專利名稱：光學(xué)式可記錄媒體及其記錄方式的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種光學(xué)式可記錄媒體(Optical RecordableMedia)的結(jié)構(gòu)及其記錄方法，特別是有關(guān)于一種利用無(wú)機(jī)材料所制造的光盤片，適用于以光學(xué)式的方法記錄數(shù)據(jù)。
除此之外，有機(jī)染料還存在兩個(gè)問(wèn)題，那就對(duì)于運(yùn)用到高密度數(shù)據(jù)記錄及高寫入速度盤片的適用性。在欲提高盤片數(shù)據(jù)記載密度時(shí)，溝槽/平坦面(Groove/Land Space)均需變窄，這對(duì)分子尺寸大的有機(jī)染料而言，以旋涂(Spin Coating)的方式將有機(jī)染料涂布于溝槽之內(nèi)相當(dāng)?shù)睦щy。另外，更高的數(shù)據(jù)記錄密度也需要更快速的記錄速度來(lái)加以配合，但是，對(duì)有機(jī)染料而言，因此在高速度記載數(shù)據(jù)和記錄數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性間取得平衡是相當(dāng)?shù)睦щy。因此，一些無(wú)機(jī)的材料被發(fā)展出來(lái)制造可記錄式盤片的記錄層，以來(lái)解決有機(jī)染料盤片在提高數(shù)據(jù)記載密度和提高記載速度上所遇到的瓶頸。
無(wú)機(jī)的材料所形成的記錄層不是以特定波長(zhǎng)的光束照射而進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入，是以光束中的能量使無(wú)機(jī)材料產(chǎn)生相變化而進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄。例如美國(guó)專利第4451914號(hào)及第4451915號(hào)所公開的，利用寫入激光束在其有反射性質(zhì)的記錄層上形成一個(gè)洞，而形成了抗反射位置的熔損式(Ablation)可記錄式盤片。又例如美國(guó)專利第4499178號(hào)所公開的利用兩層含不同金屬的材質(zhì)，在激光的照射下形成一合金而改變反射特性的雙層合金法(Alloying of Bilayer)。再例如美國(guó)專利第5188923號(hào)所公開的在基底上方形成不連續(xù)島狀的金屬層，在未寫入數(shù)據(jù)的部分為抗反射狀態(tài)，以一激光束進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入，不連續(xù)島狀的金屬層會(huì)連結(jié)而形成一強(qiáng)反射的金屬層。
如美國(guó)專利第4451914號(hào)及第4451915號(hào)所公開的一熔損式可記錄式盤片的記錄方式在記錄層上以激光燒熔出孔洞來(lái)寫入數(shù)據(jù)。原位于孔洞位置的記錄層的材質(zhì)堆積于孔洞兩側(cè)的記錄層之上而形成凸起。記錄層為一反射層，孔洞形成一穿透的位置，凸起無(wú)法如記錄層般的均勻反射，會(huì)有散射的情形，這樣在數(shù)據(jù)的判讀上會(huì)產(chǎn)生困難，且易出現(xiàn)錯(cuò)誤。
美國(guó)專利第4499178路的雙層合金法所需要的寫入能量高達(dá)200毫瓦至400毫瓦，目前一般所使用的讀寫機(jī)均無(wú)法提供如此高的能量，而公知所使用的其它材料也不適用于如此高能量的寫入模式。
美國(guó)專利第5188923號(hào)所公開的將不連續(xù)島狀的金屬層熔融形成具有反射性的金屬層，雖然寫入數(shù)據(jù)所需的能量不高，但是還有其它問(wèn)題。此專利中所公開的盤片其初始狀態(tài)為抗反射態(tài)，數(shù)據(jù)寫入后轉(zhuǎn)成強(qiáng)反射態(tài)，而一般的可記錄式盤片的設(shè)計(jì)為在未寫入數(shù)據(jù)時(shí)為強(qiáng)反射性質(zhì)，數(shù)據(jù)寫入是以光束破壞其反射性而和原來(lái)的狀況產(chǎn)去差異。一般的可記錄式盤片優(yōu)點(diǎn)為在盤片完成后極易檢測(cè)盤片是否具有瑕疵，若出現(xiàn)抗反射的部位即表示盤片有瑕疵，需加以淘汰。美國(guó)專利第5188923號(hào)所公開的盤片的反射特性正好和公知技術(shù)相反，如此一來(lái)盤片瑕疵的檢測(cè)變得相當(dāng)困難，這也是目前市場(chǎng)上販?zhǔn)鄣目捎涗浭奖P片在未寫入數(shù)據(jù)時(shí)均為強(qiáng)反射性質(zhì)的原因。
