，初級(jí)元件408和次級(jí)元件410的頂部邊緣的對(duì)齊必定具有大的公差。這種大的公差是不合需要的，因?yàn)樗档土藴?zhǔn)確性，而次級(jí)電阻元件410是通過(guò)這種準(zhǔn)確性來(lái)指示初級(jí)元件408的帶高度的。這樣，次級(jí)電阻元件410對(duì)于初級(jí)磁阻元件408來(lái)說(shuō)是一個(gè)不可靠的代替物。因此，有必要提供一種手段，以便精確地檢測(cè)和控制初級(jí)磁阻元件的帶高度，而又不會(huì)使元件經(jīng)受來(lái)自靜電放電的危險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明的方法和裝置通過(guò)這里所述的裝置和方法可解決上述的問(wèn)題和其它的問(wèn)題。該方法包括使位于讀寫(xiě)頭上的、準(zhǔn)備研磨的初級(jí)磁阻讀出元件接地。接著，一測(cè)試信號(hào)通過(guò)也位于該讀寫(xiě)頭上的次級(jí)磁阻讀出元件。初級(jí)和次級(jí)磁阻元件的研磨開(kāi)始。研磨繼續(xù)進(jìn)行，直至測(cè)試信號(hào)顯示一所需的特性。
本發(fā)明的另一方面包括一具有初級(jí)磁阻讀出元件的讀寫(xiě)頭(在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工作過(guò)程中，用來(lái)讀出數(shù)據(jù)，而讀寫(xiě)頭設(shè)置在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器里)。讀寫(xiě)頭還包括一次級(jí)磁阻讀出元件，其尺寸與初級(jí)磁阻讀出元件成比例且位于初級(jí)磁阻讀出元件附近。
通過(guò)閱讀下面的詳細(xì)的介紹和參照相關(guān)的附圖將更清楚地了解表征本發(fā)明特性的上述的和其它的許多特征和優(yōu)點(diǎn)。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中已知的讀寫(xiě)頭；圖2表示經(jīng)過(guò)研磨后的磁阻讀出元件的放大圖；
圖3表示研磨前的磁阻讀出元件的放大圖；圖4表示一未切塊的和未研磨的晶片，它包含兩個(gè)讀寫(xiě)頭和一個(gè)研磨導(dǎo)向件；圖5表示按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的未研磨的一讀寫(xiě)頭；圖6表示按照本發(fā)明另一實(shí)施例的未研磨的一讀寫(xiě)頭；圖7表示按照本發(fā)明另一實(shí)施例的未研磨的一讀寫(xiě)頭；圖8表示按照本發(fā)明另一實(shí)施例的未研磨的一讀寫(xiě)頭；圖9表示控制用于圖5至8所示的實(shí)施例的研磨加工的方法。
具體實(shí)施例方式
通過(guò)將一次級(jí)磁阻元件加入到一讀寫(xiě)頭獲得一改進(jìn)的研磨導(dǎo)向件。由于其在作為初級(jí)磁阻元件(在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器操作過(guò)程中用來(lái)讀出數(shù)據(jù))的相同讀寫(xiě)頭上的位置，次級(jí)元件非?？拷跫?jí)元件，導(dǎo)致在對(duì)齊或結(jié)合初級(jí)和次級(jí)元件的頂部邊緣時(shí)的較小公差。因此，次級(jí)磁阻元件能更可靠地作為初級(jí)元件的代替物。作為一種選擇，次級(jí)磁阻元件可加工成與初級(jí)元件同樣的尺寸，從而使次級(jí)元件在磁性靈敏度方面等于初級(jí)元件。
圖5顯示了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一未研磨的讀寫(xiě)頭500。從圖5中可看到，讀寫(xiě)頭500具有一初級(jí)磁阻讀出元件502和一次級(jí)磁阻元件504。初級(jí)磁阻讀出元件502位于兩導(dǎo)體506和508之間。次級(jí)磁阻元件504位于兩導(dǎo)體508和510之間。初級(jí)磁阻元件502和次級(jí)磁阻元件504共享一個(gè)導(dǎo)體508。初級(jí)磁阻讀出元件502和次級(jí)磁阻元件504具有以共面方式對(duì)齊的頂部邊緣。在一個(gè)替換的實(shí)施例里，它們各自的頂部邊緣處于任何已知的互相關(guān)系。第三對(duì)導(dǎo)體510和512直接互相接觸，其中一個(gè)導(dǎo)體510與次級(jí)磁阻元件504共享。
