專利名稱：具有磁頭滑塊的磁頭裝置及使用磁頭裝置的磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及裝有具備向磁盤上記錄用及/或再生用的磁元件的磁頭滑塊的磁頭裝置及使用它的磁盤裝置，特別涉及增大所述磁頭滑塊從所述磁盤上上浮時和上浮后的傾角的差，同時可以減少因氣壓變化而造成的所述傾角的變動，從而可以防止對磁元件的損傷以及實(shí)現(xiàn)磁頭滑塊的上浮姿勢的穩(wěn)定化的磁頭裝置及使用它的磁盤裝置。
背景技術(shù)：
圖21為示意性地表示以下所示的專利文獻(xiàn)1中記述的磁頭滑塊的磁盤對置面的俯視圖，圖22為示意性地表示以下所示的專利文獻(xiàn)2中記述的磁頭滑塊的磁盤對置面的俯視圖，圖23為示意性地表示以下所示的專利文獻(xiàn)3中記述的磁頭滑塊的磁盤對置面的俯視圖。
圖21中，在磁頭滑塊M1的磁盤對置面上，形成階梯面A、正壓產(chǎn)生面B及凹槽C。所述階梯面A及正壓產(chǎn)生面B的高度要高于所述凹槽C，并且，所述正壓產(chǎn)生面B的高度高于所述階梯面A。所述階梯面A在磁頭滑塊M1的導(dǎo)入(leading)側(cè)端面S1側(cè)形成寬大的面積，所述正壓產(chǎn)生面B比所述階梯面A更靠近退離(trailing)側(cè)端面St側(cè)。所述正壓產(chǎn)生面B在寬度方向(圖中X方向)上被分成兩部分，在所述正壓產(chǎn)生面B、B之間，延伸有階梯面A1，其與位于比所述正壓產(chǎn)生面B更靠近導(dǎo)入側(cè)的位置上的階梯面A形成一體。
所述凹槽C比所述正壓產(chǎn)生面B及階梯面A更靠近退離側(cè)端面St側(cè)。
如圖21所示，在所述磁頭滑塊M1的退離側(cè)端面St側(cè)上，設(shè)有用于對磁盤進(jìn)行磁記錄及/或?qū)τ涗浻诖疟P中的磁信號進(jìn)行再生的磁元件，所述磁元件在磁盤對置面上露出。設(shè)有所述磁元件的磁元件形成面E與所述正壓產(chǎn)生面B的高度相同。
圖22的磁頭滑塊M2與圖21不同，位于導(dǎo)入側(cè)端面SL側(cè)的正壓產(chǎn)生面B沿寬度方向(圖中X方向)延伸得較長，不像圖21那樣被分成兩部分。如圖22所示，在所述正壓產(chǎn)生面B的退離側(cè)端面St一側(cè)，形成沿寬度方向(圖中X方向)分離成兩個的正壓產(chǎn)生面B1、B1，該正壓產(chǎn)生面B1和正壓產(chǎn)生面B1由形成與所述階梯面A相同高度的連結(jié)面A2、A2在長方向上(圖中Y方向)相連接。
圖23中所示的磁頭滑塊M3與圖22不同，磁元件形成面E沿寬度方向(圖中X方向)延伸得較長，使得所述凹槽C成為完全夾隔于所述正壓產(chǎn)生面B和磁元件形成面E之間的狀態(tài)。
對于圖21到圖23所示的任意一個磁頭滑塊M1、M2、M3，也在磁盤旋轉(zhuǎn)時，由于空氣流從導(dǎo)入側(cè)端面S1穿過階梯面A下方，空氣在其與正壓產(chǎn)生面B之間被壓縮，產(chǎn)生正壓，從而使磁頭滑塊的導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)與退離側(cè)端面St側(cè)相比，從磁盤上提升至上方。當(dāng)磁盤的旋轉(zhuǎn)速度變快時，所述磁頭滑塊上浮于磁盤面之上，在上浮狀態(tài)下，主要利用在正壓產(chǎn)生面B上產(chǎn)生的正壓和在凹槽C上產(chǎn)生的負(fù)壓的平衡，將所述磁頭滑塊的磁元件保持在接近磁盤面的傾斜姿勢，在其傾斜姿勢的狀態(tài)下，對所述磁盤進(jìn)行記錄及/或再生。
特開2001-283549號公報[專利文獻(xiàn)2]特開平9-153210號公報[專利文獻(xiàn)3]特開2002-230732號公報但是，在圖21到圖23中所示的磁頭滑塊M1、M2、M3中，分別有如下的問題。
圖21所示的磁頭滑塊M1中，正壓產(chǎn)生面B在寬度方向被分成兩部分，其間形成階梯面A1。因此，當(dāng)磁頭滑塊M1上浮于磁盤面上時，空氣流很容易從導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)的階梯面A上流向所述正壓產(chǎn)生面B、B間的階梯面A1上，從而難以產(chǎn)生極大的正壓。
所以，雖然當(dāng)磁頭滑塊M1上浮于磁盤面上時，所述磁頭滑塊M1的導(dǎo)入側(cè)端面S1不會急劇地從磁盤面上升，但是在面積比率較小的正壓產(chǎn)生面B上磁頭滑塊上浮于磁盤上之后，在正壓產(chǎn)生面B、B上產(chǎn)生的正壓也難以變高，因而退離側(cè)端面St與導(dǎo)入側(cè)端面S1相比，更難以形成向磁盤面方向下降的上浮姿勢，從而無法有效地縮短設(shè)于退離側(cè)端面St側(cè)的磁元件和磁盤間的距離。所以，由于空間損失增大，因此無法提供可以與高記錄密度化恰當(dāng)?shù)貙?yīng)的磁頭裝置。
在圖22所示的磁頭滑塊M2中，由于未將正壓產(chǎn)生面B分成兩部分，而是沿寬度方向(圖中X方向)較長地延伸，因此當(dāng)磁頭滑塊M2上浮于磁盤面上時，階梯面A和正壓產(chǎn)生面B之間的正壓變大，因而與圖21所示的磁頭滑塊M2相比，導(dǎo)入側(cè)端面S1更容易上浮于磁盤面上。
但是，如后述的實(shí)驗所示，當(dāng)沒有適當(dāng)?shù)叵薅ㄋ鲭A梯面A的面積比率等時，則發(fā)現(xiàn)，上浮時的所述正壓變得過大，磁頭滑塊M2上浮于磁盤面上時，設(shè)于所述退離側(cè)端面St側(cè)上的磁元件與磁盤面接觸，從而對所述磁元件造成損傷。
圖23所示的磁頭滑塊M3中，階梯面A的面積與正壓產(chǎn)生面B的面積相比極大，在后述的實(shí)驗中，圖23所示的磁頭滑塊M3的方式使得所述階梯面A和正壓產(chǎn)生面B間產(chǎn)生的正壓變得過大，因而當(dāng)所述磁頭滑塊M3上浮于磁盤面上時，磁頭滑塊M3的導(dǎo)入側(cè)端面S1上升過高，從而使得設(shè)于所述退離側(cè)端面ST側(cè)上的磁元件很容易與所述磁盤面接觸。
即，優(yōu)選磁頭滑塊在上浮于磁盤面上時，以所述磁元件不接觸到所述磁盤面的程度，使退離側(cè)端面St從磁盤面上浮，同時，在磁盤旋轉(zhuǎn)達(dá)到高速而使磁頭滑塊完全上浮在磁盤面上之后，設(shè)有磁元件的退離側(cè)端面St比導(dǎo)入側(cè)端面S1更向下方傾斜，所述磁元件形成接近磁盤面的上浮姿勢，所述磁元件和磁盤面之間的距離(間隔)變小。
