專利名稱：測試動態(tài)存儲電路之方法及測試電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明系關于一種測試動態(tài)存儲電路之方法，及系關于一種進行此方法的測試電路。
背景技術：
在集成動態(tài)存儲電路的制造后，該存儲電路必須被測試其規(guī)格符合功能，以辨識缺陷，經(jīng)辨識缺陷一般可接著藉由以冗余方式提供的內(nèi)存區(qū)域置換缺陷發(fā)生的內(nèi)存區(qū)域而被修護。
缺陷由先寫入測試數(shù)據(jù)于該存儲電路及接著讀出該測試數(shù)據(jù)而被辨識，藉由比較寫入的測試數(shù)據(jù)及讀出的數(shù)據(jù)，若該測試數(shù)據(jù)與該讀出的數(shù)據(jù)不同，則缺陷被辨識。
數(shù)據(jù)在感應放大器協(xié)助下被自集成存儲電路讀取，依據(jù)在該存儲電路的位置而定，該感應放大器連接至一或兩個位線對，該位線對的每一個可經(jīng)由個別切換裝置連接至該感應放大器。而且，字線被提供，存儲單元位于該字線及該各自位線對的位線的各自其中之一間的交叉點。該存儲單元具存儲晶體管及儲存電容，其在連接至該存儲晶體管的控制輸入的相對應字線之控制下被施用于該相對應位線，由此在該相對應位線對的位線上產(chǎn)生的電荷差經(jīng)由相對應切換裝置傳導至該感應放大器及在那里被放大。
該集成存儲電路的成分以方法指定方式進行波動，故其參數(shù)變化。如此，做為實例，該儲存電容的電容自存儲單元與存儲單元波動及因而產(chǎn)生在該位線對的位線的不同電荷差。為進行適當功能，由具小的儲存電容的存儲單元產(chǎn)生的更小電荷差必須由該感應放大器正確地放大。
該感應放大器及該切換裝置(由該切換裝置該感應放大器及該位線對可彼此連接)亦可進行方法指定波動。做為實例，他們可較由該規(guī)格說明書所指定的為更慢或更快地切換該切換裝置或者該相關位線對的兩個位線以不同方式，亦即以不同速度，與該感應放大器連接或隔離。而且，藉由方法指定的弱或不正確尺寸的晶體管，該感應放大器為太慢以致于在所有情況下無法進行于位線上的電荷差之足夠快速及足夠大的放大。

發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明目的為提供一種測試方法，藉由此，特別是該位線的該感應放大器及連接于其的該切換裝置的功能可以經(jīng)改良方式被檢查。而且，本發(fā)明目的為提供一種測試存儲電路之測試電路，藉由此該感應放大器及該切換裝置(經(jīng)由該切換裝置該位線對可連接至該感應放大器)可以經(jīng)改良方式被檢查。
此目的可藉由根據(jù)權利要求第1項的方法及亦藉由根據(jù)權利要求第5項的測試電路達到。
本發(fā)明進一步有利具體實施例被訂定于相依權利要求。
本發(fā)明的第一方向提供一種方法以測試動態(tài)存儲電路，該存儲電路具感應放大器，其經(jīng)由第一切換裝置連接至第一位線對及經(jīng)由第二切換裝置連接至第二位線對。第一存儲單元被排列于第一字線及該第一位線對的位線的其中之一間的交叉點及第二存儲單元被排列于第二字線及該第二位線對的位線的其中之一間的交叉點。為測試存儲電路，數(shù)據(jù)被寫至該第一及第二存儲單元及接著再被讀取。在該第一存儲單元的其中之一的讀取期間，該相關第一字線被致動，該第一切換裝置被致動及該第二切換裝置被關閉。相對應地，在該第二存儲單元的其中之一的讀取期間，該相關第二字線被致動，該第一切換裝置被關閉及該第二切換裝置被致動。根據(jù)本發(fā)明，該第一及第二存儲單元依序被讀取，故在該第一及第二存儲單元的測試期間，該第一及第二切換裝置基本上被多重地切換。