在研磨過(guò)程中，測(cè)試信號(hào)可通過(guò)導(dǎo)體508、次級(jí)磁阻讀出元件504和導(dǎo)體510。由此產(chǎn)生的導(dǎo)體508和導(dǎo)體510之間的電壓表示如果相同的操作在初級(jí)磁阻讀出元件502上進(jìn)行時(shí)將被檢測(cè)的電壓。如果次級(jí)磁阻元件504被相同地加工成初級(jí)磁阻讀出元件502，以及如果導(dǎo)體510被相同地加工成導(dǎo)體506，那么電壓是相同的。如此測(cè)得的電壓代表導(dǎo)體508和510的電阻、次級(jí)磁阻元件504的電阻、以及在導(dǎo)體508和510與次級(jí)元件504之間的結(jié)合處的電阻。當(dāng)導(dǎo)體508和510之間的電壓達(dá)到預(yù)定的界限時(shí)可停止研磨，這表示初級(jí)磁阻讀出元件502已研磨到適當(dāng)?shù)膸Ц叨取?br> 電流可經(jīng)過(guò)導(dǎo)體510和512。由此在導(dǎo)體510和512之間產(chǎn)生的電壓表示它們的組合的電阻。如果導(dǎo)體510和512以與環(huán)繞著初級(jí)磁阻讀出元件502的導(dǎo)體506和508相同的方式加工，由此形成的電壓表示這些導(dǎo)體506和508的電阻。這樣，導(dǎo)體508和510之間的電壓可減去導(dǎo)體506和508之間的電壓，以便取消導(dǎo)體電阻的作用。通過(guò)這樣做，磁阻元件504本身的電阻(沒(méi)有導(dǎo)體508和510的附加的電阻)可在研磨停止中起決定性的因素。當(dāng)上述差值達(dá)到預(yù)定的界限時(shí)，可停止研磨，這表示初級(jí)磁阻讀出元件502已被研磨至適當(dāng)?shù)膸Ц叨取?br> 圖6顯示了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，初級(jí)磁阻讀出元件600位于兩導(dǎo)體602和604之間，兩導(dǎo)體中沒(méi)有一個(gè)被次級(jí)磁阻元件606或用來(lái)計(jì)算導(dǎo)體電阻的一對(duì)導(dǎo)體608和610共享。通過(guò)隔離初級(jí)磁阻讀出元件600，它的電容量減少，由此提高它的帶寬。
圖7顯示了本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中，初級(jí)磁阻元件700位于兩導(dǎo)體702和704之間，兩導(dǎo)體中沒(méi)有一個(gè)被次級(jí)磁阻元件706或用來(lái)計(jì)算導(dǎo)體電阻的一對(duì)導(dǎo)體708和710共享。在這個(gè)實(shí)施例里，次級(jí)元件706被隔離，如同導(dǎo)體708和710。將初級(jí)磁阻讀出元件700與次級(jí)磁阻元件706隔開(kāi)的好處是，它們各自的導(dǎo)體—元件—導(dǎo)體線(xiàn)路的幾何形狀可完全相同。
圖8顯示了本發(fā)明的另一實(shí)施例。在圖8中，初級(jí)磁阻讀出元件800、次級(jí)磁阻元件802和各導(dǎo)體位于兩個(gè)磁屏蔽804和806之間。磁屏蔽806用虛線(xiàn)表示，表示它被切去，以便看到位于它后面的磁阻元件800和802。屏蔽804和806保護(hù)磁阻元件800和802免受雜散磁場(chǎng)的影響。通過(guò)將初級(jí)磁阻元件800和次級(jí)磁阻元件802放置在屏蔽804上，它們各自的頂部邊緣的對(duì)齊將更精確。提高的精度是基于這樣的事實(shí)初級(jí)和次級(jí)元件設(shè)置在同一平表面上，這提供相對(duì)照相平版印刷術(shù)的相同的光學(xué)布置。雖然圖8顯示了屏蔽804和806與圖7所示的本發(fā)明的實(shí)施例一起使用，但屏蔽804和806也可用于圖5和6所示的本發(fā)明的實(shí)施例。
圖5-8所示的本發(fā)明的實(shí)施例可與圖9所示的方法相結(jié)合。參考圖9描述的方法可通過(guò)一自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。參考圖9描述的功能性可包括在實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的電路(諸如數(shù)字式萬(wàn)用表或示波器)里，也可包括在一用來(lái)控制該實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的計(jì)算機(jī)的軟件里。
用于圖5-8里所示的實(shí)施例的方法的總體結(jié)構(gòu)如圖9所示。從圖9可以看出，該方法從工序900開(kāi)始，其中，環(huán)繞著初級(jí)磁阻讀出元件的導(dǎo)體接地，從而在研磨過(guò)程中使初級(jí)讀出元件和泥漿之間的靜電放電的可能降至最低程度。接著，在測(cè)試工序902中，測(cè)試信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件，而研磨在工序904時(shí)開(kāi)始。在置疑工序906中，確定測(cè)試信號(hào)是否顯示一個(gè)或多個(gè)所需的特性，表示適當(dāng)?shù)膸Ц叨纫呀?jīng)達(dá)到。如果測(cè)試信號(hào)未顯示一個(gè)或多個(gè)所需的特性，流程將返回到工序902，以便繼續(xù)研磨和測(cè)試。否則，研磨停止，如工序908所示。測(cè)試工序902和置疑工序906可用不同的步驟實(shí)現(xiàn)，如下面所述的。