為了在磁頭滑塊上浮后保持所述的理想的上浮姿勢，退離側(cè)端面St側(cè)的磁盤對置面的形狀也很重要，例如，像圖23那樣在退離側(cè)端面St側(cè)設(shè)置面積非常大的磁元件形成面E，而在凹槽C夾隔于正壓產(chǎn)生面B和磁元件形成面E之間的方式，會使得所述磁元件形成面E上產(chǎn)生的正壓過強(qiáng)，在磁頭滑塊M3上浮后，由于所述磁元件形成面E上產(chǎn)生的正壓，退離側(cè)端面St側(cè)也容易升起而遠(yuǎn)離磁盤面，其結(jié)果是，無法有效地使磁元件接近磁盤面。
另外，如果磁頭滑塊在上浮后，即使氣壓變化(空氣流的變動)，傾角(pitch角)也不會發(fā)生較大變化，則可以將磁元件和磁盤面間的距離的變動抑制在較小的水平，從而可以維持穩(wěn)定的記錄特性及再生特性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明就是為解決所述以往的問題而做出的，其目的在于，提供一種特別是在所述磁頭滑塊上浮于所述磁盤上時，可以增大上浮后的傾角的差，同時可以減少因氣壓變化而造成的所述傾角的變動，從而可以實(shí)現(xiàn)對磁元件的損傷的防止及磁頭滑塊的上浮姿勢的穩(wěn)定化的磁頭裝置及使用它的磁盤裝置。
本發(fā)明的磁頭裝置，設(shè)置有在退離側(cè)端面上具有記錄用及/或再生用的磁元件的磁頭滑塊、從磁盤對置面的相反一面?zhèn)葟椥灾嗡龃蓬^滑塊的支撐構(gòu)件，所述磁頭滑塊，被彈性支撐，并可以以設(shè)在所述支撐構(gòu)件上的擺動支點(diǎn)為中心沿傾斜方向擺動，當(dāng)在所述磁頭滑塊的磁盤對置面上，從與所述擺動支點(diǎn)在所述磁頭滑塊的厚度方向上相面對的假想點(diǎn)上、沿與所述退離側(cè)端面平行的方向引出第1假想線時，在從所述磁頭的導(dǎo)入側(cè)端面到所述第1假想線的前端區(qū)域內(nèi)，從所述導(dǎo)入側(cè)端面向所述退離側(cè)端面方向，依次形成階梯面、正壓產(chǎn)生面及凹槽，所述階梯面及正壓產(chǎn)生面比所述凹槽更向磁盤面方向突出，而且，所述正壓產(chǎn)生面比所述階梯面向磁盤面方向突出，當(dāng)將所述前端區(qū)域整體的面積設(shè)為S，將位于比所述正壓產(chǎn)生面的導(dǎo)入側(cè)邊緣靠近所述導(dǎo)入側(cè)端面?zhèn)鹊奈恢蒙系乃銮岸藚^(qū)域內(nèi)的所述階梯面的面積設(shè)為S1，將所述前端區(qū)域內(nèi)的所述正壓產(chǎn)生面的面積設(shè)為S2時，S1/S在0.180～0.232的范圍內(nèi)，S1/S2在0.30～0.47的范圍內(nèi)。
通過設(shè)定為所述的面積比率的范圍內(nèi)，根據(jù)后述的實(shí)驗結(jié)果，就可以進(jìn)一步增大磁盤高速旋轉(zhuǎn)(實(shí)驗中將轉(zhuǎn)速設(shè)為7200rpm)時的上浮狀態(tài)的磁頭滑塊的傾角(例如，如圖9所示那樣，意味著從磁頭滑塊的磁盤對置面?zhèn)纫蕴囟ǖ姆椒ㄒ龅募傧刖€5和磁盤D面所成的角度。以下的傾角除特別設(shè)定外都以所述的方法定義)和磁頭滑塊上浮于磁盤面上時(實(shí)驗中將磁頭滑塊上浮時的磁盤的轉(zhuǎn)速設(shè)為2000rpm)的傾角的差。即，當(dāng)磁頭滑塊上浮于磁盤面上時，可以減小所述傾角，從而可以防止磁元件與磁盤面接觸，同時，在上浮后，可以增大所述磁頭滑塊的傾角，從而可以減小磁元件和磁盤面間的距離(間隔)，因而可以提高記錄密度。另外，如果在所述的面積范圍之內(nèi)，則可以進(jìn)一步減小平地(sea level)的氣壓下的磁頭滑塊的所述傾角和高地(實(shí)驗中為10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊的所述傾角的差。即，即使氣壓變化，也可以抑制所述磁頭滑塊的傾角的變動，將所述磁元件和磁盤面積的距離(間隔)的變動抑制在最小限度，從而可以獲得穩(wěn)定的記錄特性及再生特性。
另外，本發(fā)明中，最好在從所述磁盤對置面的所述假想線1到所述退離側(cè)端面的后端區(qū)域內(nèi)，形成有與形成于所述前端區(qū)域內(nèi)的凹槽連接而形成的凹槽，形成于所述前端區(qū)域側(cè)的所述凹槽的至少一部分連通至所述退離側(cè)端面。
另外，本發(fā)明中，最好在所述磁盤對置面上從所述假想點(diǎn)上向所述磁頭滑塊的長方向引出假想線2(第2假想線)，當(dāng)將磁頭滑塊整體的長方向的長度尺寸設(shè)為L，將壓在所述假想線2上的所述階梯面的長度尺寸設(shè)為L1時，L1/L在0.0240～0.065的范圍內(nèi)。
在后述的實(shí)驗結(jié)果中，通過采用所述的面積比率，同時將L1/L的長度尺寸的比例也設(shè)定在所述范圍內(nèi)，就可以更有效地進(jìn)一步增大上浮時和上浮后的磁頭滑塊的傾角的差，并且可以進(jìn)一步減小磁頭滑塊的傾角相對于氣壓變化的變動。
另外，本發(fā)明中，最好在所述磁盤對置面上，設(shè)置至少一個以上比所述正壓產(chǎn)生面更向磁盤面方向突出的凸?fàn)钔黄鸩俊?br> 另外，最好所述凸?fàn)钔黄鸩康闹辽僖粋€設(shè)置在從所述假想線1到所述退離側(cè)端面的后端區(qū)域內(nèi)。所述凸?fàn)钔黄鸩康男纬煽梢杂行У胤乐顾龃旁c磁盤面接觸。
另外，本發(fā)明的磁盤裝置，設(shè)置具有所述凸?fàn)钔黄鸩康乃龅拇蓬^裝置和與所述磁頭滑塊的磁盤對置面相面對一側(cè)上形成的磁盤，所述磁頭滑塊上浮于所述磁盤上時的所述磁頭滑塊和磁盤面所成的傾角θ1，小于假定所述磁元件和所述凸?fàn)钔黄鸩拷佑|到磁盤上時所述支撐面和磁盤面所成的傾角θx。
如果滿足所述的關(guān)系，就可以抑制在所述磁頭滑塊上浮于磁盤面上時，磁元件與所述磁盤面接觸。
本發(fā)明通過將S1/S和S1/S2的面積比率設(shè)定在所述范圍內(nèi)，就可以減小磁頭滑塊上浮于磁盤面上時的傾角θ1。
根據(jù)實(shí)驗，如果使所述傾角θx在210μrad以上，所述傾角θx就會比磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角θ1大，從而可以防止磁頭滑塊上浮時磁元件對磁盤面的沖擊。
