專利名稱：偏移電壓補(bǔ)償電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及一種電路及方法，其用于補(bǔ)償在光電二極管集成電路中依賴溫度變化的偏移電壓的變化，并且更具體地，涉及這樣一種電路及方法，其能夠通過疊加用于根據(jù)溫度的變化改變流經(jīng)雙極結(jié)晶體管的電流的電路來補(bǔ)償依賴周圍溫度變化的偏移電壓的變化，其所述晶體管的特性隨周圍溫度的變化而變化。
背景技術(shù)：
近來光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)在與存儲(chǔ)器、硬盤和磁盤技術(shù)的技術(shù)競爭中正朝著高密度，高速度和小型化發(fā)展，并且由于優(yōu)于其它存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢，光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)的重要性正在增加。
這種光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)使用盤驅(qū)動(dòng)和存儲(chǔ)介質(zhì)(即光盤)被可拆卸地彼此附著的方法。與其它存儲(chǔ)介質(zhì)相比，該存儲(chǔ)介質(zhì)的優(yōu)勢在于它可以以低成本來實(shí)施，并且數(shù)據(jù)可被永久儲(chǔ)存在其上。具體來說，與其它存儲(chǔ)介質(zhì)相比，光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)對(duì)于溫度和沖擊的耐用性已知是極佳的。
然而，該光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)的缺點(diǎn)在于它的傳輸速率低，并且它的存儲(chǔ)容量低。為了克服這些缺點(diǎn)，可與磁盤相比的高容量和高速度光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)近來已隨著快速的技術(shù)進(jìn)步而被發(fā)展。目前，正在進(jìn)行對(duì)光檢測器集成電路(PDIC)，即光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)之一的研究。
圖1是典型PDIC的示意圖。
如圖1所示，當(dāng)光入射到光接收元件，例如光電二極管10上時(shí)，PDIC產(chǎn)生電流Iph。通過電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20和反饋電阻器RF，電流Iph被轉(zhuǎn)換為電壓并且被放大，從而使輸出電壓VOUT被輸出。
當(dāng)輸入的光學(xué)信號(hào)為0時(shí)，亦即當(dāng)?shù)焦怆姸O管10的光學(xué)信號(hào)輸入不存在時(shí)，輸出電壓VOUT理想地必須為0V。然而，從電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20的反相和非反相輸入端子流出電流，并且施加到反饋電阻器RF的電壓出現(xiàn)在輸出端子，因而輸出電壓VOUT不為0。在該情況下，所施加的電壓被稱作偏移電壓。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為補(bǔ)償這種偏移電壓，通過減小從反相和非反相輸入端子流出的偏移電流的大小來補(bǔ)償該偏移電壓的方法被使用。
作為例子，圖2示出了包括補(bǔ)償電路21的常規(guī)電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20的構(gòu)造。
該電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器20具有非反相輸入端子(+)和反相輸入端子(-)。圖1的參考符號(hào)RF相應(yīng)于反饋電阻器。金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管(MOSFET)P7和P8構(gòu)成有源電阻器24。電容器C1是用于補(bǔ)償頻率特性的電路元件。
當(dāng)光學(xué)信號(hào)不被輸入到連接到非反相輸入端子(+)的光電二極管時(shí)，從晶體管Q1的基極端子流出的偏移電流IB1產(chǎn)生偏移電壓，所述晶體管Q1為雙極結(jié)晶體管(BJT)。
為了便于描述，假定從非反相端子(+)流出的偏移電流的大小為1μA。通過偏置級(jí)，100μA，50μA和50μA的恒流值被分別設(shè)置在MOSFET P1，P2和P3上。
因此，當(dāng)流經(jīng)作為相同BJT的晶體管Q1和Q2的恒流IC1和IC2每個(gè)都是50μA，并且晶體管Q1的放大系數(shù)為50時(shí)，偏移電流IB1為1μA。也就是說，當(dāng)補(bǔ)償電路不存在時(shí)，偏移電流IB1為1μA。