在一個(gè)實(shí)施例里，測(cè)試工序902包括使一已知的電壓信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件。由于研磨進(jìn)行，初級(jí)磁阻元件和次級(jí)磁阻元件的電阻增加(因?yàn)閹Ц叨冉档?，留下較小的橫截面積供電流通過(guò))，導(dǎo)致逐漸減少電流。因此，在這個(gè)實(shí)施例里，置疑工序906包括確定測(cè)試信號(hào)是否降至所需的電流強(qiáng)度水平。
同樣的，在另一個(gè)實(shí)施例里，測(cè)試工序902包括使一已知的電流強(qiáng)度的信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件。由于研磨進(jìn)行，初級(jí)磁阻元件和次級(jí)磁阻元件的電阻增加，導(dǎo)致橫跨次級(jí)磁阻元件的電壓逐漸增加。因此，在這個(gè)實(shí)施例里，置疑工序906包括確定測(cè)試信號(hào)是否達(dá)到所需的電壓水平。
在又一個(gè)實(shí)施例里，測(cè)試工序902包括使次級(jí)磁阻元件暴露在一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)里，并使一已知的電流的信號(hào)通過(guò)所述元件。在該實(shí)施例里，次級(jí)磁阻元件的電阻隨它暴露于其中的磁場(chǎng)和它目前減小到的帶高度而變化。這樣，置疑工序906包括確定測(cè)試信號(hào)是否達(dá)到所需的電壓水平(通過(guò)其均方根值RMS測(cè)定)。此外，測(cè)試工序902可包括將次級(jí)磁阻元件暴露于一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)和使一已知的電壓的信號(hào)通過(guò)所述元件。因此，置疑工序906包括確定測(cè)試信號(hào)是否降至一電流的所需的水平(通過(guò)其均方根值RMS測(cè)定)。
在另一個(gè)實(shí)施例里，測(cè)試工序902包括使次級(jí)磁阻元件暴露在一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)里，并使一直流電(DC)信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件。在該實(shí)施例里，置疑工序906包括確定測(cè)試信號(hào)是否具有電壓分布(依據(jù)時(shí)間標(biāo)繪的電壓)而沒(méi)有DC補(bǔ)償。或者，置疑工序906可包括確定測(cè)試信號(hào)是否具有一電流分布(依據(jù)時(shí)間標(biāo)繪的電流強(qiáng)度)而沒(méi)有DC補(bǔ)償。
在另一個(gè)實(shí)施例里，測(cè)試工序902包括使一已知的電壓的信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件。在該實(shí)施例里，置疑工序906包括通過(guò)確定測(cè)試信號(hào)是否降低到預(yù)定水平的電流之下來(lái)尋找一嚴(yán)熱。作為一種選擇，測(cè)試工序902包括使一已知的電流強(qiáng)度的信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件。因此，置疑工序906包括通過(guò)確定測(cè)試信號(hào)電壓是否上升高于預(yù)定的臨界電壓來(lái)尋找一嚴(yán)熱。
在另一個(gè)實(shí)施例里，測(cè)試工序902包括使一電流通過(guò)一對(duì)用來(lái)消除導(dǎo)體電阻的作用的導(dǎo)體，還包括使一已知的電流的信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻元件。在該實(shí)施例里，置疑工序906包括確定橫跨次級(jí)磁阻元件的電壓和橫跨一對(duì)導(dǎo)體的電壓之間的差值是否超過(guò)一臨界電壓。
顯然，本發(fā)明除了達(dá)到固有的優(yōu)點(diǎn)，還很好地用來(lái)達(dá)到所述的目的和優(yōu)點(diǎn)。雖然為了描述本發(fā)明的目的介紹了較佳的實(shí)施例，但可以作出許多變化，這對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是容易的，而且這包含在由附后的權(quán)利要求書(shū)描述和限定的本發(fā)明的精神內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器里的讀寫(xiě)頭，該讀寫(xiě)頭包括第一磁阻讀出元件；以及第二磁阻讀出元件，其尺寸與第一磁阻元件成比例且位于第一磁阻讀出元件附近。