本發(fā)明由于可以有效地減小磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角θ1，因此可以拓寬設(shè)定傾角θx時的凸?fàn)钔黄鸩康母叨群托纬晌恢玫鹊臄?shù)值范圍，從而能夠在上浮時以較高的自由度形成磁元件不會與磁盤面接觸的磁頭滑塊。


圖1是使本發(fā)明的實(shí)施方式的磁頭滑塊的磁盤對置面朝上的立體圖。
圖2是使圖1所示的磁頭滑塊的磁盤對置面朝上顯示的俯視圖。
圖3是僅表示圖2所示的磁盤對置面的前端區(qū)域的局部俯視圖。
圖4是使本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的磁頭滑塊的磁盤對置面朝上的俯視圖。
圖5是表示本發(fā)明的磁頭滑塊停止在磁盤上的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖6是表示本發(fā)明的磁頭滑塊上浮于磁盤上的瞬間的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖7是表示本發(fā)明的磁頭滑塊上浮于磁盤上后的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖8是表示假定設(shè)于磁頭滑塊上的磁元件接觸到磁盤上時的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖9是用于說明傾角的定義的說明圖。
圖10是磁頭裝置的局部立體圖。
圖11是使實(shí)驗中使用的磁頭滑塊的磁盤對置面朝上顯示的局部俯視圖。
圖12是表示面積比率(S1/S)、與從磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角中減去磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時的磁頭滑塊的傾角的傾角差及從高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角中減去平地(sea level)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角的傾角差的關(guān)系的曲線圖。
圖13是表示將圖12所示的曲線圖的縱軸設(shè)為比率時的與面積比率(S1/S)的關(guān)系的曲線圖。
圖14是表示面積比率(S1/S2)、與從磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角中減去磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時的磁頭滑塊的傾角的傾角差及從高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角中減去平地(sea level)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角的傾角差的關(guān)系的曲線圖。
圖15是表示將圖14所示的曲線圖的縱軸設(shè)為比率時的與面積比率(S1/S2)的關(guān)系的曲線圖。
圖16是表示長度的比率(L1/L)和從磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角中減去磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時的磁頭滑塊的傾角的傾角差及從高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角中減去平地(sea level)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角的傾角差的關(guān)系的曲線圖。
圖17是表示將圖16所示的曲線圖的縱軸設(shè)為比率時的與長度比率(L1/L)的關(guān)系的曲線圖。
圖18是表示長度的比率(L1/L3)、與從磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角中減去磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時的磁頭滑塊的傾角的傾角差及從高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角中減去平地(sealevel)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角的傾角差的關(guān)系的曲線圖。
圖19是表示將圖18所示的曲線圖的縱軸設(shè)為比率時的與長度比率(L1/L3)的關(guān)系的曲線圖。
圖20是表示長度的比率(L2/L3)、與從磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角中減去磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時的磁頭滑塊的傾角的傾角差及從高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角中減去平地(sealevel)的氣壓下的磁頭滑塊的傾角的傾角差的關(guān)系的曲線圖。
圖21是使以往的磁頭滑塊的磁盤對置面朝上顯示的俯視圖。
圖22是使以往的另一種磁頭滑塊的磁盤對置面朝上顯示的俯視圖。
圖23是使以往的另一種磁頭滑塊的磁盤對置面朝上顯示的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的磁頭滑塊1的立體圖。圖1的磁頭滑塊1是使磁盤對置面2朝上顯示的立體圖。
圖2從磁盤對置面2側(cè)看到圖1所示的磁頭滑塊1的俯視圖。
圖1及圖2所示的磁頭滑塊1構(gòu)成磁頭裝置H的一部分。所述磁頭滑塊1如例如圖10所示，被安裝在從磁盤對置面2的反面一側(cè)彈性支撐所述磁頭滑塊1的支撐構(gòu)件3上。所述支撐構(gòu)件3具有板簧制成的載梁4、設(shè)于其頭部的薄板簧制成的柔性架(彈性支撐構(gòu)件)5。
所述磁頭裝置H搭載于磁盤裝置內(nèi)，具有將磁信號記錄在設(shè)于所述磁盤裝置內(nèi)的磁盤D中或再生記錄于所述磁盤D中的磁信號的功能。
圖5表示構(gòu)成所述磁頭裝置H的磁頭滑塊1停止在設(shè)于所述磁盤裝置內(nèi)的磁盤D上的狀態(tài)。如后述所示，通過從圖5所示的狀態(tài)開始使磁盤D旋轉(zhuǎn)，所述磁頭滑塊1上浮于磁盤D上，進(jìn)行所述的記錄·再生操作。