在先前動態(tài)存儲電路的測試之情況下，沒有任何或完全不足的測試操作被進行以測試排列于存儲電路內(nèi)的該感應放大器及連接于其的該切換裝置之適當功能?；旧希跍y試該存儲單元的功能之該存儲單元的讀取期間，該字線被連續(xù)致動及相對應數(shù)據(jù)被自位于其上的該存儲單元讀取，此被相當普遍地實現(xiàn)，使得首先在該感應放大器的第一位線對上的該存儲單元被連續(xù)讀取及接著在該感應放大器的第二位線對上的該存儲單元被連續(xù)讀取，以此方式，該第一及第二切換裝置僅在自讀取該第一存儲單元變化至讀取該第二存儲單元期間被切換。
兩個可能缺陷無法由此被辨識，該切換裝置一般由晶體管形成，其根據(jù)控制信號被切換為開或關，該切換裝置在相關于電荷等量化于預先訂定的暫時位置被切換為開或關，電荷等量化等量化在位線對上的位線之電荷。該電荷等量化一般由被排列于該位線對的兩個位線間的晶體管進行及經(jīng)由此等量化晶體管的致動等量化在該兩個位線上的電荷。
該等量化晶體管的進一步目的為將該感應放大器回復至一種操作點，在此點其可能以最適方式偵測在該經(jīng)連接位線上的小的正及負的電荷差。然而，若該切換裝置太早切換，其可由缺陷地加工的晶體管或具規(guī)格不符合參數(shù)的晶體管產(chǎn)生，則該相對應感應放大器未由該等量化晶體管回復至該操作點。該感應放大器因而系在未被定義的狀態(tài)，在某情況下，使得在下一個讀取操作期間未能夠使該感應放大器偵測在該經(jīng)連接位線上的正及/或負的電荷差。特別是若該切換裝置的晶體管之參數(shù)僅與所欲規(guī)格符合參數(shù)些微差異，該感應放大器僅些微程度距離該操作點。如此，”強”存儲單元，亦即具高儲存電容的存儲單元，可補償該感應放大器的經(jīng)偏移操作點及依然產(chǎn)生儲存數(shù)據(jù)的正確讀取。然而，”弱”存儲單元，亦即具低儲存電容的存儲單元，無法儲存足夠電荷以產(chǎn)生在該相對應位線對的位線上的足夠大電荷差，故小的電荷差無法在非最適操作點由該感應放大器偵測。
若其接著為自讀取該第一存儲單元變化至讀取該第二存儲單元的情況，該第二存儲單元的要被讀取的第一個為強存儲單元，在某個情況下，缺陷的第一切換裝置未被辨識，及反之亦然。
缺陷切換裝置未被辨識的進一步可能性發(fā)生于后段測試操作，在該后段測試操作期間，已被辨識的缺陷存儲區(qū)域由冗余存儲區(qū)域取代。所以，在第一及第二位線對所連接的感應放大器，所連接位線對的其中之一可在該存儲電路的不同位置由冗余位線對取代。因為未被關斷的該集成電路的地址信號，對經(jīng)取代的存儲區(qū)域，第一及第二切換裝置亦仍保持活性的且由相對應存儲電路控制。特別是在缺陷的情況下，其中已由冗余位線對取代的位線對的位線的其中之一被拉至固定電位，如接地電位或高供應電壓電位，此發(fā)生于由等量化晶體管所進行的電荷等量化期間，在經(jīng)取代的位線對的電壓值為偏移的(與習知中心電壓相較)但因切換裝置未被完全地關斷使得此電壓被施用于該感應放大器。依據(jù)該感應放大器被實現(xiàn)的晶體管之參數(shù)而定，結果，該感應放大器可假設一個與最適放大條件不同的狀態(tài)，此非最適狀態(tài)產(chǎn)生弱存儲單元，此弱存儲單元未產(chǎn)生在未修護位線對的位線的足夠大電荷差，使得其可由未最適地設定在該操作點的該感應放大器放大。自讀取該第一存儲單元變化至讀取該第二存儲單元后，若該第二存儲單元的第一個為強存儲單元，根據(jù)先前測試方法此種缺陷無法無法被探知。