2.如權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，第二磁阻讀出元件具有與第一磁阻讀出元件相同的尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，第一和第二磁阻讀出元件各具有一頂部邊緣，其中，第一和第二磁阻讀出元件的頂部邊緣是共線(xiàn)的。
4.如權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，第一磁阻讀出元件位于第一對(duì)導(dǎo)體之間，第二磁阻讀出元件位于第二對(duì)導(dǎo)體之間，第一對(duì)和第二對(duì)導(dǎo)體被加工成具有大致相同的阻抗。
5.如權(quán)利要求4所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，第一對(duì)導(dǎo)體包括第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，而第二對(duì)導(dǎo)體包括該第二導(dǎo)體和一第三導(dǎo)體。
6.如權(quán)利要求4所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，還包括第三對(duì)導(dǎo)體，該第三對(duì)導(dǎo)體互相接觸，并被加工成具有與第一對(duì)和第二對(duì)導(dǎo)體大致相同的阻抗。
7.如權(quán)利要求6所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，第一對(duì)導(dǎo)體包括第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，而第三對(duì)導(dǎo)體包括該第二導(dǎo)體和一第三導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，還包括第一磁屏蔽；以及第二磁屏蔽，其中，第一和第二磁阻元件在第一和第二磁屏蔽之間被定位。
9.如權(quán)利要求1所述的讀寫(xiě)頭，其特征在于，還包括一磁阻屏蔽，其中，第一和第二磁阻元件設(shè)置在該磁阻屏蔽之上。
10.一種確定用來(lái)制造讀寫(xiě)頭的研磨的適當(dāng)量的方法，該讀寫(xiě)頭包括一具有所需的帶高度的初級(jí)磁阻讀出元件，該方法包括(1)使初級(jí)磁阻讀出元件接地；(2)使一測(cè)試信號(hào)通過(guò)位于讀寫(xiě)頭上的次級(jí)磁阻讀出元件；(3)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件；以及(4)繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)顯示所需的特性。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于步驟(2)包括使一已知的電壓的信號(hào)通過(guò)次級(jí)讀出元件；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)降至所需的水平的電流。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于步驟(2)包括使一已知的電流的信號(hào)通過(guò)次級(jí)讀出元件；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)達(dá)到所需的電壓水平。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括將次級(jí)磁阻讀出元件暴露于一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)里；其中，步驟(2)包括使一已知的電流的信號(hào)通過(guò)次級(jí)讀出元件；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)達(dá)到一所需的電壓水平。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括將次級(jí)磁阻讀出元件暴露于一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)里；其中，步驟(2)包括使一已知的電壓的信號(hào)通過(guò)次級(jí)讀出元件；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)降至所需的電流水平。