如圖5所示，在所述柔性架5的下表面，從磁盤對置面2的反面一側(cè)粘接固定有磁頭滑塊1。如圖5所示，在所述柔性架5上，形成向例如圖中上方突出的球面狀的支點(diǎn)P(pivot)，該支點(diǎn)P的頭端與載梁4接觸。
圖5的狀態(tài)下，所述磁頭滑塊1由支撐構(gòu)件3對向磁盤D的記錄面施加較弱的彈力。磁盤D一開始旋轉(zhuǎn)，即通過受到空氣流的作用，以所述支點(diǎn)P作為擺動支點(diǎn)，所述磁頭滑塊1的導(dǎo)入側(cè)端面S1向上方抬起。當(dāng)所述磁頭滑塊1上浮在磁盤D上時，即按照順著磁盤面的波紋的方式，以所述支點(diǎn)P為擺動支點(diǎn)，在傾斜方向擺動。
圖2將從磁盤對置面2側(cè)看到的所述支點(diǎn)P的位置作為“假想點(diǎn)”以×標(biāo)記表示。所述假想點(diǎn)和支點(diǎn)P的頂點(diǎn)位置的位置關(guān)系為在磁頭滑塊1的厚度方向上相互面對。
如圖2所示，磁頭滑塊1的圖中左側(cè)的端面被稱為“導(dǎo)入側(cè)端面S1”圖中右側(cè)的端面被稱為“退離側(cè)端面St”。
圖3表示從所述假想點(diǎn)上沿與磁頭滑塊1的導(dǎo)入側(cè)端面S1(或者退離側(cè)端面St)平行的方向(圖中X方向)引出假想線1時，從所述磁頭滑塊1的導(dǎo)入側(cè)端面S1到所述假想線1的前端區(qū)域6的局部俯視圖。
圖1及圖2所示的磁頭滑塊1由諸如氧化鋁鈦碳化物(alumina titancaride)等制成。
如圖1及圖2所示，在所述磁頭滑塊1的磁盤對置面2上，從導(dǎo)入側(cè)端面S1朝向退離側(cè)端面St方向，依次形成階梯面11、正壓產(chǎn)生面12及凹槽13。即使僅參看圖3所示的磁頭滑塊1的前端區(qū)域6，所述的各面也都顯現(xiàn)于前端區(qū)域6內(nèi)。
如圖1所示，形成于導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)的階梯面11的高度低于正壓產(chǎn)生面12，并且高于凹槽13。即，所述階梯面11的高度介于所述正壓產(chǎn)生面12和凹槽13之間。如圖1所示，所述階梯面11橫跨在整個導(dǎo)入側(cè)端面S1的寬度方向(圖中X方向)上，同時，按照寬度方向(圖中X方向)的中央部分的長度尺寸L1(沿圖中Y方向的長度)比其兩側(cè)部分的長度尺寸更短的方式，劃分成朝向退離側(cè)端面St方向的特定形狀，從所述階梯面11的退離側(cè)邊緣11a形成借助階梯差而升高了一級的正壓產(chǎn)生面12。
在所述正壓產(chǎn)生面12上，形成從寬度方向(圖中X方向)的兩側(cè)向退離側(cè)端面St方向延伸的2條臂部12a、12a。從所述正壓產(chǎn)生面12的退離側(cè)邊緣12b朝向退離側(cè)端面St方向，形成具有比所述階梯面11的高度更低的高度尺寸的凹槽13。
例如，所述階梯面11的高度尺寸為比凹槽13高1.0μm～2.5μm，正壓產(chǎn)生面12的高度尺寸比凹槽13高1.1μm～2.7μm。
如圖2所示，所述凹槽13占據(jù)了從所述假想線1到退離側(cè)端面St的后端區(qū)域7的大部分。
如圖2所示，在所述后端區(qū)域7的退離側(cè)端面St附近，形成從所述凹槽13上突出的磁元件形成面14，在所述磁元件形成面14上配置有磁元件的磁盤對置面。
所述磁元件形成面14由與所述磁盤面11相同高度的退離側(cè)階梯面14a、從所述退離側(cè)階梯面14a突出的與所述正壓產(chǎn)生面12相同高度的退離側(cè)正壓面14b。在所述退離側(cè)正壓面14b上設(shè)有突出的突起部14c，在位于比所述突起部14c更靠近退離側(cè)的位置上的所述退離側(cè)正壓面14b上，配置有所述磁元件的磁盤對置面。
所述磁元件由例如以利用了磁阻效果的自旋電子管(spin valve)方式薄膜元件為代表的再生用MR元件和記錄用的感應(yīng)元件的復(fù)合元件構(gòu)成，或者僅由MR元件及感應(yīng)元件中的一方構(gòu)成。
如圖2所示，在所述磁頭滑塊1的磁盤對置面2的后端區(qū)域7中的寬度方向的兩側(cè)，形成從所述凹槽13突出的側(cè)位面15、16。所述側(cè)位面15、16由與所述階梯面11高度相同的側(cè)位階梯面15a、16a和與所述正壓產(chǎn)生面12高度相同的側(cè)位正壓面15b、16b構(gòu)成。
如圖1及圖2所示，在所述凹槽13形成4個凸?fàn)钔黄鸩?7。這些凸?fàn)钔黄鸩?7的高度比所述正壓產(chǎn)生面12的高度更高。
所述凸?fàn)钔黄鸩?7中靠近導(dǎo)入側(cè)的2個凸?fàn)钔黄鸩?7正好處于假想線1上，在寬度方向(圖中X方向)上與所述假想點(diǎn)相距相等間隔。另外，所述凸?fàn)钔黄鸩?7中靠近退離側(cè)的2個凸?fàn)钔黄鸩?7位于所述后端區(qū)域7上，當(dāng)在所述假想點(diǎn)上沿長方向(Y方向)引出假想線2時，它們在寬度方向(圖中X方向)上位于離假想線2相等的間隔處。
但是，所述凸?fàn)钔黄鸩?7的形成位置并不限定于所述位置。如圖1及圖2所示，在所述正壓產(chǎn)生面12上也形成2個凸?fàn)钔黄鸩?8，另外，在所述階梯面11上也形成2個凸?fàn)钔黄鸩?9。
這些凸?fàn)钔黄鸩?7、18及19和形成于已經(jīng)說明的磁元件形成面14上的突起部14c的高度全部相同，或者所述突起部14c的高度低于凸?fàn)钔黄鸩康母叨取?br> 雖然如圖2所示，從上方看到的所述凸?fàn)钔黄鸩?7、18、19的俯視形狀為圓形，但是并不限定于該形狀。
下面將對本發(fā)明的特征部分進(jìn)行說明。
如圖3所示，在磁頭滑塊1的前端區(qū)域6內(nèi)，從所述導(dǎo)入側(cè)端面S1朝向所述退離側(cè)端面St，依次形成階梯面11、正壓產(chǎn)生面12及凹槽13。
這里，當(dāng)將所述前端區(qū)域6的全部面積設(shè)為S，將位于比所述前端區(qū)域6內(nèi)的所述正壓產(chǎn)生面12的導(dǎo)入側(cè)邊緣12c更靠近所述導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)的位置上的階梯面11的面積設(shè)為S1(圖3中以斜線表示S1的面積)，將所述前端區(qū)域6內(nèi)的所述正壓產(chǎn)生面12的面積設(shè)為S2(圖3中以交叉的斜線表示S2的面積)時，則S1/S在0.180～0.232的范圍內(nèi)，并且所述S1/S2在0.30～0.47的范圍內(nèi)。