所以，本發(fā)明提供該切換裝置可以藉由自讀取該第一存儲單元變化至讀取該第二存儲單元被多重地切換而以經(jīng)改良方式被測試，結果，該切換裝置的每一個以不同存儲單元測試，故缺陷可被更可信賴地被偵測。
較佳為，該第一及第二存儲單元被交替地讀取，使得該第一及第二存儲單元的每一個可以該各自的切換裝置之切換被測試。因該存儲電路以經(jīng)加強測試條件，亦為在可能實際發(fā)生的條件下被如此真正的測試，故不需要有個別的測試路徑以測試該切換裝置，而是該切換裝置的測試可基本上與每一個測試操作合并，在此期間所有存儲單元在感應放大器被讀取。
較佳為，該第一及第二存儲單元藉由地址被定地址，該第一及第二切換裝置藉由該地址的最不顯著地址位被驅動。以此方式，藉由增量該測試地址，可能以簡單方式達到自該第一位線對至該第二位線對的讀取之變化。
本發(fā)明的進一步方向提供一種測試電路以測試存儲電路，感應放大器經(jīng)由第一切換裝置連接至第一位線對及經(jīng)由第二切換裝置連接至第二位線對。第一存儲單元被排列于第一字線及該第一位線對的位線的其中之一間的交叉點，及第二存儲單元被排列于第二字線及該第二位線對的位線的其中之一間的交叉點。該測試電路被構型為使得寫入測試數(shù)據(jù)至該第一及第二存儲單元及接著讀取后者。在第一存儲單元的其中之一的讀取期間，該測試電路致動該相關第一字線及致動該第一切換裝置及關閉該第二切換裝置。在第二存儲單元的其中之一的讀取期間，該測試電路致動該相關第二字線及關閉該第一切換裝置及致動該第二切換裝置。該測試電路以一種方式控制該第一及第二存儲單元的讀取使得該第一及第二存儲單元被依序讀取，讀取方式為在該第一及第二存儲單元測試期間，該第一及第二切換裝置基本上被多重切換。
在測試期間，用于在感應放大器自存儲單元讀取數(shù)據(jù)的測試電路具優(yōu)點為基本上該第一及第二切換裝置及該感應放大器被伴隨測試。特別是，其可提供該第一位線對的位線系連接至第一等量化裝置及該第二位線對的位線系連接至第二等量化裝置。


本發(fā)明較佳具體實施例參考相關圖標詳細解釋于下，其中第1圖顯示具根據(jù)本發(fā)明測試電路的動態(tài)存儲電路之細節(jié)；及第2圖顯示說明根據(jù)本發(fā)明方法的流程圖。
具體實施例方式
第1圖說明動態(tài)存儲電路之細節(jié)，該存儲電路包括感應放大器1，第一位線對2經(jīng)由第一切換裝置4連接至該感應放大器1的左手側及第二位線對3經(jīng)由第二切換裝置5連接至該感應放大器1的右手側。
該第一位線對2具第一位線BL1及第二位線BL2，該第一位線對2的位線BL1、BL2與第一字線WL1、WL2及WL3交叉。第一存儲單元Z1位于該第一位線對2的第一位線BL 1與該第一字線的其中之一WL1間的交叉點上。該第一存儲單元Z1具存儲晶體管T及儲存電容C，該存儲晶體管T及該儲存電容C以一種方式被切換使得該存儲晶體管藉由在該第一字線WL1上的致動信號被致動，使得在該儲存電容C的電荷流至該第一位線BL1。