同時(shí)，流經(jīng)MOSFET P3的50μA的電流I1也流經(jīng)晶體管Q3。假定晶體管Q3的放大系數(shù)為50，則晶體管Q3的基極電流IB4為1μA。分電流單元(current division unit)23由電流反射鏡電路組成，并且MOSFETP4和P5以及MOSFET P4和P6構(gòu)成兩對(duì)電流反射鏡。在分電流單元23中，流經(jīng)MOSFET P4的電流IB3被分為電流IB3的半個(gè)，即0.5μA，并且然后被鏡像。鏡像電流0.5μA被施加到非反相輸入端子(+)和反相輸入端子(-)，并且該電流補(bǔ)償所述偏移電流IB1，所以晶體管Q1的基極端子電流為0.5μA。
由于補(bǔ)償電流為0.5μA并且從非反相輸入端子(+)流出的電流為1μA，所以偏移電流為0.5μA。
偏移電壓VOUT受偏移電流IB1大小的影響，并且偏移電流IB1的大小被補(bǔ)償電路21減小。結(jié)果，受偏移電流大小影響的輸出電壓VOUT的變化被減小，即使變化是由任意因素而發(fā)生的。
同時(shí)，在構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路22的元件中，BJT Q1，Q2和Q4具有受周圍溫度變化影響的基極-發(fā)射極電壓，所以不論何時(shí)當(dāng)周圍溫度增加1℃時(shí)基極-發(fā)射極電壓VBE減小大約2mV，并且不論何時(shí)當(dāng)周圍溫度減小1℃時(shí)基極-發(fā)射極電壓VBE增加2mV。
下面描述晶體管Q4的情況。當(dāng)周圍溫度增加時(shí)，流經(jīng)晶體管Q4的電流IC4恒定在50μA，這是由于晶體管Q4的基極-發(fā)射極電壓VBE減小而電流IC4通過施加到MOSFET P2的偏置而固定在50μA，而不管基極-發(fā)射極電壓VBE的變化，因此輸出電壓VOUT增加。
相反，當(dāng)溫度降低時(shí)，晶體管Q4的基極-發(fā)射極電壓VBE增加，并且流經(jīng)晶體管Q4的電流IC4恒定在50μA，所以輸出電壓VOUT降低。
如上所述，當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，被設(shè)計(jì)成為了恒定偏移電壓而被最優(yōu)化的電路的工作受周圍溫度變化的影響。
如圖2所示，具有常規(guī)補(bǔ)償電路21的電路不直接補(bǔ)償依賴于周圍溫度變化的偏移電壓的變化，并且只與偏移電壓成比例地減小偏移電流的大小，因此只產(chǎn)生減小依賴于溫度變化的偏移電壓變化的效果。
在包括BJT的電路中，需要一種補(bǔ)償電路，其通過補(bǔ)償依賴于周圍溫度變化而產(chǎn)生的輸出電壓大小的變化來允許恒定的工作，而不管溫度的變化。
關(guān)于這種補(bǔ)償電路，作為補(bǔ)償偏移電壓的方案的例子，日本未審查的出版號(hào)11-68476的專利公開了一種方案，其通過施加偏移設(shè)置電壓到構(gòu)成差動(dòng)放大器的MOSFET的基底來校正偏移電壓。
盡管所公開的方案可以是用于補(bǔ)償依賴于溫度變化的工作變化的接近最好的措施，但它不提供由依賴于溫度變化的元件工作值的變化所引起的問題的直接解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明緊記現(xiàn)有技術(shù)中所發(fā)生的上述問題，并且本發(fā)明的目的是提供一種補(bǔ)償電路，其能夠補(bǔ)償包括BJT的電路中依賴于周圍溫度變化的BJT的特性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種電路，其能夠補(bǔ)償依賴于溫度的BJT特性的變化。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種補(bǔ)償依賴于溫度變化的電路工作特性的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于補(bǔ)償偏移電壓的電路，其包括溫度檢測單元，用于產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流；電流傳遞單元，其用于傳遞所產(chǎn)生的電流；以及電流調(diào)節(jié)單元，其用于以預(yù)定的比率調(diào)節(jié)從電流傳遞單元傳遞的電流并輸出經(jīng)調(diào)節(jié)的電流。
另外，本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種用于補(bǔ)償偏移電壓的電路，其包括溫度檢測單元，用于產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流；電流傳遞單元，用于傳遞所產(chǎn)生的電流；電流調(diào)節(jié)單元，用于放大并傳遞從電流傳遞單元傳遞的電流；以及輸出單元，其被配置成具有用于產(chǎn)生恒流，而不管周圍溫度變化的器件，并通過將從電流調(diào)節(jié)單元接收的電流疊加到在該器件產(chǎn)生的電流來輸出經(jīng)補(bǔ)償?shù)钠齐妷骸?br> 此外，本發(fā)明提供一種用于補(bǔ)償偏移電壓的方法，其包括步驟產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流；鏡像并傳遞所產(chǎn)生的電流；以及通過以預(yù)定的比率放大所傳遞的電流來產(chǎn)生補(bǔ)償電流并傳遞該補(bǔ)償電流。