上述公知技術(shù)的缺點(diǎn)，其實(shí)是目前以無(wú)機(jī)材料制造的可記錄式盤片均無(wú)法同時(shí)克服這些缺點(diǎn)，就此，本發(fā)明所公開的可記錄式盤片結(jié)構(gòu)及記錄方法即在克服上述公知的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的另一目的在提供一種光學(xué)式可記錄媒體及其記錄方式，可以以低能量的光束進(jìn)行寫入的動(dòng)作。
本發(fā)明的又一目的在提供一種光學(xué)式可記錄媒體及其記錄方式，可符合現(xiàn)行光驅(qū)(CD-R或DVD-R)的讀寫規(guī)格及未來(lái)更高密度的光記錄媒體的需求。
本發(fā)明的再一目的在提供一種光學(xué)式可記錄媒體及其記錄方式，具有高反射性、低寫入功率、高信號(hào)調(diào)變(High Signal Modulation)且和公知的盤片具有相同的調(diào)變極性(Modulation Polarity)本發(fā)明所提供的一種光學(xué)式可記錄媒體，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層。記錄層結(jié)構(gòu)位于一透明基底上，依次包括透明層、半反射層、介電層、反射層以及材質(zhì)層。其中，透明層的材質(zhì)可以為金屬、金屬合金、半導(dǎo)體材料、金屬磷化物及金屬砷化物。透明層的材質(zhì)特別可以選自于硅、鍺、磷化鍺、磷化銦、砷化鎵、砷化銦、鉍鎵合金、鉍銦合金及其任意組合所組成的族群。透明層的厚度約介于1納米至200納米之間。
而半反射層的材質(zhì)可以為金屬，特別是可以選自于銀、鋁、金、鉻、銅、銦、銥、鎳、鉑、錸、銠、錫、鉭、鎢、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。半反射層的厚度約介于5納米至100納米之間。反射層的材質(zhì)也可以為金屬，特別是可以選自于銀、鋁、金、鉻、銅、銦、銥、鎳、鉑、錸、銠、錫、鉭、鎢、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。反射層的厚度介于1納米至300納米之間。
另外，介電層的材質(zhì)則選自于鋅、鋁、銦、錫、鈦、鎂、硅的氧化物、硫化物及其任意組合所組成的族群。除此之外，形成介電層的材質(zhì)更可以為一有機(jī)介電材質(zhì)。而其厚度則是約介于1納米至300納米之間。材質(zhì)層可以為一保護(hù)層，其目的可以為其它材質(zhì)層的保護(hù)層，材質(zhì)層更可以為另一黏合的透明基板。
當(dāng)一寫入光束照射記錄層時(shí)，半反射層與透明層會(huì)因?qū)懭牍馐鴰氲哪芰慷l(fā)生反應(yīng)，生成半反射層。半反射層的生成而造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。
本發(fā)明所提供的一種光學(xué)式可記錄媒體，其寫入光束所需的能量約在5毫瓦至30毫瓦之間，視所設(shè)計(jì)材質(zhì)層的厚度而定。記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，寫入前后的調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。而載體-噪聲比(Carrier-Noise Ratio)均可在40dB以上，一般而言可以達(dá)到60dB。
本發(fā)明所利用的原理為一光束對(duì)不同厚度的材質(zhì)層會(huì)有不同的穿透(反射)率。當(dāng)半反射層與透明層會(huì)因?qū)懭牍馐鴰氲哪芰慷l(fā)生反應(yīng)，生成半反射層，對(duì)讀取光束而言，在未寫入數(shù)據(jù)的部分，讀取光束照射時(shí)分別會(huì)在反射層、半反射層及透明層產(chǎn)生反射。在寫入數(shù)據(jù)的部分，僅在半反射層和反射層產(chǎn)生反射。半反射層的生成和位于其下的介電層的厚度總和而造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。
為改善記錄膜層的熱傳特性，以降低記錄點(diǎn)的錯(cuò)誤判斷率，可于透明層前先鍍上一層介電材質(zhì)層，以調(diào)整記錄時(shí)的熱傳模式。
再者，為了提高記錄層的反射率，更可于透明層前佳鍍一層半透反射層，借以達(dá)到提高記錄層反射率的目標(biāo)。
除此之外，更可以在介電層與半反射層間形成一透明層，此一新增的透明層也能達(dá)成改善記錄膜層的熱傳特性，以降低記錄點(diǎn)的錯(cuò)誤判斷率的功效。