其它存儲單元Z2位于該第一位線對2的第二位線BL2與第一字線的另一個WL2間的交叉點上，及其它存儲單元Z3位于第一位線BL1與第一字線的第三個WL3間的交叉點上，該第一存儲單元Z1、Z2、Z3基本上為物理相同型式。在本質上，該第一存儲單元Z1、Z2、Z3的排列為使得每位線對僅一個存儲單元可在該第一字線WL1、WL2、WL3的每一個驅動。
一般，可存在大數(shù)目的第一位線如1024，其與該第一位線對2的位線交叉。以相同方式，第二字線WL4、WL5、WL6與第二位線對3的第一位線BL1及與第二位線對3的第二位線BL2相交。以與在該第一位線對2的相同方式，第二存儲單元Z4、Z5、Z6以物理相同型式排列于該第二位線對3上，該第二位線對3亦與大數(shù)目的位線相交，如1024。
第一切換裝置4具第一切換晶體管41及第二切換晶體管42，該第一及第二切換晶體管41、42的控制輸入系連接至第一切換信號MUX1。第二切換裝置5具第三切換晶體管51及第四切換晶體管52，其控制輸入系由第二切換信號MUX2驅動。
此外，存在第一等量化晶體管6，其系根據(jù)第一等量化信號EQ1被致動，故在該第一位線對2的該第一位線BL1及該第二位線BL2的電位被等量化。以相同方式，在該第二位線對3的該第一位線BL1及該第二位線BL2的電荷可根據(jù)第二等量化信號EQ2以類似排列使用第二等量化晶體管7被連接至另一個以等量化在該第二位線對的該位線BL1、BL2的電荷電位。該第一及第二等量化信號EQ1、EQ2與該第一及第二切換信號MUX1、MUX2系由控制裝置8提供。
為自該第一存儲單元Z1、Z2、Z3的其中之一，如該第一存儲單元Z1，讀出數(shù)據(jù)，在該第一位線對2的該第一位線BL1及該第二位線BL2的電位先被等量化，此可藉由根據(jù)第一等量化信號EQ1被致動的第一等量化晶體管6完成。經(jīng)由該第一等量化信號EQ1的去致動，該第一等量化晶體管6被關斷及該字線WL1接著被致動，故該相關存儲晶體管T被致動。儲存在相對應儲存電容C的電荷流至該第一位線BL1，于此其一般以些微10毫伏特變化該電位。
之后或基本上同時，該切換裝置4被致動，使得該第一位線BL1及該第二位線BL2的電位被施用于該感應放大器1。該感應放大器1偵測在該位線對2的該兩個位線BL1、BL2的電位差之符號及放大在該位線BL1、BL2的電位差，該符號被保留。依據(jù)該第一位線BL1的位線電位是否大于或小于該第二位線BL 2的電位而定，第一數(shù)據(jù)值或第二數(shù)據(jù)值在該感應放大器1的相對應數(shù)據(jù)輸出(未示出)被輸出。
在該讀取已進行后，該相對應字線WL1被去致動及該第一等量化晶體管6根據(jù)該第一等量化信號EQ1被致動以等量化在該第一位線BL1及該第二位線BL2的電荷差。在該第一存儲單元的其中之一的讀取后的該第一存儲單元Z1、Z2、Z3的其中之一的后續(xù)更新定地址期間，該第一切換裝置4未被關斷，而是維持開啟的。
在該第一存儲單元的其中之一的讀取期間，該第二切換裝置5同時維持為關斷的，故該第二位線對3的該第一及第二位線BL1、BL2未連接至該感應放大器1。相對應的，在該第二字線WL4、WL5、WL6的其中之一的定地址期間，該第一切換裝置4被關斷及該第二切換裝置5被致動，使得該第二位線對3的該第一位線BL1及該第二位線BL2被連接至該感應放大器1。