通過設(shè)定在所述面積比率的范圍內(nèi)，就可以期待以下的效果。如前面說明所示，圖5為構(gòu)成磁頭裝置的磁頭滑塊1停止在磁盤D上的狀態(tài)。當(dāng)所述磁盤D開始沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)時，空氣流就會從導(dǎo)入側(cè)端面S1經(jīng)磁頭滑塊1的磁盤對置面2的下方流向退離側(cè)端面St。
所述空氣流從導(dǎo)入側(cè)端面S1流入圖2所示的階梯面11，并進(jìn)而沖擊到所述正壓產(chǎn)生面12的導(dǎo)入側(cè)邊緣12c上時，空氣流被壓縮，產(chǎn)生正壓。所以，所述磁頭滑塊1如圖6所示，以支點(diǎn)P作為擺動支點(diǎn)，導(dǎo)入側(cè)端面S1從磁盤D上向上方抬起。
此時，雖然傾角通常是使用后述的圖9所示的方法來定義，但是從圖6到圖8，為了容易理解傾角，所述傾角被定義為所述磁盤D的上表面和所述磁頭滑塊1的磁盤對置面2的相反一側(cè)的支撐面所成的角度。但是，當(dāng)用「所述磁頭滑塊1的磁盤對置面2的相反一側(cè)的支撐面」和所述磁盤D的上表面所成的角度定義傾角時，應(yīng)當(dāng)注意，所述磁頭滑塊的所述支撐面必須與圖9所示的假想線5平行。從圖6到圖8，所述支撐面全都與所述假想線5平行。而且，對于圖9將在后面詳細(xì)敘述。
圖6是所述磁頭滑塊1剛好上浮在所述磁盤D上的瞬間。在該上浮瞬間中，所述傾角為θ1，如果為該傾角θ1，則設(shè)于所述磁頭滑塊1的退離側(cè)端面St側(cè)的磁元件就處于不會接觸到所述磁盤D上的狀態(tài)。
即，本發(fā)明通過設(shè)定在所述的面積比率的范圍內(nèi)，就可以使所述磁頭滑塊1上浮時的所述傾角θ1小于所述磁元件接觸到磁盤D上所必需的傾角。
圖8是假定磁元件暫時接觸到所述磁盤D上時的磁頭滑塊1的傾角θx。圖8為形成于所述磁頭滑塊1的磁盤對置面2上的靠近退離側(cè)端面St側(cè)的凸?fàn)钔黄鸩?7和磁元件接觸到磁盤D上的狀態(tài)，此時的傾角為θx。圖6所示的所述傾角θ1小于圖8所示的傾角θx。
本發(fā)明中，當(dāng)如圖6所示那樣，磁頭滑塊1上浮在磁盤D上時，以不會使磁元件接觸到磁盤D上程度的較小傾角θ1傾斜，當(dāng)如圖7(圖7中從圖面上刪除了支撐體3，僅表示磁頭滑塊1和磁盤D的關(guān)系)那樣，所述磁頭滑塊1上浮在磁盤D上，磁盤D進(jìn)一步高速旋轉(zhuǎn)時，所述磁頭滑塊1的導(dǎo)入側(cè)端面S1就會進(jìn)一步向上方抬起，同時，退離側(cè)端面St就會進(jìn)一步向下方下降，形成具有較大的傾角θ2的上浮姿勢，從而使形成于所述磁頭滑塊1的退離側(cè)端面St側(cè)的磁元件有效地接近到所述磁盤D上，因而可以促進(jìn)間隔的狹小化。
這樣，本發(fā)明可以使磁頭滑塊1上浮于磁盤D上時(上浮的瞬間)的傾角θ1小于假定所述磁頭滑塊1的磁元件接觸到磁盤D上時的傾角θx，從而在磁頭滑塊1進(jìn)一步上浮后，可以形成更大的傾角θ2，即，可以增大傾角的差(θ2-θ1)。
另外，本發(fā)明通過限定在所述的面積比率的范圍內(nèi)，可以進(jìn)一步減小平地(海拔0米，sea level)的氣壓下的磁頭滑塊1的傾角與高地(例如高10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊1的傾角的差。即，可以抑制因氣壓變化而引起的較大的傾角變動，從而可以維持穩(wěn)定的上浮姿勢，這已經(jīng)被后述的模擬實(shí)驗所證明。
因此，即使磁盤D上的空氣流產(chǎn)生變動，也可以維持穩(wěn)定的上浮姿勢，可以減小所述磁元件和磁盤D間的距離(間隔)的變動，從而可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的記錄特性及再生特性。
但是，為了在磁頭滑塊1上浮于磁盤D上后，如圖7所示那樣，導(dǎo)入側(cè)端面S1進(jìn)一步向上方抬起，退離側(cè)端面St進(jìn)一步向下方下降，從而形成較大的傾角θ2，不僅正壓產(chǎn)生面12和階梯面11的占所述磁頭滑塊1的前端區(qū)域6的面積比率的關(guān)系十分重要，而且后端區(qū)域7中所示的凹槽13的面積比率及形狀也非常重要。
空氣流在凹槽13的至少一部分的區(qū)域內(nèi)會產(chǎn)生將磁頭滑塊1向下方(磁盤D側(cè))壓下的負(fù)壓。因此，當(dāng)與前端區(qū)域6相比，所述凹槽13更多地形成于后端區(qū)域7中時，磁頭滑塊1的退離側(cè)端面St更容易向下方傾斜，從而使所述傾角θ2變大。另外，所述凹槽13最好如圖1及圖2所示，從所述正壓產(chǎn)生面12的退離側(cè)邊緣12b連續(xù)到磁元件形成面14的寬度方向(圖中X方向)的兩側(cè)為止，位于磁元件形成面14的寬度方向(圖中X方向)的兩側(cè)的所述凹槽13連通至所述退離側(cè)端面St。這樣，在所述磁頭滑塊1的后端區(qū)域7內(nèi)就難以產(chǎn)生很強(qiáng)的正壓，因而易于使磁頭滑塊1的退離側(cè)端面St向下方傾斜，從而可以增大圖7所示的傾角θ2。
而且，所述傾角θ2的大小在圖8所示的所述傾角θx之上，由于可以進(jìn)一步降低空間損失，因此是合適的。另外，磁頭滑塊1在圖7的狀態(tài)下，由于可以抑制凸?fàn)钔黄鸩?7在磁盤D上滑動，或者與磁盤D間歇地接觸，因此不會對磁盤D面造成損傷，另外還可以實(shí)現(xiàn)所述磁頭滑塊1的上浮姿勢的穩(wěn)定化。
另外，所述凹槽13在所述后端區(qū)域7中，最好具有80％以下的面積比率。
另外，根據(jù)后述的模擬實(shí)驗的結(jié)果，當(dāng)將圖2所示的磁頭滑塊1的整體的長方向(圖中Y方向)的長度尺寸設(shè)為L，將壓在從所述假想點(diǎn)向長方向引出的假想線2上的所述階梯面11的長度尺寸設(shè)為L1時，L1/L最好在0.0240～0.065的范圍內(nèi)。
通過將所述面積比率(S1/S及S1/S2)和長度尺寸的比率(L1/L)設(shè)定在所述范圍內(nèi)，就可以在圖6所示的磁頭滑塊1上浮時，更有效地增大上浮后的傾角的差，同時還可以將因氣壓變化引起的傾角的變動抑制在較小水平。