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清晰地理解，在附圖中圖1是典型PDIC的示意圖；圖2是示出常規(guī)電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器內(nèi)部構(gòu)造的電路圖；圖3是示出典型電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器的輸出級(jí)的構(gòu)造的電路圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的電路的電路圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的方法的流程圖；圖6是示出常規(guī)電路的工作效果的曲線圖；以及圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的電路工作效果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖3是電路圖，示出依賴于周圍溫度變化的輸出電壓的變化，其示出典型的電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器的輸出級(jí)的構(gòu)造。當(dāng)溫度增加時(shí)，作為BJT的晶體管B1的基極-發(fā)射極電壓VBE每1℃減小2mV。在此情況下，因?yàn)殡娏鱅C被固定在與電流I1相同的大小，輸出電壓VOUT被減小。
在該情況中，流經(jīng)晶體管B1的電流IC和基極-發(fā)射極電壓VBE具有如以下等式1的關(guān)系IC=ISeVBEVT---(1)]]>其中IS是BJT B1的固有飽和電流值，而VT是BJT B1的固有閾電壓值，其具有恒定值。
因此，基于以上所述關(guān)系，在該常規(guī)電路中，相對(duì)于隨溫度而變化的基極-發(fā)射極電壓VBE，流經(jīng)晶體管B1的電流IC是恒定的，但是如果電流IC的大小動(dòng)態(tài)地變化，則依賴于溫度的偏移電壓的變化可被補(bǔ)償。
圖4示出一個(gè)PDIC的構(gòu)造，其具有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于補(bǔ)償依賴于溫度變化的偏移電壓的變化的電路。
補(bǔ)償電路單元46被連接到電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器45的輸出端子VOUT。電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器45包括輸出單元48，用于將輸入電流以電壓形式傳遞到輸出端子VOUT。輸出單元48包括BJT Q3，其受周圍溫度變化的影響，以及MOSFET P5，其使用偏置級(jí)(未示出)來產(chǎn)生恒流I3，而不管周圍溫度的變化。
電流-電壓轉(zhuǎn)換放大器45具有非反相端子(+)和反相端子(-)。反饋電阻器RF對(duì)應(yīng)于圖1的反饋電阻器RF。電容器C1是用于補(bǔ)償頻率特性的電路元件。
通過偏置級(jí)(未示出)，100μA和50μA的恒流值被設(shè)置在MOSFETP6和P5上。
補(bǔ)償電路單元46包括溫度檢測單元41，電流傳遞單元42，電流調(diào)節(jié)單元44，以及電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45。優(yōu)選地，補(bǔ)償電路單元46可進(jìn)一步包括電壓調(diào)節(jié)元件43。
當(dāng)通過溫度檢測單元41產(chǎn)生隨溫度的變化而變化的電流時(shí)，電流傳遞單元42將所產(chǎn)生的電流傳遞到電流調(diào)節(jié)單元44，并且電流調(diào)節(jié)單元44以預(yù)定的比率放大所傳遞的電流并將經(jīng)放大的電流傳遞到電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45。
電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45的輸出單元48將從電流調(diào)節(jié)單元44傳遞的電流疊加到在電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45內(nèi)產(chǎn)生的電流，將被疊加的電流轉(zhuǎn)換為補(bǔ)償電壓，并輸出該補(bǔ)償電壓。電壓調(diào)節(jié)元件43是等價(jià)于二極管的電路，其通過補(bǔ)償在晶體管Q1處產(chǎn)生的電壓降來調(diào)節(jié)電流傳遞單元42的兩個(gè)端子之間的電壓差。
下面較詳細(xì)地描述電流-電壓轉(zhuǎn)換單元的工作。
當(dāng)周圍溫度增加時(shí)，晶體管Q3的基極-發(fā)射極電壓VBE3每1℃減小2mV，所述晶體管Q3是電流-電壓補(bǔ)償電路的BJT。類似地，具有與晶體管Q3相同特性的晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE1也減小。用于供應(yīng)與溫度變化無關(guān)的恒壓的帶隙基準(zhǔn)(BGR，BandGap Reference)電路被連接到晶體管Q1的基極端子。