在該動態(tài)存儲電路的存儲單元之測試期間，測試數(shù)據(jù)被寫至所有存儲單元及經(jīng)儲存數(shù)據(jù)被接著再讀取以經(jīng)由在寫入的測試數(shù)據(jù)及讀出的數(shù)據(jù)間的差異探知該存儲單元的缺陷。一般，數(shù)據(jù)的寫入及讀出以不同測試數(shù)據(jù)及在不同外界條件下被多重地重復，以亦能夠排除一般稱的”軟”缺陷，亦即僅在特定條件下發(fā)生的缺陷。先前寫入的測試數(shù)據(jù)已由相對應字線以它們在該動態(tài)存儲模塊的實體排列之順序的連續(xù)致動被讀出，亦即首先所有該第一存儲單元被連續(xù)讀出及之后為所有該第二存儲單元，該存儲電路的測試由測試電路9控制。
在每一個存儲單元的讀取之后，若被讀取的數(shù)據(jù)已被送至在數(shù)據(jù)線路(未示出)的該感應放大器1，該第一位線BL1及該第二位線BL2的不同電荷電位被等量化，此系藉由等量化晶體管6、7而完成，其系由等量化信號EQ1、EQ2被致動。在同時，經(jīng)由該第一及第二位線BL1、BL2的短電路及藉由該各自經(jīng)致動的切換裝置4、5，該感應放大器1被回復至該操作點，在此點該感應放大器1對在該位線上的正及負的電位差具最大可能敏感性。在例如第一存儲單元的連續(xù)讀取期間，所以，在每一個情況下該字線被致動及該電荷差藉由該感應放大器1被放大及讀取。在讀取后，在下一個字線被致動前，該經(jīng)致動等量化晶體管6等量化在該兩個位線BL1、BL2上的電荷電位。在第一存儲單元讀取期間，該第一切換裝置4維持為致動的，該第一切換裝置4僅當該第二存儲單元，而非該第一存儲單元，被意欲接著存取時才會關斷。該第二切換裝置5接著基本上在與該第一切換裝置4的關斷的同時間被致動。
在變化時于該第一及該第二切換裝置4、5間的切換基本上在該各自等量化裝置6、7的致動之后的一個預先訂定時間后被作動。
方法波動可產(chǎn)生在該第一及/或第二切換晶體管41、42及各自地，該第三及/或第四切換晶體管51、52的參數(shù)偏移，他們具如當該切換晶體管41、42、51、52進行自開啟至關斷狀態(tài)的變化及反之亦然情況下，該控制電壓的電壓范圍為太高的之影響，使得在根據(jù)控制信號MUX1的電壓變化之情況下，該第一及第二切換晶體管41、42被太早切換為關斷。如以此方式太早關斷該切換裝置4的結果為該感應放大器1可能不再完全由該等量化晶體管6的電荷等量化回復至該操作點。因與該第一切換裝置4的關斷的同時間，該第二切換裝置5為開啟的以讀取第二存儲單元，在該第二存儲單元的第一個的讀取期間，該感應放大器1未在其操作點，其結果為在某些情況下，經(jīng)儲存數(shù)據(jù)無法由該感應放大器1被正確地讀取。特別是，可能強存儲單元，亦即具高電荷數(shù)據(jù)的存儲單元，之讀取仍可被正確地形成，然而弱存儲單元，亦即具較低儲存電容的存儲單元之電荷數(shù)據(jù)以缺陷方式產(chǎn)生，此缺陷無法由先前測試方法被辨識及直到在稍后的應用中才會發(fā)生。
在該第一及第二存儲單元的讀取期間，如上所述，首先該第一存儲單元及接著該第二存儲單元被讀取，僅自讀取在該第一位線對2的第一存儲單元變化至讀取在該第二位線對3的該第二存儲單元被作動。若強存儲單元被當作該第二位線對的第一存儲單元被讀取，則該第一切換裝置4的缺陷可能無法被辨識，在任何情況該第二切換裝置的缺陷可能無法被辨識，因為該切換裝置僅自關閉至致動狀態(tài)被切換一次，如此，缺陷的第一切換裝置4僅在當在該切換裝置4、5的切換之后弱的第二存儲單元(其一般，亦即在該切換裝置4、5以規(guī)格相符方式作用的情況下，產(chǎn)生正確的讀取結果之情況下)被當作該第二位線對的第一存儲單元被讀取時才能被辨識。此情況為少見的，及因此缺陷被相當少見地被辨識。