本發(fā)明所公開的各個(gè)材料層的厚度可依需要而做調(diào)整，本發(fā)明的特征在于因?qū)懭牍馐丈涠律傻姆瓷鋵雍臀挥谄湎路降慕殡妼拥暮穸瓤偤蜁?huì)造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。因此，上述所公開的范圍僅為例式而已，例如，可以調(diào)整各個(gè)材質(zhì)層的厚度而使盤片在未記載數(shù)據(jù)時(shí)為抗反射或低反射的狀態(tài)，在數(shù)據(jù)寫入之后成為強(qiáng)反射的狀態(tài)，而其寫入光束的功率可低至1毫瓦。而所需各材質(zhì)層的厚度，就可能不在前述的范圍內(nèi)，但此仍屬于本發(fā)明所公開的專利范圍。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例6所公開的光學(xué)式可記錄媒體的剖面示意圖。
200、302、400、500、600記錄層202、402、502、602透明基底204、304、404、504、604、607透明層206、306、314、406、503、506、606半反射層208、308、403、408、508、608介電層210、410、510、610反射層212、412、512、612材質(zhì)層300寫入光束而半反射層206的材質(zhì)可以為金屬，特別是可以選自于銀、鋁、金、鉻、銅、銦、銥、鎳、鉑、錸、銠、錫、鉭、鎢、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。半反射層的厚度約介于5納米至100納米之間。反射層210的材質(zhì)也可以為金屬，特別是可以選自于銀、鋁、金、鉻、銅、銦、銥、鎳、鉑、錸、銠、錫、鉭、鎢、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。反射層210的厚度介于1納米至300納米之間。
另外，介電層208的材質(zhì)則選自于鋅、鋁、銦、錫、鈦、鎂、硅的氧化物、硫化物及其任意組合所組成的族群。除此之外，形成介電層208的材質(zhì)更可以為一有機(jī)介電材質(zhì)。而其厚度則是約介于1納米至300納米之間。材質(zhì)層212可以為一保護(hù)層，其目的可以為其它材質(zhì)層的保護(hù)層，材質(zhì)層212更可以為另一黏合的透明基板。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為本發(fā)明所公開的光學(xué)式可記錄媒體寫入數(shù)據(jù)后的剖面示意圖。當(dāng)一寫入光束300照射記錄層302時(shí)，半反射層306與透明層304會(huì)因?qū)懭牍馐鴰氲哪芰慷l(fā)生反應(yīng)，生成半反射層314。半反射層314的生成而造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。
本發(fā)明所提供的一種光學(xué)式可記錄媒體，其寫入光束所需的能量約在5毫瓦至30毫瓦之間，視所設(shè)計(jì)材質(zhì)層的厚度而定。記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，寫入前后的調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。而載體-噪聲比(Carrier-Noise Ratio)均可在40dB以上，一般而言可以達(dá)到60dB。
本發(fā)明所利用的原理為一光束對(duì)不同厚度的材質(zhì)層會(huì)有不同的穿透(反射)率。當(dāng)半反射層306與透明層304會(huì)因?qū)懭牍馐鴰氲哪芰慷l(fā)生反應(yīng)，生成半反射層314，對(duì)讀取光束而言，在未寫入數(shù)據(jù)的部分，讀取光束照射時(shí)分別會(huì)在反射層310、半反射層306及透明層304產(chǎn)生反射。在寫入數(shù)據(jù)的部分，僅在半反射層314和反射層310產(chǎn)生反射。半反射層314的生成和位于其下的介電層308的厚度總和而造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。
為改善記錄膜層的熱傳特性，以降低記錄點(diǎn)的錯(cuò)誤判斷率，可于透明層前先鍍上一層介電材質(zhì)層，以調(diào)整記錄時(shí)的熱傳模式。
再者，為了提高記錄層的反射率，更可于透明層前佳鍍一層半透反射層，借以達(dá)到提高記錄層反射率的目標(biāo)。
除此之外，更可以在介電層與半反射層間形成一透明層，此一新增的透明層也能達(dá)成改善記錄膜層的熱傳特性，以降低記錄點(diǎn)的錯(cuò)誤判斷率的功效。