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括將次級(jí)磁阻讀出元件暴露于一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)里；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)顯示一沒(méi)有直流電補(bǔ)償?shù)碾妷悍植肌?br> 16.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括將次級(jí)磁阻讀出元件暴露于一動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)里；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至測(cè)試信號(hào)顯示沒(méi)有直流電補(bǔ)償?shù)碾娏鞣植肌?br> 17.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于步驟(2)包括使一恒定電壓信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻讀出元件；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至通過(guò)檢測(cè)到測(cè)試信號(hào)降至臨界電流水平之下時(shí)檢測(cè)到一嚴(yán)熱。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于步驟(2)包括使一恒定電流信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻讀出元件；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至通過(guò)檢測(cè)到測(cè)試信號(hào)升高至一臨界電壓水平之上時(shí)檢測(cè)到一嚴(yán)熱。
19.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括使一電流通過(guò)第一對(duì)導(dǎo)體，該第一對(duì)導(dǎo)體具有與第二對(duì)導(dǎo)體相同的阻抗，而初級(jí)磁阻讀出元件位于第二對(duì)導(dǎo)體之間，由此產(chǎn)生一橫跨第一對(duì)導(dǎo)體的電壓；步驟(2)包括使一已知的電流的信號(hào)通過(guò)次級(jí)磁阻讀出元件，由此產(chǎn)生一橫跨次級(jí)磁阻讀出元件的電壓；以及步驟(4)包括繼續(xù)研磨初級(jí)和次級(jí)磁阻讀出元件，直至橫跨次級(jí)磁阻讀出元件的電壓和橫跨第一對(duì)導(dǎo)體的電壓之間的差值超過(guò)所需的水平。
20.一種用于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器里的讀寫(xiě)頭，該讀寫(xiě)頭包括具有電特性的第一磁阻讀出元件；以及通過(guò)代替物確定第一磁阻讀出元件的電特性的裝置。
全文摘要
這里公開(kāi)一種用來(lái)控制研磨加工、從而產(chǎn)生一讀寫(xiě)頭的方法和裝置，該讀寫(xiě)頭包括一具有所需的帶高度的初級(jí)磁阻讀出元件。通過(guò)在一讀寫(xiě)頭里結(jié)合一次級(jí)磁阻元件獲得一種改進(jìn)的研磨導(dǎo)向件。由于其位置與初級(jí)磁阻元件(在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工作過(guò)程中用來(lái)讀出數(shù)據(jù))在同一個(gè)讀寫(xiě)頭上，次級(jí)元件位于初級(jí)元件的附近，導(dǎo)致初級(jí)和次級(jí)元件的頂部邊緣的對(duì)齊只有較小的公差。因此，次級(jí)磁阻元件能更可靠地作為初級(jí)元件的代替物。作為一種選擇，次級(jí)磁阻元件可制成與初級(jí)元件具有相同的尺寸，從而使次級(jí)元件在磁性靈敏度方面等同于初級(jí)元件。在研磨過(guò)程中，次級(jí)磁阻元件的磁性靈敏度被監(jiān)控，并被用來(lái)作為初級(jí)磁阻讀出元件的磁性靈敏度的替代測(cè)量。
文檔編號(hào)G11B5/455GK1439156SQ01811970
公開(kāi)日2003年8月27日 申請(qǐng)日期2001年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月25日
發(fā)明者齊尼－埃迪納布塔古, E·S·默多克 申請(qǐng)人:西加特技術(shù)有限責(zé)任公司