所以為能夠能更可靠地檢查該切換裝置4、5的功能性，本發(fā)明方法依序讀取該第一及第二存儲單元，其中該切換裝置4、5被自關斷至開啟狀態(tài)及在回到關斷狀態(tài)被多重地切換，若在第一存儲單元的每一個讀取后，該第一切換裝置4被切換為關斷及該第二切換裝置5被切換開啟及接著該第二存儲單元的其中之一被讀取，則得到該切換裝置4、5的最適測試。在第二存儲單元的讀取后，該第二切換裝置5接著再被切換為關斷及該第一切換裝置4被切換開啟以接著讀取該第一存儲單元的下一個，此被持續(xù)直到所有該第一及第二存儲單元皆被讀取。
若該缺陷的切換裝置4、5以上述測試方法被辨識，則其可能將連接至該缺陷的切換裝置的位線對以冗余存儲區(qū)域置換。
其它缺陷機構可以后段測試操作發(fā)生，若該位線對2、3的其中之一由冗余位線對置換，經(jīng)置換的位線對的存儲單元被的確定地址，但存在于該感應放大器的數(shù)據(jù)輸出的讀取數(shù)據(jù)未被評估。因此，在該缺陷位線對的相對應地址的定地址之情況下，該相對應切換裝置4、5亦被致動且被讀取數(shù)據(jù)根據(jù)在該感應放大器1的正常功能被評估。若該經(jīng)置換的位線對的位線的其中之一被永遠連接至字線或供應電壓線路，則不可能在那里正確地讀取該存儲單元且該字線電壓或供應電壓總是決定在該位線對的信號。
在電荷等量化期間，做為實例，該經(jīng)修護位線對的第一位線可因永遠的短路被接至接地電壓及因而產(chǎn)生在該相關位線對的位線的不對稱電壓位置。藉由在該經(jīng)修護位線對的經(jīng)開啟切換裝置，亦存在在該感應放大器的電壓不對稱性，甚至在該相關切換裝置已被切換為關斷后，其仍保持在一種狀態(tài)，其中連接至該第一位線的終端之電壓與連接至該第二位線的終端之電壓為不同的。在所說明實例中，其中該第一位線對的第一位線被接至接地電壓，其不可能接著讀取該第二位線對的該第一位線BL1及該第二位線BL2間的正電荷差。然而，即使在位線對的位線的不等量化電壓之情況下，適當功能的感應放大器必須假設一種操作點，在此點該各自其它位線對的存儲單元可被后續(xù)地讀取。
藉由后段測試操作，根據(jù)本發(fā)明測試方法可因而測試一旦該經(jīng)取代位線對的位線該未完全等量化的電壓被施用于該感應放大器，該感應放大器是否能夠讀取該未修護位線對的每一個存儲單元，此種測試未構成加強測試條件。在正常操作中，此種存取亦為可能的，因為即使在該經(jīng)取代位線對的情況下，該切換裝置仍保持為活性的且該相關感應放大器可因而亦連接至缺陷位線對。
第2圖使用流程圖說明根據(jù)本發(fā)明方法。在步驟S1，在該測試操作的開始，首先測試數(shù)據(jù)被寫至所有存儲單元，在步驟S2，在去致動字線的情況下，首先該等量化晶體管6、7被致動以等量化在該位線對的該第一位線及該第二位線BL1、BL2上的電荷。之后，在步驟S3，該第一切換裝置4為開啟的(若其原先未被打開)及該感應放大器1因而藉由等量化裝置6被帶至操作點，其仍為致動的。
在后續(xù)步驟S4，該等量化晶體管6被切換為關閉的，及在步驟S5，該第一字線WL1被致動以讀取該第一存儲單元Z1、Z2、Z3的的其中之一。該字線WL1維持致動一特定時間，使得自該儲存電容C的電荷可流至該第一位線對2的各自位線，在該第一位線BL1及該第二位線BL2間的電荷差由該感應放大器1被偵測及在該位線被放大。