本發(fā)明所公開的各個(gè)材料層的厚度可依需要而做調(diào)整，本發(fā)明的特征在于因?qū)懭牍馐丈涠律傻姆瓷鋵雍臀挥谄湎路降慕殡妼拥暮穸瓤偤蜁?huì)造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。因此，上述所公開的范圍僅為例式而已，例如，可以調(diào)整各個(gè)材質(zhì)層的厚度而使盤片在未記載數(shù)據(jù)時(shí)為抗反射或低反射的狀態(tài)，在數(shù)據(jù)寫入之后成為強(qiáng)反射的狀態(tài)，而其寫入光束的功率可低至1毫瓦。而所需各材質(zhì)層的厚度，就可能不在前述的范圍之內(nèi)，但此仍屬于本發(fā)明所公開的專利范圍。
實(shí)施例1為了讓本發(fā)明所提供的光學(xué)式可記錄媒體及其記錄方法更為清楚，茲提供一些較佳實(shí)施例說(shuō)明如下。
請(qǐng)參照

圖1，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層200。記錄層200位于透明基底202上，其結(jié)構(gòu)依次包括透明層204、半反射層206、介電層208、反射層210以及材質(zhì)層212。其中，透明基底202為厚度約1.2厘米的聚碳酸酯(PC)基底。透明層204為厚度約10納米至100納米的硅材質(zhì)薄層。半反射層206為厚度7納米至30納米的金金屬層。介電層208為厚度10納米至150納米的硫化鋅-氧化硅復(fù)合薄層。反射層210為厚度約10納米至100納米的鋁金屬薄層。材質(zhì)層212為一保護(hù)層。
以市售的讀寫光束波長(zhǎng)780納米讀寫式光驅(qū)進(jìn)行電氣特性測(cè)試(Dynamic Test)，以4倍速的速度進(jìn)行寫入，寫入的功率在14毫瓦至20毫瓦之間。結(jié)果發(fā)現(xiàn)記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。另外，由測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，如上述盤片的載體-噪聲比均可在45dB以上。
實(shí)施例2請(qǐng)參照?qǐng)D1，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層200。記錄層200位于透明基底202之上，其結(jié)構(gòu)依次包括透明層204、半反射層206、介電層208、反射層210以及材質(zhì)層212。其中，透明基底202為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。透明層204為厚度約10納米至100納米的硅材質(zhì)薄層。半反射層206為厚度約7納米至30納米的金金屬薄層。介電層208為厚度約10納米至150納米的硫化鋅-氧化硅復(fù)合薄層，介電層208也可為一有機(jī)介電材質(zhì)。反射層210為厚度約10納米至100內(nèi)米的鋁金屬薄層。材質(zhì)層212也為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。
以Pulsetech DDU-1000，以1倍速的速度進(jìn)行寫入來(lái)進(jìn)行電氣特性測(cè)試，讀寫光束波長(zhǎng)650納米，寫入的功率在11毫瓦至20毫瓦之間。結(jié)果發(fā)現(xiàn)記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。另外，由測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，如上述盤片的載體-噪聲比均可在60dB以上。
實(shí)施例3請(qǐng)參照?qǐng)D1，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層200。記錄層200位于透明基底202之上，其結(jié)構(gòu)依次包括透明層204、半反射層206。介電層208、反射層210以及材質(zhì)層212。其中，透明基底202為厚度約1.2厘米的聚碳酸酯(PC)基底。透明層204為厚度約10納米至100納米的硅材質(zhì)薄層。半反射層206為厚度約7納米至30納米的金金屬薄層。介電層208為厚度約10納米至150納米的硫化鋅-氧化硅復(fù)合薄層。反射層210厚度約10納米至100納米，而反射層210的材質(zhì)為選自于銀、鋁、金、銅、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。材質(zhì)層212為一保護(hù)層。
以市售的讀寫光束波長(zhǎng)780納米讀寫式光驅(qū)進(jìn)行電氣特性測(cè)試，以4倍速的速度進(jìn)行寫入，寫入的功率在11毫瓦至20毫瓦之間。結(jié)果發(fā)現(xiàn)記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。另外，由測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，如上述的部分測(cè)試盤片的載體-噪聲比均可在45dB以上，最高者可達(dá)64dB。