另外，如圖2所示，當(dāng)將壓在所述假想線2上的正壓產(chǎn)生面12的長度尺寸設(shè)為L2，將所述L1+L2設(shè)為L3時，通過將L1/L3設(shè)定在0.070～0.250的范圍內(nèi)，將L2/L3設(shè)定在0.8～0.935的范圍內(nèi)，就可以更有效地增大圖6所示的磁頭滑塊1上浮時和圖7所示的上浮后的傾角的差，同時還可以將因氣壓變化引起的傾角的變動抑制在較小水平。
另外，本發(fā)明如圖1及圖2所示，在磁頭滑塊1的磁盤對置面2上，形成比正壓產(chǎn)生面12更高的凸?fàn)钔黄鸩?7、18、19及突起部14c，這些凸?fàn)钔黄鸩?7、18、19及突起部14c是為了防止在磁頭滑塊1傾斜時形成于退離側(cè)端面St側(cè)的磁元件與磁盤D接觸而設(shè)置的。此外，為了防止所述磁元件與所述磁盤D接觸，更優(yōu)選使所述凸?fàn)钔黄鸩康闹辽僖粋€形成于所述后端區(qū)域7內(nèi)。
另外，如所述那樣，本發(fā)明中雖然已經(jīng)說明，磁頭滑塊1上浮時的傾角θ1小于假定如圖8那樣磁元件和至少一個凸?fàn)钔黄鸩?7接觸到磁盤D上時的傾角θx，這樣就可以防止所述磁元件接觸到所述磁盤D上，但是，所述傾角θx當(dāng)然應(yīng)當(dāng)是根據(jù)凸?fàn)钔黄鸩康母叨瘸叽绾托纬晌恢?、形成于所述磁盤對置面2上的冕狀(crown)形狀等而改變的值。
在使用圖3等說明的面積比率的實(shí)驗結(jié)果中，在該面積比率內(nèi)，由于磁頭滑塊1上浮于磁盤D上時(磁盤的旋轉(zhuǎn)速度為2000rpm)的傾角為175μrad～206μrad，因此，如果按照使得所述傾角θx達(dá)到210μrad以上的較大角度的方式，對所述凸?fàn)钔黄鸩康男纬晌恢煤透叨瘸叽绲冗M(jìn)行限定，就可以在磁頭滑塊1上浮時，防止所述磁元件接觸到所述磁盤D上。
本發(fā)明由于可以有效地將磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊的傾角θ1縮小到175μrad～206μrad左右，因此可以拓寬設(shè)定傾角θx時的凸?fàn)钔黄鸩康母叨群托纬晌恢玫鹊臄?shù)值范圍，從而能夠以較高的自由度形成在上浮時不會使磁元件接觸磁盤面的磁頭滑塊。
而且，本發(fā)明的磁頭滑塊1的磁盤對置面2的形狀并不限定于圖1及圖2所示的形狀。如上所示，只要在前端區(qū)域7中，從導(dǎo)入側(cè)端面S1朝向退離側(cè)端面St方向，依次形成階梯面11、正壓產(chǎn)生面12及凹槽13，并且S1/S的面積比率及S1/S2的面積比率屬于所述的尺寸范圍內(nèi)即可。
例如，也可以如圖4(從磁盤對置面?zhèn)瓤吹降谋景l(fā)明的另一種實(shí)施方式的磁頭滑塊的俯視圖)所示的磁頭滑塊那樣，形成于前端區(qū)域6中的正壓產(chǎn)生面20、21在寬度方向上被分成兩部分，在所述正壓產(chǎn)生面20、21之間，設(shè)有與比所述正壓產(chǎn)生面20、21更靠近導(dǎo)入側(cè)形成的階梯面22成一體的階梯面22a。
此時應(yīng)當(dāng)注意，階梯面22的面積S1被限定為位于比所述正壓產(chǎn)生面20、21的導(dǎo)入側(cè)邊緣20a、21a更靠近導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)的位置上的在圖中以斜線表示的部分，所述正壓產(chǎn)生面20、21之間的階梯面22a及從導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)連通所述階梯面22a的階梯面22的部分不包含于面積S1中。
最后，參照圖9對傾角的定義進(jìn)行說明。圖9表示磁頭滑塊1上浮在磁盤D上的狀態(tài)。
圖9所示的磁頭滑塊1的正壓產(chǎn)生面為彎曲的所謂冕狀(crown)形狀。圖9是例如將磁頭滑塊1沿厚度方向切開的剖面形狀(這里為了方便而采用了剖面，在實(shí)際的測定中也可以不切開。當(dāng)然可以從磁頭滑塊的側(cè)面對下述的傾角進(jìn)行測定)。
根據(jù)呈現(xiàn)于圖9的剖面中的所述正壓產(chǎn)生面的曲率，從所述正壓產(chǎn)生面在近似與剖面平行的面內(nèi)向外方延長引出二次曲線，將該延長的二次曲線作為假想線3。
然后，從呈現(xiàn)于圖9的剖面中的所述磁頭滑塊1的退離側(cè)端面St及導(dǎo)入側(cè)端面S1沿與所述剖面平行的方向朝向所述磁盤D的方向延伸出假想線4，將以直線連接了所述假想線3和假想線4的交點(diǎn)1及交點(diǎn)2的假想線5與磁盤D所成的角度定義為傾角θ2。
而且，當(dāng)采用所述的方法定義傾角θ2時，當(dāng)然也必須用與所述相同的方法定義傾角θ1及傾角θx。
本發(fā)明使用圖11所示的磁頭滑塊30進(jìn)行了以下的模擬實(shí)驗。圖11所示的磁頭滑塊30為將磁盤對置面2朝上而顯示的俯視圖。標(biāo)記有與圖1及圖2所示的磁頭滑塊1相同的符號的面表示相同的面。
圖11所示的磁頭滑塊30與圖2所示的磁頭滑塊1非常近似。特別是從假想點(diǎn)向?qū)挾确较?圖中X方向)引出的假想線1和形成于導(dǎo)入側(cè)端面S1間的前端區(qū)域6內(nèi)的階梯面11、正壓產(chǎn)生面12及凹槽13的形狀，在圖2和圖11中都是相同的。
此外，對于所述前端區(qū)域6內(nèi)的階梯面11的面積S1相對于所述前端區(qū)域6全部的面積S的面積比率(以下表示為S1/S)，或者階梯面11的面積S1相對于所述前端區(qū)域6內(nèi)的正壓產(chǎn)生面12的面積S2的面積比率(以下表示為S1/S2)、磁頭滑塊30在磁盤上上浮時和上浮后的傾角的差及相對于氣壓變化的傾角的差，進(jìn)行了模擬實(shí)驗。
在實(shí)驗中，將圖11所示的所述磁頭滑塊30的導(dǎo)入側(cè)端面S1到退離側(cè)端面St的長度尺寸L固定為1.241mm，寬度尺寸T固定為1.000mm。
此后，改變長度L1(從圖11所示的假想點(diǎn)上向長方向引出假想線2，壓在該假想線2上的階梯面11的長度)及L2(壓在假想線2上的正壓產(chǎn)生面12的長度)，獲得使實(shí)驗中使用的磁頭滑塊30的S、S1及S2成為各種不同的值的7種磁頭滑塊。


而且，在模擬實(shí)驗中，將磁盤的轉(zhuǎn)速提高至7200rpm，通過改變支撐體3的彈力值等各個條件，使得在任意一個實(shí)驗結(jié)果中，當(dāng)轉(zhuǎn)速達(dá)到7200rpm時，磁元件和磁盤D間的距離(間隔)達(dá)到10nm，并且傾角達(dá)到280μrad，進(jìn)行了模擬實(shí)驗。