在步驟S6，一旦由該感應放大器進行的讀取電荷數(shù)據(jù)的放大結束，該字線WL1被去致動，一旦該字線在步驟S7被去致動，該等量化晶體管6再次被致動以等量化在該第一位線對2的該第一及該第二位線BL1、BL2上的電荷電位。同時，該感應放大器1意欲回復至該操作點。
因，在正常操作中，該感應放大器1必須能盡可能快速地被提供以讀取該第二存儲單元，預先決定的時間被指定，其中該感應放大器必須到達該操作點。換言之，若第二存儲單元意欲在下一次被存取，在步驟S8，在第一存儲單元被讀取后在該等量化晶體管6致動后，該第一切換裝置4被切換為關斷一特定時間，使得該第一位線對的該位線與該感應放大器1隔離。若此隔離太快速發(fā)生，則該感應放大器不具足夠時間以假設該操作點。在該第一切換裝置關斷之后或基本上與之同時，該第二切換裝置5在步驟S9被開啟，及在其之后或基本上與之同時，該第二等量化晶體管9在該等量化信號EQ2的協(xié)助下被去致動。
該相關第二字線接著在要被讀取的第二存儲單元被致動，該第二字線WL維持為致動的直到在該第二位線對3的該位線BL1、BL2上的電荷差已由該感應放大器1讀取。之后，在步驟S12，該相對應字線被去致動，及在該第二等量化信號EQ2的協(xié)助下，該等量化晶體管7再次被開啟以等量化在該第二位線對3的該位線BL1、BL2的電荷電位。然而，此表示該感應放大器1因經(jīng)致動的第二切換裝置5而回復至其操作點。而且，在步驟S14，該第二切換裝置5為關閉的及該第一切換裝置4為開啟的。
若其它存儲單元要被讀取，回到步驟S3且其它第一存儲單元及其它第二存儲單元的讀取被繼續(xù)。若沒有其它存儲單元要被讀取，則讀取結束。
若不同數(shù)目的第一及第二存儲單元位于該第一位線對2或位于該第二位線對3，則可能第一存儲單元的其中之一或第二存儲單元的其中之一要被多重讀取以測試該切換裝置4、5及各自地，具所有第一存儲單元及所有第二存儲單元的該感應放大器1。
權利要求
1.一種測試在動態(tài)存儲電路的感應放大器(1)的方法，該感應放大器(1)系經(jīng)由第一切換裝置(4)連接至第一位線對(2)及經(jīng)由第二切換裝置(5)連接至第二位線對(3)，第一存儲單元(Z1、Z2、Z3)被排列于第一字線(WL1、WL2、WL3)及該第一位線對(2)的該位線(BL1、BL2)的其中之一間的交叉點及第二存儲單元(Z4、Z5、Z6)被排列于第二字線(WL4、WL5、WL6)及該第二位線對(3)的該位線的其中之一間的交叉點，首先，在測試期間，數(shù)據(jù)被寫至該第一(Z1、Z2、Z3)及該第二(Z4、Z5、Z6)存儲單元及接著被讀取，在該第一存儲單元(Z1、Z2、Z3)的其中之一的讀取期間，該相關第一字線(WL1、WL2、WL3)被致動，該第一切換裝置(4)被致動及該第二切換裝置(5)被關閉，在該第二存儲單元(Z4、Z5、Z6)的其中之一的讀取期間，該相關第二字線(WL4、WL5、WL6)被致動，該第一切換裝置(4)被關閉及該第二切換裝置(5)被致動，其中，該第一存儲單元的其中之一及第二存儲單元的其中之一(Z1-Z6)依序被讀取，故在該第一及第二存儲單元(Z1-Z6)的測試期間，該第一及第二切換裝置(4、5)基本上被多重地切換。
2.根據(jù)權利要求第1項的方法，其中該第一及該第二存儲單元(Z1-Z6)被交替讀取。