實(shí)施例4請(qǐng)參照?qǐng)D3，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層400。記錄層400位于透明基底402之上，其結(jié)構(gòu)依次包括介電層403、透明層404、半反射層406、介電層408、反射層410以及材質(zhì)層412。其中，透明基底402為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。透明層404為厚度約10納米至100納米的硅材質(zhì)薄層。半反射層406為厚度約7納米至30納米的金金屬薄層。介電層408為厚度約10納米至150納米的硫化鋅-氧化硅復(fù)合薄層，介電層408也可為一有機(jī)介電材質(zhì)。反射層410為厚度約10納米至100納米的鋁金屬薄層。材質(zhì)層412也為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。
其中介電層403的功能在改善記錄膜層的熱傳特性，以調(diào)整記錄時(shí)的熱傳特性。介電層403的材料與介電層408相同，但厚度介于約5納米至200納米之間。
以Pulsetech DDU-1000，以1倍速的速度進(jìn)行寫入來(lái)進(jìn)行電氣特性測(cè)試，讀寫光束波長(zhǎng)650納米，寫入的功率在11毫瓦至20毫瓦之間。結(jié)果發(fā)現(xiàn)記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。而其記錄點(diǎn)的單位長(zhǎng)度散布率(Jitter)較實(shí)施例2中的記錄層下降0.5-2％。
實(shí)施例5
請(qǐng)參照?qǐng)D4，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層500。記錄層500位于透明基底502之上，其結(jié)構(gòu)依次包括半反射層503、透明層504、半反射層506、介電層508、反射層510以及材質(zhì)層512。其中，透明基底502為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。透明層504為厚度約10納米至100納米的硅材質(zhì)薄層。半反射層506為厚度約7納米至30納米的金金屬薄層。介電層508為厚度約10納米至150納米的硫化鋅-氧化硅復(fù)合薄層，介電層508也可為一有機(jī)介電材質(zhì)。反射層510為厚度約10納米至100納米的鋁金屬薄層。材質(zhì)層512也為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。
其中半反射層503的功能在提高記錄膜層的反射率，以調(diào)整記錄時(shí)的熱傳特性。半反射層503的材料與半反射層506相同，但厚度介于約5納米至100納米之間。
以Pulsetech DDU-1000，以1倍速的速度進(jìn)行寫入來(lái)進(jìn)行電氣特性測(cè)試，讀寫光束波長(zhǎng)650納米，寫入的功率在11毫瓦至20毫瓦之間。結(jié)果發(fā)現(xiàn)記錄層的反射率較實(shí)施例2中的記錄層的反射率提高0.03至0.10，其信號(hào)調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。
實(shí)施例6請(qǐng)參照?qǐng)D5，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層600。記錄層600位于透明基底602之上，其結(jié)構(gòu)依次包括透明層604、半反射層606、透明層607、介電層608、反射層610以及材質(zhì)層612。其中，透明基底602為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。透明層604為厚度約10納米至100納米的硅材質(zhì)薄層。半反射層606為厚度約7納米至30納米的金金屬薄層。介電層608為厚度約10納米至150納米的硫化鋅-氧化硅復(fù)合薄層，介電層608也可為一有機(jī)介電材質(zhì)。反射層610為厚度約10納米至100納米的鋁金屬薄層。材質(zhì)層612也為厚度約0.6厘米的聚碳酸酯(PC)基底。
其中透明層607的功能在改善記錄膜層的熱傳特性，以調(diào)整記錄時(shí)的熱傳特性。透明層607的材料與透明層604相同，但厚度介于約5納米至50納米之間。