相反，當(dāng)周圍溫度減小時(shí)，晶體管Q3和Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE3和VBE1兩者都每1℃增加2mV。
流經(jīng)晶體管Q1的電流I1是大小隨晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE3的變化而變化的電流。電流I1通過電流傳遞單元42來鏡像，然后被傳遞到電壓調(diào)節(jié)元件43。
優(yōu)選地，電流傳遞單元42可包括兩個(gè)尺寸一樣的MOSFET。電壓調(diào)節(jié)元件43通過調(diào)節(jié)電流傳遞單元42的兩個(gè)端子之間的電壓差來補(bǔ)償在晶體管Q1處產(chǎn)生的電壓降。優(yōu)選地，如圖3所示，電壓調(diào)節(jié)元件43可使用基極端子被連接到集電極端子的BJT來實(shí)現(xiàn)。該BJT是等價(jià)于二極管的電路，并且根據(jù)實(shí)施例，可被替換成二極管或某個(gè)其它元件。
電流調(diào)節(jié)單元44以預(yù)定的比率放大來自電流傳遞單元42的電流，并將補(bǔ)償電流I2傳遞到電流-電壓轉(zhuǎn)換單元45。電流調(diào)節(jié)單元44可包括具有兩個(gè)彼此在尺寸上不一樣的MOSFET P3和P4的反射鏡電路。放大系數(shù)由MOSFET的尺寸確定。MOSFET的尺寸被定義為寬度(w)與長度(l)之比。由于長度(l)的值在設(shè)計(jì)MOSFET時(shí)被固定以不被調(diào)節(jié)，因此優(yōu)選地通過調(diào)節(jié)寬度(w)的值來調(diào)節(jié)放大系數(shù)。例如，當(dāng)MOSFET P3和P4的尺寸比為1∶2時(shí)，所傳遞的電流被放大兩倍。放大比可依賴于電流-電壓轉(zhuǎn)換電路45的晶體管Q3的溫度變化特性而不同。
被電流調(diào)節(jié)單元43放大的電流是補(bǔ)償電流I2，并流經(jīng)MOSFET P4。在該情況中，下列等式被建立。
IC＝I2+I3其中I3是流經(jīng)MOSFET P5的電流并且其大小被固定，而I2是借助于補(bǔ)償電路單元46依賴溫度而變化的電流。
結(jié)果，作為電流I2與電流I3之和的電流IC隨周圍溫度的變化而動(dòng)態(tài)變化。
因此，當(dāng)晶體管Q3的基極-發(fā)射極電壓VBE隨溫度的變化而變化時(shí)，流經(jīng)晶體管Q3的電流IC也變化，所以輸出電壓VOUT變成恒定的，而不管溫度的變化。
根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償依賴于溫度變化的偏移電壓的電路可被應(yīng)用到所有包括BJT的電路。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的方法的流程圖。
在步驟S101產(chǎn)生隨周圍溫度的變化而變化的電流I1。
如果溫度增加，則晶體管Q1的基極-發(fā)射極電壓VBE的大小減小，所以流經(jīng)連接到晶體管Q1下端子的電阻器R1的電流I1的大小增加。如果溫度降低，則基極-發(fā)射極VBE的大小增加，所以流經(jīng)連接到晶體管Q1下端子的電阻器R1的電流I1的大小減小。
其后，在步驟S102，所產(chǎn)生的電流I1被鏡像并被傳遞。
所產(chǎn)生的電流I1經(jīng)由反射鏡電路以預(yù)定的比率被傳遞，該反射鏡電路包括兩個(gè)一樣尺寸的MOSFET。
本發(fā)明的方法可進(jìn)一步包括步驟調(diào)節(jié)被選擇性傳遞的電流的驅(qū)動(dòng)電壓，在該情況中電路之間的電壓可被調(diào)節(jié)。
如上所述，所傳遞的電流以預(yù)定的比率被放大，所以在步驟S103產(chǎn)生補(bǔ)償電流I2。優(yōu)選地，可使用包括具有不同尺寸的MOSFET的反射鏡電路以預(yù)定比率來放大該電流。
其后，在步驟S104，通過將補(bǔ)償電流I2疊加到偏移電壓被補(bǔ)償?shù)碾娐分信c溫度變化無關(guān)的恒流而產(chǎn)生被疊加的電流IC。
根據(jù)本發(fā)明的補(bǔ)償依賴于溫度變化的偏移電壓的方法可被應(yīng)用到包括BJT的所有電路。
圖6示出不包括用于補(bǔ)償偏移電壓的電路的情況中依賴于溫度變化的輸出電壓特性。可以看出輸出電壓VOUT是不穩(wěn)定的，也就是說，輸出電壓VOUT與溫度變化成比例地增加或減小。
圖7示出在包括根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償偏移電壓的電路的情況中依賴于溫度變化的輸出電壓特性?？梢钥闯?，即使溫度變化，輸出電壓VOUT被限制在特定的范圍并且是穩(wěn)定的。
如上所述，本發(fā)明可補(bǔ)償在包括BJT的電路中隨周圍溫度變化而變化的BJT的特性。
此外，本發(fā)明可提供一種電路，其中依賴周圍溫度變化的BJT的特性被補(bǔ)償。
盡管本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例為了說明的目的已被公開，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在如所附權(quán)利要求中公開的精神和范圍內(nèi)的各種修改、添加和替換是可能的。