3.根據(jù)權利要求第2項的方法，其中該第一及該第二存儲單元(Z1-Z6)系藉由地址被定地址，該第一及該第二切換裝置(4、5)系藉由該地址的最不重要地址位被驅動。
4.根據(jù)權利要求第1至3項中其中一項的方法，其中該第一位線對(2)的該位線(BL1、BL2)的電荷電位在該第一字線(WL1、WL2、WL3)的其中之一的致動前被等量化，及其中該第二位線對(3)的該位線(BL1、BL2)的電荷電位在該第二字線(WL4、WL5、WL6)的其中之一的致動前被等量化。
5.一種測試在存儲電路的感應放大器(1)的測試電路(9)，該感應放大器(1)系經(jīng)由第一切換裝置(4)連接至第一位線對(2)及經(jīng)由第二切換裝置(5)連接至第二位線對(3)，第一存儲單元(Z1、Z2、Z3)被排列于第一字線(WL1、WL2、WL3)及該第一位線對(2)的該位線(BL1、BL2)的其中之一間的交叉點及第二存儲單元(Z4、Z5、Z6)被排列于第二字線(WL4、WL5、WL6)及該第二位線對(3)的該位線的其中之一間的交叉點，該測試電路(9)以一種方式被構形使得寫入測試數(shù)據(jù)至該第一及該第二存儲單元及接著讀取該測試數(shù)據(jù)，在該第一存儲單元(Z1、Z2、Z3)的其中之一的讀取期間，該測試電路(9)致動該相關第一字線(WL1、WL2、WL3)及致動該第一切換裝置(4)及關閉該第二切換裝置(5)，在該第二存儲單元(Z4、Z5、Z6)的其中之一的讀取期間，該測試電路(9)致動該相關第二字線(WL4、WL5、WL6)及關閉該第一切換裝置(4)及致動該第二切換裝置(5)，其中，該測試電路(9)以一種方式控制該第一及第二存儲單元(Z1-Z6)的讀取使得在該第一及第二存儲單元(Z1-Z6)的測試期間，該第一及第二切換裝置(4、5)基本上被多重地切換。
6.根據(jù)權利要求第5項的測試電路(9)，其中該測試電路(9)以一種方式控制該讀取使得該第一及該第二存儲單元(Z1-Z6)被交替讀取。
7.根據(jù)權利要求第5或6項的測試電路(9)，其中該測試電路(9)以一種方式控制第一及第二切換裝置(4、5)使得在該第一存儲單元(Z1、Z2、Z3)的其中之一的讀取期間，該第一切換裝置(4)被致動及該第二切換裝置(5)被關閉，及在該第二存儲單元(Z4、Z5、Z6)的其中之一的讀取期間，該第一切換裝置(4)被關閉及該第二切換裝置(5)被致動。
全文摘要
本發(fā)明涉及測試動態(tài)存儲電路的感應放大器之方法，該放大器經(jīng)第一切換裝置連至第一位線對及經(jīng)第二切換裝置連至第二位線對，第一存儲單元被排列于第一字線及第一位線對的位線之一間的交叉點及第二存儲單元被排列于第二字線及該第二位線對的位線之一間的交叉點，首先在測試期間數(shù)據(jù)被寫至第一及第二存儲單元并被讀取，在第一存儲單元之一讀取期間，第一字線被致動，第一切換裝置被致動及第二切換裝置被關閉，在第二存儲單元之一讀取期間，第二字線被致動，第一切換裝置被關閉及第二切換裝置被致動，第一存儲單元及該第二存儲單元之一依序被讀取，在第一及第二存儲單元的測試期間第一及第二切換裝置被多重地切換。
文檔編號G11C29/02GK1530665SQ200410028418
公開日2004年9月22日 申請日期2004年3月11日 優(yōu)先權日2003年3月11日
發(fā)明者M·維森, P·比爾, L·尼諾, M 維森 申請人:因芬尼昂技術股份公司