以Pulsetech DDU-1000，以1倍速的速度進(jìn)行寫入來(lái)進(jìn)行電氣特性測(cè)試，讀寫光束波長(zhǎng)650納米，寫入的功率在11毫瓦至20毫瓦之間。結(jié)果發(fā)現(xiàn)記錄層的反射率介于0.2至0.65之間，調(diào)變最大可達(dá)0.6以上。而其記錄點(diǎn)的單位長(zhǎng)度散布率(Jitter)較實(shí)施例2中的記錄層下降0.5-2％。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)式可記錄媒體，該光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層，該記錄層位于一第一透明基底之上，其特征是，該可記錄媒體的記錄層結(jié)構(gòu)依次至少包括一第一透明層；一第一半反射層；一第一介電層；一反射層；以及一材質(zhì)層，當(dāng)一寫入光束照射該記錄層，該第一半反射層與該第一透明層反應(yīng)生成一第二半反射層而反轉(zhuǎn)該記錄層的反射特性。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，形成該第一透明層的材質(zhì)選自于硅、鍺、磷化鍺、磷化銦、砷化鎵、砷化銦、鉍鎵合金、鉍銦合金及其任意組合所組成的族群。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，該第一透明層的厚度約介于1納米至200納米之間。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，形成該第一半反射層的材質(zhì)選自于銀、鋁、金、鉻、銅、銦、銥、鎳、鉑、錸、銠、錫、鉭、鎢、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，該第一半反射層的厚度約介于5納米至100納米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，形成該反射層的材質(zhì)選自于銀、鋁、金、鉻、銅、銦、銥、鎳、鉑、錸、銠、錫、鉭、鎢、其任意組合的合金及其任意組合所組成的族群。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，形成該介電層的材質(zhì)選自于鋅、鋁、銦、錫、鈦、鎂、硅的氧化物、硫化物及其任意組合所組成的族群。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，形成該介電層的材質(zhì)更包括一有機(jī)介電層。
9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，該介電層的厚度約介于1納米至300納米之間。
10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，反轉(zhuǎn)該記錄層的反射特性，因該第二半反射層的生成而造成讀取光束的光波相位移所致。
11.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，該材質(zhì)層可以為一保護(hù)層或一第二透明基板。
12.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，更包括在形成該第一透明層前，先形成一第二介電層，其特征是，該第二介電層的厚度介于5納米至200納米之間。
13.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，更包括在形成該第一透明層前，先形成一第三半反射層，其中該第三半反射層厚度介于5納米至100納米之間。
14.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)式可記錄媒體，其特征是，更包括在形成該第一介電層前，先形成一第二透明層，其中該第二透明層厚度介于5納米至50納米之間。
全文摘要
一種光學(xué)式可記錄媒體，此一光學(xué)式可記錄媒體至少具有一記錄層，記錄層位于一透明基底之上，其結(jié)構(gòu)依次包括一第一透明層、一第一半反射層、一介電層、一反射層以及一材質(zhì)層。當(dāng)一寫入光束照射記錄層時(shí)，第一半反射層與透明層會(huì)因?qū)懭牍馐鴰氲哪芰慷l(fā)生反應(yīng)，生成一第二半反射層，第二半反射層的生成而造成讀取光束照射時(shí)產(chǎn)生光波的相位移而反轉(zhuǎn)記錄層的反射特性。
文檔編號(hào)G11B7/254GK1450539SQ0210604
公開日2003年10月22日 申請(qǐng)日期2002年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月9日
發(fā)明者張育嘉, 鄭竹軒, 賴信成 申請(qǐng)人:連宥科技股份有限公司