權(quán)利要求
1.一種電路，用于補(bǔ)償偏移電壓，包括溫度檢測單元，用于產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流；電流傳遞單元，用于傳遞所產(chǎn)生的電流；以及電流調(diào)節(jié)單元，用于以預(yù)定比率調(diào)節(jié)從所述電流傳遞單元傳遞的電流并且輸出經(jīng)調(diào)節(jié)的電流。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述溫度檢測單元包含晶體管，在其中基極端子和發(fā)射極端子之間的電壓隨周圍溫度的變化而變化。
3.如權(quán)利要求2所述的電路，其中所述溫度檢測單元包含電壓源，其被配置成供應(yīng)恒壓，而不管周圍溫度的變化；以及電阻器，其被連接到晶體管的發(fā)射極端子。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電流傳遞單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有彼此在尺寸上一樣的兩個(gè)晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電流調(diào)節(jié)單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有兩個(gè)晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包含電壓調(diào)節(jié)器件，用于調(diào)節(jié)所述電流傳遞單元的輸入和輸出端子之間的電壓。
7.一種電路，用于補(bǔ)償偏移電壓，包含溫度檢測單元，用于產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流；電流傳遞單元，用于傳遞所產(chǎn)生的電流；電流調(diào)節(jié)單元，用于放大并傳遞從所述電流傳遞單元傳遞的電流；以及輸出單元，其被配置成具有用于產(chǎn)生恒流，而不管周圍溫度的變化的器件，并通過將從所述電流調(diào)節(jié)單元接收的電流疊加到在該器件產(chǎn)生的電流來輸出經(jīng)補(bǔ)償?shù)钠齐妷骸?br> 8.如權(quán)利要求7所述的電路，其中所述溫度檢測單元包含晶體管，在其中基極端子和發(fā)射極端子之間的電壓隨周圍溫度的變化而變化。
9.如權(quán)利要求所述8的電路，其中所述溫度檢測單元包含電壓源，所述電壓源被配置成供應(yīng)恒壓，而不管周圍溫度的變化；以及電阻器，其被連接到所述晶體管的發(fā)射極端子。
10.如權(quán)利要求7所述的電路，其中所述電流傳遞單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有彼此在尺寸上一樣的兩個(gè)晶體管。
11.如權(quán)利要求7所述的電路，其中所述電流調(diào)節(jié)單元包含反射鏡電路，該反射鏡電路具有兩個(gè)晶體管。
12.如權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包含電壓調(diào)節(jié)器件，用于調(diào)節(jié)所述電流傳遞單元的輸入和輸出之間的電壓。
13.一種用于補(bǔ)償偏移電壓的方法，其包含下列步驟產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流；鏡像并傳遞所產(chǎn)生的電流；以及通過以預(yù)定的比率放大所傳遞的電流來產(chǎn)生補(bǔ)償電流并傳遞該補(bǔ)償電流。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包含下列步驟將所述補(bǔ)償電流疊加到在產(chǎn)生偏移電壓的輸出電路處產(chǎn)生的偏移電流；以及將被疊加的電流轉(zhuǎn)換為偏移電壓被補(bǔ)償?shù)碾妷?，并輸出?jīng)轉(zhuǎn)換的電壓。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中鏡像并傳遞所產(chǎn)生的電流的步驟進(jìn)一步包含調(diào)節(jié)用于所傳遞電流的驅(qū)動(dòng)電壓的步驟。
全文摘要
一種用于補(bǔ)償光檢測器集成電路(PDIC)中的偏移電壓的電路在此被公開。該電路包括溫度檢測單元，電流傳遞單元和電流調(diào)節(jié)單元。溫度檢測單元產(chǎn)生隨周圍溫度變化而變化的電流。電流傳遞單元傳遞所產(chǎn)生的電流。電流調(diào)節(jié)單元以預(yù)定比率調(diào)節(jié)從所述電流傳遞單元傳遞的電流并輸出經(jīng)調(diào)節(jié)的電流。
文檔編號(hào)G11B7/13GK1825756SQ20051006641
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2005年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月23日
發(fā)明者孔正喆, 權(quán)敬洙, 黃鉉奭, 金尚碩 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社