首先使磁盤旋轉(zhuǎn)，根據(jù)面積比率S1/S的關(guān)系求得假定在磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm狀態(tài)下磁頭滑塊上浮時的所述磁頭滑塊30的傾角、與使磁盤轉(zhuǎn)速進(jìn)一步提高至7200rpm后該7200rpm的高速旋轉(zhuǎn)時的所述磁頭滑塊30的傾角的差。
另外，根據(jù)面積比率S1/S的關(guān)系求得當(dāng)磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時，平地(0m，sea level)的氣壓下的磁頭滑塊30的傾角，與高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊30的傾角的差。
另外，還根據(jù)面積比率S1/S2的關(guān)系取得所述的模擬實(shí)驗。
圖12是相對于S1/S的面積比率的模擬實(shí)驗結(jié)果?？v軸的傾角的差表示從磁盤的轉(zhuǎn)速為2000rpm時的磁頭滑塊30的傾角中減去磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時的磁頭滑塊30的傾角后的傾角差。另外，表示磁盤的轉(zhuǎn)速為7200rpm時，從平地(0m，sea level)的氣壓下的磁頭滑塊30的傾角中減去高地(10k英尺)的氣壓下的磁頭滑塊30的傾角后的傾角的差。
如圖12所示，如果S1/S的面積比率在0.180～0.232的范圍內(nèi)，則可以進(jìn)一步增大轉(zhuǎn)速為7200rpm和轉(zhuǎn)速為2000rpm時的傾角的差(絕對值)，同時，還可以進(jìn)一步減小平地(sea level)和高地(10k英尺)下的傾角的差(絕對值)。
圖13是將圖12所示的縱軸改為比率以后的圖，可以得到與圖12相同的結(jié)果。
圖14是相對于S1/S3的面積比率的模擬實(shí)驗結(jié)果。如圖14所示，如果S1/S2的面積比率在0.30～0.47的范圍內(nèi)，則可以進(jìn)一步增大轉(zhuǎn)速為7200rpm和轉(zhuǎn)速為2000rpm時的傾角的差(絕對值)，同時，還可以進(jìn)一步減小平地(sea level)和高地(10k英尺)下的傾角的差(絕對值)。
圖15是將圖14所示的縱軸改為比率以后的圖，可以得到與圖14相同的結(jié)果。
從所述的模擬實(shí)驗結(jié)果可以導(dǎo)出以下各點(diǎn)。即，階梯面11的面積占磁頭滑塊30的前端區(qū)域6的面積最好相當(dāng)小，另外，占據(jù)前端區(qū)域6內(nèi)的正壓產(chǎn)生面12應(yīng)當(dāng)具有一定程度的大小。
所述階梯面11構(gòu)成用于將空氣流向正壓產(chǎn)生面12并進(jìn)而向凹槽13方向?qū)б膶?dǎo)入路。但是，當(dāng)所述階梯面11占導(dǎo)入側(cè)端面S1側(cè)的面積較大時，在磁頭滑塊30例如在2000rpm的磁盤D的轉(zhuǎn)速下上浮時(上浮的瞬間)，壓縮于其與正壓產(chǎn)生面12之間的空氣量的正壓增值變大。其結(jié)果是，磁頭滑塊30上浮時，傾角變大，從而使得磁元件容易與磁盤D發(fā)生碰撞。另一方面，當(dāng)磁頭滑塊30上浮于磁盤D上，磁盤D高速旋轉(zhuǎn)至例如7200rpm時，如果正壓產(chǎn)生面12占磁頭滑塊30的前端區(qū)域6的比例較小，則正壓不能發(fā)揮較大作用，傾角很容易變小。對于氣壓的變化也相同，當(dāng)考慮到正壓和負(fù)壓的平衡時，階梯面11及正壓產(chǎn)生面12的面積的比例是非常重要的因素。
本發(fā)明根據(jù)所述模擬實(shí)驗結(jié)果，將S1/S規(guī)定在0.180～0.232的范圍內(nèi)，并且將S1/S2規(guī)定在0.3～0.47的范圍內(nèi)。
然后，對于L1/L長度比率、L1/L3的長度比率及L2/L3的長度比率，研究了所述的傾角差(絕對值)。
圖16是相對于L1/L的長度比率的模擬實(shí)驗結(jié)果。如圖16所示，如果L1/L的長度比率在0.024～0.065的范圍內(nèi)，則可以進(jìn)一步增大轉(zhuǎn)速為7200rpm和轉(zhuǎn)速為2000rpm時的傾角的差(絕對值)，同時，還可以進(jìn)一步減小平地(sea level)和高地(10k英尺)下的傾角的差(絕對值)。
圖17是將圖16所示的縱軸改為比率以后的圖，可以得到與圖16相同的結(jié)果。
圖18是相對于L1/L3的長度比率的模擬實(shí)驗結(jié)果。如圖18所示，如果L1/L3的長度比率在0.070～0.250的范圍內(nèi)，則可以進(jìn)一步增大轉(zhuǎn)速為7200rpm和轉(zhuǎn)速為2000rpm時的傾角的差(絕對值)，同時，還可以進(jìn)一步減小平地(sea level)和高地(10k英尺)下的傾角的差(絕對值)。
圖19是將圖18所示的縱軸改為比率以后的圖，可以得到與圖18相同的結(jié)果。
圖20是相對于L2/L3的長度比率的模擬實(shí)驗結(jié)果。如圖18所示，如果L2/L3的長度比率在0.80～0.935的范圍內(nèi)，則可以進(jìn)一步增大轉(zhuǎn)速為7200rpm和轉(zhuǎn)速為2000rpm時的傾角的差(絕對值)，同時，還可以進(jìn)一步減小平地(sea level)和高地(10k英尺)下的傾角的差(絕對值)。
如上所示，通過將所述的S1/S及S1/S2的面積比率以及L1/L、L1/L3及L2/L3的長度比率限定在所述范圍內(nèi)，則可以更有效地增大轉(zhuǎn)速為7200rpm和轉(zhuǎn)速為2000rpm時的傾角的差(絕對值)，同時，還可以進(jìn)一步減小平地(sea level)和高地(10k英尺)下的傾角的差(絕對值)。
如果用所述長度的比率的關(guān)系來講，則通過使階梯面11的長度尺寸L1最好相對于磁頭滑塊30的全長足夠小，另外，使正壓產(chǎn)生面12的長度尺寸L2相對于所述階梯面11的長度尺寸L1足夠長，就可以獲得所述效果。
根據(jù)以上詳述的本發(fā)明，通過將階梯面、正壓產(chǎn)生面占磁頭滑塊的前端區(qū)域的面積限定在特定范圍內(nèi)，則可以在所述磁頭滑塊上浮在磁盤上時，增大上浮后的傾角的差，同時，可以減少因氣壓變化引起的所述傾角的變動，從而可以防止磁元件的損傷，以及實(shí)現(xiàn)磁頭滑塊的上浮姿勢的穩(wěn)定化。
權(quán)利要求
1.一種磁頭裝置，其特征是設(shè)置有在退離側(cè)端面上具有記錄用及/或再生用的磁元件的磁頭滑塊、從磁盤對置面的相反一面?zhèn)葟椥灾嗡龃蓬^滑塊的支撐構(gòu)件，所述磁頭滑塊，被彈性支撐，并可以以設(shè)在所述支撐構(gòu)件上的擺動支點(diǎn)為中心沿傾斜方向擺動，當(dāng)在所述磁頭滑塊的磁盤對置面上，從與所述擺動支點(diǎn)在所述磁頭滑塊的厚度方向上相面對的假想點(diǎn)、沿與所述退離側(cè)端面平行的方向引出第1假想線時，在從所述磁頭的導(dǎo)入側(cè)端面到所述第1假想線的前端區(qū)域內(nèi)，從所述導(dǎo)入側(cè)端面向所述退離側(cè)端面方向依次形成階梯面、正壓產(chǎn)生面及凹槽，所述階梯面及正壓產(chǎn)生面比所述凹槽向磁盤面方向突出，而且，所述正壓產(chǎn)生面比所述階梯面向磁盤面方向突出，當(dāng)將所述前端區(qū)域整體的面積設(shè)為S，將位于比所述正壓產(chǎn)生面的導(dǎo)入側(cè)邊緣靠近所述導(dǎo)入側(cè)端面?zhèn)鹊奈恢蒙系乃銮岸藚^(qū)域內(nèi)的所述階梯面的面積設(shè)為S1，將所述前端區(qū)域內(nèi)的所述正壓產(chǎn)生面的面積設(shè)為S2時，S1/S在0.180～0.232的范圍內(nèi)，S1/S2在0.30～0.47的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭裝置，其特征是在從所述磁盤對置面的所述第1假想線到所述退離側(cè)端面的后端區(qū)域，形成有與形成于所述前端區(qū)域內(nèi)的凹槽連續(xù)形成的凹槽，且形成于所述前端區(qū)域側(cè)的所述凹槽的至少一部分連通到所述退離側(cè)端面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭裝置，其特征是在所述磁盤對置面上從所述假想點(diǎn)向所述磁頭滑塊的長方向引出第2假想線，當(dāng)將磁頭滑塊整體的長方向的長度尺寸設(shè)為L，將壓在所述第2假想線上的所述階梯面的長度尺寸設(shè)為L1時，L1/L在0.0240～0.065的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭裝置，其特征是在所述磁盤對置面上，至少設(shè)有一個以上的比所述正壓產(chǎn)生面向磁盤面方向突出的凸?fàn)钔黄鸩俊?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭裝置，其特征是將所述凸?fàn)钔黄鸩康闹辽僖粋€設(shè)置在從所述第1假想線到所述退離側(cè)端面的后端區(qū)域內(nèi)。
6.一種磁盤裝置，其特征是設(shè)有磁頭裝置，該磁頭裝置，設(shè)置有在退離側(cè)端面上具有記錄用及/或再生用的磁元件的磁頭滑塊、從磁盤對置面的相反一面?zhèn)葟椥灾嗡龃蓬^滑塊的支撐構(gòu)件，所述磁頭滑塊，被彈性支撐，并可以以設(shè)在所述支撐構(gòu)件上的擺動支點(diǎn)為中心沿傾斜方向擺動，當(dāng)在所述磁頭滑塊的磁盤對置面上，從與所述擺動支點(diǎn)在所述磁頭滑塊的厚度方向上相面對的假想點(diǎn)、沿與所述退離側(cè)端面平行的方向引出第1假想線時，在從所述磁頭的導(dǎo)入側(cè)端面到所述第1假想線的前端區(qū)域內(nèi)，從所述導(dǎo)入側(cè)端面向所述退離側(cè)端面方向依次形成階梯面、正壓產(chǎn)生面及凹槽，所述階梯面及正壓產(chǎn)生面比所述凹槽向磁盤面方向突出，而且，所述正壓產(chǎn)生面比所述階梯面向磁盤面方向突出，當(dāng)將所述前端區(qū)域整體的面積設(shè)為S，將位于比所述正壓產(chǎn)生面的導(dǎo)入側(cè)邊緣靠近所述導(dǎo)入側(cè)端面?zhèn)鹊奈恢蒙系乃銮岸藚^(qū)域內(nèi)的所述階梯面的面積設(shè)為S1，將所述前端區(qū)域內(nèi)的所述正壓產(chǎn)生面的面積設(shè)為S2時，S1/S在0.180～0.232的范圍內(nèi)，S1/S2在0.30～0.47的范圍內(nèi)。在所述磁盤對置面上，至少設(shè)有一個以上的比所述正壓產(chǎn)生面向磁盤面方向突出的凸?fàn)钔黄鸩?；并且，在與所述磁頭滑塊的磁盤對置面相面對的一側(cè)設(shè)有磁盤；所述磁頭滑塊從所述磁盤上上浮時的所述磁頭滑塊和磁盤面所成的傾角θ1，小于假定所述磁元件和所述凸?fàn)钔黄鸩拷佑|到磁盤上時的所述支撐面和磁盤面所成的傾角θx。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤裝置，其特征是將所述凸?fàn)钔黄鸩康闹辽僖粋€設(shè)置在從所述第1假想線到所述退離側(cè)端面的后端區(qū)域內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤裝置，其特征是所述傾角θx在210μrad以上。
全文摘要
一種具有磁頭滑塊的磁頭裝置及使用磁頭裝置的磁盤裝置，當(dāng)將前端區(qū)域(6)整個的面積設(shè)為S，將所述前端區(qū)域內(nèi)的階梯面(11)的面積設(shè)為S1，將所述前端區(qū)域內(nèi)的正壓產(chǎn)生面(12)的面積設(shè)為S2時，使得S1/S在0.180～0.232的范圍內(nèi)，S1/S2在0.30～0.47的范圍內(nèi)。這樣就可以增大所述磁頭滑塊從所述磁盤上上浮時和上浮后的傾角的差，同時可以減少因氣壓變化而造成的所述傾角的變動，從而可以防止對磁元件的損傷以及實(shí)現(xiàn)磁頭滑塊的上浮姿勢的穩(wěn)定化。
文檔編號G11B5/60GK1538442SQ200410033390
公開日2004年10月20日 申請日期2004年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月10日
發(fā)明者上田淳生, 石原弘久, 近藤康之, 森川諭, 中嶋啟視, 久, 之, 視 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社